本公開涉及半導體封裝件。

背景技術：

1、隨著電子工業的快速發展和用戶的需求，電子裝置正在變得越來越小且越來越輕，因此，作為電子裝置的核心部件的半導體器件被要求高度集成。已經為輸入/輸出(i/o)連接端子數目增加的高度集成半導體芯片設計出具有確保連接可靠性的連接端子的半導體封裝件。例如，已經開發出諸如扇出面板級封裝件的扇出半導體封裝件，以增大連接端子之間的間隙，以便防止連接端子之間的干擾。

技術實現思路

1、本公開涉及半導體封裝件，包括再分布結構的可靠性改進的半導體封裝件，并且涉及一種能夠簡化形成再分布結構的工藝的半導體封裝件。例如，本公開涉及一種扇出面板級封裝件(foplp)。

2、在一些實現方式中，一種半導體封裝件包括：再分布結構，所述再分布結構包括第一表面和第二表面；以及半導體芯片，所述半導體芯片位于所述再分布結構的所述第一表面上，其中，所述再分布結構包括：多條第一導電線，所述多條第一導電線包括第一信號線；以及多條第二導電線，所述多條第二導電線布置在與所述多條第一導電線的垂直高度不同的垂直高度并且包括與所述第一信號線電絕緣的接地線，其中，所述接地線包括：開口，所述開口在與所述第一信號線垂直交疊的位置處延伸通過所述接地線并且包括在第一水平方向上具有第一寬度的第一端部；以及通風孔，所述通風孔與所述開口的所述第一端部連通并且在所述第一水平方向上具有小于所述第一寬度的第二寬度。

3、在一些實現方式中，一種半導體封裝件包括：再分布結構，所述再分布結構包括第一表面和第二表面；半導體芯片，所述半導體芯片位于所述再分布結構的所述第一表面上；以及外部連接端子，所述外部連接端子位于所述再分布結構的所述第二表面上，其中，所述再分布結構包括：多條第一導電線，所述多條第一導電線位于比所述再分布結構的所述第一表面的垂直高度低的第一垂直高度；第一再分布絕緣層，所述第一再分布絕緣層覆蓋所述多條第一導電線的多個底表面；多條第二導電線，所述多條第二導電線位于所述第一再分布絕緣層的底表面上并且處于比所述第一垂直高度低的第二垂直高度；以及第二再分布絕緣層，所述第二再分布絕緣層位于所述第一再分布絕緣層的底表面上并且覆蓋所述多條第二導電線的多個底表面，其中，所述多條第二導電線當中的至少一條第二導電線包括：開口，所述開口延伸通過所述至少一條第二導電線并且包括在第一水平方向上具有第一寬度的第一端部；以及通風孔，所述通風孔與所述開口的所述第一端部連通并且具有小于所述開口的所述第一寬度的第二寬度。

4、在一些實現方式中，一種半導體封裝件包括：第一再分布結構；半導體芯片，所述半導體芯片位于所述第一再分布結構的頂表面上；連接結構，所述連接結構位于所述第一再分布結構的頂表面上并且位于所述半導體芯片的至少一側；第二再分布結構，所述第二再分布結構位于所述半導體芯片和所述連接結構上；以及焊料球，所述焊料球設置在所述第一再分布結構的底表面上，其中，所述第一再分布結構包括：多條第一導電線，所述多條第一導電線包括第一信號線；第一再分布絕緣層，所述第一再分布絕緣層覆蓋所述多條第一導電線并且包括第一光敏聚合物；多條第二導電線，所述多條第二導電線處于比所述多條第一導電線低的垂直高度并且包括與所述第一信號線電絕緣的接地線；以及第二再分布絕緣層，所述第二再分布絕緣層覆蓋所述多條第二導電線并且包括第二光敏聚合物，其中，所述接地線包括：開口，所述開口在與所述第一信號線垂直交疊的位置處延伸通過所述接地線并且包括在第一水平方向上具有第一寬度的第一端部；以及通風孔，所述通風孔與所述開口的所述第一端部連通并且在所述第一水平方向上具有小于所述第一寬度的第二寬度，其中，所述接地線包括成對的信號線圖案，并且所述開口與所述成對的信號線圖案垂直地交疊。

技術特征：

1.一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括：

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述第二寬度是所述第一寬度的15％至30％。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，

4.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述通風孔具有圓形、三角形、矩形或圓角矩形中至少一種的平面形狀。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，

6.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，

7.根據權利要求6所述的半導體封裝件，其中，所述開口與所述成對的信號線圖案垂直地交疊。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，

9.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述再分布結構還包括：

10.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述通風孔包括：

11.根據權利要求1所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括：

12.一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括：

13.根據權利要求12所述的半導體封裝件，其中，所述第二再分布絕緣層的一部分設置在所述開口內部和所述通風孔內部。

14.根據權利要求12所述的半導體封裝件，其中，

15.根據權利要求14所述的半導體封裝件，其中，所述第二寬度是所述第一寬度的15％至30％。

16.根據權利要求15所述的半導體封裝件，其中，

17.根據權利要求12所述的半導體封裝件，其中，

18.一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括：

19.根據權利要求18所述的半導體封裝件，其中，

20.根據權利要求18所述的半導體封裝件，其中，

技術總結
一種半導體封裝件包括：再分布結構，所述再分布結構包括第一表面和第二表面；以及半導體芯片，所述半導體芯片位于所述再分布結構的第一表面上。所述再分布結構包括：多條第一導電線，所述多條第一導電線具有第一信號線；以及多條第二導電線，所述多條第二導電線處于與所述多條第一導電線不同的垂直高度。所述多條第二導電線包括與所述第一信號線電絕緣的接地線。所述接地線包括：開口，所述開口在與所述第一信號線垂直交疊的位置處延伸通過所述接地線；以及通風孔，所述通風孔與所述開口的第一端部連通。所述開口的所述第一端部在第一水平方向上具有第一寬度。所述通風孔在所述第一水平方向上具有小于所述第一寬度的第二寬度。

技術研發人員：李泰勛,金多禧,崔圭振
受保護的技術使用者：三星電子株式會社
技術研發日：
技術公布日：2025/4/24