一種基于氯化銦水溶性薄膜的oled器件的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種基于氯化銦水溶性薄膜的OLED器件，包括：玻璃基層；ITO透明陽極，該ITO透明陽極是設(shè)在玻璃基層上的ITO薄膜；氧化銦水溶性薄膜，其設(shè)在所述ITO透明陽極上作為空穴注入層；空穴傳輸層，設(shè)在所述氧化銦水溶性薄膜上；發(fā)光層，設(shè)在所述空穴傳輸層上；電子傳輸層，設(shè)在所述發(fā)光層上；電子注入層，設(shè)在所述電子傳輸層上；陰極，設(shè)在所述電子注入層上。本實(shí)用新型不僅能夠有效地提高器件的陽極空穴注入能力，提高器件的發(fā)光效率和穩(wěn)定性，還能降低制備成本，對(duì)環(huán)境友好。
【專利說明】
一種基于氯化銦水溶性薄膜的OLED器件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及光電子器件領(lǐng)域，具體為一種基于氯化銦水溶性薄膜的OLED器件。
【背景技術(shù)】
[0002]自1987年，鄧青云等人發(fā)明三明治結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光二極管(OLED)以來，OLED技術(shù)不斷地更新，使其具備了成本低，主動(dòng)發(fā)光，發(fā)光色彩飽和度高，響應(yīng)快等特點(diǎn)，已經(jīng)進(jìn)入了初步商業(yè)化。
[0003]但是如何進(jìn)一步提高陽極空穴注入仍然是OLED廣泛地商業(yè)化路上亟待解決的問題之一。為此人們嘗試使用不同的方法優(yōu)化注入界面:紫外臭氧處理、氧等離子體處理、CFx等離子處理、自組裝、熱蒸鍍一層有機(jī)物、熱蒸鍍過渡金屬氧化物都可以成功的增強(qiáng)OLED器件的空穴注入。近些年，赫蘭德(Helander)、曹(Cao)等人提出了采用紫外臭氧結(jié)合二氯苯處理或者氯氣等離子體處理提高ITO的功函數(shù)的方法，并指出功函數(shù)的提高是源于在ITO表面形成的In-Cl鍵。然而，這兩種方法都存在一些問題:不僅需要額外的設(shè)備，而且精確地控制溫度、濕度以及濃度狀況也是很困難的。在OLED中，目前最常用的一種方式是在陽極透明ITO電極上旋涂一層PEDOT: PSS來提高器件的空穴注入能力，但是PEDOT: PSS易吸水，酸性較強(qiáng)(pH約為I)，且易被光氧化，對(duì)于器件的穩(wěn)定性不利，所以急需一種材料來代替PED0T:PSSo

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實(shí)用新型的目的在于提供一種基于氯化銦水溶性薄膜的OLED器件，以提高器件的發(fā)光效率和穩(wěn)定性。
[0005]本實(shí)用新型所述的基于氯化銦水溶性薄膜的OLED器件，包括:玻璃基層；ITO透明陽極，該ITO透明陽極是設(shè)在玻璃基層上的ITO薄膜，用于在電壓作用下形成空穴;氧化銦水溶性薄膜，其設(shè)在所述ITO透明陽極上作為空穴注入層;空穴傳輸層，設(shè)在所述氧化銦水溶性薄膜上，用于將空穴傳輸至發(fā)光層;發(fā)光層，設(shè)在所述空穴傳輸層上，用于將空穴和電子傳輸層傳輸?shù)碾娮舆M(jìn)行結(jié)合，產(chǎn)生光亮；電子傳輸層，設(shè)在所述發(fā)光層上，用于將電子傳輸至發(fā)光層；電子注入層，設(shè)在所述電子傳輸層上；陰極，設(shè)在所述電子注入層上，用于在電壓作用下產(chǎn)生電子。
[0006]進(jìn)一步的，通過封裝蓋對(duì)該OLED器件進(jìn)行封裝。
[0007]進(jìn)一步的，所述ITO薄膜厚度為120-140nm，空穴傳輸層厚度為35-38nm，發(fā)光層厚度15-18]1111，電子傳輸層厚度65-7011111，電子注入層厚度為1-211111，陰極厚度為150-180111110
[0008]進(jìn)一步的，所述封裝蓋包括上蓋和下蓋，該OLED器件被封裝在上蓋和下蓋所形成的密閉腔室內(nèi)，在所述上蓋頂部設(shè)置有與所述密閉腔室連通的導(dǎo)管，在導(dǎo)管內(nèi)填充有吸水材料和吸氧材料，且在導(dǎo)管頂端中設(shè)有毛細(xì)管。
[0009]進(jìn)一步的，所述毛細(xì)管的頂管密封。
[0010]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是:
[0011]1、在ITO透明陽極和空穴傳輸層之間，插入一層氯化銦水溶性薄膜，可以在ITO表面直接形成In-Cl鍵，從而提高ITO表面的功函數(shù)，進(jìn)而提高空穴注入空穴傳輸層的能力，最終使得器件的發(fā)光效率和穩(wěn)定性得到提高。
[0012]2、制備方法簡(jiǎn)單、成本低:采用旋涂的方法制備，優(yōu)于價(jià)格昂貴的真空熱蒸鍍方法，并且避開了紫外臭氧結(jié)合二氯苯處理或者氯氣等離子體處理外部環(huán)境條件難于控制的制備途徑。
[0013]3、氯化銦溶于去離子水中，無有機(jī)溶液的使用，有利于環(huán)境保護(hù)，對(duì)環(huán)境友好;且價(jià)格相對(duì)便宜，成本低廉，有利于商業(yè)化。
