本技術(shù)涉及電聲轉(zhuǎn)換,尤其涉及一種揚(yáng)聲器。
背景技術(shù):
1、現(xiàn)有電子設(shè)備的揚(yáng)聲器通常只設(shè)有一個(gè)音膜,該音膜隨音圈一起振動(dòng)時(shí),由于非線性導(dǎo)致滾振問題,從而產(chǎn)生失真及雜音問題。同時(shí),裝配單音膜揚(yáng)聲器的電子設(shè)備存在通話隱私性較差的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、有鑒于此,本實(shí)用新型的目的在于提供一種揚(yáng)聲器,通過在音圈的上下兩側(cè)分別設(shè)有第一音膜和第二音膜,以避免滾振并優(yōu)化bl曲線,并且有助于實(shí)現(xiàn)保護(hù)電子設(shè)備通話隱私。
2、本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種揚(yáng)聲器,包括:磁路部件,磁路部件包括中心磁路和邊磁磁路,邊磁磁路包圍形成有腔體,中心磁路焊接于邊磁磁路上并且位于所述腔體內(nèi),中心磁路與邊磁磁路之間形成有磁間隙;振動(dòng)部件,振動(dòng)部件包括第一音膜、第二音膜和音圈,第一音膜和第二音膜固定設(shè)置于邊磁磁路上,第一音膜位于中心磁路的上方,第二音膜位于中心磁路的下方,音圈懸置于磁間隙中,音圈包括上部和下部,上部與第一音膜固定連接,下部與第二音膜固定連接,上部沿第一方向繞線,下部沿第二方向繞線或者設(shè)置為固定件;以及接電件,接電件設(shè)置于邊磁磁路上,并與音圈電連接。
3、在一些實(shí)施方式中,上部沿第一方向繞線,下部沿第二方向繞線,上部的匝數(shù)大于或等于下部的匝數(shù)。
4、在一些實(shí)施方式中,邊磁磁路包括:第一導(dǎo)磁架,第一導(dǎo)磁架環(huán)繞設(shè)置于中心磁路外側(cè);以及第二導(dǎo)磁架,第二導(dǎo)磁架連接至中心磁路和第一導(dǎo)磁架的頂部。
5、在一些實(shí)施方式中,第一音膜設(shè)置于第一導(dǎo)磁架和第二導(dǎo)磁架之間;第二音膜設(shè)置于第一導(dǎo)磁架的底部。
6、在一些實(shí)施方式中,第二導(dǎo)磁架包括:中心部,中心部與中心磁路的頂部連接;第二邊緣部,第二邊緣部位于中心部的外側(cè)并且與第一導(dǎo)磁架的頂部連接;以及第二連接部,第二連接部連接中心部和第二邊緣部。
7、在一些實(shí)施方式中,第二連接部的厚度小于中心部和第二邊緣部,第二連接部的上表面與中心部和第二邊緣部的上表面齊平。
8、在一些實(shí)施方式中,第一導(dǎo)磁架包括:環(huán)繞部,環(huán)繞部環(huán)繞設(shè)置于中心磁路的外側(cè);第一邊緣部,第一邊緣部位于環(huán)繞部的外側(cè)并且與第二邊緣部連接;以及第一連接部,第一連接部連接環(huán)繞部和第一邊緣部。
9、在一些實(shí)施方式中,第一邊緣部上部分凸起形成有第一對(duì)接部;第二邊緣部上部分凹陷形成有第二對(duì)接部,第二對(duì)接部與第一對(duì)接部固定連接。
10、在一些實(shí)施方式中,第一連接部和第二連接部的位置相互匹配。
11、在一些實(shí)施方式中,環(huán)繞部上部分凹陷形成有漏槽。
12、在一些實(shí)施方式中,第一邊緣部上部分凸起形成有安裝部;第一音膜的部分區(qū)域設(shè)置于安裝部和第二導(dǎo)磁架之間。
13、在一些實(shí)施方式中,環(huán)繞部的厚度小于第一邊緣部;第一連接部的厚度小于環(huán)繞部。
14、在一些實(shí)施方式中,第一邊緣部和第二邊緣部之間形成有透氣孔。
15、在一些實(shí)施方式中,中心磁路包括:磁體;上頂片,上頂片設(shè)置于磁體的頂部,并與第二導(dǎo)磁架固定連接;以及下頂片,下頂片設(shè)置于磁體的底部。
16、在一些實(shí)施方式中,上頂片包括:主體部,主體部連接磁體;以及凸起部,凸起部由主體部的頂部向上凸起,并且與第二導(dǎo)磁架固定連接。
17、在一些實(shí)施方式中,第一音膜包括:第一內(nèi)環(huán)部,第一內(nèi)環(huán)部固定連接音圈的頂部;第一折環(huán)部,第一折環(huán)部位于第一內(nèi)環(huán)部外側(cè)并且朝向下方拱起;以及第一外環(huán)部,第一外環(huán)部位于第一折環(huán)部外側(cè)并且固定于第一導(dǎo)磁架和第二導(dǎo)磁架之間。
18、在一些實(shí)施方式中,第二音膜包括:第二內(nèi)環(huán)部,第二內(nèi)環(huán)部固定連接音圈的底部;第二折環(huán)部,第二折環(huán)部位于第二內(nèi)環(huán)部外側(cè)并且朝向上方拱起;以及第二外環(huán)部,第二外環(huán)部位于第二折環(huán)部外側(cè)并且固定于第一導(dǎo)磁架的底部。
19、在一些實(shí)施方式中,振動(dòng)部件還包括:彈波,彈波的外邊緣通過第一音膜與音圈連接,彈波的內(nèi)邊緣設(shè)置于中心磁路上。
