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雙線圈近場(chǎng)通訊結(jié)構(gòu)與電子設(shè)備的制作方法

文檔序號(hào):11105719閱讀:842來(lái)源:國(guó)知局
雙線圈近場(chǎng)通訊結(jié)構(gòu)與電子設(shè)備的制造方法與工藝

本發(fā)明涉及近場(chǎng)通訊領(lǐng)域,尤其涉及一種雙線圈近場(chǎng)通訊結(jié)構(gòu)與電子設(shè)備。



背景技術(shù):

當(dāng)前很多可穿戴電子設(shè)備(如:藍(lán)牙耳機(jī))都在往無(wú)線和小型化方向發(fā)展,這樣一來(lái)對(duì)互聯(lián)技術(shù)以及電子技術(shù)的要求越來(lái)越高。對(duì)于該類設(shè)備以便攜式的優(yōu)點(diǎn)帶給客戶方便的同時(shí),如何提高用戶的使用體驗(yàn)成為商家需要考慮的問(wèn)題。

例如:如何實(shí)現(xiàn)可穿戴電子設(shè)備與手機(jī)或電腦終端的快速配對(duì),如何在無(wú)線環(huán)境下實(shí)現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)傳輸和更低的路徑損耗,等等。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

為了解決如何提高使用體驗(yàn)的技術(shù)問(wèn)題,本公開一方面提供了一種雙線圈近場(chǎng)通訊結(jié)構(gòu),包括NFC芯片、NFC線圈、NFMI芯片以及NFMI線圈,所述NFC線圈與NFMI線圈的部分或全部絞在一起,所述NFC線圈的兩端直接或間接連接至所述NFC芯片,所述NFMI線圈的兩端直接或間接連接至所述NFMI芯片。

可選的,所述的雙線圈近場(chǎng)通訊結(jié)構(gòu)還包括結(jié)構(gòu)件以及設(shè)于所述結(jié)構(gòu)件外側(cè)的隔磁片,所述NFC線圈和NFMI線圈設(shè)于所述隔磁片外側(cè)。

可選的,所述結(jié)構(gòu)件為棱柱結(jié)構(gòu)或圓柱結(jié)構(gòu),所述隔磁片、NFC線圈以及NFMI線圈位于棱柱結(jié)構(gòu)或圓柱結(jié)構(gòu)的側(cè)面。

可選的,所述結(jié)構(gòu)件為圓球結(jié)構(gòu)或異形柱結(jié)構(gòu)。

可選的,所述結(jié)構(gòu)件采用電子設(shè)備的內(nèi)置電池或PCB主板。

可選的,所述的雙線圈近場(chǎng)通訊結(jié)構(gòu)還包括NFC匹配電路與NFMI匹配電路,所述NFC線圈通過(guò)所述NFC匹配電路連接所述NFC芯片,所述NFMI線圈通過(guò)所述NFMI匹配電路連接所述NFMI芯片。

可選的,所述NFC線圈采用單股導(dǎo)線,或者互相導(dǎo)通且互相絞在一起的至少兩股導(dǎo)線。

可選的,所述NFMI線圈采用單股導(dǎo)線,或者互相導(dǎo)通且互相絞在一起的至少兩股導(dǎo)線。

本公開另一方面還提供了一種電子設(shè)備,包括本公開可選方案提供的雙線圈近場(chǎng)通訊結(jié)構(gòu)。

本公開悉心研究了NFC通訊技術(shù)與NFMI通訊技術(shù):

NFC(近場(chǎng)無(wú)線通信)技術(shù)是由非接觸式射頻識(shí)別(RFID)及互聯(lián)互通技術(shù)整合演變而來(lái),在單一芯片上結(jié)合感應(yīng)式讀卡器、感應(yīng)式卡片和點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的功能,能在短距離內(nèi)與兼容設(shè)備進(jìn)行識(shí)別和數(shù)據(jù)交換。NFC技術(shù)由NXP,NOKIA和sony共同研制開發(fā),其工作頻率為13.56MHz.在13.56MHz頻率運(yùn)行于10cm距離內(nèi)。其傳輸速度有106Kbit/秒、212Kbit/秒或者424Kbit/秒三種。以市面上主流的NXP PN548芯片為例,工作時(shí)的發(fā)射功率只有600mW(工作電流2.0mA,工作電壓3.3~4.7V)。除了支付功能外,NFC技術(shù)另一大應(yīng)用是電子設(shè)備之間的連接,其優(yōu)點(diǎn)在于連接迅速且安全。

