專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及顯示裝置。
背景技術：
一種特別種類的顯示裝置是使用有機材料用于光發射。光發射有機材料的描述在PCT/WO90/13148與US4539507中，這兩個專利的內容在此引為參考。這些裝置的基本結構是一個光發射有機層，例如一層聚(P-次苯基乙烯撐)(“PPV”)薄膜，夾在兩個電極之間。一個電極(陰極)注入負電荷載流子(電子)和另一個電極(陽極)注入正電荷載流子(空穴)。電子與空穴在有機層內結合產生光子。在PCT/WO90/13148中有機光發射材料是聚合物。在US4539507中有機光發射材料是稱為小分子材料的種類，例如(8-羥基奎啉)鋁(“Alq3”)。在一個實際裝置中，電極之一典型地是透明的，以便使光子能逸出裝置。
圖1表示一個有機光發射裝置(“OLED”)的典型剖面結構。此OLED典型地制作在一片涂覆一層透明的第一電極2，例如氧化銦錫(“ITO”)的玻璃或塑料襯底1上。這種涂覆的襯底是市場上可買到的。此ITO涂覆襯底上涂覆至少一層電熒光有機材料薄膜3與一個形成第二電極4的最后層，該層典型地是一種金屬或合金?？稍谘b置上增加其它層，例如為了改善兩電極與電熒光材料之間的電荷傳輸。
如果入射到顯示器上的光能往回向觀察者反射，尤其是從預期顯示暗色的象素區域，則會降低顯示器各象素之間的外顯對比度。這將降低顯示器的有效性。
許多顯示裝置使用于功率消耗是一個決定性考慮因素的應用場合-例子是電池組開動的裝置例如手提式計算機與移動電話。因此需要改進顯示器的效率。

發明內容
按照本發明的一個方面，提供一種光發射裝置，包括一個光發射區域；位于光發射區域的觀察側的第一電極，用于注入第一類電荷載流子；與位于光發射區域的非觀察側的第二電極，用于注入第二類電荷載流子；且其中有一個反射率影響結構，該結構位于光發射區域的非觀察側并包括一個由石墨與/或一種低功函數金屬的氟化物或氧化物組成的光吸收層。
按照本發明的第二方面，提供一個光發射裝置包括一個光發射區域；位于光發射區域的觀察側的第一電極，用于注入第一類電荷載流子；與位于光發射區域的非觀察側的第二電極，用于注入第二類電荷載流子；且其中有一個反射率影響結構，該結構位于光發射區域的非觀察側并包括一個光反射層與一個在先進配光反射層之間的光透射間隔層，此間隔層這樣的厚度可以使光反射層的反射平面離至少一部分光發射區域的間距約為裝置光型波長的一半。
第一電極優先為至少部分透光，最好基本上透明，至少對于部分或全部能由裝置發射的波長的光。第一電極可由例如ITP(氧化銦錫)、TO(氧化錫)或金形成。第一電極最好布置在光發射區域的觀察方位上-即在光發射區域與預期的觀察者位置之間。第一電極可具有層的形式。在裝置包括一個以上象素的情況下，可提供一個以上的第一電極，實現(與第二電極配合)逐一尋址每個象素。
第二電極可至少部分透光，適合基本上透明，至少對于部分或全部能由裝置發射的波長的光。這可通過由一種透光材料形成第二電極與/或通過使第二電極較薄例如厚度小于2、5、10、20或30nm來實現。第二電極的合適材料包括鋰、鈣或ITO?；蛘?，第二電極可以是反射或不反射的光吸收劑。在這種情況下，第二電極最好本身提供反射率影響結構。在第二電極為光吸收劑的場合，它可由一種光吸收材料例如低功函數金屬諸如Li、Ca、Mg、Cs、Ba、Yb、Sm等的氟化物或氧化物(供選地，與導電材料例如Al一起，可將它與氧化物或氟化物共沉積)形成，或由一種低功函數金屬加入光吸收材料例如碳(石墨)形成或最好共沉積形成。所述低功函數金屬可具有低于4.0eV的功函數。所述低功函數金屬可具有低于3.5eV的功函數。所述低功函數金屬可具有低于3.2eV的功函數。所述低功函數金屬可具有低于3.0eV的功函數。第二電極厚度的合適范圍在50至1000nm之間，最好在100至300nm的范圍內。
