專利名稱：具有有紋理的內(nèi)表面的處理室部件和制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及用于處理襯底的處理室。
背景技術(shù)：
處理室能夠在激發(fā)的處理氣體中處理襯底。處理室包括圍繞可以引入處理氣體到其中的處理區(qū)域的圍壁、激發(fā)處理氣體的氣體激發(fā)器和釋放處理氣體的排氣裝置。圍壁一般是光滑的，以便于圍壁的后處理清潔。舉例來說，處理室可以用于在襯底上沉積材料，或者，例如通過在對(duì)襯底進(jìn)行隨后的沉積處理之前濺蝕襯底表面來從襯底上蝕刻材料。例如，濺蝕處理可以在金屬沉積步驟之前從金屬層表面去除天然氧化層，以便被沉積的金屬能夠與襯底的底層金屬層構(gòu)成良好的電接觸。
在這樣的襯底濺射清潔中，從襯底上被蝕刻的材料經(jīng)常會(huì)在襯底上再沉積而不是沉積在室內(nèi)其他表面上。并且，例如，由于圍壁溫度升高引起熱膨脹失配應(yīng)力，該應(yīng)力造成沉積物從壁上剝落，沉積在圍壁上的從襯底上蝕刻的材料會(huì)剝落進(jìn)入處理區(qū)域，落在襯底上并污染襯底。另外，當(dāng)圍壁被抽空到低真空壓力時(shí)，留存在圍壁中的揮發(fā)性材料會(huì)發(fā)生除氣作用。這些材料還會(huì)造成更低的襯底產(chǎn)量。
因而，人們希望有一種處理室，例如這種處理室能夠通過濺蝕襯底來處理襯底，同時(shí)能夠減少在襯底上的再沉積或者對(duì)襯底的污染。人們還希望將從處理室圍壁的除氣作用減到最小。

發(fā)明內(nèi)容
一種用于等離子處理室的穹形圍壁包括介電材料，其包括具有平均粗糙度從約150到約450微英寸的粗糙化表面；和沉積在所述介電材料的所述粗糙化表面上的等離子噴涂陶瓷涂層，所述等離子噴涂陶瓷涂層包括具有負(fù)平均偏度值粗糙度的有紋理的外露表面，由此，在等離子處理室中由等離子體產(chǎn)生的濺射材料可以附著在所述有紋理的外露表面上。
一種襯底處理裝置包括包含穹形圍壁的室，所述穹形圍壁包括(i)具有平均粗糙度從約150到約450微英寸的粗糙化表面的介電材料，和(ii)沉積在所述介電材料的所述粗糙化表面上的等離子噴涂陶瓷涂層，所述等離子噴涂陶瓷涂層包括具有負(fù)平均偏度值粗糙度的有紋理的外露表面；所述室內(nèi)的襯底支撐物；向所述室內(nèi)提供處理氣體的氣體供給裝置；在所述室內(nèi)形成用于處理所述襯底的所述處理氣體的等離子體的等離子發(fā)生器；和排放所述處理氣體的排氣管道，由此，在所述室中由等離子體產(chǎn)生的濺射材料可以附著在所述有紋理的外露表面上。
一種制造等離子處理室的穹形圍壁的方法包括，提供穹形介電預(yù)制件；粗糙化所述介電預(yù)制件的表面，以形成具有平均粗糙度從約150到約450微英寸的粗糙化表面；以及在所述介電預(yù)制件的所述粗糙化表面上沉積等離子噴涂陶瓷涂層，以使所述等離子噴涂陶瓷涂層包含具有負(fù)平均偏度值粗糙度的有紋理的外露表面。


參照下面的描述、所附的權(quán)利要求以及說明本發(fā)明例子的附圖，將更好地理解本發(fā)明的這些特征、方面和優(yōu)點(diǎn)。但是，應(yīng)該理解每個(gè)特征可以被一般地用于此發(fā)明，而不是僅僅用在具體附圖所示的范圍，且本發(fā)明包括這些特征的任何的組合，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的處理室；圖2是具有負(fù)偏度表面粗糙度的有紋理的外露表面的部件的橫截面局部視圖，示出了濺射粒子在有紋理的外露表面上的附著；圖3a是被粗糙化的部件表面的橫截面視圖；圖3b是圖3a的部件的表面經(jīng)過粗糙化之后，當(dāng)?shù)入x子噴涂涂層被涂敷于其上時(shí)的橫截面視圖；圖3c是圖3b的部件的最終有紋理的外露表面的橫截面視圖；圖4是處理室控制器的實(shí)施例的示意圖；
圖5是計(jì)算機(jī)程序代碼的實(shí)施例的示意圖；圖6是在部件的粗糙化表面上沉積涂層材料的等離子噴槍的橫截面視圖；圖7是在不同粒子尺寸范圍內(nèi)，對(duì)于傳統(tǒng)表面和根據(jù)本發(fā)明的有紋理的表面，每襯底再沉積粒子的標(biāo)準(zhǔn)化數(shù)量的比較直方圖；以及圖8是對(duì)于傳統(tǒng)表面和根據(jù)本發(fā)明的有紋理的表面，處理室的每襯底再沉積粒子的標(biāo)準(zhǔn)化數(shù)量的比較直方圖。
具體實(shí)施例方式
處理室100可以用于多種不同類型的襯底處理，包括例如沉積和蝕刻處理，其實(shí)施例如圖1所示。舉例來說，在處理室100中，氣體可以被激發(fā)，通過用離子和中性粒子轟擊襯底來濺蝕襯底110的材料，例如來為后續(xù)除了清潔和準(zhǔn)備襯底110的表面。當(dāng)氣體粒子轟擊襯底110時(shí)，襯底材料從襯底110上被濺蝕下來，來提供理想的襯底表面。襯底110可以包括含有半導(dǎo)體層、介電層或?qū)щ婓w層的晶片。半導(dǎo)體層可以包括含硅材料，例如元素硅或者硅化合物。介電層可以包括二氧化硅、無摻雜硅玻璃、磷硅酸鹽玻璃(PSG)、硼磷酸鹽玻璃(BPSG)、Si3N4或正硅酸乙酯(TEOS)沉積玻璃。導(dǎo)電體層可以包括鋁、硅化鎢銅(copper tungstensilicide)以及硅化鈷(cobalt silicide)。襯底110可以在進(jìn)行沉積步驟，例如金屬沉積步驟之前，先經(jīng)過濺蝕清潔步驟。在一個(gè)實(shí)施例中，處理室100清潔在底層金屬層(未示出)上由于氧化所產(chǎn)生的天然氧化層(未示出)，以便隨后的金屬沉積步驟能夠沉積出與底層金屬層有良好電接觸的金屬層。
