本發(fā)明有關(guān)于一種晶片封裝技術(shù)，特別為有關(guān)于一種具有低介電常數(shù)(low-k)介電材料保護(hù)結(jié)構(gòu)的晶片封裝體及其制造方法。

背景技術(shù)：

光電元件(例如，影像感測元件)在擷取影像等應(yīng)用中扮演著重要的角色，其已廣泛地應(yīng)用于例如數(shù)字相機(jī)(digitalcamera)、數(shù)字錄影機(jī)(digitalvideorecorder)、手機(jī)(mobilephone)等電子產(chǎn)品中，而晶片封裝制程是形成電子產(chǎn)品過程中的重要步驟。晶片封裝體除了將感測晶片保護(hù)于其中，使其免受外界環(huán)境污染外，還提供感測晶片內(nèi)部電子元件與外界的電性連接通路。

然而，在具有感測晶片的晶片封裝體制造中，影響封裝體可靠度的其中一個原因就是形成于晶片封裝體的低介電常數(shù)介電材料(如，金屬化層/內(nèi)連接層的絕緣部)內(nèi)的裂縫。舉例來說，當(dāng)晶圓切割成獨(dú)立的晶片封裝體時，晶片封裝體的低介電常數(shù)介電材料因切割制程所引發(fā)的應(yīng)力而于其內(nèi)形成裂縫。如此一來，造成晶片封裝體可靠度及效能下降。

因此，有必要尋求一種新穎的晶片封裝體及其制造方法，其能夠解決或改善上述的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種晶片封裝體，包括一基底，具有一第一表面及與其相對的一第二表面，其中基底具有一晶片區(qū)及沿晶片區(qū)的邊緣延伸的一切割道區(qū)。晶片封裝體還包括一介電層，設(shè)置于基底的第一表面上，其中對應(yīng)于切割道區(qū)的介電層內(nèi)具有一通槽，且通槽沿切割道區(qū)的延伸方向延伸。

本發(fā)明還提供一種晶片封裝體的制造方法，包括：提供一基底，基底具有一第一表面及與其相對的一第二表面，且具有一晶片區(qū)及沿晶片區(qū)的邊緣延伸的一切割道區(qū)；于基底的第一表面上形成一介電層；以及于對應(yīng)于切割道區(qū)的介電層內(nèi)形成一通槽，其中通槽沿切割道區(qū)的延伸方向延伸。

本發(fā)明可維持或改善晶片封裝體可靠度及效能，避免基底翹曲，且可進(jìn)一步縮小晶片封裝體的尺寸。

附圖說明

圖1a至1i是繪示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制造方法剖面示意圖。

圖2是繪示出圖1i中晶片封裝體的一部分的介電層仰視示意圖。

圖3a至3e是繪示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的晶片封裝體的制造方法剖面示意圖。

圖4是繪示出圖3e中晶片封裝體的一部分的介電層仰視示意圖。

附圖中符號的簡單說明如下：

10、20：晶片封裝體；100：基底；100a：第一表面；100b：第二表面；101、112a：邊緣；103、105、150a：開口；110：介電層；118：底膠材料層；112：密封環(huán)；114：導(dǎo)電墊；116：通槽；120：粘著層；130：承載基底；140：絕緣襯層；145：重布線層；150：鈍化護(hù)層；155：空孔；160：導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；220：間隔層；230：蓋板；c：晶片區(qū)；d：距離；sc：切割道區(qū)；w：寬度。

具體實(shí)施方式

以下將詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然而應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定型式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。此外，在不同實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡單清楚地敘述本發(fā)明，不代表所討論的不同實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)聯(lián)性。再者，當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。

本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體可用以封裝微機(jī)電系統(tǒng)晶片。然其應(yīng)用不限于此，例如在本發(fā)明的晶片封裝體的實(shí)施例中，其可應(yīng)用于各種包含有源元件或無源元件(activeorpassiveelements)、數(shù)字電路或模擬電路(digitaloranalogcircuits)等集成電路的電子元件(electroniccomponents)，例如是有關(guān)于光電元件(optoelectronicdevices)、微機(jī)電系統(tǒng)(microelectromechanicalsystem,mems)、生物辨識元件(biometricdevice)、微流體系統(tǒng)(microfluidicsystems)、或利用熱、光線、電容及壓力等物理量變化來測量的物理感測器(physicalsensor)。特別是可選擇使用晶圓級封裝(waferscalepackage,wsp)制程對影像感測元件、發(fā)光二極管(light-emittingdiodes,leds)、太陽能電池(solarcells)、射頻元件(rfcircuits)、加速計(jì)(accelerators)、陀螺儀(gyroscopes)、指紋辨識器(fingerprintrecognitiondevice)、微制動器(microactuators)、表面聲波元件(surfaceacousticwavedevices)、壓力感測器(processsensors)或噴墨頭(inkprinterheads)等半導(dǎo)體晶片進(jìn)行封裝。

