一種等離子體刻蝕裝置和干法刻蝕設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種等離子體刻蝕裝置和干法刻蝕設(shè)備，用以通過所述等離子刻蝕裝置實(shí)現(xiàn)對被刻蝕基板的均勻刻蝕，避免被刻蝕基板由于刻蝕不均勻而造成的不良，提高產(chǎn)品的質(zhì)量。所述等離子體刻蝕裝置，包括反應(yīng)腔室、位于反應(yīng)腔室內(nèi)的相對而置的下部電極和上部電極，所述裝置還包括：固定在所述下部電極底部的轉(zhuǎn)軸、與所述轉(zhuǎn)軸相連的電機(jī)，其中，所述電機(jī)位于所述反應(yīng)腔室的外部，用于控制所述轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)所述下部電極進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。
【專利說明】
_種等禹子體刻蝕裝置和干法刻蝕設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種等離子體刻蝕裝置和干法刻蝕設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，等離子體刻蝕技術(shù)被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)中，例如平板顯示行業(yè)加工薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)基板等。等離子體技術(shù)是依靠等離子體刻蝕裝置來實(shí)現(xiàn)的。通常，刻蝕氣體通過設(shè)置在等離子體刻蝕裝置的反應(yīng)腔室上的氣體分配裝置而進(jìn)入反應(yīng)腔室，并在此受到射頻功率激發(fā)，產(chǎn)生電離而形成等離子體，等離子體與被加工物體表面發(fā)生物理和化學(xué)反應(yīng)，并形成揮發(fā)性的反應(yīng)生成物，該反應(yīng)生成物脫離被加工物體表面后，被真空系統(tǒng)抽出反應(yīng)腔室。
[0003]目前常用的等離子體刻蝕裝置種類很多，根據(jù)原理不同主要包括反應(yīng)離子刻蝕(Reactive 1n Etching，RIE)、感應(yīng)親合等離子體(Inductively Coupled Plasma，ICP)、ECCP等。在等離子體刻蝕過程中，等離子體在反應(yīng)腔室中的分布情況會(huì)直接影響被加工TFT基板的刻蝕均勻性，TFT基板的刻蝕不均勻性會(huì)導(dǎo)致TFT基板產(chǎn)生不良(Mura)，TFT基板的Mura可能會(huì)在薄膜晶體管顯不器(thin film transistor-liquid crystal display,TFT-1XD)生產(chǎn)的后續(xù)工藝中導(dǎo)致各種各樣的不良問題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型提供一種等離子體刻蝕裝置和干法刻蝕設(shè)備，用以通過所述等離子刻蝕裝置實(shí)現(xiàn)對被刻蝕基板的均勻刻蝕，避免被刻蝕基板由于刻蝕不均勻而造成的不良，提尚廣品的質(zhì)量。
[0005]本實(shí)用新型提供了一種等離子體刻蝕裝置，包括反應(yīng)腔室、位于反應(yīng)腔室內(nèi)的相對而置的下部電極和上部電極，所述裝置還包括:固定在所述下部電極底部的轉(zhuǎn)軸、與所述轉(zhuǎn)軸相連的電機(jī)，其中，
[0006]所述電機(jī)位于所述反應(yīng)腔室的外部，用于控制所述轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)所述下部電極進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0007]在一種可能的實(shí)施方式中，本實(shí)用新型提供的上述等離子體刻蝕裝置中，所述轉(zhuǎn)軸為空心結(jié)構(gòu)，且所述轉(zhuǎn)軸中還包括導(dǎo)通所述轉(zhuǎn)軸的外部和內(nèi)部的過孔；
[0008]所述裝置還包括一端在所述轉(zhuǎn)軸的內(nèi)部與所述下部電極相連，另一端通過所述過孔與外部射頻電源相連的導(dǎo)線。
[0009]在一種可能的實(shí)施方式中，本實(shí)用新型提供的上述等離子體刻蝕裝置中，所述過孔位于所述反應(yīng)腔室的外部。
[0010]在一種可能的實(shí)施方式中，本實(shí)用新型提供的上述等離子體刻蝕裝置中，所述轉(zhuǎn)軸固定在所述下部電極的中心位置。
[0011]在一種可能的實(shí)施方式中，本實(shí)用新型提供的上述等離子體刻蝕裝置中，所述下部電極在面向所述上部電極的表面設(shè)置有多個(gè)凹槽；