處理室100的部分或者全部可以用金屬或者陶瓷材料制造。可以用來制造處理室100的金屬包括鋁、陽極化鋁、“HAYNES 242”、“Al-6061”、“SS 304”、“SS 316”和INCONEL，其中陽極化鋁有時(shí)是優(yōu)選的。適合的陶瓷材料包括石英或者礬土。例如，在一個(gè)方案中，處理室100包括用基本上可透過射頻(RF)波長的陶瓷材料，例如石英，制造的圍壁120。圍壁120可以作為處理室100的側(cè)壁130、底壁135或室頂140，或者可以成為內(nèi)壁，例如安置在與側(cè)壁130或室頂140相鄰的襯板(未示出)。圍壁120可以被成形為穹形，以作為鐘罩型的圍壁，它是相對(duì)于處理室100的側(cè)壁130和底壁135的獨(dú)立的結(jié)構(gòu)。穹形圍壁120可以是圓柱形穹頂、半球形穹頂或者其他單一或多種半徑拱形的穹頂，優(yōu)選地作為整體結(jié)構(gòu)被制造。
處理室100包含在處理室100中支撐襯底110的襯底支撐物160。支撐物160可以包含被介電層170覆蓋且具有襯底承受表面180的電極200。電極電源240為電極200提供例如射頻偏壓的直流或者交流偏壓來激發(fā)氣體。電極200下面是例如石英板的電介質(zhì)板190，以將電極200與室110的其他壁120電絕緣，一些壁120可能是電接地或電位浮動(dòng)的，或者可能是其他相對(duì)于電極200有電偏差的。電偏壓電極200通過激發(fā)和加速向襯底110濺射的離子來蝕刻襯底110。導(dǎo)電的壁120中至少一部分優(yōu)選接地，以便在襯底110上可以維持相對(duì)于接地或浮動(dòng)的圍壁120的負(fù)電壓。可選地，支撐物160也可以包括能夠?qū)⒁r底110靜電吸持到支撐物160上的靜電卡盤(未示出)，或者可以施加給電極200以產(chǎn)生靜電吸引力的直流電壓。
電極200也可以包含一個(gè)或多個(gè)從中延伸穿過的導(dǎo)管(未示出)，例如用于從傳熱氣體供給裝置(未示出)向表面180供應(yīng)傳熱氣體的氣體導(dǎo)管(未示出)。傳熱氣體，一般是氦氣，促進(jìn)襯底110和支撐物160之間的熱傳遞。其他導(dǎo)管(未示出)允許起模針(未示出)穿過電極200，通過提高機(jī)構(gòu)(未示出)裝卸襯底110。處理室100還可以包括支撐物提高機(jī)構(gòu)162，以在處理室100中升起或降下支撐物160，來改善或改變襯底110的處理的性質(zhì)。
處理室100的壁120也可以作為氣體護(hù)罩150，將處理室100的一部分與激發(fā)的處理氣體隔開。例如，氣體護(hù)罩150可以基本上將下室壁155與處理氣體隔開。氣體護(hù)罩150也接受和收集來自襯底110的濺射材料。氣體護(hù)罩150可以被吊掛在處理室100中，它包括環(huán)孔(annular ring)390，當(dāng)支撐物160在處理室100中向下縮回時(shí)，可以在環(huán)孔390上吊掛壓緊環(huán)(未示出)或準(zhǔn)直儀(未示出)于支撐物160之上。在一個(gè)實(shí)施例中，氣體護(hù)罩150由鋁制成，外覆氧化鋁薄層。處理室100還包括電磁屏蔽罩152來防止處理室100外部的電場(chǎng)或磁場(chǎng)干擾處理室100的操作。電磁屏蔽罩152包括適合于提供電或磁屏蔽的材料，例如導(dǎo)電或磁性合金。
處理室100還包括氣體供給裝置260，向處理室100內(nèi)分配處理氣體，和排氣裝置270，從處理室100排放處理氣體。在濺蝕中，處理氣體包括與襯底材料不發(fā)生化學(xué)作用的惰性氣體，例如氬或氙。氣體供給裝置260可以包括處理氣體供給裝置280來提供處理氣體，并包括一個(gè)或多個(gè)氣體導(dǎo)管262，引導(dǎo)處理氣體通過氣體入口263進(jìn)入處理室100，在一個(gè)實(shí)施例中，這些氣體入口被環(huán)繞安置在襯底110的外圍來在襯底110附近引入處理氣體。例如，氣體供給裝置260可以包括約1個(gè)到約10個(gè)氣體入口。可選擇地，氣體供給裝置260還可以包括氣管蓋(gas trench cover)264來向處理室100均勻地分配處理氣體的氣流。氣管蓋264可以涂敷保護(hù)涂層。氣體入口263位于氣管蓋264中，以提供處理室100中的處理氣體的均勻分散。
處理室100還包括一個(gè)或多個(gè)大流量控制器(未示出)來控制進(jìn)入處理室100的處理氣體氣流。排氣裝置270可以包括接受用過的處理氣體的抽氣通道(未示出)、控制處理室100內(nèi)處理氣體壓力的節(jié)流閥(未示出)以及一個(gè)或多個(gè)排氣泵(未示出)。例如，排氣泵可以包括機(jī)械泵或者渦輪泵，例如350 l/s Leybold渦輪泵。排氣裝置270還可以包含用于減少處理氣體中的非期望氣體的系統(tǒng)。
一般是先將處理室100抽到至少約10-7托，然后在向處理室100回填氬氣至幾毫托壓力，這樣得到處理室100中的氣體組分和壓力。在這些氣體壓力下，支撐物160會(huì)在處理室100中被向上提高。在一個(gè)實(shí)施例中，處理室100包括一個(gè)旋鈕(未示出)，可以被操作員旋轉(zhuǎn)來調(diào)整處理室100中襯底110的高度。
處理室100還包括等離子發(fā)生器330以將處理氣體激發(fā)為等離子體。等離子發(fā)生器330在處理室100的處理區(qū)域340(如圖所示)中或者在處理室100上游的較遠(yuǎn)區(qū)域(未示出)中將能量耦合到處理氣體。在一個(gè)方案中，等離子發(fā)生器330包括具有一個(gè)或多個(gè)感應(yīng)線圈360的天線350。感應(yīng)線圈360可以圍繞處理室100的中心成環(huán)形對(duì)稱。天線350一般包括一個(gè)或多個(gè)螺線管，被成形和放置來為處理氣體提供強(qiáng)的電通量耦合。當(dāng)天線350被置于接近處理室100的室頂140的位置時(shí)，室頂140的相鄰部分可以用例如二氧化硅的介電材料制造，這類材料可以透過由天線350發(fā)出的電磁輻射，例如射頻能。例如，天線電源370一般以約50kHz到約60MHz的頻率，更一般地以400kHz的頻率，并且以約100到約5000瓦特的功率水平為天線350提供射頻能。也可以提供射頻匹配網(wǎng)絡(luò)(未示出)以使射頻能與處理氣體的阻抗相匹配。在另一個(gè)方案中，等離子發(fā)生器330包括電極200，以在處理區(qū)域340中產(chǎn)生用于激發(fā)處理氣體的電場(chǎng)。在該方案中，電極電源(未示出)為電極200提供能量，例如以約50kHz到約60MHz的頻率，更一般的是13.56MHz。可替代地或額外地，等離子發(fā)生器330可以包括微波氣體激發(fā)器(未示出)。