其中上述晶圓級封裝制程主要是指在晶圓階段完成封裝步驟后，再予以切割成獨(dú)立的封裝體，然而，在一特定實(shí)施例中，例如將已分離的半導(dǎo)體晶片重新分布在一承載晶圓上，再進(jìn)行封裝制程，亦可稱之為晶圓級封裝制程。另外，上述晶圓級封裝制程亦適用于通過堆迭(stack)方式安排具有集成電路的多片晶圓，以形成多層集成電路(multi-layerintegratedcircuitdevices)的晶片封裝體。

請參照圖1i及2，圖1i繪示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體10的剖面示意圖，而圖2是繪示出圖1i中晶片封裝體10的一部分的介電層110的仰視示意圖。在本實(shí)施例中，晶片封裝體10包括一基底100及設(shè)置于基底100上的一金屬化層(或稱作內(nèi)連接層)。

在一實(shí)施例中，基底100可為一硅基底或其他半導(dǎo)體基底。基底100具有一第一表面100a及與其相對的一第二表面100b。再者，基底100內(nèi)包括一晶片區(qū)c及沿晶片區(qū)c的邊緣101(以虛線表示)延伸的一切割道區(qū)sc。亦即，切割道區(qū)sc沿晶片區(qū)c的邊緣101圍繞晶片區(qū)c(其中邊緣101也為晶片區(qū)c與切割道區(qū)sc之間的分界線)。晶片區(qū)c內(nèi)可包括一感測元件(未繪示)鄰近于基底100的第一表面100a。舉例來說，晶片區(qū)c內(nèi)包括影像感測元件或其他適合的感測元件。在其他實(shí)施例中，晶片區(qū)c內(nèi)可包括感測生物特征的元件(例如，一指紋辨識元件)、感測環(huán)境特征的元件(例如，一溫度感測元件、一濕度感測元件、一壓力感測元件、一電容感測元件)或其他適合的感測元件。

一金屬化層位于基底100的第一表面100a上。一般而言，金屬化層包括絕緣部及位于絕緣部內(nèi)的導(dǎo)電特征部件。在本實(shí)施例中，金屬化層的絕緣部可包括層間介電層(interlayerdielectric,ild)、金屬間介電層(inter-metaldielectric,imd)、鈍化護(hù)層(passivation)或前述的組合。為簡化圖式，此處僅繪示出單層介電層110。在一實(shí)施例中，介電層110可包括低介電常數(shù)材料。在其他實(shí)施例中，介電層110可包括無機(jī)材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物或前述的組合或其他適合的絕緣材料。此處，晶片封裝體10包括一晶片/晶粒，而晶片/晶粒包括基底100及介電層110。

在本實(shí)施例中，對應(yīng)于切割道區(qū)sc的介電層110內(nèi)具有一通槽(throughgroove)116鄰近于晶片區(qū)c。在一實(shí)施例中，通槽116貫穿介電層110而露出基底100的第一表面100a。在其他實(shí)施例中，貫穿介電層110的通槽116進(jìn)一步延伸入基底100內(nèi)至一深度，其約在1微米(μm)至2微米的范圍。在一實(shí)施例中，通槽116具有一寬度w(繪示于圖1b)，其約在5微米至15微米的范圍。通槽116沿切割道區(qū)sc的延伸方向延伸，如圖2所示。亦即，通槽116也是沿晶片區(qū)c的邊緣101圍繞晶片區(qū)c。在其他實(shí)施例中，通槽116內(nèi)可完全填滿一底膠材料層(未繪示)。

