一種中高溫厚膜電路導體漿料及其制備方法與流程

文檔序號：11098367閱讀：858來源：國知局

本發明涉及電子材料技術領域，尤其涉及一種中高溫厚膜電路導體漿料及其制備方法。

背景技術：

厚膜技術是通過絲網印刷的方法把絕緣介質漿料、電阻漿料和導體漿料等材料涂制在基板上，經過高溫燒結，在基板上形成粘附牢固的功能膜。

目前，厚膜技術在電加熱領域廣泛作為大功率電熱元件使用；其中，作為大功率電熱元件基板，不銹鋼基板具有機械性能好、抗沖擊性能的優勢，越來越多的應用于厚膜大功率電熱元件，且與之相匹配的電子漿料已相當成熟；但是，不銹鋼基板升溫速率慢，密度大導致電熱元件笨重，厚膜電路元件燒成溫度高，能耗大。

而金屬鋁基板具有重量輕、差不多只有不銹鋼的三分之一，導熱性能好、易于加工等優點，非常適合作為一種大功率電熱厚膜電路基板使用；但是金屬鋁的熱膨脹系數大，與目前常用的電子漿料不匹配，而且鋁的熔點較低，只660℃左右，在燒制電熱元件時不能使用傳統的高溫燒結工藝。研制基于金屬鋁基板的大功率厚膜電熱元件，對其電子漿料提出了新要求，故本發明公開了一種中高溫厚膜電路導體漿料及其制備方法。

技術實現要素：

本發明的目的在于提供一種中高溫厚膜電路導體漿料，該中高溫厚膜電路導體漿料與燒結好的介質漿料結合力好、附著力好且具有良好導電性能，符合大功率金屬鋁基板厚膜電路用導體漿料的要求。

本發明的另一目的在于提供一種中高溫厚膜電路導體漿料的制備方法，該制備方法能夠有效地生產制備上述導體漿料。

為達到上述目的，本發明通過以下技術方案來實現。

一種中高溫厚膜電路導體漿料，包括有以下重量份的物料，具體為：

導電相粉末 70%-80%

有機載體 10%-20%

玻璃粉無機粘結相 2%-8%

助劑 2%-5%；

其中，導電相粉末由銀粉、鈀粉、五氧化二釕粉以及銥粉組成；

有機載體由樹脂、溶劑組成；

玻璃粉無機粘結相由Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃組成。

其中，所述導電相粉末中銀粉、鈀粉、五氧化二釕粉、銥粉四種物料的重量份依次為：88%-95%、2%-8%、1%-5%、0.5%-1%。

其中，所述導電相粉末中銀粉、鈀粉、五氧化二釕粉、銥粉的平均粒徑值為0.8μm -4μm。

其中，所述有機載體中的樹脂為聚乙烯縮丁醛、丙烯酸甲酯、聚α一甲基苯乙烯中的一種或者至少兩種所組成的混合物。

其中，所述有機載體中的溶劑為環己酮、松油醇、己二酸二甲酯、二乙二酸乙醚醋酸酯、二乙二酸丁醚醋酸酯、異氟爾酮中的一種或者至少兩種所組成的混合物。

其中，所述玻璃粉無機粘結相中Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃七種物料的重量份依次為：50%-55%、30%-40%、1%-3% 、2%-3%、2%-5%、1%-3%、2%-4%。

