本發(fā)明涉及電子電路的
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別是涉及一種LED線性驅(qū)動(dòng)器、驅(qū)動(dòng)電路、芯片及驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
：相對(duì)于開(kāi)關(guān)型驅(qū)動(dòng)器，由于具有低成本、無(wú)EMI干擾、調(diào)光無(wú)噪聲、容易光電一體化集成等明顯優(yōu)勢(shì)，線性驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)LED正在以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)突飛猛進(jìn)地快速發(fā)展。然而，線性驅(qū)動(dòng)器也具有以下無(wú)法回避的缺點(diǎn)：1)輸入電壓范圍窄；2)電源轉(zhuǎn)換效率低；3)線性調(diào)整率差。現(xiàn)有技術(shù)中，越來(lái)越多的技術(shù)致力于改善線性驅(qū)動(dòng)器的以上不足。特別地，線性調(diào)整率為一個(gè)非常重要的指標(biāo)，因此提高LED線性恒流驅(qū)動(dòng)器輸出的線性調(diào)整率非常有必要。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種LED線性驅(qū)動(dòng)器、驅(qū)動(dòng)電路、芯片及驅(qū)動(dòng)方法，基于線電壓補(bǔ)償技術(shù)和鉗位電路，有效地提高了LED線性驅(qū)動(dòng)器的線性調(diào)整率。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種LED線性驅(qū)動(dòng)器，包括：線電壓補(bǔ)償模塊，所述線電壓補(bǔ)償模塊采樣輸入電壓源的輸出電壓或者NMOS管漏端的電壓生成與所述輸入電壓成比例關(guān)系的補(bǔ)償電流；鉗位電路，所述鉗位電路的第一輸入端用于接入第二參考電壓，第二輸入端用于采樣與LED線性驅(qū)動(dòng)器電連接的電流檢測(cè)電阻兩端的電壓，輸出端與第一電阻相連；當(dāng)電流檢測(cè)電阻兩端的電壓大于第二參考電壓時(shí)，NMOS管截止，所述補(bǔ)償電流全部流過(guò)所述第一電阻；當(dāng)電流檢測(cè)電阻兩端的電壓等于第二參考電壓時(shí)，所述補(bǔ)償電流部分流過(guò)所述第一電阻，使電流檢測(cè)電阻上的電壓谷底被鉗位在所述第二參考電壓。同時(shí)，本發(fā)明還提供一種LED線性驅(qū)動(dòng)器，包括：線電壓補(bǔ)償模塊，所述線電壓補(bǔ)償模塊采樣輸入電壓源的輸出電壓或者NMOS管漏端的電壓生成與所述輸入電壓成比例關(guān)系的補(bǔ)償電流；鉗位電路，所述鉗位電路的第一輸入端用于接入第二參考電壓，第二輸入端用于接入第一參考電壓，輸出端與第二電阻的第一端相連；當(dāng)?shù)谝粎⒖茧妷捍笥诘诙⒖茧妷簳r(shí)，NMOS管截止，所述補(bǔ)償電流全部流過(guò)第二電阻；當(dāng)?shù)谝粎⒖茧妷旱扔诘诙⒖茧妷簳r(shí)，所述補(bǔ)償電流部分流過(guò)所述第二電阻，使所述電流檢測(cè)電阻上的電壓谷底鉗位在所述第二參考電壓。于本發(fā)明一實(shí)施例中，還包括：誤差放大器，所述誤差放大器的正輸入端用于接收第一參考電壓，負(fù)輸入端用于接收第一電阻和電流檢測(cè)電阻上的電壓；所述NMOS管的漏極與LED負(fù)載相連，源極電連接所述電流檢測(cè)電阻，柵極與所述誤差放大器的輸出端相連，用于在所述誤差放大器負(fù)輸入端電壓高于正輸入端電壓時(shí)NMOS截止，負(fù)輸入端電壓小于等于正輸入端電壓時(shí)，NMOS導(dǎo)通。