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多功能的DrMOS的制作方法

文檔序號(hào):7343235閱讀:436來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:多功能的DrMOS的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種DrMOS,具體地說(shuō),是一種具有電流平衡機(jī)制、溫度平衡機(jī)制及可變相位機(jī)制的多功能的DrMOS。
背景技術(shù)
針對(duì)電源轉(zhuǎn)換器,英特爾(Inter)提出一個(gè)名為DrMOS的標(biāo)準(zhǔn),其將功率開(kāi)關(guān)及其驅(qū)動(dòng)電路整合在同一芯片中,以減少功率開(kāi)關(guān)及驅(qū)動(dòng)電路之間的寄生效應(yīng),進(jìn)而提高電源轉(zhuǎn)換器的效能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的,在于提出一種新的DrMOS,其具有電流平衡機(jī)制。本發(fā)明的另一目的,在于提出一種新的DrMOS,其具有可變相位機(jī)制。
本發(fā)明的再一目的,在于提出一種新的DrMOS,其具有溫度平衡機(jī)制。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的技術(shù)解決方案是
一種多功能的DrMOS,其特征在于包括
一上橋組件,連接在一第一電壓及一相節(jié)點(diǎn)之間;
一下橋組件,連接在所述相節(jié)點(diǎn)及一第二電壓之間;
一驅(qū)動(dòng)電路,根據(jù)一控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述上橋及下橋組件以產(chǎn)生一輸出負(fù)載電流;
一平衡裝置,調(diào)節(jié)所述輸出負(fù)載電流。
本發(fā)明的多功能的DrMOS還可以采用以下的技術(shù)措施來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的多功能的DrMOS,其中所述平衡裝置包括一溫度平衡電路用以感測(cè)所述DrMOS的溫度以調(diào)節(jié)所述輸出負(fù)載電流。
前述的多功能的DrMOS,其中所述溫度平衡電路包括一平衡端;
一特性隨所述DrMOS溫度變化的組件;
一電流源,提供一固定的第一電流給所述特性隨所述DrMOS溫度變化的組件以產(chǎn)生隨所述DrMOS溫度變化的第三電壓至所述平衡端;
一電阻,因應(yīng)所述平衡端上的電壓產(chǎn)生一第二電流;
一電流對(duì)電壓轉(zhuǎn)換器,根據(jù)一與所述第二電流相關(guān)的第三電流產(chǎn)生一調(diào)節(jié)信號(hào)調(diào)節(jié)所述輸出負(fù)載電流。
前述的多功能的DrM0S,其中更包括一電流鏡鏡射所述第二電流產(chǎn)生所述第三電流。
前述的多功能的DrM0S,其中所述調(diào)節(jié)信號(hào)用以調(diào)節(jié)所述控制信號(hào)的工作周期。
前述的多功能的DrM0S,其中所述調(diào)節(jié)信號(hào)用以調(diào)節(jié)所述上橋及下橋組件的導(dǎo)通阻值。
前述的多功能的DrM0S,其中所述調(diào)節(jié)信號(hào)改變所述驅(qū)動(dòng)電路的電源軌以調(diào)節(jié)所述上橋及下橋組件的導(dǎo)通阻值。前述的多功能的DrMOS,其中所述平衡裝置包括一電流平衡電路用 以感測(cè)及調(diào)節(jié)所述輸出負(fù)載電流。
前述的多功能的DrMOS,其中所述電流平衡電路包括 一平衡端;
一平衡調(diào)節(jié)放大器,根據(jù)一與所述輸出負(fù)載電流相關(guān)的第一信號(hào)以及 所述平衡端上的第二信號(hào)產(chǎn)生一調(diào)節(jié)信號(hào)調(diào)節(jié)所述控制信號(hào)的工作周期。