在本實(shí)施例中，設(shè)置于基底100的第一表面100a上的介電層110內(nèi)具有導(dǎo)電特征部件，例如一密封環(huán)112及一或多個導(dǎo)電墊114且對應(yīng)于晶片區(qū)c。在一實(shí)施例中，密封環(huán)112的一邊緣112a(繪示于圖1a)大體上對準(zhǔn)于切割道區(qū)sc與晶片區(qū)c之間的分界線(即，晶片區(qū)c的邊緣101)，且密封環(huán)112沿切割道區(qū)sc的延伸方向延伸。亦即，密封環(huán)112也是沿晶片區(qū)c的邊緣101圍繞晶片區(qū)c。在一實(shí)施例中，通槽116與密封環(huán)112之間的距離d(繪示于圖1b)約在5微米至10微米的范圍。

再者，導(dǎo)電墊114可為單層導(dǎo)電層或?yàn)槎鄬拥膶?dǎo)電層結(jié)構(gòu)。為簡化圖式，此處僅繪示出單層導(dǎo)電墊114作為范例說明。在一實(shí)施例中，晶片區(qū)c內(nèi)的感測元件可通過介電層110內(nèi)的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)(未繪示)而與導(dǎo)電墊114電性連接。

一或多個開口103自基底100的第二表面100b延伸至基底100的第一表面100a，使開口101貫穿基底100且露出鄰近于基底100的第一表面100a的對應(yīng)的導(dǎo)電墊114。在本實(shí)施例中，開口101位于第二表面100b的寬度(或口徑)大于其位于第一表面100a的寬度(或口徑)。因此，開口101具有傾斜的側(cè)壁。再者，一開口105沿著基底100的側(cè)壁延伸而圍繞晶片區(qū)c且貫穿基底100。在此情形中，開口105具有傾斜的側(cè)壁。亦即，基底100具有傾斜的邊緣側(cè)壁。在本實(shí)施例中，開口103的俯視輪廓不同于開口105的俯視輪廓。舉例來說，開口103可具有圓形的俯視輪廓，而開口105具有環(huán)形的俯視輪廓，如方環(huán)形。可以理解的是，開口103及開口105可具有其他形狀的俯視輪廓，而并不限定于此。

在本實(shí)施例中，晶片封裝體10還包括一絕緣襯層140設(shè)置于基底100的第二表面100b上，且順應(yīng)性地延伸至開口103的側(cè)壁及開口105的側(cè)壁及底部上，并露出導(dǎo)電墊114。在一實(shí)施例中，絕緣襯層140可包括環(huán)氧樹脂、無機(jī)材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物或前述的組合)、有機(jī)高分子材料(例如，聚酰亞胺樹脂、苯環(huán)丁烯、聚對二甲苯、萘聚合物、氟碳化物、丙烯酸酯)或其他適合的絕緣材料。

在本實(shí)施例中，晶片封裝體10還包括一圖案化的重布線層145設(shè)置于基底100的第二表面100b上方的絕緣襯層140上，且順應(yīng)性地延伸至開口103的側(cè)壁及底部。重布線層145通過絕緣襯層140與基底100電性隔離，且經(jīng)由開口103直接電性接觸或間接電性連接露出的導(dǎo)電墊114。因此，開口101內(nèi)的重布線層145也稱為基底通孔電極(throughsubstratevia,tsv)。在一實(shí)施例中，重布線層145可包括鋁、銅、金、鉑、鎳、錫、前述的組合、導(dǎo)電高分子材料、導(dǎo)電陶瓷材料(例如，銦錫氧化物或銦鋅氧化物)或其他適合的導(dǎo)電材料。

在本實(shí)施例中，晶片封裝體10還包括一鈍化護(hù)層150設(shè)置于基底100的第二表面100b上方，且填入開口103，以覆蓋重布線層145。在一實(shí)施例中，鈍化護(hù)層150可包括環(huán)氧樹脂、綠漆(soldermask)、無機(jī)材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物或前述的組合)、有機(jī)高分子材料(例如，聚酰亞胺樹脂、苯環(huán)丁烯、聚對二甲苯、萘聚合物、氟碳化物、或丙烯酸酯)或其他適合的絕緣材料。

在本實(shí)施例中，鈍化護(hù)層150未填滿開口103，使得一空孔155形成于開口103內(nèi)的重布線層145與鈍化護(hù)層150之間。因此，后續(xù)制程中進(jìn)行熱處理時，空孔155能夠作為鈍化護(hù)層150與重布線層145之間的緩沖，以降低鈍化護(hù)層150與重布線層145之間由于熱膨脹系數(shù)不匹配所引發(fā)不必要的應(yīng)力。再者，當(dāng)外界溫度或壓力劇烈變化時，可避免鈍化護(hù)層150會過度拉扯重布線層145，進(jìn)而可防止靠近導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)的重布線層145剝離或發(fā)生斷裂。在一實(shí)施例中，空孔155與鈍化護(hù)層150之間的界面具有拱形輪廓。

