本實用新型屬于藍寶石加工技術領域，尤其涉及一種藍寶石晶片的退火治具。

（二）

背景技術：

藍寶石具有優異的機械、化學、光學、電學等綜合性能，被廣泛應用于耐高溫器件、特種窗口、光學系統、微電子、光電子等方面，成為現代工業中重要的基礎材料。近年來，藍寶石更是引起了人們極大的關注，除了已經大量用作氮化鎵基藍光LED的襯底外，消費類電子方面也顯示出廣闊的市場前景。

藍寶石晶體在生長和晶片加工過程中，內部都會有應力存在，使藍寶石的光學、機械等性能發生變化。因此，通常在使用前需要對藍寶石晶片進行退火處理，以最大限度的降低藍寶石晶片的應力。目前，常用的方式是將藍寶石晶片堆垛在一起進行退火處理。這種方式存在一定的問題：藍寶石導熱能力不強，堆垛過多晶片會導致晶片周邊與內部及外層與內層晶片受熱不均勻，退火效果一致性差。尤其對于大尺寸、有棱角的晶片，甚至可能導致晶片碎裂。而如果采用將晶片單獨懸掛后再進行退火處理的方式，退火效率又太低。因此，有必要設計開發出一種高效、實用的藍寶石晶片退火治具。

（三）

技術實現要素：

本實用新型的目的在于提供一種針對現有藍寶石晶片，尤其是大尺寸藍寶石晶片在退火過程中受熱不均勻的問題，具有高效率、高成品率、高穩定性、低成本等特點的藍寶石晶片的退火治具。

本實用新型的目的是這樣實現的：該治具采用耐高溫陶瓷制成（如氧化鋁、氧化鋯等），包括如下部件：

(1) 底座：底座的下表面為水平面，底座的上表面為波浪式結構，波浪式結構中均勻分布著橫、縱向排列規整的凹槽；

(2) 隔離立柱：隔離立柱為可拆卸結構。立柱的橫截面積與底座上表面波浪式結構中的凹槽的橫截面積一致，隔離立柱的四條棱邊均采取了倒角處理；

(3) 隔層結構：隔層結構上、下表面均可插入橫、縱向排列均勻的隔離立柱，隔層結構底部凹槽的位置與底座頂部凹槽的位置相對應。

本實用新型的有益效果在于：

(1) 整個治具所有部件均采用耐高溫陶瓷，可避免高溫退火過程中治具材料的揮發導致晶片受污染；

(2) 通過采用波浪式結構和四棱倒角的隔離立柱，盡可能減少晶片與退火治具間的接觸面積，可有效避免晶片在退火過程中受熱不均勻的問題，避免大尺寸晶片退火過程發生碎裂；

(3) 通過采用隔層結構，可顯著增加退火爐內空間的使用率，大幅提高晶片的退火效率；

(4) 可根據退火晶片的尺寸，靈活選擇合適高度的隔離立柱及隔離層數，盡可能的增加單爐退火晶片數量，提高退火效率。

（四）附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖；

圖2為圖1的俯視圖。

（五）具體實施方式

為了使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖和實施例對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

結合圖1，本實施例治具包括：

底座：底座1與退火爐接觸的下表面為平面，底座1的上表面為波浪式結構，波浪式上表面中均勻分布著深度相同的橫、縱向排布的凹槽結構，凹槽的截面尺寸為10mm×10mm；

隔層結構：隔層結構2的下表面和上表面均為波浪式結構，且上、下部表面均分布有橫、豎排布均勻的凹槽，隔層結構中上、下部表面凹槽的位置與底座1頂部凹槽的位置一一對應；

隔離立柱：隔離立柱3一端插入底座1上表面的凹槽結構中，另一端插入隔層結構2下部表面的凹槽中，隔離立柱3的截面尺寸與底座1凹坑的截面尺寸相同，隔離立柱的四條棱邊均進行倒角處理。

以上內容是結合具體的優選實施方式對本實用新型所做的進一步詳細說明，不能認定本實用新型的具體實施只限于這些說明。對于具有本實用新型所屬領域基礎知識的人員來講，可以很容易對本實用新型進行變更和修改，這些變更和修改都應當視為屬于本實用新型所提交的權利要求書確定的專利保護范圍。