1.一種高壓ESD保護觸發電路，其特征在于，所述觸發電路包括：
一具有電壓鉗位的器件，其陰極接輸入輸出襯墊；
一電容，其第一端接輸入輸出襯墊；
一第一電阻和第二電阻；
一第一NMOS管，其源極接地，其柵極與所述電容的第二端相連接，其漏極與所述第二電阻的第一端相連接；
所述具有電壓鉗位的器件的陽極與所述第二電阻的第二端相連接，所述第一電阻的一端與所述電容的第二端以及所述第一NMOS管的柵極相連接，所述第一電阻的另一端接地。
2.如權利要求1所述的高壓ESD保護觸發電路，其特征在于，所述電路還包括一驅動NMOS管，所述驅動NMOS管的柵極與所述具有電壓鉗位的器件的陽極相連接，所述驅動NMOS管的漏極接所述輸入輸出襯墊，所述驅動NMOS管的源極接地。
3.如權利要求2所述的高壓ESD保護觸發電路，其特征在于，所述驅動NMOS管的柵極與第一NMOS管之間串聯所述第二電阻。
4.如權利要求3所述的高壓ESD保護觸發電路，其特征在于，所述驅動NMOS管的柵極連接內部電路。
5.如權利要求3所述的高壓ESD保護觸發電路，其特征在于，所述具有電壓鉗位的器件的擊穿電壓高于輸入輸出襯墊的工作電壓。
6.如權利要求5所述的高壓ESD保護觸發電路，其特征在于，所述具有電壓鉗位的器件的擊穿電壓低于所述驅動NMOS管的擊穿電壓。
7.如權利要求1-6中之一所述的高壓ESD保護觸發電路，其特征在于，所述第一電阻為1000歐姆以上，所述第二電阻為1000歐姆以上。
8.如權利要求1-6中之一所述的高壓ESD保護觸發電路，其特征在于，所述具有電壓鉗位的器件為鉗位二極管。
9.如權利要求1-6中之一所述的高壓ESD保護觸發電路，其特征在于，所述具有電壓鉗位的器件為雙極結型晶體管，該雙極結型晶體管的集電極(C)與所述第二電阻的第二端相連接，發射極(E)與輸入輸出襯墊相連接，基極(B)懸空。
10.如權利要求1-6中之一所述的高壓ESD保護觸發電路，其特征在于，所述具有電壓鉗位的器件為P-LDMOS管，該P-LDMOS管的漏極(D)與所述第二電阻的第二端相連接，源極(S)、柵極(G)、襯底(B)與輸入輸出襯墊相連接。
11.如權利要求1-6中之一所述的高壓ESD保護觸發電路，其特征在于，所述具有電壓鉗位的器件為N-LDMOS管，該N-LDMOS管的源極(S)、柵極(G)、襯底(B)與所述第二電阻的第二端相連接，漏極(D)與輸入輸出襯墊相連接。