技術特征：

1.一種三電平T型逆變器高功率因數時的中點電位平衡方法，其特征在于，包含以下步驟：

S1、根據空間矢量調制方法，由參考電壓矢量選擇相應的合成矢量并確定各合成矢量作用占空比；

S2、選擇零矢量和小矢量中的基礎矢量并確定所選基礎矢量作用順序；

S3、采用無差拍控制方法調整兩個重合小矢量的作用占空比。

2.根據權利要求1所述三電平T型逆變器高功率因數時的中點電位平衡方法，其特征在于，步驟S1中，所述空間矢量調制方法，具體如下：

三電平T型逆變器每一相的輸出電平都有三種狀態：輸出電壓等于直流母線電壓、輸出電壓等于直流母線電壓的一半、輸出電壓等于0，分別設為P、O、N；因此共有27種基礎矢量分別為：NNN、NNO、NNP、NON、NOO、NOP、NPN、NPO、NPP、ONN、ONO、ONP、OON、OOO、OOP、OPN、OPO、OPP、PNN、PNO、PNP、PON、POO、POP、PPN、PPO、PPP；

27個基礎矢量構成的矢量圖分為六個大扇區，每個大扇區分為四個小扇區，每個大扇區有五種合成矢量，根據參考電壓矢量所在扇區選擇相應的合成矢量并確定各合成矢量作用占空比，具體如下：

(1)當參考矢量位于第一小扇區時，合成矢量選擇零矢量v₀、小矢量v₁、小矢量v₂，作用占空比分別為

(2)當參考矢量位于第二小扇區時，合成矢量選擇小矢量v₁、中矢量v₄、大矢量v₃，作用占空比分別為

(3)當參考矢量位于第三小扇區時，合成矢量選擇小矢量v₁、小矢量v₂、中矢量v₄，作用占空比分別為

(4)當參考矢量位于第四小扇區時，合成矢量選擇小矢量v₂、中矢量v₄、大矢量v₅，作用占空比分別為

3.根據權利要求2所述三電平T型逆變器高功率因數時的中點電位平衡方法，其特征在于，所述S2具體為：

對于第一個大扇區：

(1)第一種情況：當參考矢量處于第二小扇區和第四小扇區的時候，合成矢量中只有一個小矢量，直接選擇和確定基礎矢量作用順序，分別為：

當參考矢量處于第二小扇區時：基礎矢量作用順序為ONN-PNN-PON-POO；各基礎矢量作用占空比關系分別為：所述基礎矢量ONN、PNN、PON、POO的作用占空比分別為d_ONN、d_PNN、d_PON、d_POO；

當參考矢量處于第四小扇區時：基礎矢量作用順序為OON-PON-PPN-PPO；各基礎矢量作用占空比關系分別為：所述基礎矢量OON、PPN、PPO的作用占空比分別為d_OON、d_PPN、d_PPO；

(2)第二種情況：當參考矢量處于第一小扇區和第三小扇區的時候，合成矢量中含有兩個小矢量，從每個小矢量中選擇合成基礎矢量，并確定矢量順序為：

參考矢量處于第一小扇區且Q₁＞Q₂：基礎矢量作用順序為ONN-OON-OOO-POO，各基礎矢量作用占空比關系分別為：所述基礎矢量OOO的作用占空比分別為d_OOO；