前述的多功能的DrMOS,其中所述第一信號(hào)藉由檢測(cè)所述相節(jié)點(diǎn)上 的電壓而得的。
前述的多功能的DrMOS,其中所述第一信號(hào)藉由檢測(cè)通過(guò)所述上橋 或下橋組件的電流而得的。
一種多功能的DrMOS,其特征在于包括 一上橋組件,連接在一第一電壓及一相節(jié)點(diǎn)之間; 一下橋組件,連接在所述相節(jié)點(diǎn)及一第二電壓之間;
一驅(qū)動(dòng)電路,根據(jù)一第一控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述上橋及下橋組件以產(chǎn)生一
輸出負(fù)載電流;
一可變相位控制電路,改變一第二控制信號(hào)的相位產(chǎn)生所述第一控制 信號(hào)。
前述的多功能的DrM0S,其中所述可變相位控制電路包括 一相位分割電路,將所述第二控制信號(hào)分割為多個(gè)相位并選取其中之 一輸出;
一可變延遲電路,根據(jù)所述相位分割電路的輸出產(chǎn)生所述第一控制信前述的多功能的DrMOS,其中所述相位分割電路包括
' 一鎖定回路,根據(jù)一第一信息將所述第二控制信號(hào)均勻分割為所述多
個(gè)相位;
一多任務(wù)器,根據(jù)一第二信息由所述多個(gè)相位中選取其中之一輸出。
前述的多功能的DrM0S,其中所述鎖定回路包括一相位鎖定回路。
前述的多功能的DrM0S,其中所述鎖定回路包括一延遲鎖定回路。
前述的多功能的DrMOS,其中所述可變延遲電路包括
一電容;
一第一電流源;
一邊緣檢測(cè)器,在所述相位分割電路的輸出由一第一準(zhǔn)位轉(zhuǎn)為一第二 準(zhǔn)位時(shí),驅(qū)動(dòng)所述第一電流源以產(chǎn)生電流對(duì)所述電容充電; 一第二電流源,用以控制所述電容放電速度;
一邏輯電路,根據(jù)其輸入端的臨界電壓大小及所述電容上的電壓產(chǎn)生 所述第一控制信號(hào)。
前述的多功能的DrM0S,其中所述第二電流源所提供的電流隨所述 第一及第二控制信號(hào)改變。
前述的多功能的DrM0S,其中更包括一平衡裝置調(diào)節(jié)所述輸出負(fù)載 電流。
前述的多功能的DrM0S,其中所述平衡裝置包括一溫度平衡電路用 以感測(cè)所述DrMOS的溫度以調(diào)節(jié)所述輸出負(fù)載電流。
前述的多功能的DrMOS,其中所述溫度平衡電路包括 一平衡端;一特性隨所述DrMOS溫度變化的組件;
一電流源,提供一固定的第一電流給所述特性隨所述DrMOS溫度變 化的組件以產(chǎn)生隨所述DrMOS溫度變化的第三電壓至所述平衡端; 一電阻,因應(yīng)所述平衡端上的電壓產(chǎn)生一第二電流; 一電流對(duì)電壓轉(zhuǎn)換器,根據(jù)一與所述第二電流相關(guān)的第三電流產(chǎn)生一 調(diào)節(jié)信號(hào)調(diào)節(jié)所述輸出負(fù)載電流。
其中更包括一電流鏡鏡射所述第二電流產(chǎn)
其中所述調(diào)節(jié)信號(hào)用以調(diào)節(jié)所述第一控制
其中所述調(diào)節(jié)信號(hào)用以調(diào)節(jié)所述上橋及下
其中所述調(diào)節(jié)信號(hào)改變所述驅(qū)動(dòng)電路的電 源軌以調(diào)節(jié)所述上橋及下橋組件的導(dǎo)通阻值。
前述的多功能的DrM0S,其中所述平衡裝置包括一電流平衡電路用 以感測(cè)及調(diào)節(jié)所述輸出負(fù)載電流。
前述的多功能的DrMOS,其中所述電流平衡電路包括 一平衡端;
一平衡調(diào)節(jié)放大器,根據(jù)一與所述輸出負(fù)載電流相關(guān)的第一信號(hào)以及 所述平衡端上的第二信號(hào)產(chǎn)生一調(diào)節(jié)信號(hào)調(diào)節(jié)所述第一控制信號(hào)的工作 周期。