第一電極與/或第二電極最好包括導電材料，例如金屬材料。其中一個電極(空穴注入電極)最好具有大于4.3eV的功函數。該層可包括一種金屬氧化物，例如氧化銦錫(“ITO”)或氧化錫(″TO″)或一種高功函數金屬例如Au或Pt。此電極可以是第一電極或第二電極。另一個電極(電子注入電極)最好具有低于3.5eV的功函數。該層可適合地由一種具有低功函數的金屬(Ca，Ba，Yb，Sm，Li等)構成或由包括一種或多種這些金屬的一種合金或多層結構可選地與其它金屬(例如Al)一起構成。此電極可以是第二電極或第一電極。后部電極至少有一部分最好為光吸收劑。這可通過在電極中加入一層光吸收材料例如碳來實現。這個材料最好還具有導電性。
反射率影響結構可位于第二電極鄰近。這時反射率影響結構會適當地影響裝置后部(非觀察側)的反射率，為(例如)基本光吸收或基本光反射。反射率影響結構可包括截然不同的基本光吸收與基本光反射區域。
按照本發明的第一方面，反射率影響結構可包括一個光吸收層。此層適于通過從光發射區域發射的光的第二電極與/或吸收已透過第二電極的光與/或吸收從另一光源入射到裝置上的光來減少反射。這個光吸收層最好位于第二電極鄰近；或者也可同第二電極隔開，例如通過一片絕緣材料。鄰接第二電極的或更通常在第二電極后面的反射率影響結構的存在適當地使得第二電極基本上不反射從發射區發射的光。這個光吸收層最好由一種光吸收材料形成-例如光反射率影響結構的光吸收層可包括石墨。在裝置包括多個個別象素的場合，光吸收層最好對多個象素通用。
按照本發明的第二方面，反射率影響結構可包括一個光反射層。此層適于影響裝置內出現的光場(例如光場的腹點)以及光發射區域的一部分。光發射區域這一部分適于一個有一些或大量的電子/空穴復合(優先產生光子)的區域。所述部分優先是光射層的一個主要的復合地點或平面。所述部分最好是裝置的峰值復合地點或平面。反射率影響結構最好包括一個在第二電極與此光反射層之間的光透射間隔層，適于把光反射層同光發射層隔開且最好達到一個預先確定的間距。此間隔層可通過與第二電極本身連為一體的材料提供-例如借助第二電極的厚度。間隔層的厚度最好能使反射率影響結構的反射器離開至少一部分光發射區域的距離約為裝置光型的波長的一半。此反射器可以是反射層的主表面(離光發射層較近或較遠的那些)之一，或可以是一個由反射層規定的反射結構(例如一個分布的布拉格反射器)。間隔層的厚度最好能使反射器同光發射區域中的光場大致或基本上處于峰值的區域隔開的距離為裝置光型波長的大約或基本一半。
上面提到的反射率影響結構的光吸收層或光反射層最好同裝置的光發射層保持光聯系，使來自光發射層的光可到達光吸收層或光反射層。
反射率影響結構最好是導電的，適于通過反射率影響結構實現對第二電極的電接觸。