處理室100的一個(gè)或多個(gè)部件410具有有紋理的外露表面422，該表面暴露于處理室100內(nèi)的環(huán)境中，并且具有紋理來提高處理室100提供的襯底處理性能。有紋理的外露表面422可以是部件410的表面，該部件至少部分暴露于在處理室100中形成的例如等離子體的激發(fā)氣體中。如果有紋理的外露表面422是沉積的對(duì)象或者是等離子體中的高能離子和中性核素(neutral species)轟擊的對(duì)象，則在其上具有有紋理的外露表面422的部件410可能需要偶爾被替換。在一個(gè)方案中，具有有紋理的表面422的部件410包括用作處理室100的室頂140的穹形圍壁120。
在一個(gè)方案中，有紋理的外露表面422具有帶偏度的粗糙度，極好地提高了濺射材料在有紋理的外露表面422上的附著和保持，如圖2所示。濺射粒子的附著和保持對(duì)于減少粒子在襯底上的再沉積以及減少在有紋理的外露表面上形成的累積沉積物的剝落是有好處的。偏度(Rsk)由下式確定Rsk=1Rq31NΣj=1NZj3]]>
這里Rq=Σi=1NZi2N]]>是表面422的均方根粗糙度，N是用于進(jìn)行每個(gè)偏度測(cè)量的表面422的樣本點(diǎn)的數(shù)目，Z1，Z2，…，ZN是在樣本點(diǎn)測(cè)量的相對(duì)于中線的高度偏差。偏度是表面輪廓關(guān)于中線的不對(duì)稱性的量度。如圖2所示，具有負(fù)偏度的表面422，有象坑那樣的凹面424陷入到表面422中，也可有分布在主要凹面424之間的基本上平坦的區(qū)域428。偏度應(yīng)是足夠的負(fù)值來允許在室里形成的濺射或其他材料接觸和附著在有紋理的外露表面422上。適合的偏度值可以從約-0.7到約0.1，或者甚至從約-0.5到約0。
在一個(gè)實(shí)施例中，有紋理的外露表面422的平均偏度是負(fù)值(小于0)，例如小于約-0.1，該平均偏度代表在表面422上許多偏度測(cè)量值的平均值。有紋理的表面422的負(fù)平均偏度提供了一種表面形態(tài)，這種表面形態(tài)被發(fā)現(xiàn)能極好地提高在室中形成的濺蝕以及其他粒子的附著和保持，從而提高室的性能和襯底的產(chǎn)量。雖然希望平均偏度值是負(fù)的，但是也應(yīng)當(dāng)理解，個(gè)別測(cè)量的偏度值可能是負(fù)的也可能是正的，只要許多個(gè)這樣的個(gè)別數(shù)值的平均值是負(fù)值就行了。認(rèn)為具有負(fù)平均偏度的有紋理的外露表面422，通過讓出現(xiàn)在這樣的表面422中的槽(trough)和谷(valley)更好地捕獲粒子，提高了在室100中形成的例如濺蝕粒子的微粒物質(zhì)的附著。
可以用來表征表面422的有紋理的外露表面422的另一個(gè)屬性是表面的平均粗糙度，它是沿有紋理的外露表面422上具有粗糙特征的峰和谷相對(duì)中線的位移絕對(duì)值的平均值。平均粗糙度、偏度或者其他屬性可以通過表面光度儀確定，該儀器將探針經(jīng)過表面422，產(chǎn)生表面422上凹凸不平的高度波動(dòng)軌跡，或者通過使用從表面422反射的電子束的掃描電子顯微鏡產(chǎn)生表面422的圖像。在一個(gè)方案中，部件410被切成切片(未示出)，在每個(gè)切片上進(jìn)行一次或多次測(cè)量來確定每個(gè)切片的偏度。然后取這些偏度測(cè)量值的平均值來確定表面422的平均偏度。在一個(gè)實(shí)施例中，用了三個(gè)切片，在每個(gè)切片上取了粗糙處的峰和谷的四條高度變化軌跡。例如，當(dāng)測(cè)量室頂140的表面422時(shí)，一個(gè)切片位于頂部，是室頂140基本平坦的部分，第二切片位于一側(cè)，是室頂140相當(dāng)平坦的部分，第三切片位于室頂140的彎曲部分。有紋理的表面422的偏度是負(fù)值，發(fā)現(xiàn)這會(huì)顯著地提高濺射材料的附著和保持。適合的粗糙度平均值從約150微英寸(約3微米)到約450微英寸(約18微米)，或者從約360微英寸(約9微米)到約400微英寸(約10微米)。
還可以用來表征有紋理的外露表面422的另一個(gè)屬性是表面粗糙度的平均峰斜值(peak slope value)。在一個(gè)實(shí)施例中，有紋理的表面422的平均峰斜值可以選擇在約20到約25之間。還有一種屬性可以測(cè)量超過了粗糙處峰和谷的平均高度線的高度的表面凸峰的數(shù)量。例如，有紋理的表面422超過中線的峰的數(shù)值可以選擇在約175到約225之間。
在諸如平均粗糙度、偏度或其他特性的表面422的測(cè)量屬性中，可以使用規(guī)定了適當(dāng)截?cái)嚅L度(cut-off length)和估值長度(evaluation length)的國際標(biāo)準(zhǔn)ANSI/ASME B.46.1-1995。下面的表1列出了該標(biāo)準(zhǔn)定義的平均粗糙度、適當(dāng)截?cái)嚅L度、最小和一般估值長度值之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
表1