其中，所述助劑為炭黑添加劑、氣相二氧化硅、BYK019消泡劑、BYK333流平劑中的一種或者至少兩種所組成的混合物。

其中，該導體漿料的細度為1μm -5μm，粘度為 300 dPa·s -400dPa·s，方阻為5 mΩ/□-15mΩ/□。

其中，該導體漿料應用于鋁基板的厚膜導體電路。

一種中高溫厚膜電路導體漿料的制備方法，包括有以下工藝步驟，具體為：

a、制備玻璃粉無機粘結相：稱取Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃，并將稱取好的Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃置于混料機中進行攪拌混合；待Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃所組成的玻璃粉混合料混勻后，將玻璃粉混合料裝入石墨坩堝中，并將裝有玻璃粉混合料的石墨坩堝放入至高溫爐中，以對玻璃粉混合料進行熔煉處理，熔煉溫度為1200-1500℃，熔煉時間2-4小時；待玻璃粉混合料熔煉完成后，將溶化后的玻璃液進行淬火并形成玻璃渣，而后將玻璃渣裝入至球磨罐中進行球磨處理，球磨時間為10-15小時，以獲得粒徑值小于 5μm 的玻璃粉無機粘結相，而后對玻璃粉無機粘結相進行真空烘干處理，玻璃粉無機粘結相中Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃七種物料的重量份依次為：50%-55%、30%-40%、1%-3% 、2%-3%、2%-5%、1%-3%、2%-4%；

b、制備有機載體：將樹脂置于溶劑中，并于40-70℃溫度下溶解完全，以獲得透明有機載體；

c、制備導體漿料：稱取導電相粉末、有機載體、玻璃粉無機粘結相、助劑，并將稱取好的導電相粉末、有機載體、玻璃粉無機粘結相、助劑置于三輥研磨機中進行研磨處理，研磨處理后獲得細度小于5μm、粘度為300-400dPa·s的導體漿料；而后將研磨處理后的導體漿料通過600-800目的網孔過濾兩次，最后通過脫泡機進行脫泡處理2-5分鐘，以完成導體漿料制備，導體漿料中導電相粉末、有機載體、玻璃粉無機粘結相、助劑四種物料的重量份依次為：70%-80%、10%-20%、2%-8%、2%-5%。

本發明的有益效果為：本發明所述的一種中高溫厚膜電路導體漿料，其包括有以下重量份的物料：導電相粉末70%-80%、有機載體10%-20%、玻璃粉無機粘結相2%-8%、助劑2%-5%；導電相粉末由銀粉、鈀粉、五氧化二釕粉以及銥粉組成，有機載體由樹脂、溶劑組成，玻璃粉無機粘結相由Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃組成。通過上述物料配比，該導體漿料與燒結好的介質漿料結合力好、附著力好且具有良好導電性能，符合大功率金屬鋁基板厚膜電路用導體漿料的要求。

本發明的另一有益效果為：本發明所述的一種中高溫厚膜電路導體漿料的制備方法，其包括以下工藝步驟：a、制備玻璃粉無機粘結相：稱取Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃，并將稱取好的Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃置于混料機中進行攪拌混合；待Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃所組成的玻璃粉混合料混勻后，將玻璃粉混合料裝入石墨坩堝中，并將裝有玻璃粉混合料的石墨坩堝放入至高溫爐中，以對玻璃粉混合料進行熔煉處理，熔煉溫度為1200-1500℃，熔煉時間2-4小時；待玻璃粉混合料熔煉完成后，將溶化后的玻璃液進行淬火并形成玻璃渣，而后將玻璃渣裝入至球磨罐中進行球磨處理，球磨時間為10-15小時，以獲得粒徑值小于 5μm 的玻璃粉無機粘結相，而后對玻璃粉無機粘結相進行真空烘干處理，玻璃粉無機粘結相中Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃七種物料的重量份依次為：50%-55%、30%-40%、1%-3% 、2%-3%、2%-5%、1%-3%、2%-4%；b、制備有機載體：將樹脂置于溶劑中，并于40-70℃溫度下溶解完全，以獲得透明有機載體；c、制備導體漿料：稱取導電相粉末、有機載體、玻璃粉無機粘結相、助劑，并將稱取好的導電相粉末、有機載體、玻璃粉無機粘結相、助劑置于三輥研磨機中進行研磨處理，研磨處理后獲得細度小于5μm、粘度為300-400dPa·s的導體漿料；而后將研磨處理后的導體漿料通過600-800目的網孔過濾兩次，最后通過脫泡機進行脫泡處理2-5分鐘，以完成導體漿料制備，導體漿料中導電相粉末、有機載體、玻璃粉無機粘結相、助劑四種物料的重量份依次為：70%-80%、10%-20%、2%-8%、2%-5%。通過上述工藝步驟設計，該制備方法能夠有效地生產制備上述導體漿料。

