本申請(qǐng)涉及顯示，特別是涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板。

背景技術(shù)：

1、隨著科技的不斷發(fā)展，具有高圖像分辨率的高精細(xì)面板要求成為了行業(yè)發(fā)展的趨勢(shì)，這就要求顯示面板中的薄膜晶體管具有更高的性能和更高的可靠性，傳統(tǒng)的薄膜晶體管存在較高的膜內(nèi)缺陷問題，導(dǎo)致性能和可靠性不佳，從而無法滿足高精細(xì)面板的驅(qū)動(dòng)需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，有必要針對(duì)上述技術(shù)問題，提供一種能夠提升薄膜晶體管的性能和可靠性的薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示面板。

2、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N薄膜晶體管，包括依次層疊設(shè)置的第一有源層、柵極和源漏極層，所述柵極分別與所述第一有源層、所述源漏極層絕緣設(shè)置；

3、所述第一有源層包括第一溝道區(qū)，所述第一溝道區(qū)的制備材料中銦元素占比大于50%。

4、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一溝道區(qū)的制備材料至少包括氧化銦、銦鎵氧化物、銦鋅氧化物、銦錫氧化物中的任意一者；

5、可選地，所述第一溝道區(qū)的制備材料中銦元素占比大于70%。

6、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一溝道區(qū)的金屬-氧鍵的占比大于50%；和/或，

7、所述第一溝道區(qū)的金屬-氧鍵的鍵能的取值范圍為524.5ev-534.5ev；

8、可選地，所述第一溝道區(qū)的金屬-氧鍵的占比大于70%。

9、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一溝道區(qū)的氧空缺的占比小于30%；和/或，

10、所述第一溝道區(qū)的氧空缺的鍵能的取值范圍為526ev-536ev；

11、可選地，所述第一溝道區(qū)的氧空缺的占比小于20%。

12、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一溝道區(qū)的氫氧鍵的占比小于20%；和/或，

13、所述第一溝道區(qū)的氫氧鍵的鍵能的取值范圍為527ev-537ev；

14、可選地，所述第一溝道區(qū)的氫氧鍵的占比小于5%。

15、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一溝道區(qū)包括結(jié)晶氧化物材料層。

16、在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括第二有源層；

17、所述第二有源層設(shè)于所述第一有源層朝向所述源漏極層的一側(cè)表面，和/或，所述第二有源層設(shè)于所述第一有源層背離所述源漏極層的一側(cè)表面；

18、可選地，所述第二有源層包括第二溝道區(qū)，所述第二溝道區(qū)設(shè)于所述第一溝道區(qū)朝向所述源漏極層的一側(cè)，和/或，所述第二溝道區(qū)設(shè)于所述第一溝道區(qū)背離所述源漏極層的一側(cè)；

19、可選地，所述第二溝道區(qū)的制備材料至少包括銦鎵鋅氧化物和摻鎵氧化鋅中的任意一者；

20、可選地，所述第一溝道區(qū)的載流子遷移率大于所述第二溝道區(qū)的載流子遷移率；

21、可選地，所述第二有源層的厚度小于等于200?。

22、第二方面，本申請(qǐng)還提供一種陣列基板，包括第一方面中任一實(shí)施例所述的薄膜晶體管。

23、第三方面，本申請(qǐng)還提供一種薄膜晶體管的制備方法，包括：

24、提供襯底基板；

25、在所述襯底基板的一側(cè)形成第一有源膜；

26、高溫退火所述第一有源膜并圖案化，以形成所述薄膜晶體管的第一有源層；所述第一有源層包括第一溝道區(qū)，所述第一溝道區(qū)的制備材料中銦元素占比大于50%；

27、在所述第一有源層背離所述襯底基板的一側(cè)制備絕緣層，并在所述絕緣層背離所述第一有源層的一側(cè)制備第二金屬層，圖案化所述第二金屬層以形成所述薄膜晶體管的源漏極層。

28、在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述提供襯底基板之后還包括：在所述襯底基板的一側(cè)形成第一金屬層，圖案化所述第一金屬層以形成所述薄膜晶體管的柵極；

29、在所述提供襯底基板之后還包括：在所述襯底基板的一側(cè)形成第二有源膜；高溫退火所述第二有源膜并圖案化，以形成所述薄膜晶體管的第二有源層；所述第二有源層包括第二溝道區(qū)。

30、上述本申請(qǐng)?zhí)峁┑谋∧ぞw管及其制備方法、陣列基板和顯示面板中，設(shè)置薄膜晶體管包括依次層疊設(shè)置的第一有源層、柵極和源漏極層，且第一有源層中至少包括第一溝道區(qū)，進(jìn)而設(shè)置第一溝道區(qū)的制備材料中包括銦元素，且設(shè)置銦元素在制備材料中的占比大于50%，以保證第一溝道區(qū)中包括占比較多的銦元素，從而有利于提升第一溝道區(qū)的載流子遷移率，進(jìn)而有利于提升包括第一有源層的薄膜晶體管的導(dǎo)電性能和可靠性，使得薄膜晶體管可以滿足高精細(xì)面板的驅(qū)動(dòng)要求，以提高相關(guān)顯示面板的分辨率。

技術(shù)特征：

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括依次層疊設(shè)置的第一有源層、柵極和源漏極層，所述柵極分別與所述第一有源層、所述源漏極層絕緣設(shè)置；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括第二有源層；

8.一種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。

9.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域；薄膜晶體管包括依次層疊設(shè)置的第一有源層、柵極和源漏極層，柵極分別與第一有源層、源漏極層絕緣設(shè)置；第一有源層包括第一溝道區(qū)，第一溝道區(qū)的制備材料中銦元素占比大于50%，以保證第一溝道區(qū)中包括占比較多的銦元素，從而有利于提升第一溝道區(qū)的遷移率，進(jìn)而有利于提升包括第一有源層的薄膜晶體管的導(dǎo)電性能和可靠性，使得薄膜晶體管可以滿足高精細(xì)面板的驅(qū)動(dòng)要求，以提高相關(guān)顯示面板的分辨率。

技術(shù)研發(fā)人員：陳發(fā)祥,徐琳,張旭陽(yáng),晏國(guó)文,郭子棟,馬應(yīng)海
受保護(hù)的技術(shù)使用者：昆山國(guó)顯光電有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/24