本發明屬于電源控制技術，主要適用于電源內儲能電容的放電技術。

背景技術：

電源內具有大量電解電容，用于電源輸入和輸出的濾波和儲能。電源正常工作時，電容可以吸收輸入浪涌電壓，保證電源工作電壓的穩定，還可以為負載端提供脈沖電流，提高電源帶脈沖負載的能力。但是，在電源關機時，電容儲存的能量需要盡快釋放，即電容兩端的電壓波形的下降沿要小。電源輸出濾波電容電壓波形下降沿較小，可以提高電源內電源管控芯片的識別能力，增強電源的快速響應能力。電源輸入濾波電容電壓波形下降沿較小，尤其是工作電壓高于安全電壓時，電容的電壓可以快速降低到安全電壓以下，增強電源的安全性。

對于儲能電容的放電，通常的做法如圖1所示，直接在電容兩端并接放電電阻，當電壓較高時，可以采用多個放電電阻串并聯的形式。該方法電路結構簡單、元器件少、可靠性高，但是放電電阻一直處于工作狀態，增加電源的損耗，且電源關機后電容放電時間越短，增加的電源損耗越大。

本發明利用光電耦合器、功率MOS管、穩壓管、限流電阻和放電電阻等實現一種自動關斷、低損耗放電。該發明中元器件均為通用元器件，電路控制邏輯簡單，多數元器件均可采用貼片封裝，便于小型化設計。而且，功率MOS管的驅動與控制信號通過光電耦合器隔離，控制形式可以多樣化。

技術實現要素：

本發明的內容是提供一種自動關斷、低損耗放電電路及其實現方法。放電電路主要包括光電耦合器、功率MOS管、穩壓管、限流電阻和放電電阻等元器件。控制信號通過光電耦合器實現對功率MOS管的開關控制，限流電阻和穩壓管為功率MOS管提供驅動，放電電阻和功率MOS管組成了放電回路，放電電路原理圖如圖2所示。

為防止信號干擾引起誤觸發，控制信號先經過整流二極管V1和濾波電容C1整流濾波，再通過限流電阻R3接入光電耦合器N1的初級，N1的次級與穩壓管V3、功率MOS管V2的G腳和S腳并聯，實現對功率MOS管的開關控制；V2的S腳與電容“-”端連接，V2的G腳串聯限流電阻R2后接入電容“+”端，為功率MOS管V2提供驅動電壓；V2的D腳串接放電電阻R1后也接入電容“+”端，形成放電回路。

當電源工作時，控制信號正常，光電耦合器N1初次級導通，穩壓管V3被短接，功率MOS管V2無驅動電壓，V2不導通，放電回路不工作；當電源關閉時，無控制信號，光電耦合器N1初次級斷開，電容通過限流電阻R2和穩壓管V3為功率MOS管V2提供驅動電壓，V2導通，電容通過放電電阻R1和MOS管V2實現快速放電。

本發明與現有技術相比，其顯著優點為：使用該方法時，放電回路僅在電源關閉時起作用，不增加電源的損耗。同時，可以選擇大功率、低阻值放電電阻，實現電容的快速放電。

附圖說明

圖1為一種常用電容放電電路原理圖。

圖2為一種自動關斷、低損耗放電電路原理圖。

圖3為一種自動關斷、低損耗放電電路及其實現方法實際應用電路原理圖。

具體實施方式

本發明的實際應用電路原理圖參見圖3，圖中主電路為通用AC-DC電源的輸入整流濾波電路。放電電路的控制信號與電源交流輸入連接，放電電阻和功率MOS管組成的放電回路與濾波電容并聯。

1.R3為限流電阻，取值300kΩ，保證N1的初級電流為1mA左右，整流二極管V1的反向耐壓要高于350V，濾波電容C1的耐壓值要高于350V，容值0.1μF左右，當電源輸入正常時，控制信號正常，光電耦合器初次級導通，功率MOS管不導通，放電回路自動關斷，當電源無輸入時，無控制信號，光電耦合器初次級斷開，功率MOS管導通，放電回路工作；

2.R2為限流電阻，取值4.7MΩ，保證N1的次級電流小于1mA，取值越大，N1次級損耗越小；穩壓管V3的穩壓值要在功率MOS管V2的閾值電壓和最大驅動電壓之間；

3.功率MOS管V2的工作電壓要高于350V，工作電流不得小于300/R1；

4.放電電阻R1根據儲能電容C1及所期望的放電時間τ來選取:

R1<1/(3τ)

5.放電電阻R1的功率應選為P_R1>(300²/R1)*η(0.5<η≤1)。