本發明涉及功率放大電路。

背景技術：

在移動電話等的移動通信設備上，使用功率放大電路來對發送給基站的無線電頻率(rf:radiofrequency)信號的功率進行放大。在功率放大電路中，在并用多個放大器的情況下或者為了減少消耗電流，會使用控制放大器的導通截止的開關。例如，在專利文獻1公開了由共源共柵連接的兩個雙極型晶體管構成的高頻開關。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2000－278109號公報

技術實現要素：

發明所要解決的技術問題

在專利文獻1所公開的高頻開關中，輸入信號被提供至前級的雙極型晶體管的基極，根據被提供至后級的雙極型晶體管的基極的控制信號，從后級的雙極型晶體管的集電極輸出輸出信號。但是，該開關由兩個雙極型晶體管共源共柵連接而成，因此輸出信號的振幅受它們的飽和電壓的抑制。因而，在輸入較大信號時，輸出信號的振幅被抑制，輸出信號容易變得失真。因此，難以滿足所希望的線性特性，能使用該開關的動作范圍變小。另外，后級的雙極型晶體管需要能流過與流過前級的雙極型晶體管的電流等量的電流的尺寸，因此會由于元件數的增加引起電路面積的增大。

本發明是鑒于上述的問題而完成的，其目的是提供一種功率放大電路，該功率放大電路具備能抑制電路面積的增大并且在輸入較大信號時也能適用的開關電路。

解決技術問題的技術方案

為了達成上述目的，本發明的一個方面所涉及的功率放大電路包括：第一晶體管，該第一晶體管具有被提供第一無線頻率信號的發射極、被提供第一dc控制電流或者第一dc控制電壓的基極、以及輸出與第一無線頻率信號相對應的第一輸出信號的集電極；第一放大器，該第一放大器對第一輸出信號進行放大，并輸出第一放大信號；以及第一控制電路，該第一控制電路將第一dc控制電流或者第一dc控制電壓提供至第一晶體管的基極，以控制第一輸出信號的輸出。

發明效果

根據本發明，能夠提供一種功率放大電路，該功率放大電路具備能抑制電路面積的增大并且在輸入較大信號時也能適用的開關電路。

附圖說明

圖1是表示本發明的一個實施方式所涉及的功率放大電路100的結構例的圖。

圖2是表示控制電路110的結構的一個示例的圖。

圖3是表示放大器120的結構的一個示例的圖。

圖4是表示本發明的一個實施方式所涉及的功率放大電路100的其他結構例的圖。

圖5是表示本發明的一個實施方式所涉及的功率放大電路100的其他結構例的圖。

圖6是表示本發明的一個實施方式所涉及的功率放大電路100的其他結構例的圖。

圖7a是表示功率放大電路100d的插入損耗的頻率相關性的模擬結果的曲線圖。

圖7b是表示功率放大電路100d的插入損耗的頻率相關性的模擬結果的曲線圖。

圖8a是表示功率放大電路100d的插入損耗的頻率相關性的模擬結果的曲線圖。

圖8b是表示功率放大電路100d的插入損耗的頻率相關性的模擬結果的曲線圖。

圖9a是表示功率放大電路100d的插入損耗的頻率相關性的模擬結果的曲線圖。

圖9b是表示功率放大電路100d的插入損耗的頻率相關性的模擬結果的曲線圖。

圖10a是表示功率放大電路100d的插入損耗的頻率相關性的模擬結果的曲線圖。

圖10b是表示功率放大電路100d的插入損耗的頻率相關性的模擬結果的曲線圖。

具體實施方式

以下，對于本發明的實施方式，參照附圖進行詳細說明。此外，對相同要素付上相同標號，并省略重復說明。

圖1是表示本發明的一個實施方式的功率放大電路100的結構例(功率放大電路100a)的圖。功率放大電路100a對輸入信號rfin進行放大，并輸出放大信號rfamp。

如圖1所示，功率放大電路100a包括雙極型晶體管tr1；電阻元件r1；電容器c1；控制電路110；放大器120、121；以及匹配電路130、131、132、133。