參考矢量處于第一小扇區且Q₁≤Q₂：基礎矢量作用順序為OON-OOO-POO-PPO，各基礎矢量作用占空比關系分別為：

參考矢量處于第三小扇區且Q₁＞Q₂：基礎矢量作用順序為ONN-OON-PON-POO，各基礎矢量作用占空比關系分別為：

參考矢量處于第三小扇區且Q₁≤Q₂：基礎矢量作用順序為OON-PON-POO-PPO，各基礎矢量作用占空比關系分別為：

對于其他五個大扇區，以此類推；

所述Q₁和Q₂定義如下：

$Q_1=\left|i_a{d}_{v_1}\right|,Q_2=\left|i_c{d}_{v_2}\right|;$

其中，i_a、i_c為三電平T型逆變器的A相、C相的相電流瞬時值。

4.根據權利要求3所述三電平T型逆變器高功率因數時的中點電位平衡方法，其特征在于，所述步驟S3具體為：

對于第一大扇區：

當參考電壓位于第一小扇區且Q₁＞Q₂時，基礎矢量作用順序為ONN-OON-OOO-POO時基礎小矢量作用占空比為：

$\left\{\begin{array}{cc}{d}_{POO}=\frac{\[0.5V_{dc}-v\left(k\right)\]C+(i_a{d}_{v_1}-i_c{d}_{v_2})T_s}{2i_a{T}_s},& d_{POO}\≤d_{v_1};\\ d_{POO}=d_{v_1},& d_{POO}\>d_{v_1};\\ d_{ONN}=d_{v_1}-d_{POO};& \end{array}\right.$

當參考電壓位于第一小扇區且Q₁≤Q₂時，基礎矢量作用順序為OON-OOO-POO-PPO時基礎小矢量作用占空比為：

$\left\{\begin{array}{cc}{d}_{PPO}=\frac{\[0.5V_{dc}-v\left(k\right)\]C+(-i_a{d}_{v_1}-i_c{d}_{v_2})T_s}{-2i_c{T}_s},& d_{PPO}\≤d_{v_2};\\ d_{PPO}=d_{v_2},& d_{PPO}\>d_{v_2};\\ d_{OON}=d_{v_2}-d_{PPO};& \end{array}\right.$

當參考電壓位于第二小扇區，基礎矢量作用順序為ONN-PNN-PON-POO時基礎小矢量作用占空比為：

$\left\{\begin{array}{cc}{d}_{POO}=\frac{\[0.5V_{dc}-v\left(k\right)\]C+(i_a{d}_{v_1}-i_b{d}_{v_4})T_s}{2i_a{T}_s},& d_{POO}\≤d_{v_1};\\ d_{POO}=d_{v_1},& d_{POO}\>d_{v_1};\\ d_{ONN}=d_{v_1}-d_{POO};& \end{array}\right.$

當參考電壓位于第三小扇區且Q₁＞Q₂時，基礎矢量作用順序為ONN-OON-PON-POO時基礎小矢量作用占空比為：

$\left\{\begin{array}{cc}{d}_{POO}=\frac{\[0.5V_{dc}-v\left(k\right)\]C+(i_a{d}_{v_1}-i_c{d}_{v_2}+i_b{d}_{v_4})T_s}{2i_a{T}_s},& d_{POO}\≤d_{v_1};\\ d_{POO}=d_{v_1},& d_{POO}\>d_{v_1};\\ d_{ONN}=d_{v_1}-d_{POO};& \end{array}\right.$

當參考電壓位于第三小扇區且Q₁≤Q₂時，基礎矢量作用順序為OON-PON-POO-PPO時基礎小矢量作用占空比為：

$\left\{\begin{array}{cc}{d}_{PPO}=\frac{\[0.5V_{dc}-v\left(k\right)\]C+(-i_a{d}_{v_1}-i_c{d}_{v_2}+i_b{d}_{v_4})T_s}{-2i_c{T}_s},& d_{PPO}\≤d_{v_2};\\ d_{PPO}=d_{v_2},& d_{PPO}\>d_{v_2};\\ d_{OON}=d_{v_2}-d_{PPO};& \end{array}\right.$

當參考電壓位于第四小扇區，基礎矢量作用順序為OON-PON-PPN-PPO時基礎小矢量作用占空比為：

$\left\{\begin{array}{cc}{d}_{PPO}=\frac{\[0.5V_{dc}-v\left(k\right)\]C+(-i_c{d}_{v_2}-i_b{d}_{v_4})T_s}{-2i_c{T}_s},& d_{PPO}\≤d_{v_2};\\ d_{PPO}=d_{v_2},& d_{PPO}\>d_{v_2};\\ d_{OON}=d_{v_2}-d_{PPO};& \end{array}\right.$

其中，T_s為開關序列周期，C為電容值，上、下電容值相等C＝C₁＝C₂，V_dc為直流母線電壓，v(k)為中點電壓采樣值，i_b為B相的相電流瞬時值；

對于其他五個大扇區，以此類推。