一種基于單向可控硅的過壓保護電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種基于單向可控硅的過壓保護電路，包括電阻R1、二極管D1、電容C1、單向可控硅VS1、三極管VT1和繼電器J1，所述二極管D1負極分別連接電壓采樣端、開關S和電阻R3，開關S另一端連接三極管VT1發射極，二極管D1正極分別連接電阻R1和電阻R2，電阻R2另一端分別連接三極管VT1基極和三極管VT2基極，三極管VT2集電極連接電阻R3另一端，三極管VT2發射極通過電容C1連接單向可控硅VS1的G極。本實用新型基于單向可控硅的過壓保護電路，采用單向可控硅VS1配合三極管以及繼電器進行控制，有效對采樣端負載進行過壓保護，而且在故障解除后，能一鍵恢復到保護前的狀態，安全便捷，電路結構簡單，成本低，體積小。
【專利說明】
一種基于單向可控硅的過壓保護電路
技術領域
[0001]本實用新型涉及一種保護電路，具體是一種基于單向可控硅的過壓保護電路。
【背景技術】
[0002]隨著現在電氣設備的普及，給工農業生產、國防事業、科技帶來了革命性的變化，加快了社會的發展，人們步入了電氣化時代，也使人們的生活質量得到了大幅度的提高，也越來越離不開這些電器設備。隨著科技的發展，電器設備的精度也逐漸提高，發生了翻天覆地的變化，但是如何保護好這些電器設備的不受外界的干擾，成了當今科技發展關注的主要問題。目前我國的電網正在普及，龐大的電網系統給了我們許多方便。但是隨著接入電網的用戶增多，和用戶電器的多樣化，也造成了電網電壓的不穩定，忽高忽低的電壓，也成了損壞電器設備的主要因素。如何在對用電負載進行過壓保護，是人們一直在研究的一個課題，現有的過壓保護電路多用運放采樣然后配合單片機控制，不僅控制算法復雜，而且價格局昂。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型的目的在于提供一種基于單向可控硅的過壓保護電路，以解決上述【背景技術】中提出的問題。
[0004]為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案:
[0005]—種基于單向可控硅的過壓保護電路，包括電阻Rl、二極管Dl、電容Cl、單向可控硅VS1、三極管VTl和繼電器J1，所述二極管Dl負極分別連接電壓采樣端、開關S和電阻R3，開關S另一端連接三極管VTl發射極，二極管Dl正極分別連接電阻Rl和電阻R2，電阻R2另一端分別連接三極管VTl基極和三極管VT2基極，三極管VT2集電極連接電阻R3另一端，三極管VT2發射極通過電容Cl連接單向可控硅VSI的G極，單向可控硅VS的A極連接繼電器J2觸點J2-1，繼電器J2觸點J2-1另一端連接繼電器Jl線圈，繼電器Jl線圈另一端連接電阻Rl另一端，所述單向可控硅VSl的K極連接繼電器J2線圈并接地，繼電器J2線圈另一端連接三極管VTl集電極。
[0006]作為本實用新型進一步的方案:所述單向可控硅VSl采用TL431。
[0007]作為本實用新型進一步的方案:所述二極管Dl為穩壓二極管。
[0008]作為本實用新型再進一步的方案:所述繼電器J2觸點J2-1為常閉觸點。
[0009]與現有技術相比，本實用新型的有益效果是:本實用新型基于單向可控硅的過壓保護電路，采用單向可控硅VSl配合三極管以及繼電器進行控制，有效對采樣端負載進行過壓保護，而且在故障解除后，能一鍵恢復到保護前的狀態，安全便捷，電路結構簡單，成本低，體積小。
【附圖說明】

[0010]圖1為基于單向可控硅的過壓保護電路的電路圖。
【具體實施方式】