雙極型晶體管tr1(第一晶體管)中，輸入信號rfin(第一無線頻率信號)通過匹配電路130被提供至發射極，控制電壓vcont被提供至基極，并從集電極輸出輸出信號rfout(第一輸出信號)。另外，雙極型晶體管tr1中，發射極通過電阻元件r1進行dc接地，基極通過電容器c1進行ac接地。雙極型晶體管tr1的動作的詳細情況在后文中闡述。

電阻元件r1的一端連接至雙極型晶體管tr1的發射極，另一端接地。電阻元件r1將雙極型晶體管tr1的發射極dc接地。

電容器c1的一端連接至雙極型晶體管tr1的基極，另一端接地。電容器c1將雙極型晶體管tr1的基極ac接地。

控制電路110(第一控制電路)將與從功率放大電路100a的外部提供的電壓v1所對應的控制電壓vcont(第一dc控制電壓)提供至雙極型晶體管tr1的基極。

圖2是表示控制電路110的結構的一個示例的圖。如圖2所示，控制電路110具備雙極型晶體管200、201、202以及電阻元件210。

雙極型晶體管200、201構成為生成規定電平的電壓。具體而言，雙極型晶體管200的集電極與基極連接(以下稱為二極管連接)，電壓v1被提供至集電極，發射極連接至雙極型晶體管201的集電極。雙極型晶體管201進行二極管連接，集電極與雙極型晶體管200的發射極連接，發射極接地。由此，在雙極型晶體管200的基極生成規定電平的電壓(例如2.6v左右)。另外，也可以使用二極管來代替雙極型晶體管200、201。

雙極型晶體管202中，電源電壓vcc被提供至集電極，基極連接至雙極型晶體管200的基極，發射極連接至電阻元件210的一端。雙極型晶體管202將控制電壓vcont從發射極通過電阻元件210提供至雙極型晶體管tr1的基極。

由此，控制電路110將控制電壓vcont(偏置電壓)提供至雙極型晶體管tr1的基極，構成射極跟隨器型的偏置電路。而且，通過控制電路110對提供至雙極型晶體管tr1的基極的控制電壓vcont進行控制，從而能夠切換雙極型晶體管tr1的導通及截止。由此，雙極型晶體管tr1起到開關的作用。另外，通過控制電路110由與雙極型晶體管tr1相同的雙極型晶體管構成，從而能夠具備溫度補償的功能。

返回圖1，放大器120、121構成二級放大電路。放大器120(第一放大器)(驅動級)對通過匹配電路131輸入的輸出信號rfout(第一輸出信號)進行放大，并輸出放大信號rfamp(第一放大信號)。從放大器120輸出的放大信號rfamp通過匹配電路132輸入至放大器121。放大器121(功率級)對放大信號rfamp進行放大，并通過匹配電路133輸出放大信號rfamp。另外，在本實施方式中，雖然示出了放大器的級數為二級的示例，但是放大器的級數并不限于二級，可以是一級，也可以是三級以上。

圖3是表示放大器120的結構的一個示例的圖。如圖3所示，放大器120具備雙極型晶體管300。

雙極型晶體管300中，電源電壓vcc通過電感器310被提供至集電極，輸出信號rfout被輸入至基極，發射極接地。此外，偏置電流ibias被提供至雙極型晶體管300的基極。而且，從雙極型晶體管300的集電極輸出放大信號rfamp。另外，在本實施方式中，雖然使用異質結雙極晶體管(hbt:heterojunctionbipolartransistor)作為晶體管的示例進行了說明，但是也可以使用場效應晶體管(mosfet:metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor)作為晶體管。此外，放大器121的結構由于與放大器120相同，因此省略詳細的說明。

返回圖1，匹配電路(mn:matchingnetwork)130、131、132、133設置成用于對電路間的阻抗進行匹配。匹配電路130、131、132、133分別用例如電感器、電容器來構成。另外，匹配電路130由例如高通濾波器電路、低通濾波器電路構成。