基底100的第二表面100b上的鈍化護(hù)層150具有開口150a，以露出部分的重布線層145。再者，多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)160(例如，焊球、凸塊或?qū)щ娭?設(shè)置于鈍化護(hù)層150的開口150a內(nèi)，以與露出的重布線層145電性連接。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)160可包括錫、鉛、銅、金、鎳、或前述的組合。

請參照圖3e及4，圖3e繪示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的晶片封裝體20的剖面示意圖，而圖4是繪示出圖3e中晶片封裝體20的一部分的介電層110的仰視示意圖，其中相同于圖1i及2中的部件使用相同的標(biāo)號并省略其說明。在本實(shí)施例中，晶片封裝體20的結(jié)構(gòu)類似于圖1i中的晶片封裝體10的結(jié)構(gòu)。

在本實(shí)施例中，晶片封裝體20中的通槽116內(nèi)完全填滿一底膠材料層118。再者，晶片封裝體20還包括一蓋板230及一間隔層(或稱作圍堰(dam))220。蓋板230設(shè)置于基底100的第一表面100a上方。在本實(shí)施例中，蓋板230可包括玻璃、石英、透明高分子材料或其他適合的透明材料。

間隔層220設(shè)置于介電層110與蓋板230之間且覆蓋導(dǎo)電墊114。在本實(shí)施例中，蓋板230、間隔層220及介電層110在晶片區(qū)c上共同圍繞出一空腔(未繪示)，使得空腔對應(yīng)于基底100的感測元件。在其他實(shí)施例中，間隔層220覆蓋對應(yīng)于感測元件的介電層110，使蓋板230與介電層110之間不具有空腔。在一實(shí)施例中，間隔層220大致上不吸收水氣且不具有粘性。在此情形中，可通過額外的粘著膠將蓋板230貼附于介電層110上。在其他實(shí)施例中，間隔層220可具有黏性。在此情形中，可通過間隔層220將蓋板230貼附于介電層110上。如此一來，間隔層220可不與任何的粘著膠接觸，以確保間隔層220的位置不因粘著膠而移動。在一實(shí)施例中，間隔層220可包括環(huán)氧樹脂、無機(jī)材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物或前述的組合)、有機(jī)高分子材料(例如，聚酰亞胺樹脂(polyimide)、苯環(huán)丁烯(butylcyclobutene,bcb)、聚對二甲苯(parylene)、萘聚合物(polynaphthalenes)、氟碳化物(fluorocarbons)、丙烯酸酯(acrylates))、光阻材料或其他適合的絕緣材料。

在上述實(shí)施例中，晶片封裝體10及20包括前照式(frontsideillumination,fsi)感測裝置，然而在其他實(shí)施例中，晶片封裝體10及20亦可包括背照式(backsideillumination,bsi)感測裝置。

圖1a至1i是繪示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體10的制造方法的剖面示意圖。請參照圖1a，提供一基底100，其具有一第一表面100a及與其相對的一第二表面100b。基底100內(nèi)包括多個晶片區(qū)c及沿每一晶片區(qū)c的邊緣101(以虛線表示)延伸的一切割道區(qū)sc。為簡化圖式，此處僅繪示出位于割道區(qū)sc兩側(cè)的一對不完整的晶片區(qū)c。在一實(shí)施例中，基底100可為一硅基底或其他半導(dǎo)體基底。在另一實(shí)施例中，基底100為一硅晶圓，以利于進(jìn)行晶圓級封裝制程。

在本實(shí)施例中，每一晶片區(qū)c的基底100內(nèi)包括一感測元件(未繪示)。感測元件可鄰近于基底100的第一表面100a。在一實(shí)施例中，感測元件包括影像感測元件、感測生物特征的元件(例如，一指紋辨識元件)、感測環(huán)境特征的元件(例如，一溫度感測元件、一濕度感測元件、一壓力感測元件、一電容感測元件)或其他適合的感測元件。