前述的多功能的DrM0S,其中所述第一信號(hào)藉由檢測(cè)所述相節(jié)點(diǎn)上
11
前述的多功能的DrMOS, 生所述第三電流。
前述的多功能的DrM0S, 信號(hào)的工作周期。
前述的多功能的DrM0S, 橋組件的導(dǎo)通阻值。
前述的多功能的DrMOS,的電壓而得的。
前述的多功能的DrMOS,其中所述第一信號(hào)藉由檢測(cè)通過(guò)所述上橋 或下橋組件的電流而得的。
采用上述技術(shù)方案后,本發(fā)明的多功能的DrMOS具有電流平衡機(jī)制、 溫度平衡機(jī)制及可變相位機(jī)制的優(yōu)點(diǎn)。


圖l為本發(fā)明的第一實(shí)施例示意圖2為本發(fā)明的多相電源轉(zhuǎn)換器;
圖3為圖1中相位分割電路的實(shí)施例示意圖4為圖3中信號(hào)的波形圖5為圖1中可變延遲電路的實(shí)施例示意圖6為圖5中信號(hào)的波形圖7為圖1中溫度平衡電路的實(shí)施例示意圖8為圖1中電流平衡電路的實(shí)施例示意圖9為本發(fā)明的第二實(shí)施例示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下結(jié)合實(shí)施例及其附圖對(duì)本發(fā)明作更進(jìn)一步說(shuō)明。 現(xiàn)請(qǐng)參閱圖1和圖2,圖4,圖1顯示本發(fā)明DrMOS的第一實(shí)施例示 意圖。圖2顯示應(yīng)用本發(fā)明DrMOS的多相電源轉(zhuǎn)換器200。如圖所示, 所述DrMOS 100中,由主動(dòng)或被動(dòng)組件或者信號(hào)總線控制的外部設(shè)定處 理電路108根據(jù)外部的設(shè)定產(chǎn)生信息n及K,此信息代表多相電源轉(zhuǎn)換器200共有n個(gè)DrMOS,而此DrMOS為第K個(gè),可變相位控制電路102根 據(jù)信息n及K改變來(lái)自PWM控制器202的控制信號(hào)PWM的相位產(chǎn)生控 制信號(hào)Vo2,可變相位控制電路102包括相位分割電路104及可變延遲電 路106,相位分割電路104根據(jù)信息n及K將控制信號(hào)PWM分割為n個(gè) 不同的相位,并從中選取一個(gè)輸出,相位分割電路102包括相位鎖定回路 (Phase Locked Loop; PLL)或延遲鎖定回路(Delay Locked Loop; DLL),可變 延遲電路106根據(jù)相位分割電路104的輸出TMd以及來(lái)自平衡裝置110的 信號(hào)VCU及VTH產(chǎn)生控制信號(hào)Vo2,控制信號(hào)Vo2經(jīng)失效時(shí)間電路122 處理后產(chǎn)生控制信號(hào)Vo21及Vo22給驅(qū)動(dòng)電路124中的驅(qū)動(dòng)器126及128, 驅(qū)動(dòng)器126及128根據(jù)控制信號(hào)Vo21及Vo22驅(qū)動(dòng)上橋晶體管130及下橋 晶體管132以產(chǎn)生輸出電壓Vout及輸出負(fù)載電流IL,失效時(shí)間電路122 是為了避免晶體管130及132同時(shí)打開(kāi)(turn on),平衡裝置110包括電流 平衡電路112及溫度平衡電路118,電流平衡電路112具有一感測(cè)端114 連接一與輸出負(fù)載電流IL相關(guān)的電流感測(cè)信號(hào)以及一電流平衡端116經(jīng)總 線I—share與其它DrMOS的電流平衡端116連接,如圖1及2所示,電流 平衡電路112根據(jù)感測(cè)端114上的感測(cè)信號(hào)及平衡端116上的信號(hào)產(chǎn)生電 流調(diào)節(jié)信號(hào)VCU至可變延遲電路106,以改變控制信號(hào)Vo2的工作周期, 進(jìn)而調(diào)節(jié)輸出負(fù)載電流IL,溫度平衡電路118具有一溫度平衡端120經(jīng)總 線T—share與其它DrMOS的溫度平衡端120連接,如圖1及2所示,溫度 平衡電路118根據(jù)所述溫度平衡端120及其所檢測(cè)到的溫度產(chǎn)生溫度調(diào)節(jié) 信號(hào)VTH至可變延遲電路106,以改變控制信號(hào)Vo2的工作周期,進(jìn)而調(diào) 節(jié)輸出負(fù)載電流IL。
