一種數(shù)字信號源芯片輸出信號軟啟動電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種數(shù)字信號源芯片輸出信號軟啟動電路，單片機、數(shù)字信號源芯片、以MosFET構成的軟啟動控制電路。本實用新型通過單片機、數(shù)字信號源芯片、軟啟動控制電路的組合，克服數(shù)字信號芯片輸出波形在生成信號和關斷信號時存在較長暫態(tài)過程的缺點，避免對后級電路的暫態(tài)沖擊。
【專利說明】
一種數(shù)字信號源芯片輸出信號軟啟動電路
技術領域
[0001]本實用新型涉及一種軟啟動電路，特別涉及一種數(shù)字信號源芯片輸出信號軟啟動電路。
【背景技術】
[0002]直接數(shù)字式合成(DDS)技術產(chǎn)生的波形輸出具有較寬的頻率范圍、相對較高的精度、較小的失真度、較快的轉換速度等諸多優(yōu)點。但是基于數(shù)字信號源技術生成的信號瞬間，電路的動態(tài)響應時間長，經(jīng)過后級功率放大器放大后對測試元件產(chǎn)生較大的沖擊電壓、過電流等現(xiàn)象，對測試設備的可靠工作產(chǎn)生嚴重危害。同時，磁芯元件的功耗對激勵波形較敏感，畸變的暫態(tài)波形會影響測試精度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了克服DDS芯片輸出信號瞬間的暫態(tài)過程和關斷延時過程，消除后級功率放大器出現(xiàn)的過電壓和過電流等暫態(tài)現(xiàn)象，本實用新型提供一種數(shù)字信號源芯片輸出信號軟啟動電路，通過單片機、數(shù)字信號源芯片、軟啟動控制電路的組合，實現(xiàn)輸出信號軟啟動，能有效克服數(shù)字信號源芯片輸出信號瞬間的暫態(tài)過程和關斷延時過程，使被測磁性元件獲得較好的激勵波形。
[0004]本實用新型為解決上述技術問題采用以下技術方案:
[0005]本實用新型提供一種數(shù)字信號源芯片輸出信號軟啟動電路，包括單片機、數(shù)字信號源芯片、軟啟動控制電路，其中，單片機與軟啟動控制電路連接，用以控制軟啟動控制電路的導通與關斷;數(shù)字信號源芯片的輸出與軟啟動控制電路連接，軟啟動控制電路與數(shù)字信號源芯片的公共端作為該軟啟動電路的輸出，向后級電路提供激勵信號。當軟啟動控制電路導通時，數(shù)字信號源芯片的輸出信號被軟啟動控制電路屏蔽；當軟啟動控制電路關斷時，數(shù)字信號源芯片的輸出信號通過軟啟動控制電路向后級電路輸出。
[0006]作為本實用新型的進一步優(yōu)化方案，單片機的控制端口與軟啟動控制電路連接，通過單片機控制端口輸出波形來控制軟啟動控制電路。
[0007]作為本實用新型的進一步優(yōu)化方案，單片機的1端口與數(shù)字信號源芯片連接，用以控制數(shù)字信號源芯片的輸出波形。
[0008]作為本實用新型的進一步優(yōu)化方案，軟啟動控制電路為MosFET，其中，單片機與MosFET的柵極連接，數(shù)字信號源芯片與MosFET的漏極連接，MosFET的源極接地。
[0009]作為本實用新型的進一步優(yōu)化方案，該電路還包括第一至第三電阻和一個電容，軟啟動控制電路為MosFET，其中，單片機通過第一電阻分別與MosFET的柵極、電容的一端連接，電容的另一端和MosFET的源極分別接地，MosFET的漏極分別與第二電阻的一端、第三電阻的一端連接，第二電阻的另一端與數(shù)字信號源芯片的輸出連接，第三電阻的另一端接地；MosFET的漏極、第二電阻、第三電阻的公共端作為該軟啟動電路的輸出，向后級電路提供激勵信號。
[0010]本實用新型采用以上技術方案與現(xiàn)有技術相比，具有以下技術效果:本實用新型可以得到穩(wěn)定的輸出信號，能有效克服數(shù)字信號源芯片輸出信號瞬間的暫態(tài)過程和關斷延時過程，克服暫態(tài)過程對后級電路的沖擊，使被測磁性元件獲得較好的激勵波形。
【附圖說明】

[0011]圖1是本實用新型的結構示意圖。
[0012]圖2是本實用新型的優(yōu)選實施例實現(xiàn)的數(shù)字信號源芯片輸出信號軟啟動電路。
[0013]圖3是沒有軟啟動功能時數(shù)字信號源芯片輸出信號啟動暫態(tài)波形。
[0014]圖4是沒有軟啟動功能時數(shù)字信號源芯片輸出信號關斷暫態(tài)波形。