于本發(fā)明一實(shí)施例中，還包括：誤差放大器，所述誤差放大器的正輸入端用于接收第一參考電壓，負(fù)輸入端用于接收電流檢測(cè)電阻兩端的電壓；所述NMOS管的漏極與LED負(fù)載相連，源極電連接所述電流檢測(cè)電阻，柵極與所述誤差放大器的輸出端相連，用于在所述誤差放大器負(fù)輸入端電壓高于正輸入端電壓時(shí)NMOS截止，負(fù)輸入端電壓小于等于正輸入端電壓時(shí)，NMOS導(dǎo)通。于本發(fā)明一實(shí)施例中，還包括：參考電壓電路，所述參考電壓電路用于輸出第一參考電壓。于本發(fā)明一實(shí)施例中，所述參考電壓電路包括參考電壓模塊、第二電阻和第三電阻；所述參考電壓模塊經(jīng)由串聯(lián)的所述第二電阻和所述第三電阻接地；所述參考電壓模塊用于提供原始參考電壓，所述第二電阻和第三電阻的連接點(diǎn)處的電壓為所述第一參考電壓。于本發(fā)明一實(shí)施例中，所述NMOS管替換為NPN三極管；所述NPN三極管的集電極與所述LED負(fù)載的第二端相連，基極與所述電流檢測(cè)電阻的第一端相連，發(fā)射極與所述誤差放大器的輸出端相連。于本發(fā)明一實(shí)施例中，所述鉗位電路包括第二誤差放大器和第二NMOS管；所述第二誤差放大器的正輸入端連接所述第二參考電壓，負(fù)輸入端與所述電流檢測(cè)電阻相連，輸出端與所述第二NMOS管的柵極相連；所述第二NMOS管的漏極與所述線電壓補(bǔ)償模塊的輸出端相連，源極接地。于本發(fā)明一實(shí)施例中，所述鉗位電路中，所述第二NMOS管替換為NPN三極管；所述NPN三級(jí)管的發(fā)射極與所述第二誤差放大器的輸出端相連，集電極與所述第一電阻的第一端相連，基極接地。于本發(fā)明一實(shí)施例中，所述鉗位電路包括第二誤差放大器和第二NMOS管；所述第二誤差放大器的正輸入端接入所述第二參考電壓，負(fù)輸入端與所述第一誤差放大器正輸入端相連，輸出端與所述第二NMOS管的柵極相連；所述第二NMOS管的漏極接入工作電壓VDD，源極與所述線電壓補(bǔ)償模塊的輸出端相連。于本發(fā)明一實(shí)施例中，所述鉗位電路中，所述第二NMOS管替換為NPN三極管；所述NPN三級(jí)管的發(fā)射極與所述第二誤差放大器的輸出端相連，集電極接入工作電壓VDD，基極與所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)相連。同時(shí)，本發(fā)明還提供一種LED線性驅(qū)動(dòng)電路，包括輸入電壓源、LED負(fù)載、參考電壓電路、線電壓補(bǔ)償模塊、誤差放大器、NMOS管、第一電阻、電流檢測(cè)電阻和鉗位電路；所述參考電壓電路用于輸出第一參考電壓；所述輸入電壓源與所述LED負(fù)載的第一端相連，用于提供輸入電壓；所述線電壓補(bǔ)償模塊的輸出端與所述第一電阻的第一端相連，用于輸出與所述輸入電壓成比例關(guān)系的補(bǔ)償電流；所述NMOS管的漏極與所述LED負(fù)載的第二端相連，源極與所述電流檢測(cè)電阻的第一端相連，柵極與所述誤差放大器的輸出端相連，所述誤差放大器的正輸入端用于接收第一參考電壓，負(fù)輸入端用于接收電流檢測(cè)電阻兩端的電壓；所述誤差放大器的正輸入端與所述參考電壓電路的輸出端相連，負(fù)輸入端與所述第一電阻的第一端相連；所述第一電阻的第二端與所述電流檢測(cè)電阻的第一端相連，所述電流檢測(cè)電阻的第二端接地；所述鉗位電路的第一輸入端接入第二參考電壓，第二輸入端與所述電流檢測(cè)電阻的第一端相連，輸出端與所述第一電阻的第一端相連，用于將所述電流檢測(cè)電阻上的電壓谷底鉗位在所述第二參考電壓。