13圖3顯示相位分割電路104的實(shí)施例示意圖。圖4顯示圖3中信號(hào)的 波形圖,其中波形306為控制信號(hào)PWM,波形308為信號(hào)Ck_l,波形310 為信號(hào)Ck—2,波形312為信號(hào)Ck—3,波形314為信號(hào)TMd。參照?qǐng)D3,在 相位分割電路104中,由控制電路300及電壓控制延遲線(Voltage Control Delay Line; VCDL)302組成的鎖定回路可以是PLL或DLL,其中控制電路 300包括相位頻率檢測(cè)器(Phase Frequency Detector; PFD)、電荷堆積器 (Charge Pump; CP)及低通濾波器(Low Pass Filter; LPF),其根據(jù)控制信號(hào) PWM產(chǎn)生信號(hào)Vcont, VCDL 302根據(jù)信號(hào)Vcont及信息n將控制信號(hào) PWM分割為n個(gè)不同相位的信號(hào)Ck—1……Ck—n-l及Ck_n,多任務(wù)器304 再根據(jù)信息K從所述n個(gè)信號(hào)選取其中之一輸出。參照?qǐng)D4,為了更清楚 說(shuō)明,假設(shè)i^3而K二2,故鎖定回路將控制信號(hào)PWM分割成三個(gè)不同相 位的信號(hào)Ck一l、 Ck—2及Ck—3,如波形308、 310及312所示,而多任務(wù) 器304將選取第二個(gè)信號(hào)Ck_2輸出,如波形314所示。
圖5顯示可變延遲電路106的實(shí)施例示意圖。圖6顯示圖5中信號(hào)的 波形圖,其中波形416為控制信號(hào)PWM,波形418為信號(hào)TMd,波形420 為信號(hào)DETB,波形422為信號(hào)V1,波形424為信號(hào)V2,波形426為電 壓Vol,波形428為可變延遲電路106的輸出信號(hào)Vo2。在圖5的可變延 遲電路106中,低通濾波器400濾波控制信號(hào)PWM產(chǎn)生信號(hào)VI,如波形 422所示,低通濾波器402將可變延遲電路106輸出的信號(hào)Vo2濾波產(chǎn)生 信號(hào)V2,如波形424所示,誤差放大器404比較信號(hào)V1及V2產(chǎn)生信號(hào) VE1,加法器406結(jié)合信號(hào)VE1、來(lái)自電流平衡電路112的信號(hào)VCU以 及來(lái)自溫度平衡電路118的信號(hào)VTH產(chǎn)生信號(hào)VE2,壓控電流源408根據(jù)信號(hào)VE2產(chǎn)生電流II,由晶體管M2及M3組成的電流鏡鏡射電流II 產(chǎn)生電流12,上升邊緣檢測(cè)器410根據(jù)相位分割電路104的輸出TMd產(chǎn)生 控制信號(hào)DETB控制電流源411,當(dāng)信號(hào)TMd由低準(zhǔn)位轉(zhuǎn)為高準(zhǔn)位時(shí),如 時(shí)間tl所示,信號(hào)DETB將轉(zhuǎn)為低準(zhǔn)位以打開(kāi)PM0S晶體管M1,如波形 420所示,因此電流源411對(duì)電容C充電使電容C上的電壓Vol上升,當(dāng) 電壓Vol高于邏輯電路414輸入端的臨界電壓后,邏輯電路414將輸出高 準(zhǔn)位的信號(hào)Vo2,信號(hào)DETB在轉(zhuǎn)為低準(zhǔn)位一段時(shí)間后將再轉(zhuǎn)為高準(zhǔn)位, 如時(shí)間t2所示,故晶體管Ml關(guān)閉(turn off),電容C被電流12及由電流源 412提供的電流I3放電,因此電壓Vol開(kāi)始下降,當(dāng)電壓Vol低于所述臨 界值時(shí),控制信號(hào)Vo2轉(zhuǎn)為低準(zhǔn)位,如時(shí)間t3所示。由于電流I3為定值, 因此控制信號(hào)Vo2的工作周期將由電流I2決定,電流I2越小電容C的放 電速度越慢,控制信號(hào)Vo2的工作周期越長(zhǎng),反之,電流12越大電容C 的放電速度越快,控制信號(hào)Vo2的工作周期越短,又電流12系隨信號(hào)VE2 改變,故可以藉由改變信號(hào)VE2來(lái)決定控制信號(hào)Vo2的工作周期。
