1.單電感兩級式的拓撲結構變換器，其特征在于，包括由輸入端的交流源AC、二極管D1、二極管D2、二極管D3、二極管D4組成一個單相半波整流電路；還包括開關管T1、開關管T2、開關管T3、開關管T4與電感L組成的一個單電感的H橋結構，單電感的H橋結構使電感L上的電流iL從正方向或者負方向流通；所述的單電感的H橋結構包括四個外端口，四個外端口分別連接輸入端、輸出端、電容C1以及一個公共端口；二極管D5與輸入端的單相半波整流電路串接，防止電路其他部分電流回流到輸入端；電阻R與電容C2并聯，電容C2與電阻R構成輸出端，輸出電壓為Vout2；二極管D6與輸出端串接，防止輸出端電流流入電路其余部分；C1連接在單電感的H橋結構的一個端口與公共端口之間，儲存紋波較大的能量，能量以電壓Vout1的形式存儲在電容C1中；信號s1、信號s2、信號s3、信號s4分別為開關管T1、開關管T2、開關管T3、開關管T4的控制信號。
2.根據權利要求1所述的單電感兩級式的拓撲結構變換器的控制方法，其特征在于：采用雙峰值控制法，控制單電感兩級式的拓撲結構變換器BOOST狀態時電感電流的峰值及BUCK狀態時電感電流峰值；所述控制方法包括以下過程：
(1)將采樣的輸入交流電壓與采樣的中間電容的電壓通過乘法器，再將乘法器產生的信號通過PI調節成BOOST狀態的電流峰值參考值IP1；
(2)采樣輸出電容上的電壓通過PI調節成BUCK狀態的電流峰值參考值IP2；
(3)將步驟(1)得到的BOOST狀態的電流峰值參考值Ip1與實時的電感電流采樣值I進行對比，當I＝Ip1時，產生一個峰值信號P1；
(4)將步驟(2)得到的BUCK狀態的電流峰值參考值Ip2與實時的電感電流采樣值I進行對比，當I＝Ip2時，產生一個峰值信號P2；
(5)將實時的電感電流采樣值I與零進行對比，當I＝0時，產生一個過零信號Z1；
(6)開關管MOS1的驅動信號S1在周期零時刻變為高電平S1＝1,與此同時變為高電平的還有開關管MOS2的驅動信號S2＝1，此時的開關管MOS3的驅動信號S3＝0，開關管MOS4的驅動信號S4＝0；
(7)當電感上電流上升達到步驟(3)的條件時，開關管MOS2關斷，驅動信號S2＝0；
(8)當電感電流下降到零，即達到步驟(5)的條件時，開關管MOS1關斷，驅動信號S1＝0，與此同時開關管MOS3、開關管MOS4打開，驅動信號S3＝1,S4＝1；
(9)電感電流繼續向負方向增加，即達到步驟(4)的條件時，開關管MOS3斷開，驅動信號S3＝0；
(10)當進入下一個周期的時候，開關管MOS4關斷，驅動信號S4＝0,開關管MOS1、開關管MOS2打開，驅動信號S1＝1,S2＝1,即進入步驟(6)的狀態。