本實用新型屬于LED電源技術領域，尤其涉及一種雙管反激的單級PFC的LED電路，具體應用到較高的交流輸入電壓，較高的PF且低THD要求的LED電源。

背景技術：

現有的LED電源技術應用要么是輸入電壓在305V以下，要么是通過雙級PFC電路實現較高輸入電壓，從整機的成本，以及器件的應用選型，到整機的效率，產品的功率密度等都是一個比較傳統的技術，造成整機的成本高，以及器件的應用選型差及到整機的效率低。現用雙管單級PFC電路能較好的解決現有技術的不足。

技術實現要素：

本實用新型目的是提供一種電路結構簡單、器件耐壓通用，器件易選型，器件余量足，配合現有的單級PFC電路，實現高PFC低THD的一種LED電源電路,實現產品成本低，產品競爭能力強。

為了實現以上目的以及解決現有技術的不足之處，本實用新型通過以下技術方案得以實現

為了實現上述目的，本實用新型采用了如下技術方案：

一種雙管反激的單級PFC的LED電路，包括VCC供電電路、雙管反激電路和芯片IC1，所述雙管反激電路包括變壓器T2、二極管D4、電容C8、二極管D10和電容C17，所述變壓器T2包括初級側N1和兩個次級側N2和次級側N3，所述次級側N2并聯有穩壓二極管Z2和MOS 管Q3，所述MOS管Q3與VCC供電電路的輸出端電性連接，所述二極管D4分別與MOS管Q3和電容C8并聯，所述MOS管Q3通過電容C18與MOS管Q4串聯，所述次級側N3的右側并聯有穩壓二極管Z3，所述穩壓二極管Z3和MOS管Q4并聯，所述MOS管Q4分別與電容C17和二極管D10并聯，所述電容C17和二極管D10并聯，所述二極管D4與電容C17的輸出端連接，且所述二極管D4與電容C17連接于變壓器T1的第一初級側，所述電容C18也連接于變壓器T1的第一初級側，所述變壓器T1的次級側連接有二極管DS7、二極管DS6、電容CS11、電阻RS1和電阻RS2，所述二極管DS7和二極管DS6并聯，且二極管DS7和二極管DS6串接于電阻RS26和電阻RS27并聯電路，所述電阻RS26和電阻RS27并聯電路和電阻RS1和電阻RS2并聯電路串聯，所述MOS管Q3的N溝道分別連接于電阻R22和電阻R6，所述芯片IC1的腳通過電阻R17輸出到圖騰電路。

優選的，所述初級側N1上串聯有電阻R23。

優選的，所述圖騰電路包括NPN型三極管Q1和PNP型三極管Q2。

本實用新型提供的一種雙管反激的單級PFC的LED電路，與傳統的LED電路相比，本實用新型使用兩個MOS(雙管)串聯，較好的解決因為交流輸入電壓高，而造成MOS耐壓更高，選型難，供貨難，調貨難的困擾,因為可選用通用MOS，降低成本；本實用新型的電路應用在單級PFC電路里，還可解決高PF低THD的LED應用要求，達到電路簡單，成本低，功率密度高；本實用新型因為電路結構簡單，MOS耐壓低自然RDS小，損耗低，效率高，節省能源，延長產品壽 命，同時成本也低，降低了成本，一個高耐壓的MOS，遠遠高于兩個低壓的MOS。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。

請參照圖1，本實用新型采用了如下技術方案：

一種雙管反激的單級PFC的LED電路，包括VCC供電電路、雙管反激電路和芯片IC1，所述雙管反激電路包括變壓器T2、二極管D4、電容C8、二極管D10和電容C17，所述變壓器T2包括初級側N1和兩個次級側N2和次級側N3，所述初級側N1上串聯有電阻R23，所述次級側N2并聯有穩壓二極管Z2和MOS管Q3，所述MOS管Q3與VCC供電電路的輸出端電性連接，所述二極管D4分別與MOS管Q3和電容C8并聯，所述MOS管Q3通過電容C18與MOS管Q4串聯，所述次級側N3的右側并聯有穩壓二極管Z3，所述穩壓二極管Z3和MOS管Q4并聯，所述MOS管Q4分別與電容C17和二極管D10并聯，所述電容C17和二極管D10并聯，所述二極管D4與電容C17的輸出端連接，且所述二極管D4與電容C17連接于變壓器T1的第一初級側，所述電容C18也連接于變壓器T1的第一初級側，所述變壓器T1的次級側連接有二極管DS7、二極管DS6、電容CS11、電阻RS1和電阻RS2，所 述二極管DS7和二極管DS6并聯，且二極管DS7和二極管DS6串接于電阻RS26和電阻RS27并聯電路，所述電阻RS26和電阻RS27并聯電路和電阻RS1和電阻RS2并聯電路串聯，所述MOS管Q3的N溝道分別連接于電阻R22和電阻R6，所述芯片IC1的腳通過電阻R17輸出到圖騰電路，所述圖騰電路包括NPN型三極管Q1和PNP型三極管Q2。

本實用新型使用兩個MOS(雙管)串聯，較好的解決因為交流輸入電壓高，而造成MOS耐壓更高，選型難，供貨難，調貨難的困擾,因為可選用通用MOS，降低成本；本實用新型的電路應用在單級PFC電路里，還可解決高PF低THD的LED應用要求，達到電路簡單，成本低，功率密度高；本實用新型因為電路結構簡單，MOS耐壓低自然RDS小，損耗低，效率高，節省能源，延長產品壽命，同時成本也低，降低了成本，一個高耐壓的MOS，遠遠高于兩個低壓的MOS。

以上所述，僅為本實用新型較佳的具體實施方式，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內，根據本實用新型的技術方案及其實用新型構思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。