圖7顯示溫度平衡電路118的實(shí)施例示意圖,其中電流源500提供無(wú) 關(guān)溫度變化的電流14至具有溫度系數(shù)的組件502以產(chǎn)生電壓V4,由于具 有溫度系數(shù)的組件502的特性隨DrMOS 100的溫度變化,故電壓V4亦隨 DrMOS 100的溫度變化,運(yùn)算放大器504將電壓V4提供至平衡端120, 電阻Rl經(jīng)平衡端及總線T_share與其它DrMOS 100中的電阻Rl并聯(lián), 由于所有的電阻Rl并聯(lián),因此所有溫度平衡電路118提供至溫度平衡端 120的電壓V4將自動(dòng)被平均而得到平均電壓V5,電阻R1因應(yīng)平均電壓 V5產(chǎn)生電流I5,電流鏡506鏡射電流I5產(chǎn)生電流I6,電流對(duì)電壓轉(zhuǎn)換器508將電流16轉(zhuǎn)換電壓VTH以調(diào)節(jié)輸出電壓IL,進(jìn)而將DrMOS的溫度 調(diào)節(jié)到所有DrMOS溫度的平均值。
圖8顯示電流平衡電路112的實(shí)施例示意圖,其中感測(cè)端114連接一 與輸出負(fù)載電流IL相關(guān)的感測(cè)信號(hào)Vs,信號(hào)Vs經(jīng)增益級(jí)600放大后再經(jīng) 偏壓源602產(chǎn)生電壓VI,運(yùn)算放大器604連接成為一電壓追隨器,用以將 電壓VI提供至電流平衡端116。所有DrMOS 100的平衡端116經(jīng)由總線 I_share連接在一起,如圖2所示,因此平衡端116上的電壓VI—max為所 有DrMOS的電壓VI中的最大值。二極管606連接在運(yùn)算放大器604的輸 出及平衡端116之間,用以防止電流逆流至運(yùn)算放大器604的輸出。比較 器608比較電壓VI及VI—max產(chǎn)生調(diào)節(jié)信號(hào)VCU。由于電壓VI與輸出負(fù) 載電流IL有關(guān),而電壓VI_max與所有DrMOS的輸出負(fù)載電流IL中的最 大值IL—max有關(guān),因此,比較電壓VI及VLmax可以視為比較輸出負(fù)載 電流IL及IL—max,故比較器608的輸出將使輸出負(fù)載電流IL調(diào)節(jié)為 IL—max,進(jìn)而使所有DrMOS的輸出負(fù)載電流IL達(dá)到平衡。
圖9顯示本發(fā)明DrMOS的第二實(shí)施例示意圖,DrMOS 700同樣包括 相位分割電路104、可變延遲電路106、外部設(shè)定處理電路108、電流平衡 電路112、溫度平衡電路118、失效時(shí)間電路122、驅(qū)動(dòng)電路124、上橋晶 體管130及下橋晶體管132,其中溫度平衡電路118所輸出的調(diào)節(jié)信號(hào)VTH 并沒(méi)有提供至可變延遲電路106,而是提供至調(diào)節(jié)器702,調(diào)節(jié)器702根 據(jù)調(diào)節(jié)信號(hào)VTH改變驅(qū)動(dòng)電路124中的電源軌VDD。當(dāng)晶體管130及132 操作在線性區(qū)域時(shí),其導(dǎo)通阻值<formula>formula see original document page 17</formula>