按照本發明的第三方面，提供一個光發射裝置包括一個光發射區域；一個位于光發射區域的觀察側用于注入第一類電荷載流子的第一電極與一個位于光發射區域的非觀察側用于注入第二類電荷載流子的第二電極；與一個對比度增強結構，該結構位于光發射區域的非觀察側并包括一個對不同波長的入射光有不同的反射率且圍繞光發射區域的一個發射波長存在一個反射率峰值的反射結構。按照本發明的這方面，反射結構適合是一個分布的布拉格反射器。按照本發明的這方面，第二電極適合包括一個位于反射結構的非觀察側的層，與多個通過反射結構用于在第二電極的所述層與光發射區域之間導電的通路。這些通路優選占裝置的發射面積的15％以下或10％以下。這些通路可占裝置的發射面積的15％與5％之間。按照本發明的這方面，陰極可包括一個位于反射結構與光發射區域之間的透明層。此透明層可同那些通路相接觸。
通常，光發射材料適合為一種有機材料且優先為一種聚合物材料。光發射材料優先為一種半導電的與/或共軛的聚合物材料?；蛘吖獍l射材料可以是其它類型，例如升華的小分子薄膜或無機的光發射材料。每個有機光發射材料可包括一種或多種個別的有機材料，適合為聚合物，優先為全部或部分共軛的聚合物。舉例的材料包括一種或多種下列材料的任何組合復(P-次苯基乙烯撐)(″PPV″)，復(2-甲氧基-5(2′乙基)己基氧苯撐乙烯撐)(″MEH-PPV″)，一種或多種PPV-衍生物(例如2-烷氧基或2-烷基生物)，多芴與/或加入多芴鏈段的共聚物，PPV與相關的共聚物，復(2.7-(9.9-2-n-辛基芴)-(1.4-苯撐-((4-干丁基苯基)亞氨基)-1.4-苯撐))(″TFB″)，復(2.7-(9.9-2-n-辛基芴)-(1.4-苯撐-((4-甲基苯基)亞氨基)-1.4-苯撐-((4-甲基苯基)亞氨基)-1.4-苯撐))(″PEM″)，復(2.7-(9.9-2-n-辛基芴)-1.4-苯撐-((4-甲基苯基)亞氨基)-1.4-苯撐-((4-甲基苯基)亞氨基)-1.4-苯撐))(″PFMO″)，復(2.7-(9.9-2-n-辛基芴)-3.6-苯并噻唑)(″F8BT″)。替代材料包括小分子材料例如Alq3。
在光發射區域與一個或兩個電極之間可提供一個或多個電荷傳輸層。每個電荷傳輸層可適合地包括一種或多種聚合物，例如摻雜聚乙烯二羥噻吩的聚苯乙烯磺酸(″PEDOT-PSS″)，復(2，7-9.9-2-n-辛基芴)-(1.4-苯撐-(4-亞氨基(苯甲酸)-1.4-苯撐-(4-亞氨基(苯甲酸))-1.4-苯撐))(″BFA″)，聚苯胺與PPV。
裝置的任何意指的實際方位不一定與使用或制作期間它的實際方位相聯系。


現在將通過參照附圖的舉例方法描述本發明，在這些附圖中圖2是一個第一裝置的剖視圖；圖3是一個第二裝置的平面圖；圖4是一個圖3裝置在線A-A′位置的剖視圖；
圖5是一個第三裝置的剖視圖；圖6是一個第四裝置的平面圖；圖7是一個第四裝置的剖視圖；圖8表示一個DBR相對于各種波長的反射率。
這些圖都不按比例。
具體實施例方式
圖2的裝置包括一個陽極層10，與一個陰極層11。位于這兩個電極層之間的是一個光發射材料層12。陽極由透明的ITO形成。陰極由鈣形成。陰極足夠薄使之不能有效反射。在陰極的后面是一個碳層13。當在兩極之間施加一個合適的電壓時，光基本上無定向地從光發射區域發射。一部分光射向陽極并通過陽極直接從裝置射出。一部分光向后射向陰極。來自外部光源的照在顯示器上的入射光可由碳層13吸收。由于此光被吸收，因此它不往回向觀察者反射-這能改進顯示器產生的效果，如下面詳細描述。