[0012]所述裝置還包括與所述多個(gè)凹槽相連的真空管道，用于當(dāng)被刻蝕的基板放置在所述下部電極的表面時(shí)，將所述凹槽中的空氣抽掉，使得所述下部電極與被刻蝕的基板緊密貼合。
[0013]在一種可能的實(shí)施方式中，本實(shí)用新型提供的上述等離子體刻蝕裝置中，所述裝置還包括集合所述導(dǎo)線和真空管道的套管。
[0014]在一種可能的實(shí)施方式中，本實(shí)用新型提供的上述等離子體刻蝕裝置中，所述套管與所述過孔的接觸部分通過橡膠塊進(jìn)行密封，所述套管的長度與所述轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)的角度成正比。
[0015]在一種可能的實(shí)施方式中，本實(shí)用新型提供的上述等離子體刻蝕裝置中，所述套管具有柔韌度。
[0016]在一種可能的實(shí)施方式中，本實(shí)用新型提供的上述等離子體刻蝕裝置中，所述裝置還包括氣體輸入端和氣體輸出端。
[0017]相應(yīng)地，本實(shí)用新型還提供了一種干法刻蝕設(shè)備，所述設(shè)備包括本實(shí)用新型提供的任一種的等離子體刻蝕裝置。
[0018]本實(shí)用新型有益效果如下:
[0019]本實(shí)用新型提供了一種等離子體刻蝕裝置和干法刻蝕設(shè)備，所述等離子體刻蝕裝置包括反應(yīng)腔室、位于反應(yīng)腔室內(nèi)的相對而置的下部電極和上部電極，以及固定在所述下部電極底部的轉(zhuǎn)軸、與所述轉(zhuǎn)軸相連的電機(jī)，其中，所述電機(jī)位于所述反應(yīng)腔室的外部，用于控制所述轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)所述下部電極進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。因此，本實(shí)用新型提供的等離子體刻蝕裝置，在等離子刻蝕時(shí)，通過在轉(zhuǎn)軸在電極的控制下帶動(dòng)下部電極的順時(shí)針和/或逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，即使下部電極和上部電極之間的等離子體分布不均勻，也能實(shí)現(xiàn)被刻蝕的基板均勻刻蝕的目的，避免被刻蝕基板由于刻蝕不均勾而造成的不良，從而提尚廣品的質(zhì)量。
【附圖說明】

[0020]圖1為本實(shí)用新型提供的一種等離子體裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021 ]圖2為本實(shí)用新型提供的第二種等離子體裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖3為本實(shí)用新型提供的第三種等離子體裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖4為本實(shí)用新型提供的第四種等離子體裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖5為本實(shí)用新型提供的第五種等離子體裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖6為本實(shí)用新型提供的第六種等離子體裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖7為本實(shí)用新型提供的第七種等離子體裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖8為本實(shí)用新型提供的第八種等離子體裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖9為本實(shí)用新型提供的第九種等離子體裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖10為本實(shí)用新型提供的第十種等離子體裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0031]本實(shí)用新型提供一種等離子體刻蝕裝置和干法刻蝕設(shè)備，用以通過所述等離子刻蝕裝置實(shí)現(xiàn)對被刻蝕基板的均勻刻蝕，避免被刻蝕基板由于刻蝕不均勻而造成的不良，提尚廣品的質(zhì)量。