另外，本發(fā)明還提供一種LED線性驅(qū)動(dòng)電路，包括輸入電壓源、LED負(fù)載、參考電壓模塊、線電壓補(bǔ)償模塊、誤差放大器、NMOS管、第一電阻、第二電阻、電流檢測(cè)電阻和鉗位電路；所述參考電壓模塊經(jīng)由串聯(lián)的所述第一電阻和所述第二電阻接地，用于提供原始參考電壓；所述輸入電壓源與所述LED負(fù)載的第一端相連，用于提供輸入電壓；所述線電壓補(bǔ)償模塊的輸出端與所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)相連，用于輸入與所述輸入電壓成比例關(guān)系的補(bǔ)償電流；所述NMOS管的漏極與所述LED負(fù)載的第二端相連，源極與所述電流檢測(cè)電阻的第一端相連，柵極與所述誤差放大器的輸出端相連，所述誤差放大器的正輸入端用于接收第一參考電壓，負(fù)輸入端用于接收電流檢測(cè)電阻兩端的電壓；所述誤差放大器的正輸入端與所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)相連，接入第一參考電壓，負(fù)輸入端與所述電流檢測(cè)電阻的第一端相連，所述電流檢測(cè)電阻的第二端接地；所述鉗位電路的第一輸入端接入第二參考電壓，第二輸入端與所述誤差放大器正輸入端或負(fù)輸入端相連，輸出端與所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)相連，用于將所述電流檢測(cè)電阻上的電壓谷底鉗位在所述第二參考電壓。另外，本發(fā)明還提供一種用于LED線性驅(qū)動(dòng)的芯片，包括上述任一所述的LED線性驅(qū)動(dòng)器。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種用于LED線性驅(qū)動(dòng)的芯片，包括上述任一所述的LED線性驅(qū)動(dòng)器及NMOS管。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種LED線性驅(qū)動(dòng)方法，包括以下步驟：1)線電壓補(bǔ)償模塊采樣輸入電壓源的輸出電壓或者NMOS管漏端的電壓生成與所述輸入電壓成比例關(guān)系的補(bǔ)償電流；2)當(dāng)電流檢測(cè)電阻兩端的電壓大于第二參考電壓時(shí)，NMOS管截止，所述補(bǔ)償電流全部流過(guò)所述第一電阻；當(dāng)電流檢測(cè)電阻兩端的電壓等于第二參考電壓時(shí)，所述補(bǔ)償電流部分流過(guò)所述第一電阻，使電流檢測(cè)電阻上的電壓谷底被鉗位在所述第二參考電壓。于本發(fā)明一實(shí)施例中，步驟2)替換為：當(dāng)?shù)谝粎⒖茧妷捍笥诘诙⒖茧妷簳r(shí)，所述補(bǔ)償電流全部流過(guò)第二電阻；當(dāng)?shù)谝粎⒖茧妷旱扔诘诙⒖茧妷簳r(shí)，所述補(bǔ)償電流部分流過(guò)第二電阻，使所述電流檢測(cè)電阻上的電壓谷底鉗位在所述第二參考電壓。如上所述，本發(fā)明的LED線性驅(qū)動(dòng)器、驅(qū)動(dòng)電路、芯片及驅(qū)動(dòng)方法，具有以下有益效果：(1)基于線電壓補(bǔ)償技術(shù)和鉗位電路，有效地提高了LED線性驅(qū)動(dòng)器的線性調(diào)整率；(2)LED線性驅(qū)動(dòng)器的輸出電流在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi)變化更小。附圖說(shuō)明圖1顯示為本發(fā)明的LED線性驅(qū)動(dòng)器的第一優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2顯示為本發(fā)明的LED線性驅(qū)動(dòng)器不包含鉗位電路時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3顯示為本發(fā)明的LED線性驅(qū)動(dòng)器不包含鉗位電路時(shí)的電流電壓波形圖；圖4顯示為本發(fā)明的LED線性驅(qū)動(dòng)器中電流電壓波形圖；圖5顯示為本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例中鉗位電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6顯示為本發(fā)明的LED線性驅(qū)動(dòng)器的第二優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7顯示為本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例中鉗位電路的結(jié)構(gòu)示意圖。