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解決雙核內存芯片長線甩線和搭線問題的方法與流程

文檔序號:11232969閱讀:1025來源:國知局

本發明涉及一種解決雙核內存芯片長線甩線和搭線問題的方法,屬于芯片處理技術領域。



背景技術:

在現有的雙內存芯片結構中,雙核內存芯片中有兩顆內存晶粒,這兩顆晶粒在封裝體內是背靠背放置,由于上面芯片的金絲(17.5um)是從中間引線到兩端,長度約6毫米,在封模時,會出現嚴重的甩線和搭線,測試良率幾乎為零,為了解決這個問題,現在有兩種方案技術方案:

1、點膠方案:使用膠水固定金絲在封模前固定金絲,該方案需要購置點膠設備(15萬美元),烘烤設備(10萬美元)及合適的膠水,不僅生產成本增加兩倍以上,生產周期增多一天,而且存在搭線和內部空洞風險。

2、rdl方案:該方案是將晶粒上的焊線窗通過晶圓制成引到兩端,從而將金絲的長度從6毫米減少到1.5毫米左右,該方案屬于晶圓級制成,投資是十多億美元,而且技術和環境等因素限制,很多公司沒法完成,只能外包,單顆生產成本增加20倍以上。

為此本案提出一種方案,可以解決甩線和搭線問題,并通過可靠性驗證,該方案的成本增加僅僅10%。



技術實現要素:

本發明的目的在于克服上述的不足,提供解決雙核內存芯片長線甩線和搭線問題的方法。

本發明的解決雙核內存芯片長線甩線和搭線問題的方法,所述方法為:

在雙核內存芯片的上層晶粒dram2的左端和右端各增加一顆微米鏡面假片,分別為mirrordie1和mirrordie2,金絲接入微米鏡面假片,使得金絲穿過mirrordie1進入上層晶粒dram2,在從上層晶粒dram2中穿過mirrordie2,從而縮短金絲長度;

在所述的微米鏡面假片和上層晶粒dram2之間通過fow果凍膠連接,使得金絲鑲嵌在fow果凍膠中,加熱fow果凍膠以固化金絲;

加熱fow果凍膠后,金絲被固化在fow果凍膠中,并在多根金絲之間形成絕緣層。

本發明的有益效果在于:本發明解決了雙核內存芯片長線的甩線和搭線問題,并通過可靠性驗證,低于市面上其他的方案成本,方案的成本增加僅僅10%,并且避免使用現存的點膠設計產生的內部空洞。

附圖說明

圖1為本發明的結構圖。

具體實施方式

下面結合附圖對發明的優選實施例進行詳細闡述,以使發明的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解,從而對發明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。

本發明的解決雙核內存芯片長線甩線和搭線問題的方法,所述方法為:

在雙核內存芯片的上層晶粒dram2的左端和右端各增加一顆微米鏡面假片,分別為mirrordie1和mirrordie2,金絲接入微米鏡面假片,使得金絲穿過mirrordie1進入上層晶粒dram2,在從上層晶粒dram2中穿過mirrordie2,從而縮短金絲長度;

在所述的微米鏡面假片和上層晶粒dram2之間通過fow果凍膠連接,使得金絲鑲嵌在fow果凍膠中,加熱fow果凍膠以固化金絲;

加熱fow果凍膠后,金絲被固化在fow果凍膠中,并在多根金絲之間形成絕緣層。



技術特征:

技術總結
本發明涉及解決雙核內存芯片長線甩線和搭線問題的方法,所述方法為:在雙核內存芯片的上層晶粒Dram2的左端和右端各增加一顆微米鏡面假片,分別為Mirror?Die1和Mirror?Die2,金絲接入微米鏡面假片,使得金絲穿過Mirror?Die1進入上層晶粒Dram2,在從上層晶粒Dram2中穿過Mirror?Die2,從而縮短金絲長度;在所述的微米鏡面假片和上層晶粒Dram2之間通過FOW果凍膠連接,使得金絲鑲嵌在FOW果凍膠中,加熱FOW果凍膠以固化金絲;加熱FOW果凍膠后,金絲被固化在FOW果凍膠中,并在多根金絲之間形成絕緣層;本發明解決了雙核內存芯片長線的甩線和搭線問題,并通過可靠性驗證,低于市面上其他的方案成本,方案的成本增加僅僅10%,并且避免使用現存的點膠設計產生的內部空洞。

技術研發人員:徐新建;劉小俊;張力;洪嘉
受保護的技術使用者:沛頓科技(深圳)有限公司
技術研發日:2017.05.23
技術公布日:2017.09.08
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