有紋理的外露表面422可以是涂層420或者被處理成有理想紋理的整體部件410的表面。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖2所示，有紋理的外露表面422是部件410底層粗糙表面436上的涂層420的表面，例子如圖2所示。在這個(gè)方案中，部件410可以由介電材料形成理想形狀并粗糙化，然后經(jīng)過諸如等離子噴涂的涂敷處理加上涂層。例如，電介質(zhì)可以被做成具有理想形狀的介電預(yù)制件。在一個(gè)實(shí)施例中，電介質(zhì)由能透過射頻能的材料制成，這樣以便對(duì)來自等離子發(fā)生器330的射頻能是基本可透過的。例如，電介質(zhì)可以是陶瓷材料，諸如石英或氧化鋁。一個(gè)示范的部件410是作為室頂140的穹形圍壁120，它由諸如石英的介電材料制成。
部件410表面粗糙化到至少提供外露表面422一些最終紋理的特定程度。粗糙化的表面436被等離子噴涂涂層420覆蓋，該涂層至少部分與表面436相吻合，同時(shí)還賦予了另外的紋理特征，從而提供了能顯著提高濺蝕材料在部件410上的附著的有紋理的外露表面422。涂層420可以由材料425制成，例如陶瓷材料，舉例來說，諸如Al2O3、TiO2或其混合物。
涂層420還能夠有利地降低來自外露的室表面422的除氣作用的量。圖2中所示的涂層420可以具有適合避免過多除氣作用的厚度。在一個(gè)實(shí)施例中，涂層420具有約小于10‰英寸(約254微米)的厚度，例如，厚度從約1‰英寸(約25微米)到約8‰英寸(約203微米)，或者厚度從約3‰英寸(約76微米)到約5‰英寸(約127微米)。
涂層材料425也可以被制作成有足夠高的孔隙率來提高室內(nèi)產(chǎn)生的微粒物質(zhì)在表面422上的附著。涂層材料425的孔隙率是孔隙的體積與其總體積的比率。例如，涂層材料425可以有從約5％到約10％的孔隙率，例如約7％。
在一個(gè)方案中，涂層420在如下描述的步驟中被涂敷于部件410的表面436，其實(shí)施例表示在圖3a至3c中。在涂敷涂層420之前，部件410的底層表面436一般是光滑的，如圖3a所示。參考圖3a，然后底層表面436被粗糙化來為上覆涂層420的表面形態(tài)特征提供基礎(chǔ)。表面436可以通過珠光處理(bead blasting)表面436來進(jìn)行粗糙化。在珠光處理中，固體珠粒(solid bead)442在適于將表面436粗糙化的足夠高的壓力下被空氣向表面436推進(jìn)，例如壓力從約40到約50磅每平方英寸(psi)。同樣，選擇珠粒442相對(duì)于表面436的入射角度來粗糙化表面436，以提高濺射材料對(duì)最終涂層420的附著，例如從約30度到約60度。舉例來說，珠粒442相對(duì)于表面436的入射角度可以大約是45度。
在一個(gè)實(shí)施例中，封閉式箱體中的珠粒噴砂機(jī)(未示出)被用來粗糙化部件410的表面。珠粒可以包括硬度高于部件410的材料硬度的材料以便使珠粒侵蝕和粗糙化部件410的表面來形成粗糙表面436。適合的珠粒材料包括例如氧化鋁、玻璃、硅石或硬塑料。在一個(gè)實(shí)施例中，珠粒包括粒度選擇為適于對(duì)表面436噴砂的氧化鋁砂礫，例如粒度為36的氧化鋁微粒的砂礫。表面436被粗糙化以具有例如從約150微英寸(約3微米)到約450微英寸(約18微米)，或者甚至從約360微英寸(約9微米)到約400微英寸(約10微米)的平均粗糙度。另外，珠粒442從珠粒噴砂機(jī)到部件經(jīng)過的投射距離(standoff distance)也被設(shè)置來提供表面436理想的粗糙度。例如，從珠粒噴射源到部件表面436的投射距離可以從約4英寸到約6英寸。
珠光處理之后，表面436被清潔來提高涂層材料420隨后的附著和保持。例如，可以通過在表面436上吹過潔凈的干燥空氣或氮?dú)鈦砬鍧嵄砻?36。接著，在一個(gè)方案中，表面436被進(jìn)一步清潔，例如化學(xué)方法清潔、用蒸餾水清潔或者在超聲波中清潔。另外，部件410在烘箱中烘烤來去除例如在清潔處理中產(chǎn)生的殘留物。例如，部件表面436可以在至少約100℃的溫度中烘烤，以改善涂層材料420在表面436上隨后的沉積。
清潔部件表面436之后，涂層420被等離子噴涂到表面436上，示例如圖3b所示。在等離子噴涂中，等離子體被形成為霧化，并至少部分液化通過等離子體注入的微粒涂層材料425的噴霧。例如，等離子體可以通過將涂層材料425加熱到數(shù)千攝氏度來液化涂層材料425。涂層材料425的液滴高速撞擊粗糙化的底層表面436，并迅速凝固形成形狀相似的涂層420，如圖3c所示。
在一個(gè)方案中，等離子噴槍705被用于將涂層材料425等離子噴涂到表面436上，如圖6所示。等離子噴槍705可以安裝在可控機(jī)械臂(未示出)上來調(diào)整等離子噴槍705與表面436間的距離和角度。等離子噴槍705也可以在室(未示出)的內(nèi)部以控制等離子噴槍705所處的氣體環(huán)境。
在等離子噴槍705中，運(yùn)載氣體在兩個(gè)電極例如陰極242和陽極244之間流動(dòng)。運(yùn)載氣體適合于形成高壓等離子體，例如氬氣、氮?dú)狻錃饣蛘吆狻鍤庖驗(yàn)樗幕瘜W(xué)惰性和電離特性所以可以被使用。加入雙原子氣體，例如氫氣或氮?dú)猓梢蕴岣邭怏w的焓。陰極242和陽極244包括適合于產(chǎn)生穿過等離子體的放電電弧的材料，例如象鎢或銅的金屬。在一個(gè)實(shí)施例中，陰極242由鎢制成，陽極244由銅制成。另外，在一個(gè)方案中，陽極被冷卻，例如水冷卻，來防止過熱。陰極242和陽極244可以制成適合在它們之間產(chǎn)生電弧的相應(yīng)形狀。例如，陰極242可以是錐形，陽極244可以是圓柱形。