在功率放大電路100a中，雙極型晶體管tr1的動作根據提供至雙極型晶體管tr1的基極的控制電壓vcont來進行控制。具體而言，在比較高的控制電壓vcont被提供至雙極型晶體管tr1的基極，雙極型晶體管tr1的基極-發射極間電壓比閾值電壓更高的情況下，雙極型晶體管tr1導通，并輸出輸出信號rfout。另一方面，在比較低的控制電壓vcont(例如0v)被提供至雙極型晶體管tr1的基極，雙極型晶體管tr1的基極-發射極間電壓比閾值電壓更低的情況下，雙極型晶體管tr1截止，不輸出輸出信號rfout。由此，雙極型晶體管tr1具有如下的開關的功能：根據控制電壓vcont控制是否使輸入信號rfin通過。

另外，雖然本實施方式中的控制電路110生成控制電壓，但是也可以利用控制電流(第一dc控制電流)代替控制電壓來對雙極型晶體管tr1的動作進行控制。具體而言，也可以將比較大的控制電流(例如數百μa～1ma)提供至雙極型晶體管tr1的基極來使雙極型晶體管tr1導通，提供比較小的控制電流(例如0ma)來使雙極型晶體管tr1截止。

通過上述的結構，在功率放大電路100a中，1個雙極型晶體管tr1對輸入信號rfin通過的導通及截止進行控制。因而，不需要像專利文獻1那樣將兩個雙極型晶體管共源共柵連接，因此與專利文獻1所示的結構相比，能夠抑制在輸入較大信號時所產生的飽和電壓所引起的失真特性的劣化。此外，與在功率放大電路的外部具備開關電路的結構、專利文獻1所示的結構相比，能夠抑制電路面積的增大。因而，根據功率放大電路100a，能夠提供一種功率放大電路，該功率放大電路具備能抑制電路面積的增大并且在輸入較大信號時也能適用的開關。

圖4是表示功率放大電路100的其他結構例(功率放大電路100b)的圖。此外，在與圖1所示的功率放大電路100a相同的要素上標注相同的標號并省略說明。此外，對于以下所述的實施方式，省略第二級以后的放大器來進行圖示。

功率放大電路100b是針對一個輸入信號rfin并聯連接n個(n：自然數)圖1所示的功率放大電路100a的結構。具體而言，功率放大電路100b包括n個雙極型晶體管tr1、tr2、…、trn；電阻元件r1；n個電容器ca1、ca2、…、can；n個控制電路110a1、110a2、…、110an；n個放大器120a1、120a2、…、120an；匹配電路130；以及n個匹配電路131a1、131a2、…、131an。

雙極型晶體管tr1(第一晶體管)、tr2(第二晶體管)、…、trn(第n晶體管)中，輸入信號rfin通過匹配電路130被提供至各自公共連接的發射極。此外，雙極型晶體管tr1、tr2、…、trn中，控制電路110a1、110a2、…、110an生成的控制電壓vcont1、vcont2、…、vcontn被分別提供至基極。而且，雙極型晶體管tr1、tr2、…、trn中，分別從集電極輸出與輸入信號rfin相對應的輸出信號rfout1(第一輸出信號)、rfout2(第二輸出信號)、…、rfoutn(第n輸出信號)。

電阻元件r1、電容器ca1、ca2、…、can以及匹配電路130、131a1、131a2、…、131an的結構與功率放大電路100a相同，因此省略詳細的說明。另外，在本實施方式中，雖然多個雙極型晶體管共用一個電阻元件r1，但是雙極型晶體管也可以分別具備電阻元件。

控制電路110a1(第一控制電路)、110a2(第二控制電路)、…、110an(第n控制電路)分別生成與從功率放大電路100b的外部提供的電壓va1、va2、…、van相對應的電壓，并將控制電壓vcont1(第一dc控制電壓)、vcont2(第二dc控制電壓)、…、vcontn(第ndc控制電壓)提供至雙極型晶體管tr1、tr2、…、trn的基極。例如，通過提供比較高的控制電壓vcont1來將雙極型晶體管tr1導通，通過提供比較低的控制電壓vcont2、…、vcontn來將雙極型晶體管tr2、…、trn截止。由此，能夠使輸入信號rfin僅通過雙極型晶體管tr1，并能將雙極型晶體管tr1輸出的輸出信號rfout1選擇性地提供至放大器120a1。另外，控制電路110a1、110a2、…、110an的結構與控制電路110相同，因此省略詳細的說明。