NFMI(近場(chǎng)磁感應(yīng))技術(shù)由非接觸式射頻識(shí)別(RFID)演變而來(lái),是一種能夠讓電子設(shè)備之間進(jìn)行非接觸式點(diǎn)對(duì)點(diǎn)數(shù)據(jù)傳輸?shù)亩谈哳l無(wú)線電技術(shù).NFMI由NXP,NOKIA和Sony共同研制開發(fā),其工作頻率為10.6MHz,運(yùn)行距離70cm左右,NFMI的無(wú)線發(fā)射功率只有1.62mW(工作電壓1.2V,工作電流1.35mA),對(duì)人體的輻射傷害很小,可用于助聽器等雙耳互傳通信領(lǐng)域。它的傳輸速度有三種,分別是106Kbit/s、212Kbit/s或者424Kbit/s。如下表1所示,NFMI的傳輸距離相對(duì)NFC較遠(yuǎn),與高頻信號(hào)傳輸(例如:藍(lán)牙)相比其最大的優(yōu)點(diǎn)是信號(hào)穿過(guò)人體內(nèi)部時(shí)的損耗非常小。針對(duì)在地下、礦井、水下、可穿戴設(shè)備和人體內(nèi)部的醫(yī)療電子設(shè)備(如膠囊內(nèi)窺鏡、心臟起搏器等)的通信應(yīng)用,由于在這些場(chǎng)景中環(huán)境的損耗角正切大、介電常數(shù)高,高頻電磁波衰減大;但是環(huán)境的磁導(dǎo)率往往與空氣相當(dāng),NFMI通信的損耗較小,因此可采用NFMI技術(shù)通信。

可見,在將NFC與NFMI結(jié)合,可以有效幫助解決一些技術(shù)問(wèn)題,例如:如何實(shí)現(xiàn)可穿戴電子設(shè)備與手機(jī)或電腦終端的快速配對(duì),如何在無(wú)線環(huán)境下實(shí)現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)傳輸和更低的路徑損耗,等等。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明一可選實(shí)施例中雙線圈近場(chǎng)通訊結(jié)構(gòu)的示意圖;

圖2是本發(fā)明一可選實(shí)施例中雙線圈近場(chǎng)通訊結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖;

圖3是本發(fā)明一可選實(shí)施例中雙線圈近場(chǎng)通訊結(jié)構(gòu)的俯視圖;

圖4是本發(fā)明一可選實(shí)施例中兩個(gè)線圈絞合的示意圖;

圖5是本發(fā)明一可選實(shí)施例中雙線圈近場(chǎng)通訊結(jié)構(gòu)的電路連接示意圖;

圖中,1-NFMI線圈;2-NFC線圈;3-結(jié)構(gòu)件;4-隔磁片。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合圖1至圖5對(duì)本公開可選方案提供的雙線圈近場(chǎng)通訊結(jié)構(gòu)與電子設(shè)備進(jìn)行詳細(xì)的描述,其為本發(fā)明可選的實(shí)施例,可以認(rèn)為,本領(lǐng)域技術(shù)人員在不改變本發(fā)明精神和內(nèi)容的范圍內(nèi),能夠?qū)ζ溥M(jìn)行修改和潤(rùn)色。

請(qǐng)參考圖1至圖5,本發(fā)明提供了一種雙線圈近場(chǎng)通訊結(jié)構(gòu),其也可以理解為一種通訊天線,包括NFC芯片、NFC線圈2、NFMI芯片以及NFMI線圈1,所述NFC線圈2與NFMI線圈1的部分或全部絞在一起,所述NFC線圈2的兩端直接或間接連接至所述NFC芯片,所述NFMI線圈1的兩端直接或間接連接至所述NFMI芯片。可見,其中NFC有獨(dú)立的線圈、NFMI有獨(dú)立的線圈,但彼此不導(dǎo)通。

NFC的工作頻率13.56MHz,對(duì)天線的電感要求在1-2uH左右,NFMI的工作頻率10.6MHz,對(duì)于天線的電感要求在4.0uH左右。故NFC線圈2的導(dǎo)線長(zhǎng)度會(huì)比NFMI線圈1少。兩種線圈彼此不導(dǎo)通,各自有電流通過(guò)。由于共用隔磁片,兩個(gè)線圈在工作中會(huì)產(chǎn)生互耦合,可以通過(guò)將它們相互絞合在一起降低這種互耦。