附圖說明

圖1為所用的片狀銀粉的SEM圖。

具體實施方式

下面結合具體的實施方式來對本發明進行說明。

實施例一，一種中高溫厚膜電路導體漿料，包括有以下重量份的物料，具體為：

導電相粉末 80%

有機載體 15%

玻璃粉無機粘結相 3%

助劑 2%。

其中，導電相粉末由銀粉、鈀粉、五氧化二釕粉以及銥粉組成，導電相粉末中銀粉、鈀粉、五氧化二釕粉、銥粉四種物料的重量份依次為：88%、8%、3%、1%，且導電相粉末中銀粉、鈀粉、五氧化二釕粉、銥粉的平均粒徑值為0.8μm -4μm；其中，銀粉為片式銀粉。

有機載體由樹脂、溶劑組成，有機載體中的樹脂為聚乙烯縮丁醛，有機載體中的溶劑為松油醇，有機載體中聚乙烯縮丁醛的重量份為15%，有機載體中松油醇的重量份為85%。

玻璃粉無機粘結相由Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃組成，玻璃粉無機粘結相中Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃七種物料的重量份依次為：55%、37%、1%、2%、2%、1%、2%。

助劑為炭黑添加劑、氣相二氧化硅、BYK019消泡劑、BYK333流平劑中的一種或者至少兩種所組成的混合物。

另外，該導體漿料的細度為1μm -5μm，粘度為 300 dPa·s -400dPa·s；其中，該導體漿料應用于鋁基板的厚膜導體電路。

通過上述物料配比，本實施例一的中高溫厚膜電路導體漿料具有以下優點，具體為：

1、為無鉛體系，無有害物質，符合環保需求；

2、燒結溫度比傳統導體漿料低，節約資源；

3、應用于輕質基材金屬鋁基板厚膜導體電路；

4、導體的方阻比高溫烘烤的導體方阻低。

故而，本實施例一的導體漿料能夠有效地解決現有漿料燒結溫度高、含有鉛、鎘等重金屬成分、不適應無鉛焊接工藝的等問題，該導體漿料與燒結好的介質漿料結合力好、附著力好且具有良好導電性能，符合大功率金屬鋁基板厚膜電路用導體漿料的要求。

需進一步指出，本實施例一的導體漿料可以采用以下制備方法制備而成，具體的，一種中高溫厚膜電路導體漿料的制備方法，其包括有以下工藝步驟：

a、制備玻璃粉無機粘結相：稱取Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃，并將稱取好的Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃置于混料機中進行攪拌混合；待Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃所組成的玻璃粉混合料混勻后，將玻璃粉混合料裝入石墨坩堝中，并將裝有玻璃粉混合料的石墨坩堝放入至高溫爐中，以對玻璃粉混合料進行熔煉處理，熔煉溫度為1300℃，熔煉時間3小時；待玻璃粉混合料熔煉完成后，將溶化后的玻璃液進行淬火并形成玻璃渣，而后將玻璃渣裝入至球磨罐中進行球磨處理，球磨時間為10小時，以獲得粒徑值為4μm 的玻璃粉無機粘結相，而后對玻璃粉無機粘結相進行真空烘干處理，玻璃粉無機粘結相中Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃七種物料的重量份依次為：55%、37%、1%、2%、2%、1%、2%；

b、制備有機載體：將樹脂置于溶劑中，并于40-70℃溫度下溶解完全，以獲得透明有機載體，有機載體中的樹脂為聚乙烯縮丁醛，有機載體中的溶劑為松油醇，有機載體中聚乙烯縮丁醛的重量份為15%，有機載體中松油醇的重量份為85%；

d、將制作的導體漿料印刷在燒結好介質漿料的鋁基板上，形成需要的圖形，在165℃干燥10min，在560℃燒結10min。

通過上述工藝步驟設計，該制備方法能夠有效地生產制備本實施例一的導體漿料。

實施例二，一種中高溫厚膜電路導體漿料，包括有以下重量份的物料，具體為：

導電相粉末 78%

有機載體 16%

玻璃粉無機粘結相 2%

助劑 4%。

其中，導電相粉末由銀粉、鈀粉、五氧化二釕粉以及銥粉組成，導電相粉末中銀粉、鈀粉、五氧化二釕粉、銥粉四種物料的重量份依次為：90%、8%、1%、1%，且導電相粉末中銀粉、鈀粉、五氧化二釕粉、銥粉的平均粒徑值為0.8μm -4μm；其中，銀粉為片式銀粉。