交流高頻放電在陰極242和陽極244之間激起電弧并用直流電源維持。電弧電離運(yùn)載氣體，產(chǎn)生高壓等離子體。所導(dǎo)致的氣體溫度的升高增加了氣體體積，并從而提高了氣體離開噴嘴710時(shí)的壓力和速度。涂層材料425以粉末形態(tài)進(jìn)入氣流715。粉末狀的涂層材料425可以在等離子噴槍705的外面或者在噴嘴710的逃逸出射區(qū)域(diverging exit region)被引入。涂層材料425被高溫、高速的等離子流加熱并加速。
等離子噴槍705的操作參數(shù)被選擇為適于調(diào)整涂層材料的涂敷特性，例如當(dāng)涂層材料425通過從等離子噴槍705到部件表面436的路徑時(shí)它的溫度和速度。例如，可以調(diào)整氣流、功率水平、粉末進(jìn)料率、運(yùn)載氣體流量、從等離子噴槍705到襯底110的投射距離以及涂層材料425相對(duì)于部件表面436的沉積角度，來改善涂層材料425的涂敷和涂層420對(duì)濺射材料隨后的附著。例如，陰極242和陽極244之間的電壓可以選擇在從約30伏特到約60伏特，例如約45伏特。另外，在陰極242和陽極244之間流過的電流可以選擇在從約500安培到約700安培，例如約600安培。等離子噴槍705的功率水平通常在從約12到約120千瓦的范圍內(nèi)，例如約80千瓦。
可以選擇投射距離和沉積角度來調(diào)整涂層材料425在表面436上的沉積特性。例如，可以調(diào)整投射距離和沉積角度來改變?nèi)刍耐繉硬牧?25碰撞表面436時(shí)濺成的圖案，以形成例如“扁平形(pancake)”和“薄層(lamella)”的圖案。投射距離和沉積角度也可以被調(diào)整來改變碰撞表面436時(shí)涂層材料425的狀態(tài)、速度或液滴尺寸。在一個(gè)實(shí)施例中，等離子噴槍705和襯底110之間的投射距離從約2英寸到約4英寸，例如約3英寸。涂層材料425在表面436上的沉積角度相對(duì)于表面436可以從約75度到約105度，例如約90度。
可以調(diào)整粉末狀涂層材料425的速度來在表面436上適當(dāng)?shù)爻练e涂層材料425。在一個(gè)實(shí)施例中，粉末涂層材料425的速度從約300到約550米/秒。也可以調(diào)節(jié)等離子噴槍705以便在粉末狀涂層材料425碰撞部件表面436時(shí)，粉末狀涂層材料425的溫度至少約是涂層材料425的熔化溫度。熔點(diǎn)以上的溫度會(huì)產(chǎn)生高密度和粘結(jié)強(qiáng)度的涂層420。例如等離子體的溫度可以超過30,000℃。在一個(gè)實(shí)施例中，粘結(jié)強(qiáng)度從約29Mpa到約75Mpa。不過，等離子體的放電溫度也可以設(shè)為足夠低，使得涂層材料425在與部件表面436碰撞后保持熔化一段時(shí)間。例如，適當(dāng)?shù)臅r(shí)間段可以是至少約0.02秒或者至少約0.1秒。
根據(jù)本發(fā)明的、具有有紋理表面422的部件410的處理室100，其實(shí)施例如圖3c所示，比傳統(tǒng)的沒有這種有紋理的表面422的處理室(未示出)有顯著的優(yōu)點(diǎn)。例如，處理室100可以將濺射材料在襯底110上的再沉積減少五倍。圖7的直方圖示出每個(gè)襯底110再沉積的粒子的標(biāo)準(zhǔn)化數(shù)量，該數(shù)量與室是具有傳統(tǒng)部件(左邊的數(shù)據(jù)條830)還是具有根據(jù)本發(fā)明的帶有紋理的表面422的部件410(右邊的數(shù)據(jù)條835)有關(guān)，同時(shí)也與以微米為單位的再沉積粒子尺寸有關(guān)。數(shù)據(jù)點(diǎn)是基于對(duì)使用了兩套傳統(tǒng)部件的11個(gè)襯底的測(cè)量，以及對(duì)使用了四套具有根據(jù)本發(fā)明的有紋理的表面422的部件410的50個(gè)襯底110的測(cè)量。每對(duì)數(shù)據(jù)條中左邊和右邊的數(shù)據(jù)條830、835分別對(duì)應(yīng)于具有傳統(tǒng)內(nèi)表面的傳統(tǒng)處理室中的襯底(未示出)上的再沉積量和根據(jù)本發(fā)明的具有帶有紋理的表面422的部件410的處理室100中的襯底110上的再沉積量。通過沿粒子尺寸范圍比較左邊和右邊的數(shù)據(jù)條830、835，可以看出用表面有紋理的部件410，材料在襯底110上的再沉積一般降低了約5倍。
另外，具有有紋理的外露表面422的部件410一般比其他傳統(tǒng)部件(未示出)有更長的使用壽命。在一個(gè)實(shí)施例中，這類部件的壽命比傳統(tǒng)部件被延長了至少約4倍，如圖8的直方圖所示。標(biāo)出了尺寸大于0.5微米的再沉積粒子每操作的標(biāo)準(zhǔn)化數(shù)量，其中每條代表一個(gè)操作。數(shù)據(jù)條按照時(shí)間先后順序從左到右排列，附圖標(biāo)記840指示部件410被替換的時(shí)間。左邊的數(shù)據(jù)條820代表在使用傳統(tǒng)部件的處理室內(nèi)的操作，右邊的數(shù)據(jù)條825代表在具有根據(jù)本發(fā)明的有紋理的表面422的部件410的處理室100內(nèi)的操作。數(shù)據(jù)點(diǎn)是基于對(duì)使用了兩套傳統(tǒng)部件的處理室的11個(gè)襯底的測(cè)量，以及對(duì)使用了四套具有有紋理表面的部件410的室的50個(gè)襯底的測(cè)量。因?yàn)橛糜谙鄳?yīng)類似操作中的傳統(tǒng)部件也給出了不正確的數(shù)據(jù)，所以數(shù)據(jù)條815是應(yīng)當(dāng)被忽略的不正確的數(shù)據(jù)點(diǎn)。左邊和右邊數(shù)據(jù)條高度的中線用左邊的垂線805和右邊的另一條垂線810示出。通過分別比較左邊820和右邊825的粒子再沉積的中值，可以看出通過使用根據(jù)本發(fā)明的部件410，粒子再沉積數(shù)量一般減少了至少約4倍。與粒子再沉積率大致成比例的部件壽命因而也一般增加了至少約4倍。
