技術特征：

技術總結
本發明提供一種高速VCSEL激光器外延結構，包括GaAs襯底，在GaAs襯底上依次采用MOCVD沉積GaAs緩沖層、N型摻雜的DBR、有源層、氧化限制層、P型摻雜的DBR和歐姆接觸層，所述氧化限制層由多個Ga組分可自由調節的Al1?xGaxAs外延層組成，其中X為Ga元素的組分。該激光器外延結構采用一定厚度的組分跳變的多層Al1?xGaxAs形成氧化限制層，氧化限制層前端的形狀可通過調節各層Al1?xGaxAs的組分改變，可在氧化限制層前端形成lens結構，減小光子的散射損失，從而提高VCSEL的調制帶寬。本發明還具有以下優點：1）通過調節氧化限制層中Ga的比例，減小氧化限制層的氧化速率，使氧化易于控制，提高VCSEL芯片產品良率；2）本發明氧化限制層厚度大，本征寄生電容小。

技術研發人員：單智發
受保護的技術使用者：蘇州全磊光電有限公司
技術研發日：2017.05.22
技術公布日：2017.09.15