[0032]參見圖1，本實(shí)用新型提供的一種等離子體刻蝕裝置，包括反應(yīng)腔室11、位于反應(yīng)腔室內(nèi)11的相對而置的下部電極12和上部電極13，以及固定在下部電極12底部的轉(zhuǎn)軸14、與轉(zhuǎn)軸14相連的電機(jī)15，其中，電機(jī)15位于反應(yīng)腔室11的外部，用于控制轉(zhuǎn)軸14帶動(dòng)下部電極12進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0033]其中，被刻蝕的基板放置在下部電極且與上部電極相對的一面，當(dāng)下部電極與上部電極之間的氣體分布不均勻時(shí)，由于下部電極在轉(zhuǎn)軸的帶動(dòng)下進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，使得放置在下部電極的被刻蝕的基板可以被均勻刻蝕。其中電機(jī)的轉(zhuǎn)動(dòng)方向可以為順時(shí)針旋轉(zhuǎn)，或者逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，或者順時(shí)針和逆時(shí)針循環(huán)旋轉(zhuǎn)，因此，電機(jī)為可以自由控制轉(zhuǎn)動(dòng)方向和速度的電極，在此不做具體限定。其中，轉(zhuǎn)軸的形狀可以為方形結(jié)構(gòu)或者圓形結(jié)構(gòu)等在此不做具體限定。其中，下部電極和上部電極的形狀也不做具體限定，例如可以為方形結(jié)構(gòu)，或者圓形結(jié)構(gòu)等。
[0034]通過本實(shí)用新型提供的一種等離子體刻蝕裝置，等離子體刻蝕裝置包括反應(yīng)腔室、位于反應(yīng)腔室內(nèi)的相對而置的下部電極和上部電極，以及固定在所述下部電極底部的轉(zhuǎn)軸、與所述轉(zhuǎn)軸相連的電機(jī)，其中，所述電機(jī)位于所述反應(yīng)腔室的外部，用于控制所述轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)所述下部電極進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。因此，本實(shí)用新型提供的等離子體刻蝕裝置，在等離子刻蝕時(shí)，通過在轉(zhuǎn)軸在電極的控制下帶動(dòng)下部電極的順時(shí)針和/或逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，即使下部電極和上部電極之間的等離子體分布不均勻，也能實(shí)現(xiàn)被刻蝕的基板均勻刻蝕的目的，避免被刻蝕基板由于刻蝕不均勾而造成的不良，從而提尚廣品的質(zhì)量。
[0035]在具體實(shí)施例中，本實(shí)用新型提供的上述等離子體刻蝕裝置中，參見圖2，轉(zhuǎn)軸14為空心結(jié)構(gòu)，且轉(zhuǎn)軸14中還包括導(dǎo)通轉(zhuǎn)軸的外部和內(nèi)部的過孔141;該等離子體刻蝕裝置還包括一端在轉(zhuǎn)軸14的內(nèi)部與下部電極12相連，另一端通過過孔141與外部射頻電源17相連的導(dǎo)線16。因此，為了避免轉(zhuǎn)軸在轉(zhuǎn)動(dòng)的過程中導(dǎo)線纏繞轉(zhuǎn)軸，將轉(zhuǎn)軸設(shè)計(jì)為空心結(jié)構(gòu)，且將導(dǎo)線通過轉(zhuǎn)軸的內(nèi)部和過孔與外部射頻電源相連。其中，導(dǎo)線與下部電極的底部相連，且連接點(diǎn)位于轉(zhuǎn)軸的內(nèi)部，從而避免下部電極在轉(zhuǎn)動(dòng)過程中，導(dǎo)線隨著下部電極旋轉(zhuǎn)而纏繞。
[0036]在具體實(shí)施例中，本實(shí)用新型提供的上述等離子體刻蝕裝置中，參見圖3，過孔141位于反應(yīng)腔室的外部。因此，本實(shí)用新型實(shí)施例中，為了避免過孔位于反應(yīng)腔室內(nèi)導(dǎo)致反應(yīng)腔室內(nèi)的氣體通過過孔流入轉(zhuǎn)軸內(nèi)部，將過孔的位置設(shè)置在反應(yīng)腔室外部，進(jìn)一步地，為了避免轉(zhuǎn)軸在轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)導(dǎo)線纏繞轉(zhuǎn)軸，可以將過孔位置設(shè)置在轉(zhuǎn)軸距離電機(jī)較近的地方，如圖3所示。
[0037]在具體實(shí)施例中，本實(shí)用新型提供的上述等離子體刻蝕裝置中，如圖1-圖3所示，轉(zhuǎn)軸14固定在下部電極12的中心位置。因此，為了進(jìn)一步提高被刻蝕基板在上部電極與下部電極之間的等離體子體下均勻刻蝕，因此，轉(zhuǎn)軸固定在下部電極的中心位置，使得下部電極在轉(zhuǎn)動(dòng)過程中與上部電極之間包括的等離子體始終相同。當(dāng)然，如圖4所示，轉(zhuǎn)軸位于下部電極的邊緣位置也可以，在此不做具體限定。