處理室100也可以包括另外的系統(tǒng)，例如包含一個(gè)或多個(gè)探測(cè)器(未示出)的處理監(jiān)視系統(tǒng)(未示出)，以在處理室100的操作中連續(xù)探測(cè)或監(jiān)視處理?xiàng)l件，或監(jiān)視在襯底110上實(shí)施的處理。例如，探測(cè)器包括但不限于以下裝置諸如光電倍增管或光探測(cè)系統(tǒng)的輻射傳感裝置(未示出)；諸如壓力計(jì)的氣壓傳感裝置(未示出)，例如流體壓力計(jì)；諸如熱電偶或RTD的溫度傳感裝置(未示出)；測(cè)量施加給室部件415的電流和電壓的安培表和伏特表(未示出)；或任何其他能夠測(cè)量處理室100內(nèi)的處理?xiàng)l件和提供例如電信號(hào)的輸出信號(hào)的裝置，該裝置根據(jù)可測(cè)量的處理?xiàng)l件而變化。例如，處理監(jiān)視系統(tǒng)可以用于確定在襯底上處理的層的厚度。
控制器480通過向各種室部件和系統(tǒng)發(fā)送和從其接收電信號(hào)來控制室100的操作。例如，由處理監(jiān)視系統(tǒng)測(cè)量的處理室100內(nèi)的處理?xiàng)l件可以作為電信號(hào)發(fā)送給控制器480，然后該控制器480當(dāng)信號(hào)達(dá)到閾值時(shí)改變處理?xiàng)l件。雖然為了簡化對(duì)本發(fā)明的描述，控制器480在圖4中通過示例性的一個(gè)控制裝置來表示，但是應(yīng)該理解控制器480可以是互相連接的多個(gè)控制裝置或者連接到處理室100的不同部件415上的多個(gè)控制裝置；因而本發(fā)明不應(yīng)當(dāng)被限制在這里所描述的用作說明和示例性的實(shí)施例。
在一個(gè)實(shí)施例中，控制器480包含電子硬件，其中包括含有適于操作處理室100的集成電路的電路。通常，控制器480適用于接收數(shù)據(jù)輸入、運(yùn)行算法、產(chǎn)生有用的輸出信號(hào)并且還可以用于探測(cè)來自探測(cè)器和其他室部件415的數(shù)據(jù)信號(hào)，并監(jiān)視或控制處理室100內(nèi)的處理?xiàng)l件。例如，控制器480可以包括(i)包括中央處理器500(CPU)的計(jì)算機(jī)，其通過外圍控制部件與存儲(chǔ)系統(tǒng)互相連接，(ii)操作處理室100具體部件415的專用集成電路(ASIC)(未示出)，和(iii)一個(gè)或多個(gè)控制器接口板(未示出)以及適當(dāng)?shù)闹С蛛娐贰Ｒ话阒饕腃PU 500包括PowerPCTM、PentiumTM和其他類似處理器。ASIC根據(jù)具體的任務(wù)被設(shè)計(jì)和預(yù)編程，例如對(duì)來自處理室100的數(shù)據(jù)和其他信息的檢索，或?qū)唧w室部件415的操作。控制器接口板用于特定信號(hào)處理任務(wù)，例如處理來自處理監(jiān)視系統(tǒng)的信號(hào)并向中央處理器(CPU)500提供數(shù)據(jù)信號(hào)。一般的支持電路包括例如協(xié)處理器、時(shí)鐘電路、超高速緩沖存儲(chǔ)器、電源以及其他與CPU 500通信的熟知的部件。例如，CPU 500經(jīng)常與隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)510、只讀存儲(chǔ)器(ROM，未示出)和其他本領(lǐng)域中熟知的存儲(chǔ)設(shè)備協(xié)同操作。RAM 510可以用于保存程序處理實(shí)現(xiàn)過程中在現(xiàn)有系統(tǒng)中使用的軟件實(shí)現(xiàn)。控制器480包括連接控制器480和其他室部件415的控制器接口506。
CPU 500的輸出被傳到顯示器530或者其他通信設(shè)備。輸入設(shè)備540允許操作員向控制器480輸入數(shù)據(jù)來控制操作或者變更控制器480中的軟件。例如，操作員和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)之間的界面可以是CRT顯示器(未示出)和光筆(未示出)。光筆用筆尖處的光傳感器探測(cè)CRT顯示器發(fā)出的光線。操作員點(diǎn)觸CRT顯示器指定的區(qū)域并按下筆上的按鈕來選擇具體的屏幕或功能。被點(diǎn)觸的區(qū)域改變其顏色或者顯示新的菜單或屏幕來確認(rèn)光筆和CRT顯示器之間的通信。其他設(shè)備，例如鍵盤、鼠標(biāo)或者點(diǎn)通信設(shè)備(pointing communication device)，也可以用于和控制器480通信。在一個(gè)實(shí)施例中，使用了兩個(gè)顯示器(未示出)，一個(gè)安裝在無塵室的墻壁上供操作員使用，另一個(gè)安裝在墻壁后面供服務(wù)的技術(shù)人員使用。兩個(gè)顯示器(未示出)同步顯示相同的信息，但是只有一支光筆可用。
控制器480的計(jì)算機(jī)程序代碼600可以存儲(chǔ)在存儲(chǔ)設(shè)備中，例如存儲(chǔ)在軟盤491或者硬盤492中，執(zhí)行期間由控制器480調(diào)入RAM 510，如圖5所示。計(jì)算機(jī)程序代碼可以用傳統(tǒng)的計(jì)算機(jī)可讀程序語言編寫，例如匯編語言、C、C++或者Pascal。適當(dāng)?shù)某绦虼a通過使用傳統(tǒng)的文本編輯器被輸入在一個(gè)或若干文件中，并存儲(chǔ)或表達(dá)可在計(jì)算機(jī)上使用的介質(zhì)上，例如計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的內(nèi)存503。如果輸入的代碼文本是高級(jí)語言，則代碼被編譯為與預(yù)編譯庫例行程序的目標(biāo)代碼相鏈接的編譯程序代碼。系統(tǒng)操作員調(diào)用目標(biāo)代碼，執(zhí)行鏈接和編譯的目標(biāo)代碼，使得計(jì)算機(jī)系統(tǒng)在內(nèi)存503中加載代碼來執(zhí)行在計(jì)算機(jī)程序中確定的任務(wù)。