放大器120a1(第一放大器)、120a2(第二放大器)、…、120an(第n放大器)分別對通過匹配電路131a1、131a2、…、131an輸入的輸出信號rfout1、rfout2、…、rfoutn進行放大，并輸出放大信號rfamp1(第一放大信號)、rfamp2(第二放大信號)、…、rfampn(第n放大信號)。另外，放大器120a1、120a2、…、120an的結構與放大器120相同，因此省略詳細的說明。

在上述的結構中，也與功率放大電路100a相同，各個雙極型晶體管tr1、tr2、…、trn對輸入信號rfin通過的導通及截止進行控制。因而，根據功率放大電路100b，能夠提供一種功率放大電路，該功率放大電路具備能抑制電路面積的增大并且在輸入較大信號時也能適用的開關。由此，例如在根據輸入信號rfin的信號電平進行放大模式的切換(低功率模式或者高功率模式等)的情況下，通過將雙極型晶體管tr1、tr2、…、trn用作為開關，從而能夠將輸入信號rfin選擇性地提供至放大器120a1、120a2…、120an中的某一個放大器。

圖5是表示功率放大電路100的其他結構例(功率放大電路100c)的圖。此外，在與圖1所示的功率放大電路100a相同的要素上標注相同的標號并省略說明。

功率放大電路100c的結構如下：將圖1所示的功率放大電路100a中的到匹配電路131的前級為止的路徑(信號輸入路徑)并聯地設置n個(n：自然數)，并使其共用匹配電路131以后的路徑。具體而言，功率放大電路100c包括n個雙極型晶體管tr1、tr2、…、trn；n個電阻元件r1、r2、…、rn；n個電容器c1、c2、…、cn；n個控制電路110a1、110a2、…、110an；放大器120；n個匹配電路130a1、130a2、…、130an；以及匹配電路131。

雙極型晶體管tr1(第一晶體管)、tr2(第二晶體管)、…、trn(第n晶體管)中，輸入信號rfin1(第一無線頻率信號)、rfin2(第二無線頻率信號)、…、rfinn(第n無線頻率號)分別通過匹配電路130a1、130a2、…、130an提供至各自的發射極。此外，雙極型晶體管tr1、tr2、…、trn中，控制電路110a1、110a2、…、110an生成的控制電壓vcont1、vcont2、…、vcontn被分別提供至各自的基極。而且，雙極型晶體管tr1、tr2、…、trn中，分別從集電極輸出與輸入信號rfin1、rfin2、…、rfinn相對應的輸出信號rfout1(第一輸出信號)、rfout2(第二輸出信號)、…、rfoutn(第n輸出信號)。

電阻元件r1、r2、…、rn、電容器c1、c2、…、cn、以及匹配電路130a1、130a2、…、130an、131的結構與功率放大電路100a相同，因此省略詳細的說明。

控制電路110a1(第一控制電路)、110a2(第二控制電路)、…、110an(第n控制電路)分別生成與從功率放大電路100c的外部提供的電壓va1、va2、…、van相對應的電壓，并將控制電壓vcont1(第一dc控制電壓)、vcont2(第二dc控制電壓)、…、vcontn(第ndc控制電壓)提供至雙極型晶體管tr1、tr2、…、trn的基極。另外，控制電路110a1、110a2、…、110an的結構與控制電路110相同，因此省略詳細的說明。

輸出信號rfout1、rfout2、…、rfoutn中的某一個通過匹配電路131輸入至放大器120。而且，放大器120輸出對該輸出信號進行放大后的放大信號rfamp。

在上述的結構中，也與功率放大電路100a相同，各個雙極型晶體管tr1、tr2、…、trn對輸入信號rfin1、rfin2、…、rfinn通過的導通及截止進行控制。因而，根據功率放大電路100c，能夠提供一種功率放大電路，該功率放大電路具備能抑制電路面積的增大并且在輸入較大信號時也能適用的開關。功率放大電路100c例如能夠適用于不同頻率的輸入信號rfin1、rfin2、…、rfinn共用一個放大器120的對應多頻帶的功率放大電路。