玻璃粉無機粘結相由Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃組成，玻璃粉無機粘結相中Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃七種物料的重量份依次為：53%、35%、3%、2%、3%、1%、3%。

助劑為炭黑添加劑、氣相二氧化硅、BYK019消泡劑、BYK333流平劑中的一種或者至少兩種所組成的混合物。

另外，該導體漿料的細度為1μm -5μm，粘度為 300 dPa·s -400dPa·s；其中，該導體漿料應用于鋁基板的厚膜導體電路。

通過上述物料配比，本實施例二的中高溫厚膜電路導體漿料具有以下優點，具體為：

1、為無鉛體系，無有害物質，符合環保需求；

2、燒結溫度比傳統導體漿料低，節約資源；

3、應用于輕質基材金屬鋁基板厚膜導體電路；

4、導體的方阻比高溫烘烤的導體方阻低。

故而，本實施例二的導體漿料能夠有效地解決現有漿料燒結溫度高、含有鉛、鎘等重金屬成分、不適應無鉛焊接工藝的等問題，該導體漿料與燒結好的介質漿料結合力好、附著力好且具有良好導電性能，符合大功率金屬鋁基板厚膜電路用導體漿料的要求。

需進一步指出，本實施例二的導體漿料可以采用以下制備方法制備而成，具體的，一種中高溫厚膜電路導體漿料的制備方法，其包括有以下工藝步驟：

a、制備玻璃粉無機粘結相：稱取Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃，并將稱取好的Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃置于混料機中進行攪拌混合；待Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃所組成的玻璃粉混合料混勻后，將玻璃粉混合料裝入石墨坩堝中，并將裝有玻璃粉混合料的石墨坩堝放入至高溫爐中，以對玻璃粉混合料進行熔煉處理，熔煉溫度為1250℃，熔煉時間3小時；待玻璃粉混合料熔煉完成后，將溶化后的玻璃液進行淬火并形成玻璃渣，而后將玻璃渣裝入至球磨罐中進行球磨處理，球磨時間為10小時，以獲得粒徑值為4μm 的玻璃粉無機粘結相，而后對玻璃粉無機粘結相進行真空烘干處理，玻璃粉無機粘結相中Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃七種物料的重量份依次為：53%、35%、3%、2%、3%、1%、3%；

d、將制作的導體漿料印刷在燒結好介質漿料的鋁基板上，形成需要的圖形，在165℃干燥10min，在560℃燒結10min。

通過上述工藝步驟設計，該制備方法能夠有效地生產制備本實施例二的導體漿料。

實施例三，一種中高溫厚膜電路導體漿料，包括有以下重量份的物料，具體為：

導電相粉末 76%

有機載體 18%

玻璃粉無機粘結相 4%

助劑 2%。

其中，導電相粉末由銀粉、鈀粉、五氧化二釕粉以及銥粉組成，導電相粉末中銀粉、鈀粉、五氧化二釕粉、銥粉四種物料的重量份依次為：93%、3%、3.5%、0.5%，且導電相粉末中銀粉、鈀粉、五氧化二釕粉、銥粉的平均粒徑值為0.8μm -4μm；其中，銀粉為片式銀粉。

有機載體由樹脂、溶劑組成，有機載體中的樹脂為聚乙烯縮丁醛，有機載體中的溶劑為松油醇，有機載體中聚乙烯縮丁醛的重量份為20%，有機載體中松油醇的重量份為80%。

玻璃粉無機粘結相由Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃組成，玻璃粉無機粘結相中Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃七種物料的重量份依次為：54%、30%、3%、3%、5%、2%、3%。

