一種模壓表貼脈沖功率電容器的制造方法
【專利摘要】一種模壓表貼脈沖功率電容器，包括有陶瓷電容器本體、與陶瓷電容器本體的電極焊接的引腳及模壓封裝于陶瓷電容器本體及引腳外的絕緣封裝層，所述引腳部分暴露于絕緣封裝層外，所述絕緣封裝層下表面形成有若干柱狀凸起。本實(shí)用新型的陶瓷電容器本體通過絕緣封裝層模壓封裝并引出引腳，可適應(yīng)各種不同的焊接工藝，適用范圍更廣；在絕緣封裝層下表面設(shè)置柱狀凸起，可與電路板相配合使電容器固定更牢靠，大大提高加速度能力，可達(dá)到40000個G，提高電路板的可靠性；在陶瓷電容器本體與絕緣封裝層之間設(shè)置緩沖材料層，可抵抗不同材料間的膨脹系數(shù)，且抗沖擊、抗震能力強(qiáng)，環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)，穩(wěn)定性及可靠性更高。
【專利說明】
一種模壓表貼脈沖功率電容器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種電容器，特別是一種模壓表貼脈沖功率電容器。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的陶瓷電容器中，貼片式多層陶瓷電容器由陶瓷薄膜疊加成片狀，兩端覆蓋外電極，該結(jié)構(gòu)的電容器可滿足表面貼裝生產(chǎn)工藝的需要且可制成小體積的電容器，但其抗氧化、耐潮濕、耐沖擊性能較差，環(huán)境適應(yīng)性差?，F(xiàn)有技術(shù)中，公開號為CN202633056U的實(shí)用新型專利公開了一種片式陶瓷電容器，包括陶瓷電容芯片、絕緣封裝和與芯片焊接的引腳，所述陶瓷電容芯片與引腳被絕緣封裝模壓封裝，引腳部分暴露在絕緣封裝外，暴露在絕緣封裝層外的引腳與絕緣封裝外壁貼合并延伸至陶瓷電容器的頂面或底面;此種結(jié)構(gòu)的陶瓷電容器克服了現(xiàn)有貼片式多層陶瓷電容器的缺點(diǎn)，大大提高了抗氧化、耐潮濕及耐沖擊能力，提高了環(huán)境適應(yīng)性，但與電路板連接時焊接存在一定難度，焊接要求高，且加速度能力差，可靠性較低。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的主要目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，提供一種可適應(yīng)各種不同的焊接工藝，適用范圍更廣，同時可大大提高加速度能力，且抗沖擊、抗震能力強(qiáng)，環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)，穩(wěn)定性及可靠性更高的模壓表貼脈沖功率電容器。
[0004]本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:
[0005]—種模壓表貼脈沖功率電容器，包括有陶瓷電容器本體、與陶瓷電容器本體的電極焊接的引腳及模壓封裝于陶瓷電容器本體及引腳外的絕緣封裝層，所述引腳部分暴露于絕緣封裝層外，所述絕緣封裝層下表面形成有若干柱狀凸起。
[0006]進(jìn)一步地，所述陶瓷電容器本體由至少一個片式陶瓷電容器構(gòu)成，多個片式陶瓷電容器堆疊為兩層設(shè)置。
[0007]進(jìn)一步地，所述引腳部分暴露于絕緣封裝層外，且引腳暴露部分與絕緣封裝層外壁相貼合并延伸至絕緣封裝層下表面，所述絕緣封裝層上形成有與引腳暴露部分相配合的引腳容納槽。
[0008]進(jìn)一步地，所述絕緣封裝層采用環(huán)氧樹脂材料。
[0009]進(jìn)一步地，所述陶瓷電容器本體與絕緣封裝層之間還設(shè)置有緩沖材料層。
[0010]進(jìn)一步地，所述緩沖材料層采用硅酮、邦定膠或紅膠。
[0011]進(jìn)一步地，所述絕緣封裝層下表面形成有若干圓柱狀凸起，該圓柱狀凸起與絕緣封裝層一體成型。
[0012]由上述對本實(shí)用新型的描述可知，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有如下有益效果:
[0013]第一，陶瓷電容器本體通過絕緣封裝層模壓封裝并引出引腳，可適應(yīng)各種不同的焊接工藝，適用范圍更廣；
[0014]第二，在絕緣封裝層下表面設(shè)置柱狀凸起，可與電路板相配合使電容器固定更牢靠，大大提高加速度能力，可達(dá)到40000個G，提高電路板的可靠性；
[0015]第三，在陶瓷電容器本體與絕緣封裝層之間設(shè)置緩沖材料層，可抵抗不同材料間的膨脹系數(shù)，且抗沖擊、抗震能力強(qiáng)，環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)，穩(wěn)定性及可靠性更高。
【附圖說明】

[0016]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一完全封裝時的立體結(jié)構(gòu)圖；
[0017]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例一部分封裝時的立體結(jié)構(gòu)圖；
[0018]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例一的整體結(jié)構(gòu)正視圖；
