專利名稱:用于串勵(lì)電動(dòng)車的串勵(lì)電機(jī)換向的控制器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型的技術(shù)方案涉及實(shí)現(xiàn)串勵(lì)電機(jī)換向的控制器,具體地說是用于串勵(lì)電動(dòng)車的串勵(lì)電機(jī)換向的控制器。
背景技術(shù):
串勵(lì)電動(dòng)汽車因其過載能力強(qiáng),低速力矩大,只要控制器容量大和質(zhì)量可靠,可以過載5倍以上,并且串勵(lì)電機(jī)扭矩大,串勵(lì)電機(jī)可自適應(yīng)輸出扭矩,在低扭矩時(shí)會(huì)以高轉(zhuǎn)速低扭矩形式工作,在高扭矩時(shí)會(huì)以低轉(zhuǎn)速高扭矩形式工作,加之串勵(lì)電動(dòng)汽車無污染和節(jié)能,串勵(lì)電動(dòng)汽車成為越來越受到人們喜歡的交通工具,生產(chǎn)廠家在不斷增加,其市場規(guī)模不斷擴(kuò)大,在城市幾乎得到了普及。串勵(lì)電動(dòng)車在使用過程中,需要頻繁換向。目前,串勵(lì)電動(dòng)汽車是通過接觸器來實(shí)現(xiàn)其串勵(lì)電機(jī)正反轉(zhuǎn)工作的換向,然而接觸器的換向速度慢,并且噪聲較大,加之由于接觸器線圈長時(shí)間通電,會(huì)導(dǎo)致能耗過大。這些由接觸器引發(fā)的一系列問題成為了串勵(lì)電動(dòng)車進(jìn)一步發(fā)展的瓶頸。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是:提供用于串勵(lì)電動(dòng)車的串勵(lì)電機(jī)換向的控制器,是一種用控制MOS管的導(dǎo)通順序來代替接觸器實(shí)現(xiàn)串勵(lì)電機(jī)換向的控制器,克服了現(xiàn)有技術(shù)中接觸器的換向速度慢、噪聲較大和接觸器線圈長時(shí)間通電會(huì)導(dǎo)致能耗過大的缺點(diǎn)。本實(shí)用新型解決該技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:用于串勵(lì)電動(dòng)車的串勵(lì)電機(jī)換向的控制器,是一種用控制MOS管的導(dǎo)通順序來代替接觸器實(shí)現(xiàn)串勵(lì)電機(jī)換向的控制器,包括功率電路和驅(qū)動(dòng)電路兩部分構(gòu)成,所述功率電路的構(gòu)成包括五個(gè)MOS管即M0SFET1、M0SFET2、M0SFET3、M0SFET4和M0SFET5、勵(lì)磁線圈L2、電樞線圈LI和48V直流電源U ;MOSFETI 和 M0SFET2 串聯(lián),M0SFET3 和 M0SFET4 串聯(lián),MOSFETI 和 M0SFET3 并聯(lián),M0SFET2 和M0SFET4并聯(lián),它們通過勵(lì)磁線圈L2組成H橋式電路,M0SFET5和電樞線圈LI并聯(lián),然后和H橋式電路串聯(lián),M0SFET3、M0SFET4和M0SFET5三個(gè)MOS管處于串聯(lián)狀態(tài),48V直流電源U接在M0SFET4的S極和M0SFET5的D極之間;所述驅(qū)動(dòng)電路的構(gòu)成包括兩個(gè)型號為IR2110S的功放芯片U12和U13、兩個(gè)型號為TC4424的功率放大芯片U17和U18、兩個(gè)型號為UF4007的二極管D6和D7、四個(gè)阻值都是IK的電阻、八個(gè)貼片電容和四個(gè)電解電容,所述四個(gè)電阻分別是R108、R109、RllO和R111,所述八個(gè)貼片電容中的C45、C46、C47和C48的電容量為100pF,所述八個(gè)貼片電容中的C59和C60的電容量為22pF,所述八個(gè)貼片電容中的C32和C33的電容量為luF,所述四個(gè)電解電容中的C73和C74的電容量為100uF/50V,所述四個(gè)電解電容中的C75和C76的電容量為470uF/35V ;該驅(qū)動(dòng)電路分為以下兩部分,第一部分:R108和C45并聯(lián)后輸入U(xiǎn)12的12引腳,R109和C46并聯(lián)后輸入U(xiǎn)12的14引腳,U12的13引腳為門控信號,由單片 機(jī)輸出的SD2110控制,C59和C73并聯(lián)與二極管D6組成自舉電路,C59與C73并聯(lián)后,C73的+端與U12的7引腳相連,C73的-端與U12的6引腳相連,D6的+端與U12的3引腳相連、D6的-端與U12的7引腳相連,C60和C74并聯(lián)后,C74的+端與 U12 的 3 引腳相連,C74 的-端與 U12 的 2 引腳相連,R108、C45、R109、C46、C59、C73、D6、C60、C74和U12組成IR2110S功放芯片的典型連接電路,U12的I引腳輸出信號G5,U12的8引腳輸出信號G3 ;第二部分=RllO和C48并聯(lián)后輸入U(xiǎn)13的12引腳,Rlll和C47并聯(lián)后輸入U(xiǎn)13的14引腳,U13的13腳為門控信號,由單片機(jī)輸出的SD2110控制,C32和C75并聯(lián)與二極管D7組成自舉電路,C32與C75并聯(lián)然后,C75的+端與U13的7引腳相連,C75的-端與U13的6引腳相連,D7的+端與U13的3引腳相連、D7的-端與U13的7引腳相連,C33和C76并聯(lián)后,C76的+端與U13的3引腳相連,C76的-端與U13的2引腳相連,Rl 10、C48、RllU C47、C32、C75、D7、C33、C76 和 U13 組成 IR2110S 功放芯片的典型連接電路,U13的I引腳連接U18的2和4引腳,U13的8引腳連接U17的2引腳和4引腳,U17的5引腳和7引腳相連接,輸出信號G2,U18的5引腳和7引腳相連接,輸出信號G1。上述用于串勵(lì)電動(dòng)車的串勵(lì)電機(jī)換向的控制器,其中所涉及的元器件均通過商購獲得,電路的連接方法是本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所能掌握的。本實(shí)用新型的有益效果是:與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)是:(I)將現(xiàn)有技術(shù)的用接觸器控制換向的系統(tǒng)改變成為本實(shí)用新型的用MOS控制的系統(tǒng)。現(xiàn)有技術(shù)的接觸器相當(dāng)于開關(guān)信號,只能用于控制電流的方向,而本實(shí)用新型的MOS管為觸發(fā)信號,不同的導(dǎo)通順序就會(huì)改變電流的方向。具體地說,本實(shí)用新型的控制器的功率電路是本實(shí)用新型的核心電路,它的特點(diǎn)在于由M0SFET1-4的合理控制來代替現(xiàn)有技術(shù)的接觸器實(shí)現(xiàn)電機(jī)的正反轉(zhuǎn),即電機(jī)的換向,其中M0SFET1-4組成H橋式電路,中間L2為勵(lì)磁線圈,不同的觸發(fā)信號可以實(shí)現(xiàn)正反轉(zhuǎn);電樞線圈和M0SFET5并聯(lián),用于實(shí)現(xiàn)續(xù)流和再生回饋。(2)本實(shí)用新型通過程序控制PWM波的輸出順序,根據(jù)正反轉(zhuǎn)的要求進(jìn)行編程。如果電機(jī)正轉(zhuǎn),則G4為O N狀態(tài),Gl加PWM波形驅(qū)動(dòng),其余MOSFET關(guān)閉。