本發明涉及一種振蕩電路，具體是一種可控硅控制的振蕩電路。

背景技術：

振蕩電路是一種大小和方向都隨周期發生變化的電流，能產生振蕩電流的電路就叫做振蕩電路，NE555作為模擬電路技術領域常用的芯片，使用范圍非常廣泛，然而一般的NE555多諧振蕩器，充放電時間的調節會相互影響，只能通過外圍電子元件調節振蕩的高低電平時間比值，使用過程中非常不方便，另外使用NE555等芯片元件還會導致電路的抗干擾能力較低；另外現有的一下采用可控硅控制的振蕩電路都是通過電容控制可控硅的G極通斷來產生振蕩，這種方式容易損壞可控硅。

技術實現要素：

本發明的目的在于提供一種可控硅控制的振蕩電路，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種可控硅控制的振蕩電路，包括電阻R1、二極管D1、單向可控硅VS、電容C1和二極管D2，其特征在于，所述電阻R1一端分別連接二極管D2正極和電源VCC，二極管D2負極連接電阻R4，電阻R4另一端分別連接單向可控硅VS的A極、電容C1和輸出端Vo一端，輸出端Vo另一端分別連接單向可控硅VS的K極和電阻R3，電阻R3另一端分別連接電容C1另一端、二極管D1正極和電阻R2并接地，電阻R2另一端分別連接電阻R1另一端、二極管D1負極和單向可控硅VS的G極；所述電阻R1和電阻R2組成分壓采樣電路。

作為本發明進一步的方案：所述二極管D1為穩壓二極管，所述二極管D2為整流二極管。

作為本發明進一步的方案：所述單向可控硅VS采用TL431，所述電源VCC電壓為12V。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：本發明可控硅控制的振蕩電路采用單向可控硅VS控制，在VS的A極巧妙設置電容C1進行充放電，從而產生振蕩，安全性高，電路結構簡單，成本低，體積小，而且沒有使用任何芯片元件，抗干擾能力強。

附圖說明

圖1為可控硅控制的振蕩電路的電路圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

請參閱圖1，本發明實施例中，一種可控硅控制的振蕩電路，包括電阻R1、二極管D1、單向可控硅VS、電容C1和二極管D2，所述電阻R1一端分別連接二極管D2正極和電源VCC，二極管D2負極連接電阻R4，電阻R4另一端分別連接單向可控硅VS的A極、電容C1和輸出端Vo一端，輸出端Vo另一端分別連接單向可控硅VS的K極和電阻R3，電阻R3另一端分別連接電容C1另一端、二極管D1正極和電阻R2并接地，電阻R2另一端分別連接電阻R1另一端、二極管D1負極和單向可控硅VS的G極；所述二極管D1為穩壓二極管；所述單向可控硅VS采用TL431；所述電源VCC電壓為12V；所述電阻R1和電阻R2組成分壓采樣電路；所述二極管D2為整流二極管。

本發明的工作原理是：請參閱圖1，電阻R1、R2時刻為VS的G極提供觸發電壓，但電源VCC剛接通時電容C1通過電阻R4充電，VS的A極電壓從0伏逐漸上升，當電壓上升到能滿足VS導通條件時，VS立刻導通，VS經過電阻R3放電，由于R3阻值太小，VS的A極電壓瞬間變成0伏，VS截止，C1繼續充電，重復上一過程，電阻R3、電阻R4、電容C1的值同時決定振蕩頻率。

對于本領域技術人員而言，顯然本發明不限于上述示范性實施例的細節，而且在不背離本發明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現本發明。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發明的范圍由所附權利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權利要求的等同要件的含義和范圍內的所有變化囊括在本發明內。不應將權利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權利要求。

此外，應當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領域技術人員應當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術方案也可以經適當組合，形成本領域技術人員可以理解的其他實施方式。