單片集成信號(hào)接收電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種單片集成信號(hào)接收電路。該電路包括P型的第一MOS管（M1）、第二MOS管（M2），N型的第三MOS管（M3）、第四MOS管（M4）、第五MOS管（M5），第一電阻（R1），第二電阻（R2）和反相器。本新型的電路的等效上來說，輸出電壓使其符合前側(cè)端信號(hào)的轉(zhuǎn)態(tài)電壓，消除盲區(qū)，克服已知技術(shù)的缺點(diǎn)。
【專利說明】單片集成信號(hào)接收電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種單片集成信號(hào)接收電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在電子電路里面，兩個(gè)模塊間需要傳遞電壓電流信號(hào)，一般需要信號(hào)的接收電路。現(xiàn)有的單片集成信號(hào)接收電路一般存在許多盲區(qū)，嚴(yán)重影響到轉(zhuǎn)換特性和噪聲抵抗能力。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的發(fā)明目的在于:針對上述存在的問題，提供一種單片集成信號(hào)接收電路。
[0004]本發(fā)明采用的技術(shù)方案是這樣的:一種單片集成信號(hào)接收電路，其特征在于，包括P型的第一M0S管、第二M0S管，N型的第三M0S管、第四M0S管、第五M0S管，第一電阻，第二電阻和反相器；所述第一 M0S管的柵極、源極、漏極分別連接信號(hào)接收端和第二 M0S管的源極、工作電壓、第三M0S管的柵極及第二 M0S管的漏極；第二 M0S管的柵極、源極、漏極分別連接工作電壓、第一 M0S管的柵極和信號(hào)接收端、第一 M0S管的漏極和第三M0S管的柵極；第三M0S管的柵極、源極、漏極分別連接第一 M0S管的漏極和第二 M0S管的漏極、第四M0S管的源極和第五M0S管的柵極、第四M0S管的漏極和信號(hào)接收端；第四M0S管的柵極、源極、漏極分別連接工作電壓、第三M0S管的源極和第五M0S管的柵極、第三M0S管的漏極和信號(hào)接收端；第五M0S管的柵極、源極、漏極分別連接第三M0S管的源極和第四M0S管的源極、一端接地的第二電阻的另一端、工作電壓；第一電阻串接于第五M0S管的柵極與地之間；反相器的輸入端連接第五M0S管的源極，輸出端連接信號(hào)輸出端。
[0005]綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明的有益效果是:該電路的等效上來說，輸出電壓使其符合前側(cè)端信號(hào)的轉(zhuǎn)態(tài)電壓，消除盲區(qū)，克服已知技術(shù)的缺點(diǎn)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1是本發(fā)明單片集成信號(hào)接收電路的電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0007]下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明作詳細(xì)的說明。
[0008]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0009]如圖1所示，是本發(fā)明一種單片集成信號(hào)接收電路的電路原理圖。該單片集成信號(hào)接收電路包括p型的第一 M0S管Ml、第二 M0S管M2，N型的第三M0S管M3、第四M0S管M4、第五M0S管M5，第一電阻R1，第二電阻R2和反相器；所述第一 M0S管Ml的柵極、源極、漏極分別連接信號(hào)接收端Spd和第二 M0S管M2的源極、工作電壓VCC、第三M0S管M3的柵極及第二 M0S管M2的漏極；第二 M0S管M2的柵極、源極、漏極分別連接工作電壓VCC、第一MOS管Ml的柵極和信號(hào)接收端Spd、第一 MOS管Ml的漏極和第三M0S管M3的柵極；第三M0S管M3的柵極、源極、漏極分別連接第一 M0S管Ml的漏極和第二 M0S管M2的漏極、第四M0S管M4的源極和第五M0S管M5的柵極、第四M0S管M4的漏極和信號(hào)接收端Spd ;第四M0S管M4的柵極、源極、漏極分別連接工作電壓VCC、第三M0S管M3的源極和第五M0S管M5的柵極、第三M0S管M3的漏極和信號(hào)接收端Spd ;第五M0S管M5的柵極、源極、漏極分別連接第三M0S管M3的源極和第四M0S管M4的源極、一端接地GND的第二電阻R2的另一端、工作電壓VCC;第一電阻R1串接于第五M0S管M5的柵極與地GND之間；反相器的輸入端連接第五M0S管M5的源極，輸出端連接信號(hào)輸出端Si。
[0010]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種單片集成信號(hào)接收電路，其特征在于，包括P型的第一 MOS管(Ml )、第二 MOS管(M2)，N型的第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)、第五MOS管(M5)，第一電阻(R1 )，第二電阻(R2)和反相器；所述第一 MOS管(Ml)的柵極、源極、漏極分別連接信號(hào)接收端(Spd)和第二 MOS管(M2 )的源極、工作電壓(VCC)、第三MOS管(M3 )的柵極及第二 MOS管(M2 )的漏極；第二 MOS管(M2)的柵極、源極、漏極分別連接工作電壓(VCC)、第一 MOS管(Ml)的柵極和信號(hào)接收端(Spd)、第一 MOS管(Ml)的漏極和第三MOS管(M3)的柵極；第三M0S管(M3)的柵極、源極、漏極分別連接第一 M0S管(Ml)的漏極和第二 M0S管(M2)的漏極、第四M0S管(M4)的源極和第五M0S管(M5)的柵極、第四M0S管(M4)的漏極和信號(hào)接收端(Spd);第四M0S管(M4)的柵極、源極、漏極分別連接工作電壓(VCC)、第三M0S管(M3)的源極和第五M0S管(M5)的柵極、第三M0S管(M3)的漏極和信號(hào)接收端(Spd);第五MOS管(M5)的柵極、源極、漏極分別連接第三M0S管(M3)的源極和第四M0S管(M4)的源極、一端接地(GND)的第二電阻(R2 )的另一端、工作電壓(VCC);第一電阻(R1)串接于第五M0S管(M5 )的柵極與地(GND)之間；反相器的輸入端連接第五M0S管(M5)的源極，輸出端連接信號(hào)輸出端(Si)。
【文檔編號(hào)】H03K19/094GK103684416SQ201210340966
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年9月16日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月16日
【發(fā)明者】余力, 王紀(jì)云 申請人:鄭州單點(diǎn)科技軟件有限公司