本申請涉及電路設計領域，尤其涉及一種能用于高電源電壓下的靜電釋放電路。

背景技術：

在微電子電路設計中，用于進行靜電保護的靜電釋放(esd)電路是集成電路必不可少的一部分。

由于外部電源給內部電路供電時，會提供不同的電源電壓，而內部芯片電路中esd設計部分是基于工藝廠提供的標準工藝設計，這就對不同的供電電壓下的電路設計和esd設計提供了挑戰，例如，標準工藝下的esd器件往往具有較低的直流擊穿電壓，而電源電壓可能高于esd器件的擊穿電壓，從而使esd器件被擊穿。

為了滿足esd的設計要求，有時會要求工藝廠增加工藝步驟來制作抵御更高直流電壓的esd器件，因此增加了額外的費用，而且多數的工藝廠不提供這種工藝支持。

應該注意，上面對技術背景的介紹只是為了方便對本申請的技術方案進行清楚、完整的說明，并方便本領域技術人員的理解而闡述的。不能僅僅因為這些方案在本申請的背景技術部分進行了闡述而認為上述技術方案為本領域技術人員所公知。

技術實現要素：

本申請提供一種能工作于高電源電壓下的靜電釋放(esd)電路，該靜電釋放電路可以為內部電路提供靜電保護功能，其可以工作在高電源電壓下、占用芯片面積小、并且可靠性高。

根據本申請實施例的一個方面，提供一種靜電釋放電路，其為電路芯片提供靜電保護，該靜電釋放電路包括：

至少兩個串聯的靜電釋放單元，其中，該至少兩個串聯的靜電釋放單元連接于所述電路芯片的電源輸入端與接地端之間，所述電路芯片的信號輸入端與所述接地端之間，和/或所述電路芯片的信號輸出端與所述接地端之間。

根據本申請實施例的另一個方面，每一個所述靜電釋放單元由電阻、二極管、金屬氧化物半導體場效應晶體管、晶閘管、電阻-電容鉗位單元(rc-clamp)和三極管中的一種或兩種以上的器件連接而成。

根據本申請實施例的另一個方面，各所述靜電釋放單元被設置為能夠被同時觸發以進行靜電釋放。

根據本申請實施例的另一個方面，提供一種電路單元，其包括前述實施例中任一項所述的靜電釋放電路，以及電路芯片，其中，該靜電釋放電路為所述電路芯片提供靜電保護。

本申請的有益效果在于：將具有較低直流工作電壓的靜電釋放單元等進行串聯，來構成具有較高直流工作電壓的靜電釋放電路，因此，該靜電釋放電路能工作于高電源電壓下，并且可靠性高。

參照后文的說明和附圖，詳細公開了本申請的特定實施方式，指明了本申請的原理可以被采用的方式。應該理解，本申請的實施方式在范圍上并不因而受到限制。在所附權利要求的精神和條款的范圍內，本申請的實施方式包括許多改變、修改和等同。

針對一種實施方式描述和/或示出的特征可以以相同或類似的方式在一個或更多個其它實施方式中使用，與其它實施方式中的特征相組合，或替代其它實施方式中的特征。

應該強調，術語“包括/包含”在本文使用時指特征、整件、步驟或組件的存在，但并不排除一個或更多個其它特征、整件、步驟或組件的存在或附加。

附圖說明

所包括的附圖用來提供對本申請實施例的進一步的理解，其構成了說明書的一部分，用于例示本申請的實施方式，并與文字描述一起來闡釋本申請的原理。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。在附圖中：

圖1是本申請實施例中靜電釋放電路的一個電路結構圖；

圖2是圖1的一個等效電路圖。

具體實施方式

參照附圖，通過下面的說明書，本申請的前述以及其它特征將變得明顯。在說明書和附圖中，具體公開了本申請的特定實施方式，其表明了其中可以采用本申請的原則的部分實施方式，應了解的是，本申請不限于所描述的實施方式，相反，本申請包括落入所附權利要求的范圍內的全部修改、變型以及等同物。

實施例1

本申請實施例1提供一種靜電釋放(esd)電路，其為電路芯片提供靜電保護。圖1是該靜電釋放電路的一個示意圖，如圖1所示，該靜電釋放電路包括至少兩個串聯的靜電釋放單元101、102。