計(jì)算機(jī)程序代碼600一般包含一組或多組計(jì)算機(jī)指令，例如包括處理監(jiān)視軟件605、終端探測(cè)軟件610和規(guī)定時(shí)序、處理氣體組分、室壓力和溫度、處理室100內(nèi)的射頻能水平、電極位置以及其他處理室100的處理參數(shù)的處理控制軟件620。計(jì)算機(jī)程序代碼600也控制耦合到等離子發(fā)生器330的能量的功率水平的設(shè)置、引入處理室100中的氣體的流量水平和組分以及顯示器530。計(jì)算機(jī)程序代碼600的優(yōu)選方案包含多個(gè)程序代碼集680，例如允許操作員輸入和選擇處理方法、并在所選處理室100中執(zhí)行處理方法的操作的處理序列程序代碼625，以及用于操作和管理處理室100中的室處理的優(yōu)先次序的室管理程序代碼630。雖然是以獨(dú)立的程序代碼集680執(zhí)行一組任務(wù)來舉例，但是應(yīng)該理解這些程序代碼集680可以被集成，或者一個(gè)程序代碼的任務(wù)和另一個(gè)程序代碼的任務(wù)集成來提供理想的一組任務(wù)。因而，這里描述的控制器480和計(jì)算機(jī)程序代碼600不應(yīng)當(dāng)被限制在這里所描述的或如這里所示被包含的程序代碼的特定實(shí)施例，執(zhí)行同等功能的其他程序代碼集或者計(jì)算機(jī)指令在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
在操作中，操作員通過輸入設(shè)備540將處理序列和處理室號(hào)輸入到處理序列程序代碼625中。處理序列由在室100中實(shí)現(xiàn)特定處理所必需的處理參數(shù)組成，并由預(yù)定義的序列號(hào)來識(shí)別。處理序列程序代碼625識(shí)別操作處理室100執(zhí)行具體處理所需的理想處理參數(shù)序列。處理參數(shù)包括處理?xiàng)l件，例如處理氣體組分和流速、室溫度和壓力、諸如微波或射頻偏壓功率水平以及磁場(chǎng)功率水平的氣體激發(fā)參數(shù)、冷卻氣體壓力和室壁溫度。
處理序列程序代碼625通過向室管理程序代碼630傳遞具體的處理序列參數(shù)來執(zhí)行處理序列，室管理程序代碼630根據(jù)處理序列控制處理室100內(nèi)的處理任務(wù)。例如，室管理程序代碼630包括用于刻蝕襯底110或者在襯底110上沉積材料的程序代碼。室管理程序代碼630控制各種室部件程序代碼集680的執(zhí)行，這些代碼集控制室部件415的操作。室部件控制程序代碼的例子包括控制在支撐物160上放置和移除襯底110的機(jī)械臂的襯底定位控制程序代碼640、控制由氣體供給裝置260向室100內(nèi)提供的處理氣體的組分和流速的處理氣體控制程序代碼650、設(shè)置一個(gè)或多個(gè)例如節(jié)流閥的氣體閥門開啟大小的氣體壓力控制程序代碼660以及控制等離子發(fā)生器330功率水平的等離子發(fā)生器程序代碼670。在操作中，室管理程序代碼630依照被執(zhí)行的具體處理序列有選擇地調(diào)用室部件程序代碼680，調(diào)度室部件程序代碼集680，監(jiān)視各種室部件415的操作，基于要執(zhí)行的處理序列的處理參數(shù)決定哪個(gè)部件415需要被操作，并響應(yīng)監(jiān)視步驟引起處理室部件程序代碼集680的執(zhí)行。這些僅僅是室部件程序代碼集680的示例。
雖然本發(fā)明已參照其特定的優(yōu)選方案進(jìn)行了相當(dāng)詳細(xì)的描述，但是其他方案也可能存在。例如，本發(fā)明能夠與其他處理室結(jié)合使用，例如化學(xué)氣相沉積(CVD)處理室或者刻蝕室。如本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所清楚的，處理室100也可以包括其他同等配置。如另一個(gè)例子，處理室100的一個(gè)或多個(gè)部件410可以包括多個(gè)不同的涂層420。因而，所附權(quán)利要求不應(yīng)該被限制在對(duì)這里所包含的優(yōu)選方案的描述。
權(quán)利要求
1.一種用于等離子處理室的穹形圍壁，該穹形圍壁包括包括具有平均粗糙度從約150到約450微英寸的粗糙化表面的介電材料；和沉積在所述介電材料的所述粗糙化表面上的等離子噴涂陶瓷涂層，該等離子噴涂陶瓷涂層包括具有負(fù)平均偏度值粗糙度的有紋理的外露表面，由此，在等離子處理室中由等離子體產(chǎn)生的濺射材料可以附著在所述有紋理的外露表面上。
2.如權(quán)利要求1所述的壁，其中，所述有紋理的外露表面包含平均偏度小于約-0.1的粗糙度。
3.如權(quán)利要求2所述的壁，其中，所述平均偏度是多個(gè)范圍從約-0.7到約0.1的偏度測(cè)量值的平均值。
4.如權(quán)利要求1所述的壁，其中，所述等離子噴涂陶瓷涂層包括從約5％到約10％的孔隙率。
5.如權(quán)利要求1所述的壁，其中，所述等離子噴涂陶瓷涂層包括氧化鋁、氧化鈦或者其混合物。
6.如權(quán)利要求1所述的壁，其中，所述介電材料包括陶瓷材料。
7.如權(quán)利要求6所述的壁，其中，所述陶瓷材料包括石英或氧化鋁。
8.一種在包括權(quán)利要求1中的所述穹形圍壁的處理室中處理襯底的方法，該方法包括(a)在室中放置襯底；以及(b)在所述室中形成激發(fā)氣體以濺蝕所述襯底。