元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明11輸入電壓源12LED負(fù)載13參考電壓電路14線電壓補(bǔ)償模塊15誤差放大器16NMOS管17第一電阻18電流檢測(cè)電阻19鉗位電路21輸入電壓源22LED負(fù)載23參考電壓模塊24線電壓補(bǔ)償模塊25誤差放大器26NMOS管27第一電阻28第二電阻29電流檢測(cè)電阻20鉗位電路具體實(shí)施方式以下通過(guò)特定的具體實(shí)例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過(guò)另外不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用，本說(shuō)明書(shū)中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒(méi)有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。需說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，以下實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。需要說(shuō)明的是，以下實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說(shuō)明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。本發(fā)明提供一種LED線性驅(qū)動(dòng)器，包括線電壓補(bǔ)償模塊和鉗位電路。線電壓補(bǔ)償模塊采樣輸入電壓源的輸出電壓或者NMOS管漏端的電壓生成與所述輸入電壓成比例關(guān)系的補(bǔ)償電流。鉗位電路的第一輸入端用于接入第二參考電壓，第二輸入端用于采樣與LED線性驅(qū)動(dòng)器電連接的電流檢測(cè)電阻兩端的電壓，輸出端與第一電阻相連；當(dāng)電流檢測(cè)電阻兩端的電壓大于第二參考電壓時(shí)，NMOS管截止，所述補(bǔ)償電流全部流過(guò)所述第一電阻；當(dāng)電流檢測(cè)電阻兩端的電壓等于第二參考電壓時(shí)，所述補(bǔ)償電流部分流過(guò)所述第一電阻，使電流檢測(cè)電阻上的電壓谷底被鉗位在所述第二參考電壓。因此，通過(guò)線電壓補(bǔ)償模塊和鉗位電路，提高了LED線性驅(qū)動(dòng)器的線性調(diào)整率，使得輸出電流在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi)變化更小。下面通過(guò)具體電路來(lái)詳細(xì)闡述一下本發(fā)明的LED線性驅(qū)動(dòng)器。如圖1所示，本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例中，LED線性驅(qū)動(dòng)電路包括輸入電壓源11、LED負(fù)載12、參考電壓電路13、線電壓補(bǔ)償模塊14、誤差放大器EA15、NMOS管16、第一電阻(R1)17、電流檢測(cè)電阻Rcs18和鉗位電路19。參考電壓電路13用于輸出第一參考電壓Vref1。具體地，參考電壓電路13包括參考電壓模塊、第二電阻R2和第三電阻R3，參考電壓模塊用于提供參考電壓Vbg，參考電壓模塊經(jīng)由串聯(lián)的第二電阻R2和第三電阻R3接地。