其中,Vgs為晶體管閘極及源極之間的電壓,Vth為晶體管的臨界電 壓。如公式1所示,當(dāng)電壓Vgs上升時(shí),導(dǎo)通阻值Ron將下降,當(dāng)電壓 Vgs下降時(shí),導(dǎo)通阻值將上升,又電源軌VDD將決定驅(qū)動(dòng)器126及128 所輸出信號(hào)的最大準(zhǔn)位,故當(dāng)電源軌VDD越高時(shí),電壓Vgs將越高,反 之則越小,而隨著導(dǎo)通阻值Ron的變化,輸出負(fù)載電流IL也將產(chǎn)生相對(duì) 應(yīng)的改變,因此,調(diào)節(jié)器702根據(jù)調(diào)節(jié)信號(hào)VTH改變驅(qū)動(dòng)電路124中的 電源軌VDD,可以調(diào)節(jié)輸出負(fù)載電流IL,進(jìn)而調(diào)節(jié)DrMOS700的溫度。 以上實(shí)施例僅供說(shuō)明本發(fā)明之用,而非對(duì)本發(fā)明的限制,有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的 技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下,還可以作出各種變換 或變化。因此,所有等同的技術(shù)方案也應(yīng)該屬于本發(fā)明的范疇,應(yīng)由各權(quán) 利要求限定。
組件符號(hào)說(shuō)明
100 DrMOS
102 可變相位控制電路
104 相位分割電路
106 可變延遲電路
108 外部設(shè)定處理電路
110 平衡裝置
112 電流平衡電路
114 感測(cè)端
17116電流平衡端
118溫度平衡電路
120溫度平衡端
122失效時(shí)間電路
124驅(qū)動(dòng)電路
126驅(qū)動(dòng)器
128驅(qū)動(dòng)器
130晶體管
132晶體管
200多相電源轉(zhuǎn)換器
202PWM控制器
300控制電路
302電壓控制延遲線
304多任務(wù)器
306控制信號(hào)PWM的波形
308信號(hào)Ck_l的波形
310信號(hào)Ck一2的波形
312信號(hào)Ck—3的波形
314信號(hào)TMd的波形
400低通濾波器
402低通濾波器
404誤差放大器406 加法器
408 壓控電流源
410 上升邊緣檢測(cè)器
412 電流源
414 邏輯電路
416 控制信號(hào)PWM的波形
418 信號(hào)lMd的波形
420 信號(hào)DETB的波形
422 信號(hào)VI的波形
424 信號(hào)V2的波形
426 電壓Vol的波形
428 信號(hào)Vo2的波形
500 電流源
502 具有溫度系數(shù)的組件
504 運(yùn)算放大器
506 電流鏡
508 電流對(duì)電壓轉(zhuǎn)換器
600 增益級(jí)
602 偏壓源
604 運(yùn)算放大器
606 二極管
608 比較器700 DrMOS
702 調(diào)節(jié)器
權(quán)利要求
1.一種多功能的DrMOS,其特征在于包括一上橋組件,連接在一第一電壓及一相節(jié)點(diǎn)之間;一下橋組件,連接在所述相節(jié)點(diǎn)及一第二電壓之間;一驅(qū)動(dòng)電路,根據(jù)一控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述上橋及下橋組件以產(chǎn)生一輸出負(fù)載電流;一平衡裝置,調(diào)節(jié)所述輸出負(fù)載電流。
2. 如權(quán)利要求1所述的多功能的DrMOS,其特征在于,所述平衡裝 置包括一溫度平衡電路用以感測(cè)所述DrMOS的溫度以調(diào)節(jié)所述輸出負(fù)載 電流。
3. 如權(quán)利要求2所述的多功能的DrM0S,其特征在于,所述溫度平 衡電路包括一平衡端;一特性隨所述DrMOS溫度變化的組件;一電流源,提供一固定的第一電流給所述特性隨所述DrMOS溫度變 化的組件以產(chǎn)生隨所述DrMOS溫度變化的第三電壓至所述平衡端; 一電阻,因應(yīng)所述平衡端上的電壓產(chǎn)生一第二電流; 一電流對(duì)電壓轉(zhuǎn)換器,根據(jù)一與所述第二電流相關(guān)的第三電流產(chǎn)生一 調(diào)節(jié)信號(hào)調(diào)節(jié)所述輸出負(fù)載電流。