電流較大時(shí)G2、G5加與Gl互補(bǔ)帶死區(qū)的PWM信號,用于低損續(xù)流。如果要求電機(jī)反轉(zhuǎn),則G2為ON狀態(tài),G3輸出PWM波形,其余MOSFET關(guān)閉。電流較大時(shí)G4與G5加與Gl互補(bǔ)帶死區(qū)的PWM信號,用于低損續(xù)流。(3)本實(shí)用新型控制器的驅(qū)動(dòng)電路是信號的產(chǎn)生電路,它給功率電路提供觸發(fā)信號,其中,Gl和G2為互鎖的信號,能有效的避免直通;G3和G5是普通PWM波信號,G3用于勵(lì)磁回路,G5用于電樞回路,IR21IOS用于功率放大,能增強(qiáng)PWM波的驅(qū)動(dòng)能力,TC4424也是功放芯片,用于互鎖信號的放大與輸出,由此構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路便可以完成對勵(lì)磁回路和電樞回路MOS管的觸發(fā)。(4)本實(shí)用新型控制器具有再生回饋功能,這是由M0SFET1-4組成的H橋式電路來實(shí)現(xiàn)再生回饋的。(5)本實(shí)用新型控制器具有弱磁控制功能,這是由M0SFET5和LI組成的并聯(lián)電路來實(shí)現(xiàn)弱磁控制的。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的顯著的進(jìn)步是:(I)本實(shí)用新型通過控制MOS管的導(dǎo)通順序來代替現(xiàn)有技術(shù)的接觸器行使串勵(lì)電機(jī)的換向職能,具有換向速度快、無噪聲和振動(dòng)危害、啟動(dòng)性能好、節(jié)能和經(jīng)濟(jì)的優(yōu)點(diǎn),并且結(jié)構(gòu)相對簡單,功能強(qiáng)大,尤其能降低成本。(2)當(dāng)電機(jī)的轉(zhuǎn)速提高時(shí),換向速度可以很快,并且沒有噪聲和振動(dòng);當(dāng)電動(dòng)車需要?jiǎng)x車時(shí),勵(lì)磁和電樞線圈都可以通過MOS管續(xù)流,由于MOS管內(nèi)阻較小,能耗也較小。(3)本實(shí)用新型通過控制MOS管的導(dǎo)通順序,可以實(shí)現(xiàn)再生回饋的功能,使得電動(dòng)車能產(chǎn)生持續(xù)的反電動(dòng)勢來為電平充電,剎車過程中也能實(shí)現(xiàn)能量的回收,達(dá)到高效節(jié)能的目的。尤其在長距離的行駛過程中,在下坡和剎車狀態(tài)下能持續(xù)的為電動(dòng)車充電,從而避免了電平的虧損,實(shí)現(xiàn)了再生回饋。(4)本實(shí)用新型通過減小勵(lì)磁,能使機(jī)車在正常行駛的狀況下轉(zhuǎn)速再度提高,特別是在長距離的行駛過程中,對電動(dòng)車的轉(zhuǎn)速要求比較高,此時(shí),可以通過調(diào)節(jié)觸發(fā)信號的順序來實(shí)現(xiàn)弱磁調(diào)速。(5)本實(shí)用新型簡單實(shí)用,易于普及和推廣。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
圖1為本實(shí)用新型用于串勵(lì)電動(dòng)車的串勵(lì)電機(jī)換向的控制器的功率電路圖。圖2為本實(shí)用新型用于串勵(lì)電動(dòng)車的串勵(lì)電機(jī)換向的控制器的驅(qū)動(dòng)電路圖。