第二電阻R2和第三電阻R3的連接點(diǎn)處的電壓為第一參考電壓Vref1。因此，第一參考電壓Vref1＝Vbg*R3/(R2+R3)。輸入電壓源11與LED負(fù)載12的第一端相連，用于提供輸入電壓Vac。線電壓補(bǔ)償模塊14的輸出端與第一電阻(R1)17的第一端相連，用于輸出與輸入電壓Vac成比例關(guān)系的補(bǔ)償電流Ic1。其中，Ic1＝K*Vac，K為一個(gè)常數(shù)。NMOS管16的漏極與LED負(fù)載12的第二端相連，源極與電流檢測(cè)電阻Rcs18的第一端相連，柵極與誤差放大器EA15的輸出端相連，用于在誤差放大器EA15的輸出為正時(shí)導(dǎo)通，在誤差放大器EA15的輸出為負(fù)時(shí)截止。采樣輸入電壓源的輸入電壓Vac或是MOS管的漏極電壓(Vdrain)，則可得到電流Ic1。誤差放大器EA15的正輸入端與參考電壓電路13的輸出端相連，負(fù)輸入端與第一電阻R117的第一端相連。第一電阻(R1)17的第二端與電流檢測(cè)電阻Rcs18的第一端相連，電流檢測(cè)電阻Rcs的第二端接地。鉗位電路19的第一輸入端接入第二參考電壓Vref2，第二輸入端與電流檢測(cè)電阻Rcs18的第一端相連，輸出端與第一電阻(R1)17的第一端相連，用于將電流檢測(cè)電阻Rcs18上的電壓Vcs2谷底鉗位在第二參考電壓Vref2，其中第二參考電壓Vref2小于第一參考點(diǎn)Vref1。如圖2所示，在上述LED線性恒流驅(qū)動(dòng)電路中，若去除鉗位電路，僅采用線電壓補(bǔ)償模塊進(jìn)行線電壓補(bǔ)償時(shí)，Vref1＝Vcs2+Ic1*R1。其中線電壓補(bǔ)償模塊輸出的電流Ic1流過(guò)第一電阻R1能夠?qū)崿F(xiàn)線電壓補(bǔ)償，使得電流檢測(cè)電阻Rcs上的電壓Vcs2降低，也使得輸出電流Iled減小。此時(shí)，LED負(fù)載上得到的電流為：Iled＝(Vref1-Ic1*R1)/Rcs＝(Vref1-K*Vac*R1)/Rcs由上述公式可以看出，輸入電壓Vac越大，LED負(fù)載上的電流Iled越小，電流電壓的波形圖如圖3所示。具體參數(shù)值如表1所示。表1、輸入電壓Vac與LED負(fù)載電流Iled的參數(shù)Vac(Vac)Iled_avg(mA)Vac＝20023.1Vac＝21024.3Vac＝22025.0Vac＝23025.2Vac＝24024.8Vac＝25024.1Vac＝26023.2200Vac—260Vac輸出電流偏差8.7％由表1可知，當(dāng)輸入電壓Vac取最小值(200Vac)和最大值(260Vac)時(shí)，LED負(fù)載電流Iled的平均值幾乎相同。但整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi)(200Vac-260Vac)，LED負(fù)載電流Iled平均值變化仍然超過(guò)8％，故輸出的線性調(diào)整率還有進(jìn)一步提升的空間。如圖4所示，當(dāng)增加了鉗位電路后，電壓Vcs2谷底或是流過(guò)LED負(fù)載的電流谷底被鉗位到一個(gè)固定值，從而避免進(jìn)入深度補(bǔ)償。因此，鉗位電路的應(yīng)用提高了LED負(fù)載輸出的線電壓調(diào)整率，讓輸出電流在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi)變化更小。具體地，在電壓Vcs2下降到等于Vref2時(shí)，鉗位電路吸收一個(gè)電流Ic2，使得電壓Vcs2在谷底處的最低點(diǎn)等于Vref2，從而使得Iled的谷底電流保持為固定值Vref2/Rcs，避免了Iled電流進(jìn)入谷底的深度補(bǔ)償，從而提高了Iled電流的線性調(diào)整率性能。其中，Ic2＝Ic1-(Vref1-Vref2)/R1。當(dāng)增加鉗位電路后，輸入電壓Vac與LED負(fù)載電流Iled的參數(shù)如2所示。