[0038]在具體實(shí)施例中，本實(shí)用新型提供的上述等離子體刻蝕裝置中，參見圖5，下部電極12在面向上部電極的表面設(shè)置有多個(gè)凹槽18;參見圖6，該等離子體刻蝕裝置還包括與多個(gè)凹槽18相連的真空管道19，用于當(dāng)被刻蝕的基板放置在下部電極的表面時(shí)，將凹槽中的空氣抽掉，使得下部電極與被刻蝕的基板緊密貼合。其中，真空管道與凹槽處的連接方式，在此不做具體限定，只要是通過真空管道將凹槽中的空氣抽離即可。為了避免下部電極在轉(zhuǎn)軸的帶動(dòng)下轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，將被刻蝕基板甩出，需要將被刻蝕基板與下部電極緊密貼合，因此本實(shí)用新型中，通過真空管道將下部電極和被刻蝕基板之間設(shè)置多個(gè)凹槽，且將凹糟中的空氣抽調(diào)，從而實(shí)現(xiàn)了下部電極與被刻蝕基板的緊密貼合。其中，凹槽的個(gè)數(shù)以及大小在此不做具體限定。圖5中僅以下部電極為圓形，且凹槽也為弧形結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行描述，但不僅限于圖5所示的凹槽結(jié)構(gòu)。其中，凹槽可以為長方形，或者凹槽為圓形結(jié)構(gòu)。其中，參見圖6，真空管道19的一端與凹槽相連，另一端通過過孔141與外部真空栗110相連。通過真空栗的作用經(jīng)過真空管道將凹槽中的空氣抽掉。
[0039]在具體實(shí)施例中，本實(shí)用新型提供的上述等離子體刻蝕裝置中，為了避免轉(zhuǎn)軸內(nèi)部和外部的導(dǎo)線與真空管道之間的纏繞，參見圖7，等離子體刻蝕裝置還包括集合導(dǎo)線16和真空管道19的套管111。因此，通過套管的作用，將導(dǎo)線和真空管道進(jìn)行集合，避免導(dǎo)線和真空管道在轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)過程中相互纏繞而造成死結(jié)。當(dāng)然，套管還可以集合其他線，在此不做具體限定。
[0040]在具體實(shí)施例中，本實(shí)用新型提供的上述等離子體刻蝕裝置中，參見圖8，套管111與過孔的接觸部分通過橡膠塊112進(jìn)行密封。具體地，套管從橡膠塊中穿出，并通過膠粘將套管和橡膠塊進(jìn)行固定和密封，從而保證套管固定在橡膠塊中，當(dāng)轉(zhuǎn)軸進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，套管也不會(huì)被拉動(dòng)。為了避免過孔與套管的接觸部分漏氣而造成凹槽中空氣無法完全抽干凈，需要將過孔處進(jìn)行密封。由于橡膠塊材質(zhì)較軟，因此采用橡膠塊更容易進(jìn)行密封。其中，參見圖9，套管111的長度與轉(zhuǎn)軸14轉(zhuǎn)動(dòng)的角度成正比。具體地，轉(zhuǎn)軸繞一個(gè)方向轉(zhuǎn)動(dòng)的圈數(shù)越多，需要套管的長度越大，為了避免浪費(fèi)套管中導(dǎo)線和真空管道的長度，可以控制電機(jī)順時(shí)針和逆時(shí)針混合轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0041]在具體實(shí)施例中，本實(shí)用新型提供的上述等離子體刻蝕裝置中，為了避免套管在轉(zhuǎn)動(dòng)過程中，套管材質(zhì)較硬，造成套管的斷裂，本實(shí)用新型中，套管具有柔韌度。因此，本實(shí)用新型通過套管的高柔韌度以及長度的情況下，當(dāng)下部電極在刻蝕被刻蝕基板的過程中可以循環(huán)往復(fù)地進(jìn)行順時(shí)針、逆時(shí)針不停的旋轉(zhuǎn)，且套管不被扯斷，被刻蝕基板在下部電極上通過凹槽的作用被牢牢地吸附，從而可以使得被刻蝕基板在刻蝕過程中能夠均刻蝕，避免出現(xiàn)刻蝕不均勻造成的不良現(xiàn)象，保證了產(chǎn)品的質(zhì)量。
[0042]在具體實(shí)施例中，本實(shí)用新型提供的上述等離子體刻蝕裝置中，參見圖10，等離子體刻蝕裝置還包括氣體輸入端113和氣體輸出端114。
[0043]基于同一實(shí)用新型思想，本實(shí)用新型還提供了一種干法刻蝕設(shè)備，所述設(shè)備包括本實(shí)用新型提供的任一種的等離子體刻蝕裝置。該干法刻蝕設(shè)備的實(shí)施可以參見上述等離子體刻蝕裝置的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。