具體實(shí)施方式圖1所示實(shí)施例表明,本實(shí)用新型用于串勵(lì)電動(dòng)車的串勵(lì)電機(jī)換向的控制器的功率電路的構(gòu)成是:包括五個(gè)MOS管即M0SFET1、M0SFET2、M0SFET3、M0SFET4和M0SFET5、勵(lì)磁線圈L2、電樞線圈LI和48V直流電源U,MOSFETI和M0SFET2串聯(lián),M0SFET3和M0SFET4串聯(lián),MOSFET1-M0SFET2和M0SFET3-M0SFET4并聯(lián),它們通過勵(lì)磁線圈L2組成H橋式電路,M0SFET5和電樞線圈LI并聯(lián),然后和H橋式電路串聯(lián),M0SFET3、M0SFET4和M0SFET5三個(gè)MOS管處于串聯(lián)狀態(tài),48V直流電源U接在M0SFET4的S極和M0SFET5的D極之間。該電路通過控制MOS管的導(dǎo)通來代替接觸器行使換向的職能,主要包括勵(lì)磁回路和電樞回路。其中的勵(lì)磁回路由MOSFET1-4控制,電樞回路由M0SFET5控制,不同的觸發(fā)脈沖會(huì)產(chǎn)生不同的效果。該電路有正常驅(qū)動(dòng)模式和再生制動(dòng)模式,分別實(shí)現(xiàn)電動(dòng)車的正常運(yùn)轉(zhuǎn)和能量的回饋,正常工作時(shí)可以通過調(diào)節(jié)PWM波的導(dǎo)通順序來達(dá)到弱磁調(diào)速的目的,實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)速的再次提高。圖1所示功率電路的工作原理是:該功率電路中有五個(gè)MOS管即M0SFET1、M0SFET2、M0SFET3、M0SFET4 和 M0SFET5,分別產(chǎn)生五個(gè)驅(qū)動(dòng)信號 Gl、G2、G3、G4 和 G5 控制。其中,G1、G2是帶死區(qū)的互補(bǔ)PWM波驅(qū)動(dòng),可以有效的避免直通,從而起到保護(hù)的作用,G3是普通的PWM波驅(qū)動(dòng),G4是開關(guān)信號,G5也是普通的PWM波驅(qū)動(dòng),并且和Gl互補(bǔ)帶死區(qū)。M+和M-之間接勵(lì)磁線圈L2,A+和A-之間接電樞線圈LI。當(dāng)電機(jī)正轉(zhuǎn)時(shí),通過單片機(jī)控制Gl和G2輸出互補(bǔ)帶死區(qū)的PWM波,用于驅(qū)動(dòng)上下橋臂的導(dǎo)通,G3呈OFF狀態(tài),G4是ON狀態(tài),G5的PWM波通過控制M0SFET5的導(dǎo)通來控制勵(lì)磁線圈L2的斷流與續(xù)流,正轉(zhuǎn)時(shí)首先當(dāng)Gl的PWM為高電平時(shí)G4為ON狀態(tài),電機(jī)正轉(zhuǎn),當(dāng)Gl的PWM為低電平時(shí)勵(lì)磁線圈L2通過G4和G2續(xù)流,而勵(lì)磁通過G5續(xù)流。當(dāng)電機(jī)反轉(zhuǎn)時(shí),通過單片機(jī)控制Gl輸出低電平,G2輸出正常的PWM波,用于驅(qū)動(dòng)下橋臂的導(dǎo)通,G3輸出PWM波,G4是OFF狀態(tài),G5的PWM波通過控制M0SFET5的導(dǎo)通來控制勵(lì)磁線圈L2的斷流與續(xù)流,反轉(zhuǎn)時(shí)首先當(dāng)G3的PWM為高電平時(shí)G2為ON狀態(tài),電機(jī)反轉(zhuǎn),當(dāng)G3的PWM為低電平時(shí)勵(lì)磁線圈L2通過G4和G2續(xù)流,而勵(lì)磁通過G5續(xù)流。如此,便完成了串勵(lì)電機(jī)的換向,通過控制MOS管的導(dǎo)通順序?qū)崿F(xiàn)了串勵(lì)電機(jī)的正反轉(zhuǎn)的切換。