接著，于基底100的該第一表面100a上形成一介電層110。介電層110可包括層間介電層、金屬間介電層、鈍化護(hù)層或其組合。為簡化圖式，此處僅繪示出一平整層。在一實(shí)施例中，介電層110可包括低介電常數(shù)材料。在其他實(shí)施例中，介電層110可包括無機(jī)材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物或前述的組合或其他適合的絕緣材料)。

接著，于對應(yīng)晶片區(qū)c的介電層110內(nèi)形成導(dǎo)電特征部件，例如一密封環(huán)112及一或多個導(dǎo)電墊114。在一實(shí)施例中，密封環(huán)112的一邊緣112a大體上對準(zhǔn)于切割道區(qū)sc與晶片區(qū)c之間的分界線(即，晶片區(qū)c的邊緣101)，且密封環(huán)112沿切割道區(qū)sc的延伸方向延伸。

再者，導(dǎo)電墊114可為單層導(dǎo)電層或?yàn)槎鄬拥膶?dǎo)電層結(jié)構(gòu)。為簡化圖式，此處僅繪示出單層導(dǎo)電墊114作為范例說明。在一實(shí)施例中，晶片區(qū)c內(nèi)的感測元件可通過介電層110內(nèi)的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)(未繪示)而與導(dǎo)電墊114電性連接。

接著，請參照圖1b，于對應(yīng)于切割道區(qū)sc的介電層110內(nèi)形成一通槽116，其沿切割道區(qū)sc的延伸方向延伸，且露出基底100的第一表面100a。在其他實(shí)施例中，貫穿介電層110的通槽116可進(jìn)一步延伸入基底100內(nèi)至一深度，其約在1微米至2微米的范圍。在一實(shí)施例中，可通過激光開槽(lasergrooving)形成通槽116。在本實(shí)施例中，通槽116鄰近于晶片區(qū)c的密封環(huán)112。舉例來說，通槽116與密封環(huán)112之間的距離d約在5微米至10微米的范圍。再者，通槽116具有一寬度w在5微米至15微米的范圍。在其他實(shí)施例中，通槽116內(nèi)可完全填滿一底膠材料層(未繪示)。

在本實(shí)施例中，可依序進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的前段(frontend)制程(例如，在基底100內(nèi)制作晶片區(qū)c及后段(backend)制程(例如，在基底100上制作介電層110、內(nèi)連線結(jié)構(gòu)及導(dǎo)電墊114)來制作前述結(jié)構(gòu)。換句話說，以下晶片封裝體的制造方法用于對完成后段制程的基底進(jìn)行后續(xù)的封裝制程。

請參照圖1c，通過一粘著層120(例如，膠帶)將介電層110貼合于一承載基底130(例如，玻璃)。之后，對基底100的第二表面100b進(jìn)行薄化制程(例如，蝕刻制程、銑削(milling)制程、磨削(grinding)制程或研磨(polishing)制程)，以減少基底100的厚度。

接著，請參照圖1d，通過微影制程及蝕刻制程(例如，干蝕刻制程、濕蝕刻制程、等離子蝕刻制程、反應(yīng)性離子蝕刻制程或其他適合的制程)，于每一晶片區(qū)c的基底100內(nèi)形成開口103，且在切割道區(qū)sc的基底100內(nèi)形成開口105。開口103及開口105自基底100的第二表面100b延伸至基底100的第一表面100a而貫穿基底100且露出介電層110。在其他實(shí)施例中，可分別通過刻痕(notching)制程以及微影及蝕刻制程形成開口103及開口105。

在本實(shí)施例中，開口103對應(yīng)于導(dǎo)電墊114，且開口103位于第二表面100b的寬度(或口徑)大于其位于第一表面100a的寬度(或口徑)，因此開口103具有傾斜的側(cè)壁。傾斜的側(cè)壁有助于后續(xù)形成于開口103內(nèi)的膜層(例如，絕緣層及重布線層)的沉積，進(jìn)而提高晶片封裝體的可靠度。舉例來說，由于開口103位于第一表面100a的寬度小于其位于第二表面100b的口徑，因此后續(xù)形成于開口103內(nèi)的膜層能夠輕易地沉積于開口103的轉(zhuǎn)角，以避免膜層在上述轉(zhuǎn)角處發(fā)生斷裂。