20、在一些實(shí)施方式中,彈波包括:第三內(nèi)環(huán)部,第三內(nèi)環(huán)部與中心磁路固定連接;第三折環(huán)部,第三折環(huán)部位于第三內(nèi)環(huán)部外側(cè)并且朝向上方拱起;以及第三外環(huán)部,第三外環(huán)部位于第三折環(huán)部外側(cè)并且通過第一音膜與音圈連接。
21、本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種揚(yáng)聲器,揚(yáng)聲器包括磁路部件、振動(dòng)部件和接電件,磁路部件包括用于形成磁間隙的中心磁路和邊磁磁路,振動(dòng)部件包括懸置于磁間隙中的音圈以及固定于邊磁磁路上的第一音膜和第二音膜,第一音膜位于中心磁路上方,第二音膜位于中心磁路下方,音圈包括上部和下部,上部連接第一音膜并且沿第一方向繞線,下部連接第二音膜并且沿第第二方向繞線或者設(shè)置為固定件,接電件設(shè)置于邊磁磁路上并與音圈電連接。由此,揚(yáng)聲器解決了音膜滾振的問題,同時(shí)由于音圈處于磁路的絕對(duì)中心使得bl曲線的對(duì)稱性和平坦性更好,并且有助于使電子設(shè)備達(dá)到保護(hù)通話隱私的目的。
1.一種揚(yáng)聲器,其特征在于,所述揚(yáng)聲器包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器,其特征在于,所述上部(231)沿第一方向繞線,所述下部(232)沿第二方向繞線,所述上部(231)的匝數(shù)大于或等于所述下部(232)的匝數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器,其特征在于,所述邊磁磁路(12)包括:
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的揚(yáng)聲器,其特征在于,所述第一音膜(21)設(shè)置于所述第一導(dǎo)磁架(121)和所述第二導(dǎo)磁架(122)之間;
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的揚(yáng)聲器,其特征在于,所述第二導(dǎo)磁架(122)包括:
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的揚(yáng)聲器,其特征在于,所述第二連接部(1223)的厚度小于所述中心部(1221)和所述第二邊緣部(1222),所述第二連接部(1223)的上表面與所述中心部(1221)和所述第二邊緣部(1222)的上表面齊平。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的揚(yáng)聲器,其特征在于,所述第一導(dǎo)磁架(121)包括:
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的揚(yáng)聲器,其特征在于,所述第一邊緣部(1212)上部分凸起形成有第一對(duì)接部(1214);
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的揚(yáng)聲器,其特征在于,所述第一連接部(1213)和所述第二連接部(1223)的位置相互匹配。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的揚(yáng)聲器,其特征在于,所述環(huán)繞部(1211)上部分凹陷形成有漏槽(1215)。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的揚(yáng)聲器,其特征在于,所述第一邊緣部(1212)上部分凸起形成有安裝部(1216);
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的揚(yáng)聲器,其特征在于,所述環(huán)繞部(1211)的厚度小于所述第一邊緣部(1212);
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的揚(yáng)聲器,其特征在于,所述第一邊緣部(1212)和所述第二邊緣部(1222)之間形成有透氣孔(15)。
14.根據(jù)權(quán)利要求3所述的揚(yáng)聲器,其特征在于,所述中心磁路(11)包括:
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的揚(yáng)聲器,其特征在于,所述上頂片(112)包括:
16.根據(jù)權(quán)利要求4所述的揚(yáng)聲器,其特征在于,所述第一音膜(21)包括:
17.根據(jù)權(quán)利要求4所述的揚(yáng)聲器,其特征在于,所述第二音膜(22)包括:
18.根據(jù)權(quán)利要求4所述的揚(yáng)聲器,其特征在于,所述振動(dòng)部件(2)還包括:
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的揚(yáng)聲器,其特征在于,所述彈波(24)包括: