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基于電壓非線性元件的過電壓檢測及開關電路的制作方法

文檔序號:12517287閱讀:來源:國知局

技術特征:

1.一種基于電壓非線性元件的過電壓檢測及開關電路,其特征在于,包括半導體開關元件、電壓敏感元件、第一電阻器、第二電阻器、穩壓二極管、電容器和開關;第二電阻器、穩壓二極管和電容器并聯連接,對應穩壓二極管的陰極的并聯端與半導體開關元件的門極或柵極連接,對應穩壓二極管的陽極的并聯端與半導體開關元件陰極或源極連接;第一電阻器與電壓敏感元件串聯連接,串聯的一端與開關一端連接,串聯的另一端與半導體開關元件的門極或柵極連接;負載一端與開關一端連接,負載的另一端與半導體開關元件的陽極或漏極連接;開關的另一端及半導體開關元件的陰極或源極與分別與電源兩端連接;所述電壓敏感元件為壓敏電阻或雙向瞬態抑制器;所述半導體開關元件為單向可控硅、N溝道場效應管或雙向可控硅。

2.根據權利要求1所述的基于電壓非線性元件的過電壓檢測及開關電路,其特征在于,第一電阻器為限流電阻,選擇的阻值將流過壓敏電阻的導通電流限制在mA數量級范圍以內;當壓敏電阻導通電流達到0.1mA時,第二電阻器上的電壓觸發單向可控硅。

3.根據權利要求1所述的基于電壓非線性元件的過電壓檢測及開關電路,其特征在于,所述電源端連接交流電源或直流電源。

4.根據權利要求1所述的基于電壓非線性元件的過電壓檢測及開關電路,其特征在于,所述單向可控硅的耐壓大于所連接的直流電源電壓的兩倍或交流電源電壓峰值的兩倍。

5.根據權利要求4所述的基于電壓非線性元件的過電壓檢測及開關電路,其特征在于,所述單向可控硅的耐壓參數為800V。

6.根據權利要求1所述的基于電壓非線性元件的過電壓檢測及開關電路,其特征在于,所述穩壓二極管采用電壓參數為2.5V的穩壓二極管。

7.根據權利要求1所述的基于電壓非線性元件的過電壓檢測及開關電路,其特征在于,所述電容器采用0.1~0.5微法電容器。

8.根據權利要求7所述的基于電壓非線性元件的過電壓檢測及開關電路,其特征在于,所述電容器采用0.22微法電容器。

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