助劑為炭黑添加劑、氣相二氧化硅、BYK019消泡劑、BYK333流平劑中的一種或者至少兩種所組成的混合物。

另外，該導體漿料的細度為1μm -5μm，粘度為 300 dPa·s -400dPa·s；其中，該導體漿料應用于鋁基板的厚膜導體電路。

通過上述物料配比，本實施例三的中高溫厚膜電路導體漿料具有以下優點，具體為：

1、為無鉛體系，無有害物質，符合環保需求；

2、燒結溫度比傳統導體漿料低，節約資源；

3、應用于輕質基材金屬鋁基板厚膜導體電路；

4、導體的方阻比高溫烘烤的導體方阻低。

故而，本實施例三的導體漿料能夠有效地解決現有漿料燒結溫度高、含有鉛、鎘等重金屬成分、不適應無鉛焊接工藝的等問題，該導體漿料與燒結好的介質漿料結合力好、附著力好且具有良好導電性能，符合大功率金屬鋁基板厚膜電路用導體漿料的要求。

需進一步指出，本實施例三的導體漿料可以采用以下制備方法制備而成，具體的，一種中高溫厚膜電路導體漿料的制備方法，其包括有以下工藝步驟：

a、制備玻璃粉無機粘結相：稱取Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃，并將稱取好的Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃置于混料機中進行攪拌混合；待Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃所組成的玻璃粉混合料混勻后，將玻璃粉混合料裝入石墨坩堝中，并將裝有玻璃粉混合料的石墨坩堝放入至高溫爐中，以對玻璃粉混合料進行熔煉處理，熔煉溫度為1200℃，熔煉時間3小時；待玻璃粉混合料熔煉完成后，將溶化后的玻璃液進行淬火并形成玻璃渣，而后將玻璃渣裝入至球磨罐中進行球磨處理，球磨時間為10小時，以獲得粒徑值為4μm 的玻璃粉無機粘結相，而后對玻璃粉無機粘結相進行真空烘干處理，玻璃粉無機粘結相中Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃七種物料的重量份依次為：54%、30%、3%、3%、5%、2%、3%；

d、將制作的導體漿料印刷在燒結好介質漿料的鋁基板上，形成需要的圖形，在165℃干燥10min，在560℃燒結10min。

通過上述工藝步驟設計，該制備方法能夠有效地生產制備本實施例三的導體漿料。

實施例四，一種中高溫厚膜電路導體漿料，包括有以下重量份的物料，具體為：

導電相粉末 74%

有機載體 18%

玻璃粉無機粘結相 5%

助劑 3%。

有機載體由樹脂、溶劑組成，有機載體中的樹脂為聚乙烯縮丁醛，有機載體中的溶劑為松油醇，有機載體中聚乙烯縮丁醛的重量份為25%，有機載體中松油醇的重量份為75%。

玻璃粉無機粘結相由Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃組成，玻璃粉無機粘結相中Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃七種物料的重量份依次為：50%、40%、2%、2%、2%、2%、2%。

助劑為炭黑添加劑、氣相二氧化硅、BYK019消泡劑、BYK333流平劑中的一種或者至少兩種所組成的混合物。

另外，該導體漿料的細度為1μm-5μm，粘度為 300 dPa·s -400dPa·s；其中，該導體漿料應用于鋁基板的厚膜導體電路。

通過上述物料配比，本實施例四的中高溫厚膜電路導體漿料具有以下優點，具體為：

1、為無鉛體系，無有害物質，符合環保需求；

2、燒結溫度比傳統導體漿料低，節約資源；

3、應用于輕質基材金屬鋁基板厚膜導體電路；

4、導體的方阻比高溫烘烤的導體方阻低。

故而，本實施例四的導體漿料能夠有效地解決現有漿料燒結溫度高、含有鉛、鎘等重金屬成分、不適應無鉛焊接工藝的等問題，該導體漿料與燒結好的介質漿料結合力好、附著力好且具有良好導電性能，符合大功率金屬鋁基板厚膜電路用導體漿料的要求。