[0014]綜上所述，本實(shí)用新型不僅能夠有效地提高器件的陽極空穴注入能力，提高器件的發(fā)光效率和穩(wěn)定性，還能降低制備成本，對(duì)環(huán)境友好。
【附圖說明】

[0015]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)闡述，以下實(shí)施例僅用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限定。
[0017]實(shí)施例一:
[0018]如圖1所示的基于氯化銦水溶性薄膜的OLED器件I，其是在玻璃基層101上沉積120nm的ITO薄膜作為ITO透明陽極102，該ITO薄膜用于在電壓作用下形成空穴。
[0019]再在該ITO透明陽極102上設(shè)置一層氧化銦水溶性薄膜103，作為空穴注入層，其中該氧化銦水溶性薄膜的制備方法是:1、將粉末狀的氧化銦溶解于去離子水中得到混合溶液，其中氧化銦濃度為Iwt.%; 2、將上述混合溶液旋涂在ITO透明陽極上，退火得到氧化銦水溶性薄膜，其中旋涂速度為4000rpm，旋涂時(shí)間40s，退火溫度120 °C，退火時(shí)間15min。
[0020]之后再真空熱鍍沉積其他功能層，由下至上依次是厚度35nm的用于將空穴傳輸至發(fā)光層的CBP空穴傳輸層104;15nm的CBP:1r(ppy)2(aCaC)發(fā)光層105，其用于將空穴和電子傳輸層傳輸?shù)碾娮舆M(jìn)行結(jié)合，產(chǎn)生光亮;65nm的TPBi電子傳輸層106，用于將電子傳輸至發(fā)光層105; Inm的LiF電子注入層107; 150nm的Al金屬陰極108，其用于在電壓作用下產(chǎn)生電子。
[0021]如圖2所示，再利用加熱板使用涂有硅膠的封裝蓋對(duì)上述OLED器件進(jìn)行封裝。所述封裝蓋包括玻璃材質(zhì)的上蓋2和下蓋3，0LED器件I被封裝在上蓋2和下蓋3所密封形成的封閉腔室內(nèi)，在上蓋頂部設(shè)置有與所述密閉腔室連通的導(dǎo)管4，在導(dǎo)管內(nèi)填充有吸水和吸氧的材料5，且在導(dǎo)管4頂端還設(shè)有毛細(xì)管6，該毛細(xì)管6的頂端密封，與外界不連通。加熱時(shí)，封裝蓋內(nèi)的水分和氧氣向上循環(huán)，進(jìn)入導(dǎo)管內(nèi)被吸水材料和吸氧材料截留，毛細(xì)管的作用是集聚水分，故本封裝蓋能夠有效吸取其內(nèi)的水和氧氣。
[0022]實(shí)施例二:
[0023]此實(shí)施例與實(shí)施例一的區(qū)別在于，所述ITO薄膜厚度為140nm，空穴傳輸層厚度為38nm，發(fā)光層厚度為18nm，電子傳輸層厚度為70nm，電子注入層厚度為2nm，陰極厚度為180nm，其與技術(shù)特征與實(shí)施例一相同，在此不再贅述。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于氯化銦水溶性薄膜的OLED器件，其特征在于包括: 玻璃基層； ITO透明陽極，該ITO透明陽極是設(shè)在玻璃基層上的ITO薄膜，用于在電壓作用下形成空穴； 氧化銦水溶性薄膜，其設(shè)在所述ITO透明陽極上作為空穴注入層； 空穴傳輸層，設(shè)在所述氧化銦水溶性薄膜上，用于將空穴傳輸至發(fā)光層； 發(fā)光層，設(shè)在所述空穴傳輸層上，用于將空穴和電子傳輸層傳輸?shù)碾娮舆M(jìn)行結(jié)合，產(chǎn)生光殼； 電子傳輸層，設(shè)在所述發(fā)光層上，用于將電子傳輸至發(fā)光層； 電子注入層，設(shè)在所述電子傳輸層上； 陰極，設(shè)在所述電子注入層上，用于在電壓作用下產(chǎn)生電子。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于氯化銦水溶性薄膜的OLED器件，其特征在于:通過封裝蓋對(duì)該OLED器件進(jìn)行封裝。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于氯化銦水溶性薄膜的OLED器件，其特征在于:所述ITO薄膜厚度為120_140nm，空穴傳輸層厚度為35-38nm，發(fā)光層厚度15-18nm，電子傳輸層厚度65-70nm，電子注入層厚度為l-2nm，陰極厚度為150-180nm。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于氯化銦水溶性薄膜的OLED器件，其特征在于:所述封裝蓋包括上蓋和下蓋，該OLED器件被封裝在上蓋和下蓋所形成的腔室內(nèi)，在所述上蓋頂部設(shè)置有與所述腔室連通的導(dǎo)管，在導(dǎo)管內(nèi)填充有吸水材料和吸氧材料，且在導(dǎo)管中還設(shè)有毛細(xì)管。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于氯化銦水溶性薄膜的OLED器件，其特征在于:所述毛細(xì)管的頂端密封。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK205723640SQ201620681635
【公開日】2016年11月23日
【申請(qǐng)日】2016年7月1日
【發(fā)明人】高春紅, 孫衛(wèi)偉, 王治強(qiáng), 熊自陽, 秦偉紅, 連心
【申請(qǐng)人】西南大學(xué)