圖2所示實(shí)施例表明,本實(shí)用新型用于串勵(lì)電動(dòng)車的串勵(lì)電機(jī)換向的控制器的驅(qū)動(dòng)電路的構(gòu)成是:包括兩個(gè)型號為IR2110S的功放芯片U12和U13、兩個(gè)型號為TC4424的功率放大芯片U17和U18、兩個(gè)型號為UF4007的二極管D6和D7、四個(gè)阻值都是IK的電阻、八個(gè)貼片電容和四個(gè)電解電容,所述四個(gè)電阻分別是R108、R109、R110和R111,所述八個(gè)貼片電容中的C45、C46、C47和C48的電容量為IOOpF,所述八個(gè)貼片電容中的C59和C60的電容量為22pF,所述八個(gè)貼片電容中的C32和C33的電容量為luF,所述四個(gè)電解電容中的C73和C74的電容量為100uF/50V,所述四個(gè)電解電容中的C75和C76的電容量為470uF/35V ;該驅(qū)動(dòng)電路分為以下兩部分,第一部分:R108和C45并聯(lián)后輸入U(xiǎn)12的12引腳,R109和C46并聯(lián)后輸入U(xiǎn)12的14引腳,U12的13引腳為門控信號,由單片機(jī)輸出的SD2110控制,C59和C73并聯(lián)與二極管D6組成自舉電路,C59與C73并聯(lián)后,C73的+端與U12的7引腳相連,C73的-端與U12的6引腳相連,D6的+端與U12的3引腳相連、D6的-端與U12的7引腳相連,C60和C74并聯(lián)后,C74的+端與U12的3引腳相連,C74的-端與U12的2引腳相連,R108、C45、R109、C46、C59、C73、D6、C60、C74 和 U12 組成 IR2110S 功放芯片的典型連接電路,U12的I引腳輸出信號G5,U12的8引腳輸出信號G3 ;第二部分:R110和C48并聯(lián)后輸入U(xiǎn)13的12引腳,Rlll和C47并聯(lián)后輸入U(xiǎn)13的14引腳,U13的13腳為門控信號,由單片機(jī)輸出的SD2110控制,C32和C75并聯(lián)與二極管D7組成自舉電路,C32與C75并聯(lián)然后,C75的+端與U13的7引腳相連,C75的-端與U13的6引腳相連,D7的+端與U13的3引腳相連、D7的-端與U13的7引腳相連,C33和C76并聯(lián)后,C76的+端與U13的3引腳相連,C76 的-端與 U13 的 2 引腳相連,R110、C48、R111、C47、C32、C75、D7、C33、C76 和 U13組成IR2110S功放芯片的典型連接電路,U13的I引腳連接U18的2和4引腳,U13的8引腳連接U17的2引腳和4引腳,U17的5引腳和7引腳相連接,輸出信號G2,U18的5引腳和7引腳相連接,輸出信號G1。圖2中,PWMl和PWM2為單片機(jī)輸出的互鎖的方波信號,經(jīng)推挽驅(qū)動(dòng)IR2110S電路和TC4424電路后分別輸出互鎖驅(qū)動(dòng)信號Gl和G2,PWM3為單片機(jī)輸出的普通方波信號,經(jīng)推挽驅(qū)動(dòng)IR2110S電路輸出驅(qū)動(dòng)信號G3,PWM5為單片機(jī)輸出的普通方波信號,經(jīng)推挽驅(qū)動(dòng)IR2110S電路輸出驅(qū)動(dòng)信號G5。圖2所示本實(shí)用新型的控制器的驅(qū)動(dòng)電路用于實(shí)現(xiàn)對上下橋臂PWM信號和開關(guān)信號的控制,其上下橋臂的控制信號是互鎖形式,使得上下橋臂在任何情況下都不會(huì)直通。IR2110S用于功率放大,由于從單片機(jī)輸出的PWM波信號強(qiáng)度極弱,要想達(dá)到成功驅(qū)動(dòng)MOS管的功能,就必須進(jìn)行功率放大。TC4424也是功率放大芯片,內(nèi)部構(gòu)造為兩個(gè)N溝道的MOS管反向并聯(lián),這樣輸出的信號就會(huì)得到放大。互補(bǔ)帶死區(qū)的PWM波形要通過TC4424放大輸出,而非互補(bǔ)的PWM波直接通過IR2110S輸出即可。