圖6是表示功率放大電路100的其他結構例(功率放大電路100d)的圖。此外，在與圖1所示的功率放大電路100a相同的要素上標注相同的標號并省略說明。

功率放大電路100d是組合了圖4所示的功率放大電路100b及圖5所示的功率放大電路100c的結構。具體而言，功率放大電路100d包括雙極型晶體管tra1、tra2、trb1、trb2；電阻元件ra、rb；電容器ca1、ca2、cb1、cb2；控制電路110a1、110a2、110b1、110b2；放大器120a、120b；以及匹配電路130a、130b、131a、131b。

雙極型晶體管tra1(第一晶體管)、tra2(第二晶體管)中，輸入信號rfina(第一無線頻率信號)通過匹配電路130a被提供至公共連接的發射極。此外，雙極型晶體管tra1、tra2中，控制電路110a1、110a2生成的控制電壓vconta1、vconta2被分別提供至基極。而且，雙極型晶體管tra1、tra2中，分別從集電極輸出與輸入信號rfina相對應的輸出信號rfouta1(第一輸出信號)、rfouta2(第二輸出信號)。

同樣地，雙極型晶體管trb1(第四晶體管)、trb2(第五晶體管)中，輸入信號rfinb(第三無線頻率信號)通過匹配電路130b被提供至公共連接的發射極。此外，雙極型晶體管trb1、trb2中，控制電路110b1、110b2生成的控制電壓vcontb1、vcontb2被分別提供至基極。而且，雙極型晶體管trb1、trb2中，分別從集電極輸出與輸入信號rfinb相對應的輸出信號rfoutb1(第四輸出信號)、rfoutb2(第五輸出信號)。

電阻元件ra、rb、電容器ca1、ca2、cb1、cb2以及匹配電路130a、130b、131a、131b的結構與功率放大電路100a相同，因此省略詳細的說明。

控制電路110a1(第一控制電路)、110a2(第二控制電路)、110b1(第四控制電路)、110b2(第五控制電路)分別將與從功率放大電路100d的外部提供的電壓va1、va2、vb1、vb2相對應的控制電壓vconta1(第一dc控制電壓)、vconta2(第二dc控制電壓)、vcontb1(第四dc控制電壓)、vcontb2(第五dc控制電壓)提供至雙極型晶體管tra1、tra2、trb1、trb2的基極。另外，控制電路110a1、110a2、110b1、110b2的結構與控制電路110相同，因此省略詳細的說明。

輸出信號rfouta1或者輸出信號rfoutb1中的一個通過匹配電路131a輸入至放大器120a(第一放大器)。而且，放大器120a輸出對該輸出信號進行放大后的放大信號rfampa(第一放大信號)。

相同地，輸出信號rfouta2或者輸出信號rfoutb2中的一個通過匹配電路131b輸入至放大器120b(第二放大器)。而且，放大器120b輸出對該輸出信號進行放大后的放大信號rfampb(第二放大信號)。

在上述的結構中，也與功率放大電路100a相同，通過將各個雙極型晶體管tra1、tra2、trb1、trb2中的某一個雙極型晶體管導通，從而對輸入信號rfina、rfinb通過的導通及截止進行控制。因而，根據功率放大電路100d，能夠提供一種功率放大電路，該功率放大電路具備能抑制電路面積的增大并且在輸入較大信號時也能適用的開關。此外，輸入信號rfina、rfinb中的任意一個輸入信號都能提供至放大器120a或者放大器120b。功率放大電路100d例如能適用于與多模式多頻帶相對應的功率放大電路，該功率放大電路具備針對不同頻率的輸入信號rfina、rfinb及不同模式的放大器120a、120b，并且不同頻率的輸入信號rfina、rfinb共用放大器120a、120b。