表2、輸入電壓Vac與LED負(fù)載電流Iled的參數(shù)VacInput(Vac)Iled_avg(mA)Vac＝20024.3Vac＝21025.0Vac＝22025.2Vac＝23024.9Vac＝24025.0Vac＝25025.2Vac＝26025.5200Vac—260Vac輸出電流偏差4.8％200Vac—240Vac輸出電流偏差3.6％由表2可知，增加鉗位電路后，本發(fā)明的LED線性恒流驅(qū)動(dòng)電路可以確保輸入電壓在200Vac-260Vac范圍內(nèi)時(shí)線性調(diào)整率小于5％，在200Vac-240Vac范圍內(nèi)線性調(diào)整率小于4％，從而極大地提高了LED線性恒流驅(qū)動(dòng)電路的線性調(diào)整率，滿足實(shí)際電路的需求。優(yōu)選地，NMOS管可以替換為NPN三極管。當(dāng)采用NPN三極管時(shí)，NPN三極管的集電極與LED負(fù)載的第二端相連，基極與電流檢測(cè)電阻Rcs的第一端相連，發(fā)射極與誤差放大器EA的輸出端相連。參照?qǐng)D5，在本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例中，鉗位電路包括誤差放大器EA2和NMOS管MC1。誤差放大器EA2的正輸入端連接第二參考電壓Vref2，負(fù)輸入端與第一電阻R1的第二端相連，輸出端與NMOS管MC1的柵極相連。NMOS管MC1的漏極與第一電阻R1的第一端相連，源極接地。當(dāng)電壓Vcs2高于第二參考電壓Vref2時(shí)，誤差放大器EA2輸出低電平，NMOS管MC1截止，鉗位電路不起作用。當(dāng)電壓Vcs2低于V第二參考電壓Vref2時(shí)，由誤差放大器EA2和NMOS管MC1形成的鉗位電路與R1形成的環(huán)路，鉗位電路將Ic1注入到R1上的電流泄放到地，使得Vcs2＝Vref2。因此，在本發(fā)明的LED線性恒流驅(qū)動(dòng)電路中當(dāng)電壓Vcs2下降到等于Vref2時(shí)，鉗位電路吸收一個(gè)電流Ic2，使得電壓Vcs2在谷底處的最低點(diǎn)等于Vref2，從而使得Iled的谷底電流保持為固定值Vref2/Rcs，避免了Iled電流進(jìn)入谷底的深度補(bǔ)償，從而提高了Iled電流的線性調(diào)整率性能。優(yōu)選地，NMOS管也可以替換為NPN三極管。NPN三級(jí)管的發(fā)射極與誤差放大器EA2的輸出端相連，集電極與第一電阻R1的第一端相連，基極接地。同時(shí)，本發(fā)明還提供一種LED線性驅(qū)動(dòng)器，包括線電壓補(bǔ)償模塊和鉗位電路。線電壓補(bǔ)償模塊采樣輸入電壓源的輸出電壓或者NMOS管漏端的電壓生成與所述輸入電壓成比例關(guān)系的補(bǔ)償電流。鉗位電路的第一輸入端用于接入第二參考電壓，第二輸入端用于接入第一參考電壓，輸出端與第二電阻的第一端相連；當(dāng)?shù)谝粎⒖茧妷捍笥诘诙⒖茧妷簳r(shí)，NMOS管截止，所述補(bǔ)償電流全部流過(guò)第二電阻；當(dāng)?shù)谝粎⒖茧妷旱扔诘诙⒖茧妷簳r(shí)，所述補(bǔ)償電流部分流過(guò)所述第二電阻，使所述電流檢測(cè)電阻上的電壓谷底鉗位在所述第二參考電壓。線電壓補(bǔ)償模塊通過(guò)檢測(cè)線電壓的變化，從參考電壓模塊的分壓電阻抽頭中抽取一個(gè)電流來(lái)降低第一參考電壓以實(shí)現(xiàn)線電壓補(bǔ)償?shù)墓δ堋Ｒ虼耍ㄟ^(guò)線電壓補(bǔ)償模塊和鉗位電路，提高了LED線性驅(qū)動(dòng)器的線性調(diào)整率，使得輸出電流在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi)變化更小。下面通過(guò)具體電路來(lái)詳細(xì)闡述一下本發(fā)明的LED線性驅(qū)動(dòng)器。