在本實(shí)施例中，開口105沿著相鄰晶片區(qū)c之間的切割道sc延伸且貫穿基底100，使得每一晶片區(qū)c的基底100彼此分離。開口105具有傾斜的側(cè)壁，使每一晶片區(qū)c的基底100具有傾斜的邊緣側(cè)壁。

接著，請參照圖1e，可通過沉積制程(例如，涂布制程、物理氣相沉積制程、化學(xué)氣相沉積制程或其他適合的制程)，在基底100的第二表面100b上形成一絕緣襯層140，絕緣襯層140順應(yīng)性地沉積于開口103及開口105的側(cè)壁及底部上。在一實(shí)施例中，絕緣襯層140可包括環(huán)氧樹脂、無機(jī)材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物或前述的組合)、有機(jī)高分子材料(例如，聚酰亞胺樹脂、苯環(huán)丁烯、聚對二甲苯、萘聚合物、氟碳化物、或丙烯酸酯)或其他適合的絕緣材料。接著，可通過微影制程及蝕刻制程，去除開口103底部的絕緣襯層140而露出對應(yīng)的導(dǎo)電墊114。

接著，請參照圖1f，可依序通過沉積制程(例如，涂布制程、物理氣相沉積制程、化學(xué)氣相沉積制程、電鍍制程、無電鍍制程或其他適合的制程)、微影制程及蝕刻制程，于基底100的第二表面100b上方的絕緣襯層140上形成圖案化的重布線層145。重布線層145順應(yīng)性地延伸至開口103的側(cè)壁及底部。重布線層145通過絕緣襯層140與基底100電性隔離，且經(jīng)由開口103直接電性接觸或間接電性連接露出的導(dǎo)電墊114。在一實(shí)施例中，重布線層145可包括鋁、銅、金、鉑、鎳、錫、前述的組合、導(dǎo)電高分子材料、導(dǎo)電陶瓷材料(例如，銦錫氧化物或銦鋅氧化物)或其他適合的導(dǎo)電材料。

接著，請參照圖1g，可通過沉積制程，在基底100的第二表面100b上形成一鈍化護(hù)層150，且填入開口103，以覆蓋重布線層145。在一實(shí)施例中，鈍化護(hù)層150可包括環(huán)氧樹脂、綠漆、無機(jī)材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物或前述的組合)、有機(jī)高分子材料(例如，聚酰亞胺樹脂、苯環(huán)丁烯、聚對二甲苯、萘聚合物、氟碳化物、或丙烯酸酯)或其他適合的絕緣材料。

在本實(shí)施例中，鈍化護(hù)層150僅部分填充開口103，使得一空孔155形成于開口103內(nèi)的重布線層145與鈍化護(hù)層150之間。在一實(shí)施例中，空孔155與鈍化護(hù)層150之間的界面具有拱形輪廓。在其他實(shí)施例中，鈍化護(hù)層150亦可填滿開口103。接著，可通過微影制程及蝕刻制程，在基底100的第二表面100b上的鈍化護(hù)層150內(nèi)形成多個開口150a，以露出部分的重布線層145。

之后，可通過電鍍制程、網(wǎng)版印刷制程或其他適合的制程，在鈍化護(hù)層150的開口150a內(nèi)填入導(dǎo)電結(jié)構(gòu)160(例如，焊球、凸塊或?qū)щ娭?，以與露出的重布線層145電性連接。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)160可包括錫、鉛、銅、金、鎳、或前述的組合。

接著，請參照圖1h，自開口105底部依序切割絕緣襯層140及下方的介電層110，以將各個晶片區(qū)c分離。舉例來說，可使用切割刀具或激光進(jìn)行切割制程。在本實(shí)施例中，當(dāng)使用切割刀具切割介電層110時，切割刀具會于介電層110內(nèi)產(chǎn)生應(yīng)力而于介電層110內(nèi)形成裂縫(未繪示)。然而，由于介電層110內(nèi)具有通槽116，因此裂縫僅延伸至通槽116而不會進(jìn)一步延伸至對應(yīng)于晶片區(qū)c的介電層110內(nèi)。

在進(jìn)行切割制程之后，自介電層110表面去除粘著層120及承載基底130，以形成獨(dú)立的晶片封裝體10。如圖1i所示。

可以理解的是，雖然圖1a至1i的實(shí)施例為具有前照式感測裝置的晶片封裝體的制造方法，然而關(guān)于晶片的外部電性連接路徑(例如，基底內(nèi)的開口、重布線層、保護(hù)層或其中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu))的制作方法亦可應(yīng)用于背照式感測裝置的制程中。