4. 如權(quán)利要求3所述的多功能的DrM0S,其特征在于,更包括一電 流鏡鏡射所述第二電流產(chǎn)生所述第三電流。
5. 如權(quán)利要求3所述的多功能的DrM0S,其特征在于,所述調(diào)節(jié)信號(hào)用以調(diào)節(jié)所述控制信號(hào)的工作周期。
6. 如權(quán)利要求3所述的多功能的DrMOS,其特征在于,所述調(diào)節(jié)信 號(hào)用以調(diào)節(jié)所述上橋及下橋組件的導(dǎo)通阻值。
7. 如權(quán)利要求6所述的多功能的DrMOS,其特征在于,所述調(diào)節(jié)信 號(hào)改變所述驅(qū)動(dòng)電路的電源軌以調(diào)節(jié)所述上橋及下橋組件的導(dǎo)通阻值。
8. 如權(quán)利要求1所述的多功能的DrMOS,其特征在于,所述平衡裝 置包括一電流平衡電路用以感測(cè)及調(diào)節(jié)所述輸出負(fù)載電流。
9. 如權(quán)利要求8所述的多功能的DrMOS,其特征在于,所述電流平 衡電路包括一平衡端;一平衡調(diào)節(jié)放大器,根據(jù)一與所述輸出負(fù)載電流相關(guān)的第一信號(hào)以及 所述平衡端上的第二信號(hào)產(chǎn)生一調(diào)節(jié)信號(hào)調(diào)節(jié)所述控制信號(hào)的工作周期。
10. 如權(quán)利要求9所述的多功能的DrMOSS,其特征在于,所述第 一信號(hào)藉由檢測(cè)所述相節(jié)點(diǎn)上的電壓而得的。
11. 如權(quán)利要求9所述的多功能的DrMOS,其特征在于,所述第一信 號(hào)藉由檢測(cè)通過(guò)所述上橋或下橋組件的電流而得的。
12. —種多功能的DrMOS,其特征在于包括 一上橋組件,連接在一第一電壓及一相節(jié)點(diǎn)之間; 一下橋組件,連接在所述相節(jié)點(diǎn)及一第二電壓之間; 一驅(qū)動(dòng)電路,根據(jù)一第一控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述上橋及下橋組件以產(chǎn)生一輸出負(fù)載電流;一可變相位控制電路,改變一第二控制信號(hào)的相位產(chǎn)生所述第一控制信號(hào)。
13. 如權(quán)利要求12所述的多功能的DrMOS,其特征在于,所述可變相位控制電路包括一相位分割電路,將所述第二控制信號(hào)分割為多個(gè)相位并選取其中之 一輸出;一可變延遲電路,根據(jù)所述相位分割電路的輸出產(chǎn)生所述第一控制信號(hào)
14. 如權(quán)利要求13所述的多功能的DrMOSS,其特征在于,所述相位 分割電路包括一鎖定回路,根據(jù)一第一信息將所述第二控制信號(hào)均勻分割為所述多 個(gè)相位;一多任務(wù)器,根據(jù)一第二信息由所述多個(gè)相位中選取其中之一輸出。
15. 如權(quán)利要求14所述的多功能的DrMOS,其特征在于,所述鎖定回 路包括一相位鎖定回路。
16. 如權(quán)利要求14所述的多功能的DrMOS,其特征在于,所述鎖定回 路包括一延遲鎖定回路。
17. 如權(quán)利要求13所述的多功能的DrMOS,其特征在于,所述可變延 遲電路包括一電容; 一第一電流源;一邊緣檢測(cè)器,在所述相位分割電路的輸出由一第一準(zhǔn)位轉(zhuǎn)為一第二 準(zhǔn)位時(shí),驅(qū)動(dòng)所述第一電流源以產(chǎn)生電流對(duì)所述電容充電;一第二電流源,用以控制所述電容放電速度;一邏輯電路,根據(jù)其輸入端的臨界電壓大小及所述電容上的電壓產(chǎn)生 所述第一控制信號(hào)。
18. 如權(quán)利要求17所述的多功能的DrMOS,其特征在于,所述第二電 流源所提供的電流隨所述第一及第二控制信號(hào)改變。