雖然在圖1中僅示出了2個靜電釋放單元101、102，但是，在本實施例中，串聯的靜電釋放單元的數量可以是2個以上，例如3個、4個或更多。

在本實施例中，該至少兩個串聯的靜電釋放單元101、102可以連接于電路芯片端口a和端口b之間，端口a、b所處的位置可以是該電路芯片需要進行靜電保護的位置，例如，該端口a可以是該電路芯片的電源輸入端、信號輸入端和信號輸出端等端口中的至少一端，該端口b可以是該電路芯片的接地端等。

圖2是圖1的等效電路圖，如圖2所示，靜電釋放單元101、102對應的等效電阻分別為r1、r2，由靜電釋放所引起的靜電釋放電流iesd流過靜電釋放單元101、102，并且，在靜電釋放單元101、102上產生的電壓分別為u1、u2，在該靜電釋放電路上產生的電壓為utotal。

在本實施例中，utotal＝u1+u2，u1＝iesd*r1，u2＝iesd*r2。可見，在整個靜電釋放電路承受較大的電壓u的情況下，各靜電釋放單元101、102僅承受比u小的電壓u1、u2，也就是說，由具有較低直流工作電壓的靜電釋放單元，構成了具有較高直流工作電壓的靜電釋放電路。因此，即使在靜電電壓較高的情況下，該靜電釋放電路中的各靜電釋放單元也能夠正常工作，而不會由于電壓較高而被損壞，并且，即使輸入到電路芯片的電源電壓較高，該具有較低直流工作電壓的靜電釋放單元也不容易被擊穿。

因此，在本實施例中，可以將具有較低直流工作電壓的靜電釋放單元101、102等進行串聯，來構成具有較高直流工作電壓的靜電釋放電路，其中，這些具有較低直 流工作電壓的靜電釋放單元101、102可以是滿足工藝廠所提供的標準工藝設計的靜電釋放單元，對這些靜電釋放單元101、102的制造過程并不會增加額外的工藝步驟，也不會增加成本。可見，與現有技術中需要專門設計具有較高直流工作電壓的靜電釋放電路并增加額外的工藝步驟相比，本實施例能夠以較低的成本得到能工作于高電源電壓的具有較高直流工作電壓的靜電釋放電路。

在本實施例中，每一個靜電釋放單元101、102都可以由電阻、二極管、金屬氧化物半導體場效應晶體管(mos晶體管)、晶閘管、電阻-電容鉗位單元(rc-clamp)和三極管中的一種或兩種以上的器件連接而成，例如，靜電釋放單元101可以由電阻和mos晶體管串聯形成，靜電釋放單元102可以由mos晶體管、三極管和晶閘管連接而成。

在本實施例中，可以根據電路芯片的直流電源電壓的范圍，所需的靜電釋放能力，節點寄生電容的要求以及對靜電釋放電路面積的要求等因素，來確定各靜電釋放單元101、102的具體組成結構，由此，能夠通過適當的結構，使得該靜電釋放電路在獲得滿足要求的靜電釋放能力的同時達到高的直流工作電壓。

在本實施例中，各靜電釋放單元101、102串聯連接，因此，當靜電出現時，各靜電釋放單元101、102能夠被同時觸發以進行靜電釋放，所以，該靜電釋放電路具有較高的時間響應能力。

在本實施例中，用于形成靜電釋放單元101、102的器件例如電阻、二極管、金屬氧化物半導體場效應晶體管(mos晶體管)、晶閘管、rc-clamp和三極管等，都可以是與工藝廠提供的標準工藝兼容的器件，所以，在本實施例中，能夠基于工藝廠提供的標準工藝來設計和制造靜電釋放單元101、102，并形成靜電釋放電路。

實施例2

實施例2提供一種電路單元，其具備實施例1中的靜電釋放電路，以及電路芯片，其中，該靜電釋放電路為所述電路芯片提供靜電保護。

在本實施例中，關于靜電釋放電路的說明可參照實施例1，其內容被合并于此，此處不再贅述。關于電路芯片的說明，可以參考現有技術。

根據本實施例，該電路單元的靜電釋放電路可以工作于高電源電壓下，并具有高 可靠性，由此，提高了該電路單元在高電源電壓下工作的可靠性，并降低了制造成本。

以上結合具體的實施方式對本申請進行了描述，但本領域技術人員應該清楚，這些描述都是示例性的，并不是對本申請保護范圍的限制。本領域技術人員可以根據本申請的精神和原理對本申請做出各種變型和修改，這些變型和修改也在本申請的范圍內。