圖3a至3e是繪示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的晶片封裝體20的制造方法的剖面示意圖，其中相同于圖1a至1i中的部件使用相同的標(biāo)號并省略其說明。如圖3a所示，提供如圖1b實(shí)施例所示的結(jié)構(gòu)。接著，于通槽116內(nèi)完全填滿一底膠材料層118。

接著，請參照圖3b，提供一蓋板230。在本實(shí)施例中，蓋板230可包括玻璃、石英、透明高分子材料或其他適合的透明材料。之后，在蓋板230上形成一間隔層220，并通過間隔層220將蓋板230接合至基底100的第一表面100a上。間隔層220在晶片區(qū)c的基底100與蓋板230之間形成一空腔(未繪示)。在其他實(shí)施例中，可先在基底100的第一表面100a上方的介電層110上形成間隔層220，之后將蓋板230接合至基底100上。在其他實(shí)施例中，基底100與蓋板230之間不具有空腔。

在一實(shí)施例中，可通過沉積制程(例如，涂布制程、物理氣相沉積制程、化學(xué)氣相沉積制程或其他適合的制程)形成間隔層220。再者，間隔層220可包括環(huán)氧樹脂、無機(jī)材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物或前述的組合)、有機(jī)高分子材料(例如，聚酰亞胺樹脂、苯環(huán)丁烯、聚對二甲苯、萘聚合物、氟碳化物、或丙烯酸酯)或其他適合的絕緣材料。在其他實(shí)施例中，間隔層220可包括光阻材料，且可通過微影制程而圖案化，以形成空腔。

接著，請參照圖3c，以蓋板230作為承載基板，對基底100的第二表面100b進(jìn)行薄化制程，以減少基底100的厚度。接著，通過微影制程及蝕刻制程，于每一晶片區(qū)c的基底100內(nèi)形成開口103，且在切割道區(qū)sc的基底100內(nèi)形成開口105，如圖1d的實(shí)施例所示。

接著，請參照圖3d，可利用相同或相似于圖1e至1g的實(shí)施例所述的方法，于圖3c所示的結(jié)構(gòu)上依序形成絕緣襯層140、重布線層145、鈍化護(hù)層150及位于鈍化護(hù)層150的開口150a內(nèi)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)160。

接著，請參照圖3e，自開口105底部依序切割絕緣襯層140、介電層110、間隔層220以及蓋板230，以將各個晶片區(qū)c分離，以形成獨(dú)立的晶片封裝體20。舉例來說，可使用切割刀具或激光進(jìn)行切割制程。在本實(shí)施例中，當(dāng)使用切割刀具切割介電層110時，切割刀具會于介電層110內(nèi)產(chǎn)生應(yīng)力而于介電層110內(nèi)形成裂縫(未繪示)。然而，由于介電層110內(nèi)具有通槽116及底膠材料層118，因此裂縫僅延伸至通槽116而不會進(jìn)一步延伸至對應(yīng)于晶片區(qū)c的介電層110內(nèi)。

可以理解的是，雖然圖3a至3e的實(shí)施例為具有前照式感測裝置的晶片封裝體的制造方法，然而關(guān)于晶片的外部電性連接路徑(例如，基底內(nèi)的開口、重布線層、保護(hù)層或其中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu))的制作方法亦可應(yīng)用于背照式感測裝置的制程中。

根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例，由于介電層內(nèi)的通槽有效阻擋裂縫進(jìn)一步延伸至對應(yīng)于晶片區(qū)的介電層內(nèi)，因此可維持或改善晶片封裝體可靠度及效能。再者，由于通槽可有效阻擋裂縫延伸，因此無須在切割道區(qū)進(jìn)行預(yù)切割(pre-sawing)制程以及在切割道區(qū)的基底側(cè)壁形成鈍化護(hù)層來保護(hù)介電層。如此一來，可順利去除形成于介電層上的粘著層及承載基底。或著，可避免因鈍化護(hù)層形成于切割道區(qū)的基底側(cè)壁所產(chǎn)生的基底翹曲(substratewarpage)問題。另外，由于無須進(jìn)行預(yù)切割制程，因此不存在預(yù)切割制程與切割制程之間發(fā)生偏移的問題。如此一來，可進(jìn)一步縮小晶片封裝體的尺寸。

以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。