圖2的裝置可用一電市場上可購買的涂覆ITO的玻璃片開始形成。此玻璃片(圖2中14)構成用于后繼沉積步驟的襯底。此玻璃片可以是厚度為例如1mm的堿石灰或硼硅酸鹽玻璃?？墒褂美缬袡C玻璃(Perspex)的其它材料取代玻璃。ITO涂層的厚度適合地約為100至150nm，且ITO適合地有一個在10到30Ω/□之間的片電阻。在ITO陽極上面沉積一個空穴傳輸或注入層15。此空穴傳輸層由含有PEDOT∶PSS的其中PEDOT對PSS的比率約為1∶5的溶液形成。此空穴傳輸層的厚度適合地約為50nm。此空穴傳輸層在溶液中旋涂然后典型地在氮環境中在200℃下烘焙1小時。然后在空穴傳輸層上面涂覆一個5BTF8中包括20％TFB的電熒光層12，典型地旋涂至厚度為90nm。術語5BTF8指的是復(2.7-(9.9-2-n-辛基芴)(″F8″)摻雜5％的復(2.7-(9.9-2-n-辛基芴)-3.6-苯并噻唑)(″F8BT″)。然后把一個低功函數材料例如鈣的透明或半透明層在基本壓力低于10-8mbar的真空中熱蒸發在電熒光層上以形成陽極層11。此層的厚度最好大于1nm但小于會使鈣層成為不透明的厚度-典型約為20nm。在此層上通過電子束蒸發在基本壓力低于10-8mbar下沉積一個厚度在100與500nm之間的碳層13。在此碳層上面使用濺射沉積法在基本壓力低于10-8mbar下沉積一個厚度在100與1000nm之間的鋁層16。在本實施例中，選擇低功函數層11作為把電子注入光發射區域的有效電子注入器。碳層13作為吸收層并有一個低到足以不致明顯地增加裝置的驅動壓的導電率。濺射的鋁層16起密封劑作用，具有緊湊的結構，有低的針眼密度與小的顆粒尺寸。接觸點可固定在裝置上(在層16與10之間)且最后可把它密封在環氧樹脂中作為環境保護。
圖3與圖4表示一個使用上述原理與圖2裝置有聯系的多象素顯示裝置。此裝置包括一組在一個公共陽極平面內的平行陽極條20與一組在一個同陽極平面隔開的公共陰極平面內的平行陰極條21。在陽極與陰極之間是一個光發射層22。陽極條與陰極條交錯的區域確定顯示裝置的象素。通過使用一個無源矩陣尋址方案可引起各個象素發光。(裝置可代之以配置為容許使用有源矩陣或其它的尋址方案。)圖4表示每個陰極包括3層一個鄰接光發射層22的低功函數材料例如鈣形成的注入層75，一個光吸收材料例如碳(石墨)形成的中間層76，與一個高導電材料例如鋁形成的導電層77。這些層一起組成一個陰極平面81。通常，注入層適用一種具有好的注入光發射層22性能的材料；中間層適用一種有好的光吸收性能的材料而導電層適用一種高導電材料。導電層可明顯地比其它兩層厚且最好幫助沿電極結構均勻地分布電荷。在被選用作一層的材料也可執行另一層功能的場合，這時另一層可省略。例如，假如選擇的光發射材料為一種可從碳得到好的電荷注入入的材料，則層75可省略，與/或假如提供的層75與/或層76具有足夠的導電性，則層77可省略。光吸收層76最好處在其它兩層(在二者存在的場合下)之間，在此情況下它應是導電的，但它也可處在其它兩層的后面。作為替代方案，或另外方案，可提供一個覆蓋整個結構的光吸收層(圖4中的層29)。假如該層由導電材料例如碳形成，則可提供一個絕緣層23以防止各陰極條21之間短路。
光吸收層76的作用是吸收入射在顯示器上的光，不然此光能從顯示器反射從而導致對比度的降低。圖4中通過光線80對此作了圖解表示，它們被層23與29吸收。因此光吸收層幫助增高對比度。光吸收層還可幫助減少從光發射層22發射的光在裝置自身內的透射。這可通過避免在某一位置來自與發射光的象素不同的象素從器件產生的這種光而幫助增高對比度。