19. 如權(quán)利要求12所述的多功能的DrMOS,其特征在于,更包括一平 衡裝置調(diào)節(jié)所述輸出負(fù)載電流。
20. 如權(quán)利要求19所述的多功能的DrM0S,其特征在于,所述平衡裝 置包括一溫度平衡電路用以感測(cè)所述DrMOS的溫度以調(diào)節(jié)所述輸出負(fù)載 電流。
21. 如權(quán)利要求20所述的多功能的DrMOS,其特征在于,所述溫度平 衡電路包括一平衡端;一特性隨所述多功能的DrMOS溫度變化的組件;一電流源,提供一固定的第一電流給所述特性隨所述DrMOS溫度變 化的組件以產(chǎn)生隨所述DrMOS溫度變化的第三電壓至所述平衡端;一電阻,因應(yīng)所述平衡端上的電壓產(chǎn)生一第二電流;一電流對(duì)電壓轉(zhuǎn)換器,根據(jù)一與所述第二電流相關(guān)的第三電流產(chǎn)生一 調(diào)節(jié)信號(hào)調(diào)節(jié)所述輸出負(fù)載電流。
22. 如權(quán)利要求21所述的多功能的DrMOS,其特征在于,更包括一電 流鏡鏡射所述第二電流產(chǎn)生所述第三電流。
23. 如權(quán)利要求21所述的多功能的DrMOS,其特征在于,所述調(diào)節(jié)信號(hào)用以調(diào)節(jié)所述第一控制信號(hào)的工作周期。
24. 如權(quán)利要求21所述的多功能的DrMOS,其特征在于,所述調(diào)節(jié)信 號(hào)用以調(diào)節(jié)所述上橋及下橋組件的導(dǎo)通阻值。
25. 如權(quán)利要求24所述的多功能的DrMOS,其特征在于,所述調(diào)節(jié)信 號(hào)改變所述驅(qū)動(dòng)電路的電源軌以調(diào)節(jié)所述上橋及下橋組件的導(dǎo)通阻值。
26. 如權(quán)利要求19所述的多功能的DrMOS,其特征在于,所述平衡裝 置包括一電流平衡電路用以感測(cè)及調(diào)節(jié)所述輸出負(fù)載電流。
27. 如權(quán)利要求26所述的多功能的DrMOS,其特征在于,所述電流平 衡電路包括一平衡端;一平衡調(diào)節(jié)放大器,根據(jù)一與所述輸出負(fù)載電流相關(guān)的第一信號(hào)以及 所述平衡端上的第二信號(hào)產(chǎn)生一調(diào)節(jié)信號(hào)調(diào)節(jié)所述第一控制信號(hào)的工作 周期。
28. 如權(quán)利要求27所述的多功能的DrMOS,其特征在于,所述第一信 號(hào)藉由檢測(cè)所述相節(jié)點(diǎn)上的電壓而得的。
29. 如權(quán)利要求27所述的多功能的DrMOS,其特征在于,所述第一信 號(hào)藉由檢測(cè)通過(guò)所述上橋或下橋組件的電流而得的。
全文摘要
一種多功能的DrMOS,其特征在于包括一上橋組件,連接在一第一電壓及一相節(jié)點(diǎn)之間;一下橋組件,連接在所述相節(jié)點(diǎn)及一第二電壓之間;一驅(qū)動(dòng)電路,根據(jù)一控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述上橋及下橋組件以產(chǎn)生一輸出負(fù)載電流;一平衡裝置,調(diào)節(jié)所述輸出負(fù)載電流。本發(fā)明的多功能的DrMOS具有電流平衡機(jī)制、溫度平衡機(jī)制及可變相位機(jī)制的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H02M3/10GK101651413SQ20081013107
公開(kāi)日2010年2月17日 申請(qǐng)日期2008年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月15日
發(fā)明者呂紹鴻, 梁乃元, 陳曜洲 申請(qǐng)人:立锜科技股份有限公司
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