另外，在本實施方式中，作為示例，雖然示出了輸入有2條路徑，并且每個輸入都分別具備兩個雙極型晶體管的結構，但是該輸入路徑的數量及雙極型晶體管的數量并不限于2個，可以是1個，或者也可以是3個以上。

接著，對于功率放大電路100d的插入損耗的頻率相關性的模擬結果，參照圖7a～圖10b進行說明。

圖7a～圖10b是圖6所示的表示功率放大電路100d的雙極型晶體管tra1、tra2、trb1、trb2的插入損耗的頻率相關性的模擬結果的曲線圖。在圖7a～圖10b所示的曲線圖中，縱軸表示插入損耗(s參數＝20log|s21|)(db)，橫軸表示輸入信號的頻率(ghz)。此外，p1表示輸入信號rfina的輸入端子port1，p2表示輸入信號rfinb的輸入端子port2，p3表示雙極型晶體管tra1、trb1(放大器120a側)的輸出端子port3，p4表示雙極型晶體管tra2、trb2(放大器120b側)的輸出端子port4(參照圖6)。另外，輸出端子對于輸入端子的s參數用db(s(輸出端子，輸入端子))表示。

圖7a示出了通過僅將雙極型晶體管tra1導通，而將雙極型晶體管tra2、trb1、trb2截止，從而進行動作使得將輸入信號rfina提供給放大器120a時的db(s(p3，p1))、db(s(p3，p2))、db(s(p3，p4))的模擬結果。相同地，圖7b示出了該情況下的db(s(p4，p1))、db(s(p4，p2))、db(s(p4，p3))的模擬結果。如圖7a所示，p3的輸出相對于p1的輸入的s參數db(s(p3，p1))不管在哪個頻帶(2.0～3.0ghz)，都為－2db～－5db左右。另一方面，從p2到p3、從p4到p3、從p1到p4、從p2到p4以及從p3到p4的s參數大約比－20db更小。因而，可知能夠僅將輸入信號rfina選擇性地提供至放大器120a。

圖8a示出了通過僅將雙極型晶體管tra2導通，而將雙極型晶體管tra1、trb1、trb2截止，從而進行動作使得將輸入信號rfina提供給放大器120b時的db(s(p4，p1))、db(s(p4，p2))、db(s(p4，p3))的模擬結果。相同地，圖8b示出了該情況下的db(s(p3，p1))、db(s(p3，p2))、db(s(p3，p4))的模擬結果。如圖8a所示，p4的輸出相對于p1的輸入的s參數db(s(p4，p1))不管在哪個頻帶，都為－2db～－6db左右。另一方面，從p2到p4、從p3到p4、從p1到p3、從p2到p3以及從p4到p3的s參數大約比－20db更小。因而，可知能夠僅將輸入信號rfina選擇性地提供至放大器120b。

圖9a示出了通過僅將雙極型晶體管trb1導通，而將雙極型晶體管tra1、tra2、trb2截止，從而進行動作使得將輸入信號rfinb提供給放大器120a時的db(s(p3，p1))、db(s(p3，p2))、db(s(p3，p4))的模擬結果。相同地，圖9b示出了該情況下的db(s(p4，p1))、db(s(p4，p2))、db(s(p4，p3))的模擬結果。如圖9a所示，p3的輸出相對于p2的輸入的s參數db(s(p3，p2))不管在哪個頻帶，都為－2db～－5db左右。另一方面，從p1到p3、從p4到p3、從p1到p4、從p2到p4以及從p3到p4的s參數大約比－20db更小。因而，可知能夠僅將輸入信號rfinb選擇性地提供至放大器120a。

圖10a示出了通過僅將雙極型晶體管trb2導通，而將雙極型晶體管tra1、tra2、trb1截止，從而進行動作使得將輸入信號rfinb提供給放大器120b時的db(s(p4，p1))、db(s(p4，p2))、db(s(p4，p3))的模擬結果。相同地，圖10b示出了該情況下的db(s(p3，p1))、db(s(p3，p2))、db(s(p3，p4))的模擬結果。如圖10a所示，p4的輸出相對于p2的輸入的s參數db(s(p4，p2))不管在哪個頻帶，都為－3db～－6db左右。另一方面，從p1到p4、從p3到p4、從p1到p3、從p2到p3以及從p4到p3的s參數大約比－20db更小。因而，可知能夠僅將輸入信號rfinb選擇性地提供至放大器120b。