進(jìn)一步舉例來(lái)說(shuō),NFC天線的作用主要是連接可穿戴設(shè)備與終端,這種連接迅速且安全。NFMI天線的作用是音頻信號(hào)的傳輸。在藍(lán)牙耳機(jī)里面,由于藍(lán)牙協(xié)議只支持點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通訊,所以無(wú)法同時(shí)使用藍(lán)牙傳輸音頻信號(hào)至二個(gè)耳機(jī)端。采用藍(lán)牙傳輸音頻信號(hào)至一個(gè)耳機(jī)(通常是右耳),再通過(guò)該耳機(jī)傳輸?shù)搅硗庖粋€(gè)耳機(jī)(通常是左耳)。當(dāng)立體聲的音頻數(shù)據(jù)由一個(gè)耳塞通過(guò)RF(2GHz)傳送至另外一個(gè)耳塞時(shí),大部分信號(hào)被身體組織吸收,造成系統(tǒng)效率極低。NFMI技術(shù)工作頻率低,即使在低信號(hào)強(qiáng)度的條件下也能夠通過(guò)人體組織進(jìn)行傳播,身體組織產(chǎn)生的球狀磁場(chǎng)可以降低來(lái)自其他設(shè)備的干擾,同時(shí)當(dāng)超過(guò)了一定的距離(0.5m左右),NFMI的衰退會(huì)非常厲害,這樣信號(hào)從而增加安全私密性。故而,本發(fā)明可選方案將兩種天線的結(jié)合,彌補(bǔ)彼此的缺點(diǎn)。

請(qǐng)參考圖1至圖3,所述的雙線圈近場(chǎng)通訊結(jié)構(gòu)還包括結(jié)構(gòu)件3以及設(shè)于所述結(jié)構(gòu)件3外側(cè)的隔磁片4,所述NFC線圈2和NFMI線圈1設(shè)于所述隔磁片4外側(cè)。

有關(guān)所述結(jié)構(gòu)件3,其可以為金屬結(jié)構(gòu)件,可以采用電子設(shè)備的內(nèi)置電池或PCB主板,當(dāng)然,也可為其他??蛇x方案中,所述結(jié)構(gòu)件3為棱柱結(jié)構(gòu)或圓柱結(jié)構(gòu),所述隔磁片4、NFC線圈2以及NFMI線圈1位于棱柱結(jié)構(gòu)或圓柱結(jié)構(gòu)的側(cè)面。其他可選方案中,所述結(jié)構(gòu)件為圓球結(jié)構(gòu)或異形柱結(jié)構(gòu)。

其中,隔磁片的作用是降低金屬結(jié)構(gòu)件對(duì)導(dǎo)線產(chǎn)生的電磁場(chǎng)的吸收,隔磁片的磁導(dǎo)率u’=150左右,磁損耗u”=3左右,厚度越厚越好,推薦至少需要0.1mm。圖中其中a和a’為NFC線圈2的兩端,b和b’為NFMI線圈1的兩端,NFMI的線圈比NFC要多。兩股線圈必須絞在一起,如圖4所示,目的是減少兩股線圈相互串?dāng)_帶來(lái)的負(fù)面影響。

在可選的實(shí)施例中,所述NFC線圈采用單股導(dǎo)線,或者互相導(dǎo)通且互相絞在一起的至少兩股導(dǎo)線。所述NFMI線圈采用單股導(dǎo)線,或者互相導(dǎo)通且互相絞在一起的至少兩股導(dǎo)線。

圖4示意的方案描述的是兩股線圈絞在一起的雙絞線結(jié)構(gòu)。如果NFC線圈和NFMI線圈采用普通并排繞線,根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律,當(dāng)一個(gè)線圈工作時(shí),產(chǎn)生的磁力線會(huì)在另外一個(gè)線圈中形成反向的感應(yīng)電流。若是采用雙絞線,就能夠明顯減少兩股線圈相互串?dāng)_帶來(lái)的負(fù)面影響。

圖5示意的方案描述的是本公開可選方案所提供的裝置的原理簡(jiǎn)化圖。圖5中a-a’端通過(guò)NFC匹配端接入NFC芯片,b-b’端通過(guò)NFMI匹配端接入NFMI芯片。R2和R1發(fā)別是NFC/NFMI的線路損耗。NFC線圈和NFMI的一部分以雙絞線形式組合在一起,NFMI的剩余部分是單股繞線。

所以,所述的雙線圈近場(chǎng)通訊結(jié)構(gòu)還包括NFC匹配電路與NFMI匹配電路,所述NFC線圈通過(guò)所述NFC匹配電路連接所述NFC芯片,所述NFMI線圈通過(guò)所述NFMI匹配電路連接所述NFMI芯片。

本發(fā)明還提供了一種電子設(shè)備,包括本公開以上可選方案提供的雙線圈近場(chǎng)通訊結(jié)構(gòu)。

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