[0019]圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例一的整體結(jié)構(gòu)側(cè)視圖；
[0020]圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例一的整體結(jié)構(gòu)仰視圖；
[0021]圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例一與電路板連接時的安裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖7是圖6中A處的放大圖；
[0023]圖8是本實(shí)用新型實(shí)施例二的整體結(jié)構(gòu)正視圖；
[0024]圖9是本實(shí)用新型實(shí)施例二的整體結(jié)構(gòu)側(cè)視圖；
[0025]圖10是本實(shí)用新型實(shí)施例二的整體結(jié)構(gòu)仰視圖。
[0026]圖中:1.陶瓷電容器本體，2.電極，3.引腳，4.絕緣封裝層，5.緩沖材料層，6.引腳容納槽，7.柱狀凸起，8.電路板。
【具體實(shí)施方式】
[0027]以下通過【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。
[0028]實(shí)施例一
[0029]參照圖1至圖5，本實(shí)用新型的一種模壓表貼脈沖功率電容器，包括有陶瓷電容器本體1、與陶瓷電容器本體I的電極2焊接的引腳3、模壓封裝于陶瓷電容器本體I及引腳3外的絕緣封裝層4及設(shè)置于陶瓷電容器本體I與絕緣封裝層4之間的緩沖材料層5。所述陶瓷電容器本體I由四個片式陶瓷電容器構(gòu)成，四個片式陶瓷電容器堆疊為兩層設(shè)置。所述引腳3部分暴露于絕緣封裝層4外，且引腳3暴露部分與絕緣封裝層4外壁相貼合并延伸至絕緣封裝層4下表面，所述絕緣封裝層4上形成有與引腳3暴露部分相配合的引腳容納槽6。所述絕緣封裝層4采用環(huán)氧樹脂材料。所述絕緣封裝層4下表面形成有三個柱狀凸起7，該柱狀凸起7呈圓柱狀，且與絕緣封裝層4 一體成型。所述緩沖材料層5采用硅酮、邦定膠或紅膠。
[0030]參照圖6和圖7，本實(shí)用新型用于與電路板8連接時，先在電路板8上的電容安裝位置鉆設(shè)與電容器的柱狀凸起7相配合的通孔，再將柱狀凸起7與通孔對準(zhǔn)安裝，并通過粘接膠固定，然后再將電容器引腳3與電路板8進(jìn)行焊接。
[0031]實(shí)施例二
[0032]參照圖8、圖9和圖10，本實(shí)施例與實(shí)施例一的區(qū)別在于:所述陶瓷電容器本體I由兩個片式陶瓷電容器堆疊設(shè)置構(gòu)成。所述絕緣封裝層4下表面形成有四個柱狀凸起7。
[0033]上述僅為本實(shí)用新型的兩個【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的設(shè)計構(gòu)思并不局限于此，凡利用此構(gòu)思對本實(shí)用新型進(jìn)行非實(shí)質(zhì)性的改動，均應(yīng)屬于侵犯本實(shí)用新型保護(hù)范圍的行為。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種模壓表貼脈沖功率電容器，其特征在于:包括有陶瓷電容器本體、與陶瓷電容器本體的電極焊接的引腳及模壓封裝于陶瓷電容器本體及引腳外的絕緣封裝層，所述引腳部分暴露于絕緣封裝層外，所述絕緣封裝層下表面形成有若干柱狀凸起。2.如權(quán)利要求1所述的一種模壓表貼脈沖功率電容器，其特征在于:所述陶瓷電容器本體由至少一個片式陶瓷電容器構(gòu)成，多個片式陶瓷電容器堆疊為兩層設(shè)置。3.如權(quán)利要求1所述的一種模壓表貼脈沖功率電容器，其特征在于:所述引腳部分暴露于絕緣封裝層外，且引腳暴露部分與絕緣封裝層外壁相貼合并延伸至絕緣封裝層下表面，所述絕緣封裝層上形成有與引腳暴露部分相配合的引腳容納槽。4.如權(quán)利要求1所述的一種模壓表貼脈沖功率電容器，其特征在于:所述絕緣封裝層采用環(huán)氧樹脂材料。5.如權(quán)利要求1所述的一種模壓表貼脈沖功率電容器，其特征在于:所述陶瓷電容器本體與絕緣封裝層之間還設(shè)置有緩沖材料層。6.如權(quán)利要求5所述的一種模壓表貼脈沖功率電容器，其特征在于:所述緩沖材料層采用硅酮、邦定膠或紅膠。7.如權(quán)利要求1所述的一種模壓表貼脈沖功率電容器，其特征在于:所述絕緣封裝層下表面形成有若干圓柱狀凸起，該圓柱狀凸起與絕緣封裝層一體成型。
【文檔編號】H01G4/232GK205692697SQ201620555930
【公開日】2016年11月16日
【申請日】2016年6月8日 公開號201620555930.8, CN 201620555930, CN 205692697 U, CN 205692697U, CN-U-205692697, CN201620555930, CN201620555930.8, CN205692697 U, CN205692697U
【發(fā)明人】賀衛(wèi)東, 鄭惠茹, 張子山, 蔡勁軍
【申請人】福建火炬電子科技股份有限公司