如圖6所示，在本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例中，LED線性驅(qū)動(dòng)電路包括輸入電壓源21、LED負(fù)載22、參考電壓模塊23、線電壓補(bǔ)償模塊24、誤差放大器EA25、NMOS管26、第一電阻(R2)27、第二電阻(R3)28、電流檢測(cè)電阻Rcs29和鉗位電路20。參考電壓模塊23經(jīng)由串聯(lián)的第一電阻(R2)27和第二電阻(R3)28接地，用于提供原始參考電壓Vbg。輸入電壓源21與LED負(fù)載22的第一端相連，用于提供輸入電壓Vac。線電壓補(bǔ)償模塊24的輸出端與第一電阻(R2)27和第二電阻(R3)28的連接點(diǎn)相連，用于輸入與輸入電壓Vac成比例關(guān)系的補(bǔ)償電流Ic1。其中，Ic1＝K*Vac，K為一個(gè)常數(shù)。NMOS管26的漏極與LED負(fù)載22的第二端相連，源極與電流檢測(cè)電阻Rcs29的第一端相連，柵極與誤差放大器EA25的輸出端相連，用于在誤差放大器EA25的輸出為正時(shí)導(dǎo)通，在誤差放大器EA25的輸出為負(fù)時(shí)截止。采樣輸入電壓源的輸入電壓Vac或是MOS管的漏極電壓(Vdrain)，則可得到電流Ic1。誤差放大器EA25的正輸入端與第一電阻(R2)27和第二電阻(R3)28的連接點(diǎn)相連，接入第一參考電壓Vref1，負(fù)輸入端與電流檢測(cè)電阻Rcs29的第一端相連，電流檢測(cè)電阻Rcs29的第二端接地。鉗位電路20的第一輸入端接入第二參考電壓Vref2，第二輸入端與誤差放大器EA25正輸入端或負(fù)輸入端相連，輸出端與第一電阻(R2)27和第二電阻(R3)28的連接點(diǎn)相連，用于將電流檢測(cè)電阻Rcs29上的電壓Vcs1谷底鉗位在第二參考電壓Vref2，其中第二參考電壓Vref2小于第一參考點(diǎn)Vref1。若去除鉗位電路，僅采用線電壓補(bǔ)償模塊進(jìn)行線電壓補(bǔ)償時(shí)，Vref1＝(Vbg-Ic1*R2)*R3/(R3+R2)＝Vcs1＝Iled*Rcs。其中輸入線電壓補(bǔ)償模塊的電流Ic1使得第一參考電壓Vref1降低，也使得輸出電流Iled減小。當(dāng)增加了鉗位電路后，第一參考電壓Vref1谷底或是流過(guò)LED負(fù)載的電流谷底被鉗位到一個(gè)固定值，從而避免進(jìn)入深度補(bǔ)償。因此，鉗位電路的應(yīng)用提高了LED負(fù)載輸出的線電壓調(diào)整率，讓輸出電流在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi)變化更小。具體地，在第一參考電壓Vref1下降到等于第二參考電壓Vref2時(shí)，鉗位電路流出一個(gè)電流Ic2，使得第一參考電壓Vref1在谷底處的最低點(diǎn)等于Vref2，使得Iled的谷底電流保持為固定值Vref2/Rcs，避免了Iled電流進(jìn)入谷底的深度補(bǔ)償，從而提高了Iled電流的線性調(diào)整率性能。其中，Vref1＝Vcs1＝(Ic1-Ic2)*R3+Vref2，故Ic2＝Ic1-(Vref1-Vref2)/R3。當(dāng)鉗位電路起作用時(shí)，通過(guò)注入電流Ic2到由R2和R3組成的分壓電阻中，使得Vref2＝Vref1＝Vcs1。優(yōu)選地，NMOS管可以替換為NPN三極管。當(dāng)采用NPN三極管時(shí)，NPN三極管的集電極與LED負(fù)載的第二端相連，基極與電流檢測(cè)電阻Rcs的第一端相連，發(fā)射極與誤差放大器EA的輸出端相連。參照?qǐng)D7，在本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例中，鉗位電路包括誤差放大器EA3和NMOS管MC2。誤差放大器EA3的正輸入端接入第二參考電壓Vref2，負(fù)輸入端與誤差放大器EA3正輸入端或負(fù)輸入端相連，輸出端與NMOS管MC2的柵極相連。