9.一種襯底處理裝置，包括包括穹形圍壁的室，所述穹形圍壁包括具有平均粗糙度從約150到約450微英寸的粗糙化表面的介電材料，和沉積在所述介電材料的所述粗糙化表面上的等離子噴涂陶瓷涂層，所述等離子噴涂陶瓷涂層包括具有負(fù)平均偏度值粗糙度的有紋理的外露表面；所述室內(nèi)的襯底支撐物；向所述室內(nèi)提供處理氣體的氣體供給裝置；在所述室內(nèi)形成用于處理所述襯底的所述處理氣體的等離子體的等離子發(fā)生器；和排放所述處理氣體的排氣管道，由此，在所述室中由等離子體產(chǎn)生的濺射材料可以附著在所述有紋理的外露表面上。
10.如權(quán)利要求9所述的裝置，其中，所述有紋理的表面包含平均偏度小于約-0.1的粗糙度。
11.如權(quán)利要求10所述的裝置，其中，平均偏度是多個(gè)范圍從約-0.7到約0.1的偏度測(cè)量值的平均值。
12.如權(quán)利要求9所述的裝置，其中，所述等離子噴涂陶瓷涂層包括從約5％到約10％的孔隙率。
13.如權(quán)利要求9所述的裝置，其中，所述等離子噴涂陶瓷涂層包括氧化鋁、氧化鈦或者其混合物。
14.如權(quán)利要求9所述的裝置，其中，所述介電材料包括陶瓷材料。
15.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中該陶瓷材料包括氧化鋁或石英。
16.一種制造等離子處理室的穹形圍壁的方法，該方法包括(a)提供穹形介電預(yù)制件；(b)粗糙化所述介電預(yù)制件的表面，以形成具有平均粗糙度從約150到約450微英寸的粗糙化表面；以及(c)在所述介電預(yù)制件的所述粗糙化表面上沉積等離子噴涂陶瓷涂層，以使所述等離子噴涂陶瓷涂層包含具有負(fù)平均偏度值粗糙度的有紋理的外露表面。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，(b)包含對(duì)表面進(jìn)行噴砂，所述噴砂步驟包括至少一個(gè)以下特征(i)使用粒度約36的砂礫；(ii)使用包含氧化鋁微粒的砂礫；(iii)保持從約40到約50磅每平方英寸的噴砂壓力；以及(iv)保持與所述表面之間從約30到約60度的噴砂入射角。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，(c)包括通過等離子體電弧注入陶瓷粉末，所述等離子體電弧通過將兩個(gè)電極保持在從約30到約60伏特的相對(duì)電壓而形成。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，(c)包括通過等離子體電弧注入陶瓷粉末，所述等離子體電弧通過將兩個(gè)電極保持在約45伏特的相對(duì)電壓而形成。
20.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，(c)包括通過等離子體電弧注入陶瓷粉末，所述等離子體電弧通過將兩個(gè)電極間的電流保持在約600安培而形成。
21.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，(c)包括通過等離子體電弧注入陶瓷粉末，所述等離子體電弧保持在至少約30,000℃的溫度。
22.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，(c)包括通過等離子體電弧注入陶瓷粉末，所述等離子體電弧保持在足夠高的溫度以保持所述陶瓷材料在它撞擊所述襯底之前處于熔化狀態(tài)，并且所述溫度足夠低以使所述陶瓷材料在與所述表面碰撞后保留熔化一段時(shí)間。
23.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，(c)包括形成等離子噴涂陶瓷涂層，該涂層具有有紋理的表面，該表面具有平均偏度小于約-0.1的粗糙度。
24.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，(c)包括形成等離子噴涂陶瓷涂層，所述涂層具有有紋理的表面，該表面具有一粗糙度，該粗糙度的平均偏度是多個(gè)范圍從約-0.7到約0.1的偏度測(cè)量值的平均值。
25.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，(c)包括形成孔隙率從約5％到約10％的等離子噴涂陶瓷涂層。
26.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，(c)包括形成包括氧化鋁、氧化鈦或者其混合物的等離子噴涂陶瓷涂層。
27.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，(a)包括形成由陶瓷材料構(gòu)成的穹形介電預(yù)制件。
28.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，(a)包括形成包含石英或氧化鋁的穹形介電預(yù)制件。
全文摘要
用于等離子處理室的穹形圍壁用具有平均粗糙度從約150到約450微英寸的粗糙化表面的介電材料制造。等離子噴涂陶瓷涂層被涂敷于介電材料的粗糙化表面。等離子噴涂涂層包括具有負(fù)平均偏度值粗糙度的有紋理的表面。當(dāng)圍壁用于等離子處理室時(shí)，在等離子處理室中形成的、由等離子體產(chǎn)生的濺射材料與有紋理的表面有良好的附著。
文檔編號(hào)H05H1/42GK1522457SQ02807777
公開日2004年8月18日 申請(qǐng)日期2002年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月27日
發(fā)明者林士能, D 孟席, 馬克·D·孟席, ト , 喬·F·薩默斯, 歐文 克勞森, 丹尼爾·歐文·克勞森, T 莫里, 格倫·T·莫里, L 夏普, 洛利塔·L·夏普 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料公司