來自顯示器驅動器的接觸點之一施加到層77。
也可在光發射層22的前面以各象素之間橫向隔離的形式提供一個碳層或其它的不反射層以進一步減少環境光的反射。
由此上述關于圖2至圖4裝置的原理可通過減少較傾斜角度的光的發射與減少反射環境光而改善裝置的相鄰象素之間的對比度與改進來自一個單一象素的光發射的模式。
圖5表示另一個顯示裝置。此裝置包括一個陽極層40與一個陰電極41。位于兩電極層之間的是一個光發射材料層42。陽極與陰極由透明的ITO形成。或者，例如，兩電極可由一種低功函數材料例如鈣的薄層鄰接一個由例如ITO、ZnSe、ZnS等材料形成的透明間隔層而形成。當兩電極之間施加一個合適的電壓時，從光發射材料發射基本上無定向的光。一部分光向前射向陽極并通過陽極直接從裝置射出。一部分光向后射向陰極，通過它進入一個總體以43指示的反射結構。此反射結構包括一個反射層44與一個透明的間隔層46。間隔層46位于陰極41與反射層44之間而隔開反射層同光發射區域42。反射層向回反射向前的發射的光使它能往回通過陰極41、光發射層42、陽極40與玻璃襯底47并從裝置射出(參看光線48)。
圖5中曲線49表示光場的形狀，而區域50表示裝置中電子/空穴復合以產生光子的最強烈區域。對圖1的裝置對應的特性分別以60與61表示。圖5裝置中的間隔層的厚度理想地選擇為使起返回向后發射光作用的反射層44的平面(或平面之一)同發射層隔開一個距離，此距離使得在裝置的至少一個發射頻率下整個反射布置的光模式的峰點(參看曲線49)與裝置的光發射層內的峰值電子/空穴復合區域相一致。這個結果是由于圖5裝置中的光產生區域布置在一個比圖1裝置中更有效的平面內，通過調準光場的峰點(腹點)使與發射層的峰值空穴/電子復合區域相一致。這優化(或至少部分優化)對于一個給定波長的有效光產生的位置。裝置優化的波長最好等于或接近于峰值強度的發射波長。這個理想布置要求十分精確地間隔各層；然而，通過大致地或基本上以此方法布置各層即可獲得顯著的效益。
圖5裝置可通過類似于上述用于圖2裝置的途徑來形成，最高可達到陰極層。然后對于圖5裝置，通過沉積ITO、ZnSe、ZnS或類似材料至要求的厚度形成間隔層46，最好形成在一個低功函數例如鈣的薄層表面上。在ITO間隔層上面由反射材料例如鋁形成反射層44。在一個替代實施例中，可使用一個緊接陰極或同陰極隔開的導體與電介質堆作為反射器。這個堆可例如由ITO與NiO層交替組成。
在另一替代實施例中，電極之一可由一種反射率影響材料形成。陽極或陰極可以是反射的或不反射的(光吸收劑)。這可通過選擇一種具有要求的反射性能與較好的電荷傳導與注入性能的材料而得到。可處理一種電氣上合適的材料(例如通過表面處理或加入一種反射率影響添加劑)以得到要求的反射率性能。
一個專用例子是后部電極(離觀察者最遠的電極)是不反射的。在一個通常如圖1到圖5中那樣布置的裝置中，要求一個不反射的陰極。(在其它裝置中陽極可以是后部電極。)用于反射或不反射陰極的一種適合的材料是LiF∶Al。當LiF∶Al薄膜中Al的成分大于50％時此薄膜是反射的。當Al的成分在50％與30％之間時此薄膜是不反射的。當Al的成分小于30％時此薄膜為半透明，但具有很高的電阻率。因此，在LiF∶Al的比率為50∶50至70∶30范圍內LiF/Al薄膜可用于制作黑色(不反射)陰極。