[0044]綜上所述，本實(shí)用新型提供了一種等離子體刻蝕裝置和干法刻蝕設(shè)備，所述等離子體刻蝕裝置包括反應(yīng)腔室、位于反應(yīng)腔室內(nèi)的相對而置的下部電極和上部電極，以及固定在所述下部電極底部的轉(zhuǎn)軸、與所述轉(zhuǎn)軸相連的電機(jī)，其中，所述電機(jī)位于所述反應(yīng)腔室的外部，用于控制所述轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)所述下部電極進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。因此，本實(shí)用新型提供的等離子體刻蝕裝置，在等離子刻蝕時(shí)，通過在轉(zhuǎn)軸在電極的控制下帶動(dòng)下部電極的順時(shí)針和/或逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，即使下部電極和上部電極之間的等離子體分布不均勻，也能實(shí)現(xiàn)被刻蝕的基板均勻刻蝕的目的，避免被刻蝕基板由于刻蝕不均勻而造成的不良，從而提高產(chǎn)品的質(zhì)量。另夕卜，在不加外部輔助裝置的情況下，通過在下部電極上設(shè)計(jì)一系列的凹槽，通過真空管道連接的真空栗將凹槽的空氣抽離，從而保證了下部電極在旋轉(zhuǎn)的過程中，被刻蝕的基板也能牢牢地被吸附在下部電極上，避免因?yàn)橄虏侩姌O的旋轉(zhuǎn)導(dǎo)致被刻蝕基板被甩出；通過將轉(zhuǎn)軸設(shè)計(jì)成空心結(jié)構(gòu)，具有柔韌度且長度與轉(zhuǎn)軸角度成正比的具有冗余兩的套管，從而保證下部電極在旋轉(zhuǎn)過程中，套管以及套管中的導(dǎo)線和真空導(dǎo)管不會(huì)被扯斷。
[0045]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種等離子體刻蝕裝置，包括反應(yīng)腔室、位于反應(yīng)腔室內(nèi)的相對而置的下部電極和上部電極，其特征在于，所述裝置還包括:固定在所述下部電極底部的轉(zhuǎn)軸、與所述轉(zhuǎn)軸相連的電機(jī)，其中， 所述電機(jī)位于所述反應(yīng)腔室的外部，用于控制所述轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)所述下部電極進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述轉(zhuǎn)軸為空心結(jié)構(gòu)，且所述轉(zhuǎn)軸中還包括導(dǎo)通所述轉(zhuǎn)軸的外部和內(nèi)部的過孔； 所述裝置還包括一端在所述轉(zhuǎn)軸的內(nèi)部與所述下部電極相連，另一端通過所述過孔與外部射頻電源相連的導(dǎo)線。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述過孔位于所述反應(yīng)腔室的外部。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述轉(zhuǎn)軸固定在所述下部電極的中心位置。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述下部電極在面向所述上部電極的表面設(shè)置有多個(gè)凹槽； 所述裝置還包括與所述多個(gè)凹槽相連的真空管道，用于當(dāng)被刻蝕的基板放置在所述下部電極的表面時(shí)，將所述凹槽中的空氣抽掉，使得所述下部電極與被刻蝕的基板緊密貼合。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括集合所述導(dǎo)線和真空管道的套管。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述套管與所述過孔的接觸部分通過橡膠塊進(jìn)行密封，所述套管的長度與所述轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)的角度成正比。8.根據(jù)權(quán)利要求6-7任一權(quán)項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述套管具有柔韌度。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括氣體輸入端和氣體輸出端。10.一種干法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括權(quán)利要求1-9任一權(quán)項(xiàng)所述的等離子體刻蝕裝置。
【文檔編號】H01J37/32GK205692795SQ201620672052
【公開日】2016年11月16日
【申請日】2016年6月28日 公開號201620672052.8, CN 201620672052, CN 205692795 U, CN 205692795U, CN-U-205692795, CN201620672052, CN201620672052.8, CN205692795 U, CN205692795U
【發(fā)明人】宮奎, 白明基, 段獻(xiàn)學(xué), 李賀飛
【申請人】合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司