根據上述的模擬結果，可知通過將雙極型晶體管tra1、tra2、trb1、trb2中的某一個導通，而將其他雙極型晶體管截止，從而能夠將輸入信號rfina、rfinb中的某一個輸入信號選擇性地提供至放大器120a、120b中的某一個放大器。

上面是對本發明的示例性的實施方式進行了說明。功率放大電路100a、100b、100c、100d包括：雙極型晶體管，該雙極型晶體管具有被提供無線頻率信號的發射極、被提供dc控制電壓的基極、輸出與無線頻率信號相對應的輸出信號的集電極；以及控制電路，該控制電路生成該dc控制電壓。由此，一個雙極型晶體管控制輸入信號通過的導通及截止。因而，能夠提供一種功率放大電路，該功率放大電路具備能抑制電路面積的增大并且在輸入較大信號時也能適用的開關。

此外，在功率放大電路100a、100b、100c、100d中，能夠將具有開關功能的雙極型晶體管的發射極通過電阻元件進行dc接地，將該雙極型晶體管的基極通過電容器進行ac接地。

此外，功率放大電路100b針對一個輸入信號rfin，將與功率放大電路100a相同的雙極型晶體管、控制電路、以及放大器分別并聯地設置n個。各個雙極型晶體管中，發射極進行公共連接，輸入信號rfin提供至發射極。因而，能夠通過控制電路控制n個雙極型晶體管的導通及截止，從而能將輸入信號rfin選擇性地提供至規定的放大器。

此外，功率放大電路100c中，對于多個輸入信號rfin1、rfin2、…、rfinn中的每一個，設置雙極型晶體管及控制電路。各個雙極型晶體管中，集電極進行公共連接，并提供輸出信號rfout1、rfout2、…、rfoutn中的某一個。因而，能夠通過控制電路控制n個雙極型晶體管的導通及截止，從而能僅將某一個輸入信號供至放大器120。

此外，功率放大電路100d對于兩個輸入信號rfina、rfinb，分別具備與功率放大電路100a相同的雙極型晶體管tra1、tra2以及雙極型晶體管trb1、trb2，還具備對該雙極型晶體管的導通及截止進行控制的控制電路110a1、110a2、110b1、110b2。由此，能通過僅將雙極型晶體管tra1、tra2、trb1、trb2中的某一個雙極型晶體管導通，從而能將輸入信號rfina或者輸入信號rfinb提供至放大器120a或者放大器120b。

另外，在本實施方式中，雖然使用了npn型雙極型晶體管，但是也可以使用pnp型雙極型晶體管來代替npn型雙極型晶體管。

上述說明的各實施方式用于方便理解本發明，并不用于限定并解釋本發明。在不脫離本發明的思想的前提下，可以對本發明變更或改良，并且本發明的等同發明也包含在本發明的范圍內。即，本領域的技術人員在各實施方式上加以適當的設計變更，只要包含本發明的技術特征，也被包含在本發明的范圍內。例如各實施方式具備的各要素及其配置、材料、條件、形狀、尺寸等，不限于例示，能進行適當地變更。此外，各實施方式具備的各要素，能在技術上可能的范圍內任意組合，這些組合只要包含本發明的技術特征也包含在本發明的范圍內。

標號說明

100a、100b、100c、100d功率放大電路

110(110a1、110a2、110an、110a1、110a2、110an、110b1、110b2)控制電路

120(120a1、120a2、120an、120a、120b)、121放大器

130(130a1、130a2、130an、130a、130b)、131(131a1、131a2、131an、131a、131b)、132、133匹配電路

200、201、202、300雙極型晶體管

210電阻元件

310電感器

tr1、tr2、trn、tr1、tr2、trn、tra1、tra2、trb1、trb2雙極型晶體管

r1、r2、rn、ra、rb電阻元件

c1、ca1、ca2、can、c2、cn、ca1、ca2、cb1、cb2電容器