可以用如下方法制作一個有一個不反射的后部電極(在此例中為陰極)的舉例裝置。把一個150nm厚的ITO層沉積在一片玻璃襯底上作為一個陽極。然后沉積一個50nm厚的PEDOT/PSS層作為一個空穴傳輸層。在其上面形成一個80nm厚的以電熒光聚合物為基材的多芴層。最后沉積一個200nm厚的共蒸發的LiF與Al層(LiF∶Al的蒸發比率為60∶40)作為不反射陰極層。在此層的頂面上沉積一個400nm厚的Al層。在改變這個專用設計的裝置時，應注意LiF∶Al層的可能厚度范圍取決于它的組成，因為層中LiF的比例越大，層將變得越透明。對于組成為60∶40的LiF∶Al層，200nm的厚度正好足夠。合適的厚度范圍為從50至1000nm。
替代的不反射陰極材料通常包括低功函數材料例如Li，Ca，Mg，Cs的氟化物與氧化物，最好與一種有高導電性的金屬例如Al或Cu一起作用(不過在某些情況下可能較少優先使用Cu，因為它趨向于抑制聚合物的電熒光)。具體的例子包括CsF、MgF、CaF、LiO、CaO，它們可同Al共蒸發，或由一個包括Al的組合靶濺射。導體(Al)同絕緣的氟化物與氧化物的要求比率在每例中可方便地通過試驗確定，但可預期應近似于上面對LiF∶Al系統討論的那些數值。另一個對低反射率或不反射的陰極的替代途徑是把一種低功函數材料同碳一起共蒸發或濺射。例子包括低功函數材料Ca、Li等與上面列出的氟化物與氧化物。
圖6是另一個替代裝置的平面圖而圖7是它的剖視圖。此裝置包括一個陽極60，一個空穴傳輸層62，一個陰極63，一個光發射層64，一個分布的布拉格反射器(DBR)層65。DBR位于光發射區域的非觀察側。陰極63的基本部分(66)位于DBR的非觀察側。為使電荷能從陰極的基本部分通到光發射區域，提供通過DBR的陰極通路67。此通路占據一個較小比例的裝置面積例如約15％至5％。為使輸出的電荷均勻注入發射層，在DBR與光發射區域之間提供一個薄到足以透明的又一個陰極層68。假如DBR是導電的，或通路間隔密集，或者可以得到均勻性，則層68可省略?？山柚粋€遮蔽掩模的沉積來形成網眼狀布置的通路(參看圖6)。
DBR包括為滿足在特定波長下反射的布拉格條件而制作的一堆有規律地交替布置的較高與較低反射率的電介質(光透射材料)。當電介質堆中周期性的光路徑相當于波長的一半時出現這個情況，且當DBR堆遵守下面方程時，反射率被進一步優化1/2λ＝n2d2+n2d2。
式中n1、n2為各部分的反射率；d1、d2為DBR中相應部分的薄膜厚度；而λ為要求的反射光的波長。圖8表示一個DBR的反射率與波長的對應關系，在波長最佳值處反射率達到峰值，而對其它波長反射率低得多。
在圖6與圖7的裝置中DBR這樣布置以致使光發射層的發射波長(或它的主要發射波長)落在DBR的反射率峰值區內，且最好在或接近DBR的最高反射率處。這個結果表明DBR可起到增高裝置的對比度而不明顯地降低它的效率的作用。從光發射層向后發射的光被DBR有效地(例如以約95％至100％的反射率)經回向觀察者反射。不等于或不接近于光發射層的發射波長因而不在DBR的反射率峰值區內的入射光，其反射要少得多(例如只有5％至10％)，趨向于被DBR吸收，從而改善了裝置的對比度。DBR的峰值反射率還可用于增強從裝置發射的光的色彩純度。
通路可對一個波長范圍產生反射，因此優先把通路所占面積減至最小，例如小于15％且最好小于10％。