需進一步指出，本實施例四的導體漿料可以采用以下制備方法制備而成，具體的，一種中高溫厚膜電路導體漿料的制備方法，其包括有以下工藝步驟：

a、制備玻璃粉無機粘結相：稱取Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃，并將稱取好的Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃置于混料機中進行攪拌混合；待Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃所組成的玻璃粉混合料混勻后，將玻璃粉混合料裝入石墨坩堝中，并將裝有玻璃粉混合料的石墨坩堝放入至高溫爐中，以對玻璃粉混合料進行熔煉處理，熔煉溫度為1400℃，熔煉時間3小時；待玻璃粉混合料熔煉完成后，將溶化后的玻璃液進行淬火并形成玻璃渣，而后將玻璃渣裝入至球磨罐中進行球磨處理，球磨時間為10小時，以獲得粒徑值為4μm 的玻璃粉無機粘結相，而后對玻璃粉無機粘結相進行真空烘干處理，玻璃粉無機粘結相中Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃七種物料的重量份依次為：50%、40%、2%、2%、2%、2%、2%；

b、制備有機載體：將樹脂置于溶劑中，并于40-70℃溫度下溶解完全，以獲得透明有機載體，有機載體中的樹脂為聚乙烯縮丁醛，有機載體中的溶劑為松油醇，有機載體中聚乙烯縮丁醛的重量份為25%，有機載體中松油醇的重量份為75%；

d、將制作的導體漿料印刷在燒結好介質漿料的鋁基板上，形成需要的圖形，在165℃干燥10min，在560℃燒結10min。

通過上述工藝步驟設計，該制備方法能夠有效地生產制備本實施例四的導體漿料。

實施例五，一種中高溫厚膜電路導體漿料，包括有以下重量份的物料，具體為：

導電相粉末 70%

有機載體 20%

玻璃粉無機粘結相 5%

助劑 5%。

助劑為炭黑添加劑、氣相二氧化硅、BYK019消泡劑、BYK333流平劑中的一種或者至少兩種所組成的混合物。

另外，該導體漿料的細度為1μm -5μm，粘度為 300 dPa·s -400dPa·s；其中，該導體漿料應用于鋁基板的厚膜導體電路。

通過上述物料配比，本實施例五的中高溫厚膜電路導體漿料具有以下優點，具體為：

1、為無鉛體系，無有害物質，符合環保需求；

2、燒結溫度比傳統導體漿料低，節約資源；

3、應用于輕質基材金屬鋁基板厚膜導體電路；

4、導體的方阻比高溫烘烤的導體方阻低。

故而，本實施例五的導體漿料能夠有效地解決現有漿料燒結溫度高、含有鉛、鎘等重金屬成分、不適應無鉛焊接工藝的等問題，該導體漿料與燒結好的介質漿料結合力好、附著力好且具有良好導電性能，符合大功率金屬鋁基板厚膜電路用導體漿料的要求。

需進一步指出，本實施例五的導體漿料可以采用以下制備方法制備而成，具體的，一種中高溫厚膜電路導體漿料的制備方法，其包括有以下工藝步驟：

a、制備玻璃粉無機粘結相：稱取Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃，并將稱取好的Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃置于混料機中進行攪拌混合；待Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃所組成的玻璃粉混合料混勻后，將玻璃粉混合料裝入石墨坩堝中，并將裝有玻璃粉混合料的石墨坩堝放入至高溫爐中，以對玻璃粉混合料進行熔煉處理，熔煉溫度為1450℃，熔煉時間3小時；待玻璃粉混合料熔煉完成后，將溶化后的玻璃液進行淬火并形成玻璃渣，而后將玻璃渣裝入至球磨罐中進行球磨處理，球磨時間為10小時，以獲得粒徑值為4μm 的玻璃粉無機粘結相，而后對玻璃粉無機粘結相進行真空烘干處理，玻璃粉無機粘結相中Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃七種物料的重量份依次為：50%、40%、2%、2%、2%、2%、2%；