NMOS管MC2的漏極接入工作電壓VDD，源極與第一電阻R2和第二電阻R3的連接點(diǎn)相連。當(dāng)?shù)谝粎⒖茧妷篤ref1高于第二參考電壓Vref2時(shí)，誤差放大器EA3輸出低電平，NMOS管MC3截止，鉗位電路不起作用。當(dāng)?shù)谝粎⒖茧妷篤ref1下降到等于第二參考電壓Vref2時(shí)，誤差放大器EA3的輸出調(diào)整電壓NMOS管MC2的柵極電壓，NMOS管MC2導(dǎo)通并輸出電流Ic2，使得第一參考電壓Vref1下降到等于第二參考電壓Vref2時(shí)就不會(huì)再繼續(xù)下降。因此，在本發(fā)明的LED線性恒流驅(qū)動(dòng)電路中當(dāng)?shù)谝粎⒖茧妷篤ref1下降到等于第二參考電壓Vref2時(shí)，鉗位電路輸出電流Ic2，使得第一參考電壓Vref1在谷底處的最低點(diǎn)等于Vref2，從而使得Iled的谷底電流保持為固定值Vref2/Rcs，避免了Iled電流進(jìn)入谷底的深度補(bǔ)償，從而提高了Iled電流的線性調(diào)整率性能。優(yōu)選地，NMOS管也可以替換為NPN三極管。NPN三級(jí)管的發(fā)射極與誤差放大器EA3的輸出端相連，集電極接入工作電壓VDD，基極與第一電阻R2和第二電阻R3的連接點(diǎn)相連。同時(shí)，本發(fā)明還提供一種用于LED線性驅(qū)動(dòng)的芯片，其包括上述任一的LED線性驅(qū)動(dòng)器。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種用于LED線性驅(qū)動(dòng)的芯片，其包括上述任一的LED線性驅(qū)動(dòng)器及NMOS管。與上述LED線性驅(qū)動(dòng)器的第一實(shí)施例相對(duì)應(yīng)，本發(fā)明還提供一種LED線性驅(qū)動(dòng)方法，包括以下步驟：1)線電壓補(bǔ)償模塊采樣輸入電壓源的輸出電壓或者NMOS管漏端的電壓生成與所述輸入電壓成比例關(guān)系的補(bǔ)償電流。2)當(dāng)電流檢測(cè)電阻兩端的電壓大于第二參考電壓時(shí)，NMOS管截止，所述補(bǔ)償電流全部流過(guò)所述第一電阻；當(dāng)電流檢測(cè)電阻兩端的電壓等于第二參考電壓時(shí)，所述補(bǔ)償電流部分流過(guò)所述第一電阻，使電流檢測(cè)電阻上的電壓谷底被鉗位在所述第二參考電壓。該LED線性驅(qū)動(dòng)方法的具體原理與上述LED線性驅(qū)動(dòng)器的第一實(shí)施例的原理相同，故在此不再贅述。與上述LED線性驅(qū)動(dòng)器的第二實(shí)施例相對(duì)應(yīng)，本發(fā)明還提供一種LED線性驅(qū)動(dòng)方法，包括以下步驟：1)線電壓補(bǔ)償模塊采樣輸入電壓源的輸出電壓或者NMOS管漏端的電壓生成與所述輸入電壓成比例關(guān)系的補(bǔ)償電流；2)當(dāng)?shù)谝粎⒖茧妷捍笥诘诙⒖茧妷簳r(shí)，所述補(bǔ)償電流全部流過(guò)第二電阻；當(dāng)?shù)谝粎⒖茧妷旱扔诘诙⒖茧妷簳r(shí)，所述補(bǔ)償電流部分流過(guò)第二電阻，使所述電流檢測(cè)電阻上的電壓谷底鉗位在所述第二參考電壓。該LED線性驅(qū)動(dòng)方法的具體原理與上述LED線性驅(qū)動(dòng)器的第二實(shí)施例的原理相同，故在此不再贅述。綜上所述，本發(fā)明的LED線性驅(qū)動(dòng)器、驅(qū)動(dòng)電路、芯片及驅(qū)動(dòng)方法基于線電壓補(bǔ)償技術(shù)和鉗位電路，有效地提高了LED線性驅(qū)動(dòng)器的線性調(diào)整率，使得LED線性驅(qū)動(dòng)器的輸出電流在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi)變化更小。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3