現在將描述對上述裝置的一些變更。在任一裝置中可在光發射層與任一或兩個電極之間形成一個或多個電荷傳輸層(例如層15，70，71)以幫助相應電極與光發射層之間的電荷傳輸，與/或阻抗沿相反方向的電荷傳輸。上述原理可應用于其它類型有機的或無機的顯示裝置。一個特定的替代例子是使用升華的分子薄膜作為光發射層的顯示裝置種類，例如在″Organic Electroluminescent Diodes″，C.W.Tang and S.A.Wanslyke，Appl.Phys.Lett.51，913-915(1987)中所描述的?？深嵉箖蓸O的位置使陰極在顯示器的前部(最接近于觀察者)而陽極在背部?？墒褂闷渌牟牧匣虿牧戏N類來代替上面提到的材料或材料種類，不過這樣做可能影響裝置的性能。
申請人提請注意以下事實本發明可包括本文中暗示或明示公開的任何特征或特征組合或任何由此而作的概括，而不受本權利要求書中任一條的范圍的限制。鑒于前面敘述，對于本領域的技術人員來說，顯然可在本發明的范圍內進行各種修改。
權利要求
1.一種光發射裝置包括一個光發射區域；一個位于光發射區域的觀察側用于注入第一類電荷的載流子的第一電極；與一個位于光發射區域的非觀察側用于注入第二類電荷載流子的第二電極；且其中有一個反射率影響結構，該結構位于光發射區域的非觀察側并包括一個由石墨與/或一種低功函數金屬的氟化物或氧化物組成的光吸收層。
2.根據權利要求1的光發射裝置，其中第一電極為至少部分透光。
3.根據權利要求1或2的光發射裝置，其中反射率影響結構位于第二電極的與光發射區域相對的一側。
4.根據權利要求3的光發射裝置，其中第二電極為至少部分透光。
5.根據權利要求3或4的光發射裝置，其中第二電極的厚度小于30nm。
6.根據權利要求3至5中任一的光發射裝置，其中反射率影響結構鄰近第二電極。
7.根據權利要求1或2的光發射裝置，其中第二電極提供反射率影響結構。
8.根據權利要求7的光發射裝置，其中第二電極包括一種低功函數金屬的氟化物或氧化物。
9.根據權利要求8的光發射裝置，其中第二電極包括鋁。
10.根據前面任一權利要求的光發射裝置，其中反射率影響結構有效地吸收從光發射區域發出的通過第二電極到達此結構的光與/或入射光。
11.根據與權利要求7至10之一直接相關，或與權利要求6間接相關的光發射裝置，其中鄰近第二電極的反射率影響結構的存在使第二電極變得對從光發射區域發射的光與/或入射光基本上不反射。
12.根據前面任一權利要求的光發射裝置，其中第二電極包括一種導電材料。
13.根據前面任一權利要求的光發射裝置，其中光發射層包括一種有機的光發射材料。
14.根據前面任一權利要求的光發射裝置，其中光發射層包括一種聚合物光發射材料。
15.根據前面任一權利要求的光發射裝置，其中光發射層包括一種共軛的聚合物材料。
16.根據前面任一權利要求的光發射裝置，其中反射影響層是導電的。
全文摘要
一種光發射裝置，包括一個光發射區域(12)；一個位于光發射區域的觀察側用于注入第一類電荷載流子的第一電極(10)；與一個位于光發射區域的非觀察側用于注入第二類電荷載流子的第二電極(11)；且其中有一個反射率影響結構(13)，該結構位于光發射區域的非觀察側并包括一個由石墨與/或一種低功函數金屬的氟化物或氧化物組成的光吸收層。
文檔編號H05B33/26GK1591925SQ20041008261
公開日2005年3月9日 申請日期1999年12月7日 優先權日1998年12月8日
發明者保羅·伯格, 杰萊梅·亨利·魯格斯, 朱利安·查爾斯·卡特, 斯蒂芬·卡爾·西克斯 申請人:劍橋顯示技術有限公司