技術特征：

技術總結
本發明公開了一種低電容單向TVS器件，包括反向并聯的兩個低電容二極管，其中一個低電容二極管與TVS二極管串聯；本發明還提供一種低電容單向TVS器件制造方法，所述方法包括以下步驟：襯底材料準備、氧化、P+型埋層區光刻、硼離子注入及推結、外延生長、外延層氧化、隔離區光刻、磷離子注入及推結、N?基區光刻、磷離子注入及推結、N基區光刻、磷離子注入及推結、P+注入區光刻、硼離子注入及推結、N+注入區光刻、磷離子注入及推結、引線孔光刻、蒸鋁、鋁反刻、減薄、背面金屬化。本發明通過TVS二極管與低電容二極管的串聯，起到了降低器件的電容值作用，保證了電子產品在使用中，不會因為TVS器件的寄生電容過大，影響其正常的工作。

技術研發人員：徐玉豹;鄒有彪;童懷志;劉宗賀;廖航;王泗禹;王禺
受保護的技術使用者：安徽富芯微電子有限公司
技術研發日：2017.05.22
技術公布日：2017.09.15