[0015]圖5是有軟啟動功能時數(shù)字信號源芯片輸出信號啟動暫態(tài)波形。
[0016]圖6是有軟啟動功能時數(shù)字信號源芯片輸出信號關斷暫態(tài)波形。
【具體實施方式】
[0017]下面詳細描述本實用新型的實施方式，所述實施方式的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施方式是示例性的，僅用于解釋本實用新型，而不能解釋為對本實用新型的限制。
[0018]本技術領域技術人員可以理解的是，本實用新型中涉及到的相關模塊及其實現(xiàn)的功能是在改進后的硬件及其構成的裝置、器件或系統(tǒng)上搭載現(xiàn)有技術中常規(guī)的計算機軟件程序或有關協(xié)議就可實現(xiàn)，并非是對現(xiàn)有技術中的計算機軟件程序或有關協(xié)議進行改進。例如，改進后的計算機硬件系統(tǒng)依然可以通過裝載現(xiàn)有的軟件操作系統(tǒng)來實現(xiàn)該硬件系統(tǒng)的特定功能。因此，可以理解的是，本實用新型的創(chuàng)新之處在于對現(xiàn)有技術中硬件模塊的改進及其連接組合關系，而非僅僅是對硬件模塊中為實現(xiàn)有關功能而搭載的軟件或協(xié)議的改進。
[0019]本技術領域技術人員可以理解的是，本實用新型中提到的相關模塊是用于執(zhí)行本申請中所述操作、方法、流程中的步驟、措施、方案中的一項或多項的硬件設備。所述硬件設備可以為所需的目的而專門設計和制造，或者也可以采用通用計算機中的已知設備或已知的其他硬件設備。所述通用計算機有存儲在其內(nèi)的程序選擇性地激活或重構。
[0020]本技術領域技術人員可以理解，除非特意聲明，這里使用的單數(shù)形式“一”、“一個”、“所述”和“該”也可包括復數(shù)形式。應該進一步理解的是，本實用新型的說明書中使用的措辭“包括”是指存在所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組件，但是并不排除存在或添加一個或多個其他特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。應該理解，當我們稱元件被“連接”或“耦接”到另一元件時，它可以直接連接或耦接到其他元件，或者也可以存在中間元件。此外，這里使用的“連接”或“耦接”可以包括無線連接或耦接。這里使用的措辭“和/或”包括一個或更多個相關聯(lián)的列出項的任一單元和全部組合。
[0021]本技術領域技術人員可以理解，除非另外定義，這里使用的所有術語(包括技術術語和科學術語)具有與本實用新型所屬領域中的普通技術人員的一般理解相同的意義。還應該理解的是，諸如通用字典中定義的那些術語應該被理解為具有與現(xiàn)有技術的上下文中的意義一致的意義，并且除非像這里一樣定義，不會用理想化或過于正式的含義來解釋。
[0022]下面結合附圖對本實用新型的技術方案做進一步的詳細說明:
[0023]為了克服DDS芯片輸出信號瞬間的暫態(tài)過程和關斷延時過程，消除后級功率放大器出現(xiàn)的過電壓和過電流等暫態(tài)現(xiàn)象，本實用新型提出了一種數(shù)字信號源芯片輸出信號軟啟動電路，如圖1所示，包括單片機、數(shù)字信號源芯片、軟啟動控制電路，其中，單片機與軟啟動控制電路連接，用以控制軟啟動控制電路的導通與關斷;數(shù)字信號源芯片的輸出與軟啟動控制電路連接，當軟啟動控制電路導通時，數(shù)字信號源芯片的輸出信號被軟啟動控制電路屏蔽；當軟啟動控制電路關斷時，數(shù)字信號源芯片的輸出信號通過軟啟動控制電路向后級電路輸出。單片機的控制端口與軟啟動控制電路連接，通過單片機控制端口輸出波形來控制軟啟動控制電路;單片機的1端口與數(shù)字信號源芯片連接，用以控制數(shù)字信號源芯片的輸出波形。
[0024]本實用新型中，單片機首先將控制指令寫入數(shù)字信號源芯片產(chǎn)生所需的激勵信號，同時打開軟啟動控制電路，此時模塊沒有信號輸出。延時一定的暫態(tài)時間后，關閉軟啟動控制電路，此時模塊輸出期望的信號波形。
[0025]本實用新型具體實施例如下:單片機的型號為STC89C52、數(shù)字信號源芯片的型號為AD9834，軟啟動控制電路為2N7002型號的N溝道MosFET。如圖2所示，單片機的控制端口P0.0通過電阻Rl分別與MosFET的柵極G、電容Cl的一端連接，電容Cl的另一端和MosFET的源極S分別接地，MosFET的漏極D分別與電阻R2的一端、電阻R3的一端連接，電阻R2的另一端與數(shù)字信號源芯片的輸出連接，電阻R3的另一端接地;MosFET的漏極D、電阻R2、電阻R3的公共端作為該軟啟動電路的輸出，向后級電路輸出信號。
[0026]如圖2所示，Ql是MosFET管2N7002，Q1的漏極接在AD9834輸出端口與后級信號之間。Ql管的導通與關斷由單片機控制端口 P0.0控制，當P0.0置高電平，Ql管導通，屏蔽AD9834的輸出信號；當需要信號發(fā)生模塊輸出信號時，P0.0置低電平，Ql管關閉，可以將AD9834的輸出信號提供給后級電路。在整個自動測試流程中，通過軟啟動電路引入適當?shù)难訒r環(huán)節(jié)，給數(shù)字信號源芯片和濾波電路提供充分的響應時間，從而避免信號生成瞬間的暫態(tài)響應過程和關斷過程的信號衰減過程。
[0027]如果沒有軟啟動電路，直接由數(shù)字信號源芯片為后級電路提供信號。圖3示出了信號輸出模塊由O V生成正弦波開通過程波形圖；圖4示出了正弦波輸出信號變化為O V的關斷過程波形圖。實驗結果表明，直接由數(shù)字信號源芯片產(chǎn)生輸出信號和關斷信號時，存在明顯的啟動沖擊過電壓，同時關斷過程非常漫長，不利于后級電路的測試。這樣的暫態(tài)信號經(jīng)后級功率放大電路放大后，對設備存在較嚴重的危害。
[0028]通過引入軟啟動電路，圖5示出了信號輸出模塊由OV生成正弦波開通過程波形圖；圖6示出了正弦波輸出信號變化為O V的關斷過程波形圖。與圖3、圖4相比，實驗結果表明，當信號源產(chǎn)生輸出信號和關斷信號時，沒有產(chǎn)生啟動沖擊過電壓，同時關斷過程非常迅速。
[0029]以上所述，僅為本實用新型中的【具體實施方式】，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉該技術的人在本實用新型所揭露的技術范圍內(nèi)，可理解想到的變換或替換，都應涵蓋在本實用新型的包含范圍之內(nèi)，因此，本實用新型的保護范圍應該以權利要求書的保護范圍為準。
【主權項】
1.一種數(shù)字信號源芯片輸出信號軟啟動電路，其特征在于，包括單片機、數(shù)字信號源芯片、軟啟動控制電路，其中，單片機與軟啟動控制電路連接，用以控制軟啟動控制電路的導通與關斷;數(shù)字信號源芯片的輸出與軟啟動控制電路連接，軟啟動控制電路與數(shù)字信號源芯片的公共端作為該軟啟動電路的輸出，向后級電路提供激勵信號。2.根據(jù)權利要求1所述的一種數(shù)字信號源芯片輸出信號軟啟動電路，其特征在于，單片機的控制端口與軟啟動控制電路連接，通過單片機控制端口輸出波形來控制軟啟動控制電路。3.根據(jù)權利要求1所述的一種數(shù)字信號源芯片輸出信號軟啟動電路，其特征在于，單片機的1端口與數(shù)字信號源芯片連接，用以控制數(shù)字信號源芯片的輸出波形。4.根據(jù)權利要求1所述的一種數(shù)字信號源芯片輸出信號軟啟動電路，其特征在于，軟啟動控制電路為MosFET，其中，單片機與MosFET的柵極連接，數(shù)字信號源芯片與MosFET的漏極連接，MosFET的源極接地。5.根據(jù)權利要求1所述的一種數(shù)字信號源芯片輸出信號軟啟動電路，其特征在于，該電路還包括第一至第三電阻和一個電容，軟啟動控制電路為MosFET，其中，單片機通過第一電阻分別與MosFET的柵極、電容的一端連接，電容的另一端和MosFET的源極分別接地，MosFET的漏極分別與第二電阻的一端、第三電阻的一端連接，第二電阻的另一端與數(shù)字信號源芯片的輸出連接，第三電阻的另一端接地;MosFET的漏極、第二電阻、第三電阻的公共端作為該軟啟動電路的輸出，向后級電路提供激勵信號。
【文檔編號】H03K17/687GK205693643SQ201620595926
【公開日】2016年11月16日
【申請日】2016年6月17日 公開號201620595926.4, CN 201620595926, CN 205693643 U, CN 205693643U, CN-U-205693643, CN201620595926, CN201620595926.4, CN205693643 U, CN205693643U
【發(fā)明人】周巖, 陳麒米
【申請人】南京郵電大學