實(shí)施例1按圖1和圖2所示實(shí)施例構(gòu)成本實(shí)施例的用于串勵(lì)電動(dòng)車的串勵(lì)電機(jī)換向的控制器。本實(shí)施例 的用于串勵(lì)電動(dòng)車的串勵(lì)電機(jī)換向的控制器的再生回饋方法如下:正轉(zhuǎn)時(shí),G5與Gl加同相位但不一定相同占空比的PWM波,G3為ON狀態(tài)。由于M0SFET1和M0SFET3的開通,勵(lì)磁線圈可以維持一定勵(lì)磁,甚至更大的勵(lì)磁。而在G5開通期間,電樞電動(dòng)勢Em經(jīng)過M0SFET5轉(zhuǎn)化為電樞制動(dòng)電流。勵(lì)磁電流增大,電樞電動(dòng)勢也將增大,電機(jī)動(dòng)能更多轉(zhuǎn)化為制動(dòng)電流。當(dāng)G5關(guān)斷時(shí),儲存在電樞電感中的電流通過H橋和電樞電動(dòng)勢流向電池,從而將能量回饋到電源,實(shí)現(xiàn)再生回饋發(fā)電。反轉(zhuǎn)時(shí),G5與G3加同相位但不一定相同占空比的PWM波,Gl為ON狀態(tài)。由于M0SFET1和M0SFET3的開通,勵(lì)磁線圈可以維持一定勵(lì)磁,甚至更大的勵(lì)磁。而在G5開通期間,電樞電動(dòng)勢Em經(jīng)過M0SFET5轉(zhuǎn)化為電樞制動(dòng)電流。勵(lì)磁電流增大,電樞電動(dòng)勢也將增大,電機(jī)動(dòng)能更多轉(zhuǎn)化為制動(dòng)電流。當(dāng)G5關(guān)斷時(shí),儲存在電樞電感中的電流通過H橋和電樞電動(dòng)勢流向電池,從而將能量回饋到電源,實(shí)現(xiàn)再生回饋發(fā)電。本實(shí)施例的用于串勵(lì)電動(dòng)車的串勵(lì)電機(jī)換向的控制器的弱磁控制方案如下:以正轉(zhuǎn)為例,Gl為PWM信號,G4為ON狀態(tài),此時(shí),給G3加與Gl同相位且占空比不大于Gl的PWM波。由于通過勵(lì)磁回路的電流減小,勵(lì)磁減弱,從而達(dá)到弱磁的目的,根據(jù)下面的公式能知道轉(zhuǎn)速的提高,
權(quán)利要求1.用于串勵(lì)電動(dòng)車的串勵(lì)電機(jī)換向的控制器,其特征在于:是一種用控制MOS管的導(dǎo)通順序來代替接觸器實(shí)現(xiàn)串勵(lì)電機(jī)換向的控制器,包括功率電路和驅(qū)動(dòng)電路兩部分構(gòu)成,所述功率電路的構(gòu)成包括五個(gè)MOS管即M0SFET1、M0SFET2、M0SFET3、M0SFET4和M0SFET5、勵(lì)磁線圈L2、電樞線圈LI和48V直流電源U ; MOSFETI和M0SFET2串聯(lián),M0SFET3和M0SFET4串聯(lián),M0SFET1和M0SFET3并聯(lián),M0SFET2和M0SFET4并聯(lián),它們通過勵(lì)磁線圈L2組成H橋式電路,M0SFET5和電樞線圈LI并聯(lián),然后和H橋式電路串聯(lián),M0SFET3、M0SFET4和M0SFET5三個(gè)MOS管處于串聯(lián)狀態(tài),48V直流電源U接在M0SFET4的S極和M0SFET5的D極之間;所述驅(qū)動(dòng)電路的構(gòu)成包括兩個(gè)型號為IR2110S的功放芯片U12和U13、兩個(gè)型號為TC4424的功率放大芯片U17和U18、兩個(gè)型號為UF4007的二極管D6和D7、四個(gè)阻值都是IK的電阻、八個(gè)貼片電容和四個(gè)電解電容,所述四個(gè)電阻分別是R108、R109、R110和R111,所述八個(gè)貼片電容中的C45、C46、C47和C48的電容量為IOOpF,所述八個(gè)貼片電容中的C59和C60的電容量為22pF,所述八個(gè)貼片電容中的C32和C33的電容量為luF,所述四個(gè)電解電容中的C73和C74的電容量為100uF/50V,所述四個(gè)電解電容中的C75和C76的電容量為470uF/35V ;該驅(qū)動(dòng)電路分為以下兩部分,第一部分:電阻R108和電容C45并聯(lián)后輸入功放芯片U12的12引腳,電阻R109和電容C46并聯(lián)后輸入功放芯片U12的14引腳,功放芯片U12的13引腳為門控信號,由單片機(jī)輸出的SD2110控制,電容C59和C73并聯(lián)與二極管D6組成自舉電路,電容C59與C73并聯(lián)后,電容C73的+端與功放芯片U12的7引腳相連,電容C73的-端與功放芯片U12的6引腳相連,二極管D6的+端與功放芯片U12的3引腳相連、二極管D6的-端與功放芯片U12的7引腳相連,電容C60和電容C74并聯(lián)后,電容C74的+端與功放芯片U12的3引腳相連,電容C74的-端與功放芯片U12的2引腳相連,電阻R108、電容C45、電阻R109、電容C46、電容C59、電容C73、D6、電容C60、電容C74和功放芯片U12組成IR2110S功放芯片的典型連接電路,功放芯片U12的I引腳輸出信號G5,功放芯片U12的8引腳輸出信號G3 ;第二部分:電阻RllO和電容C48并聯(lián)后輸入功放芯片U13的12引腳,電阻Rlll和電容C47并聯(lián)后輸入功放芯片U13的14引腳,功放芯片U13的13腳為門控信號,由單片機(jī)輸出的SD2110控制,電容C32和C75并聯(lián)與二極管D7組成自舉電路,電容C32與C75并聯(lián)然后,電容C75的+端與功放芯片U13的7引腳相連,電容C75的-端與功放芯片U13的6引腳相連,二極管D7的+端與功放芯片U13的3引腳相連、二極管D7的-端與功放芯片U13的7引腳相連,電容C33和C76并聯(lián)后,電容C76的+端與功放芯片U13的3引腳相連,電容C76的-端·與功放芯片U13的2引腳相連,電阻R110、電容C48、電阻R111、電容C47、電容C32、電容C75、D7、電容C33、電容C76和功放芯片U13組成IR2110S功放芯片的典型連接電路,功放芯片U13的I引腳連接功率放大芯片U18的2和4引腳,功放芯片U13的8引腳連接功率放大芯片U17的2引腳和4引腳,功率放大芯片U17的5引腳和7引腳相連接,輸出信號G2,功率放大芯片U18的5引腳和7引腳相連接,輸出信號G1。
專利摘要本實(shí)用新型涉及用于串勵(lì)電動(dòng)車的串勵(lì)電機(jī)換向的控制器,涉及實(shí)現(xiàn)串勵(lì)電機(jī)換向的控制器,是用控制MOS管的導(dǎo)通順序代替接觸器實(shí)現(xiàn)串勵(lì)電機(jī)換向,包括功率電路和驅(qū)動(dòng)電路,其中,功率電路包括五個(gè)MOS管即MOSFET1、MOSFET2、MOSFET3、MOSFET4和MOSFET5、勵(lì)磁線圈L2、電樞線圈L1和48V直流電源U;驅(qū)動(dòng)電路包括兩個(gè)型號為IR2110S的功放芯片U12和U13、兩個(gè)型號為TC4424的功率放大芯片U17和U18、兩個(gè)型號為UF4007的二極管D6和D7、四個(gè)阻值都是1K的電阻、八個(gè)貼片電容和四個(gè)電解電容;本實(shí)用新型克服了接觸器換向速度慢、噪聲較大和長時(shí)間通過大電流會(huì)導(dǎo)致能耗過大的缺點(diǎn)。
文檔編號H02P7/00GK203151417SQ20132009677
公開日2013年8月21日 申請日期2013年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月4日
發(fā)明者李練兵, 李向杰, 夏曉敏, 楊鵬 申請人:河北工業(yè)大學(xué)