1.一種電路的屏蔽結構，其特征在于，包括一襯底，所述襯底上固定有一射頻組件電路；
所述襯底內嵌有吸波材料層；
所述襯底上還設有一由吸波材料制成的屏蔽墻，所述屏蔽墻圍繞所述射頻組件電路設置；
所述屏蔽墻上方覆蓋有導電材料層；
通過內嵌有吸波材料層的所述襯底、屏蔽墻、導電材料層，圍成一密閉空間，將射頻組件電路密封在該密封空間內。
2.根據權利要求1所述的一種電路的屏蔽結構，其特征在于，還設有一接地金屬層，所述接地金屬層設置在所述屏蔽墻上，所述接地金屬層的上端連接所述導電材料層，所述接地金屬層的下端設有接地端子，所述接地端子連接所述襯底。
3.根據權利要求2所述的一種電路的屏蔽結構，其特征在于，所述接地金屬層是由導電泡棉材料或者導電橡膠材料制成的接地金屬層。
4.根據權利要求3所述的一種電路的屏蔽結構，其特征在于，還設有一接地金屬層，所述接地金屬層是一套筒或螺釘，所述接地金屬層的上端連接所述導電材料層，所述接地金屬層的下端設有接地端子，所述接地端子連接所述襯底。
5.根據權利要求1所述的一種電路的屏蔽結構，其特征在于，所述導電材料層是由鋁板材或者導電布構成的導電材料層。
6.根據權利要求1所述的一種電路的屏蔽結構，其特征在于，所述導電材料層由如下質量百分比的成分構成：5％～40％鋁、10～30％銅、1％～5％鎵、10％～20％銦、10％～20％鋅。
7.根據權利要求1所述的一種電路的屏蔽結構，其特征在于，所述導電材料層的上表面連接有一由散熱材料制成的散熱層。
8.根據權利要求7所述的一種電路的屏蔽結構，其特征在于，所述導電材料層是由銅箔構成的導電材料層，所述導電材料層的厚度為7～15微米；
所述散熱層是一石墨片制成的散熱層，所述散熱層的厚度為20～30微米；
所述散熱層的上表面還連接有一PET保護膜，所述PET保護膜的厚度為4～7微米。
9.根據權利要求1所述的一種電路的屏蔽結構，其特征在于，所述吸波材料是膠黏劑；
所述吸波材料包括如下質量百分比的原料：磁性四氧化三鐵納米顆粒10％～30％，碳化硅10％～20％、硅溶膠10％～20％、十六烷基胺5％～20％、氣凝膠5％～20％、鎵金屬1％～5％。
10.根據權利要求1所述的一種電路的屏蔽結構，其特征在于，所述射頻組件電路中包括集成芯片，所述集成芯片包括一由塑料制成的封裝殼體，所述封裝殼體的上方設有一用于容置液態金屬的容納腔，以所述容納腔作為一散熱窗，所述容納腔的上方設有一散熱器件，所述散熱器件是鋼制的散熱器件，所述散熱器件設有至少五個突出方向向上的針狀凸起。