[0011]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0012]請參閱圖1，本實用新型實施例中，一種基于單向可控硅的過壓保護電路，包括電阻R1、二極管Dl、電容Cl、單向可控硅VSl、三極管VTl和繼電器Jl，所述二極管Dl負極分別連接電壓采樣端、開關S和電阻R3，開關S另一端連接三極管VTl發射極，二極管Dl正極分別連接電阻Rl和電阻R2，電阻R2另一端分別連接三極管VTl基極和三極管VT2基極，三極管VT2集電極連接電阻R3另一端，三極管VT2發射極通過電容Cl連接單向可控硅VSl的G極，單向可控硅VS的A極連接繼電器J2觸點J2-1，繼電器J2觸點J2-1另一端連接繼電器Jl線圈，繼電器Jl線圈另一端連接電阻Rl另一端，所述單向可控硅VSl的K極連接繼電器J2線圈并接地，繼電器J2線圈另一端連接三極管VTl集電極;所述單向可控硅VSl采用TL431;所述二極管Dl為穩壓二極管;所述繼電器J2觸點J2-1為常閉觸點。
[0013]請參閱圖1，首先保持開關S斷開，當采樣端Vi采樣的電壓信號超過穩壓二極管Dl的穩壓值時，二極管Dl導通，三極管VT2基極獲得偏置，三極管VT2導通，通過電容Cl觸發單向可控硅VSl導通，繼電器Jl吸合，控制外部的分壓回路(圖1中未示出)進行分壓，從而保護被采樣端的負載(圖1中未示出)；當負載電壓恢復正常值時，只需要閉合開關S，穩壓二極管Dl進入截止狀態，三極管VT2截止，三極管VTl導通，繼電器J2得電，觸點J2-1斷開，繼電器Jl不再工作，切斷分壓回路，使負載進入正常工作狀態。
[0014]對于本領域技術人員而言，顯然本實用新型不限于上述示范性實施例的細節，而且在不背離本實用新型的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現本實用新型。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本實用新型的范圍由所附權利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權利要求的等同要件的含義和范圍內的所有變化囊括在本實用新型內。不應將權利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權利要求。
[0015]此外，應當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領域技術人員應當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術方案也可以經適當組合，形成本領域技術人員可以理解的其他實施方式。
【主權項】
1.一種基于單向可控硅的過壓保護電路，包括電阻Rl、二極管Dl、電容Cl、單向可控硅VS1、三極管VTl和繼電器Jl，其特征在于，所述二極管Dl負極分別連接電壓采樣端、開關S和電阻R3，開關S另一端連接三極管VTl發射極，二極管Dl正極分別連接電阻Rl和電阻R2，電阻R2另一端分別連接三極管VTl基極和三極管VT2基極，三極管VT2集電極連接電阻R3另一端，三極管VT2發射極通過電容Cl連接單向可控硅VSI的G極，單向可控硅VS的A極連接繼電器J2觸點J2-1，繼電器J2觸點J2-1另一端連接繼電器Jl線圈，繼電器Jl線圈另一端連接電阻Rl另一端，所述單向可控硅VSl的K極連接繼電器J2線圈并接地，繼電器J2線圈另一端連接三極管VTl集電極。2.根據權利要求1所述的基于單向可控硅的過壓保護電路，其特征在于，所述單向可控硅乂31采用11431。3.根據權利要求1所述的基于單向可控硅的過壓保護電路，其特征在于，所述二極管Dl為穩壓二極管。4.根據權利要求1所述的基于單向可控硅的過壓保護電路，其特征在于，所述繼電器J2觸點J2-1為常閉觸點。
【文檔編號】H02H9/04GK205693352SQ201620653742
【公開日】2016年11月16日
【申請日】2016年6月28日 公開號201620653742.9, CN 201620653742, CN 205693352 U, CN 205693352U, CN-U-205693352, CN201620653742, CN201620653742.9, CN205693352 U, CN205693352U
【發明人】侯飛燕
【申請人】南安泰達工業設計有限公司