專(zhuān)利名稱(chēng)：Smt掩膜版的顯影方法及印刷電路板模板的生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種印刷電路板模板及SMT掩膜版，并涉及一種印刷電路板模板的生產(chǎn)方法和SMT掩膜版的顯影方法，屬于電子元器件的制造領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著科技的發(fā)展，生活水平不斷提高，人們對(duì)各種電子電器產(chǎn)品的追求日益小型化、精密化，但是傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的穿孔插放元件的方法已經(jīng)無(wú)法再將產(chǎn)品體積縮小。這就促進(jìn)了表面貼裝技術(shù)(Surface Mounting Technolege,簡(jiǎn)稱(chēng)SMT)的發(fā)展，SMT是新一代電子組裝技術(shù)，它將傳統(tǒng)的電子元器件壓縮成體積只有幾十分之一的器件，從而實(shí)現(xiàn)電子產(chǎn)品組裝的高密度、高可靠、小型化、低成本以及生產(chǎn)的自動(dòng)化。SMT通過(guò)解決高針數(shù)集體電路成本問(wèn)題，使用替代材料有效地降低產(chǎn)品的重量及尺寸而獲得高額利潤(rùn)，在非常小的封裝要求情形下SMT將有助于PCB (印刷電路板)的雙面貼裝，在成本方面SMT具備其獨(dú)特的有利地位。利用SMT的自動(dòng)貼裝零件可獲至很高的生產(chǎn)良率。通過(guò)零件密度的增加提升了自動(dòng)化的質(zhì)量，而且自動(dòng)化自然節(jié)省了生產(chǎn)的周期時(shí)間，使投資回收得到最大限度地實(shí)現(xiàn)，通過(guò)利用計(jì)算機(jī)化的設(shè)備，制程控制變得容易且簡(jiǎn)單，大多數(shù)SMT設(shè)備均可實(shí)現(xiàn)以低單價(jià)獲至高產(chǎn)能。作為一個(gè)相對(duì)較為高端的技術(shù)，SMT中每一個(gè)環(huán)節(jié)的要求也相對(duì)較高，錫膏印刷作為SMT中一個(gè)比較重要的環(huán)節(jié)，其印刷質(zhì)量直接影響最終產(chǎn)品的生產(chǎn)良率。影響錫膏的印刷質(zhì)量除了受錫膏印刷機(jī)本身影響外，SMT掩膜板的質(zhì)量對(duì)其也有很大的影響。在印制線(xiàn)路板模板生產(chǎn)中，通常采用的工序?yàn)?貼干膜一曝光一顯影一電鑄或蝕亥|J，其中顯影工序具體步驟為:顯影一暖水洗一水洗一烘干。顯影步驟中采用的顯影液是碳酸鉀(K2CO3)溶液、碳酸鈉(Na2CO3)溶液或其它堿性溶液，要得到精確的圖形必須嚴(yán)格控制顯影條件，特別是要防止顯影不足或者過(guò)顯影等現(xiàn)象的出現(xiàn)。貼膜的芯模過(guò)了顯影段后，板面上殘留有顯影液，經(jīng)過(guò)水洗段清洗，但是如果顯影液沒(méi)有完全洗凈，就會(huì)繼續(xù)對(duì)干膜底部未曝光完全部分進(jìn)行反應(yīng)，造成過(guò)顯影。從而使得電鑄得到的掩模板與芯膜接觸的一面開(kāi)口會(huì)有滲鍍引起的毛刺，蝕刻得到的掩膜版與芯膜接觸的一面開(kāi)口會(huì)出現(xiàn)開(kāi)口不光滑以及開(kāi)口尺寸存在偏差等問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種SMT掩膜版及其顯影方法，不會(huì)出現(xiàn)過(guò)顯影的問(wèn)題，蝕刻得到的掩膜版與芯膜接觸的一面開(kāi)口也不會(huì)出現(xiàn)開(kāi)口不光滑以及開(kāi)口尺寸存在偏差等問(wèn)題。本發(fā)明還提供了一種印刷電路板模板及其生產(chǎn)方法，同樣不會(huì)出現(xiàn)上述問(wèn)題。針對(duì)以上問(wèn)題，本發(fā)明提出以下方案:
一種SMT掩膜版的顯影方法，依次包括:顯影步驟、暖水洗步驟、水洗步驟和烘干步驟，所述顯影步驟中的顯影液為K2CO3溶液、Na2CO3溶液或其它堿性溶液，其特征在于，在所述水洗步驟和所述烘干步驟之間還包括清洗步驟以及清洗后的水洗步驟。顯影后的首次暖水洗及水洗是為了初步將顯影后基板上的殘膜及絕大部分顯影液去除；清洗是為了進(jìn)一步去除殘余的顯影液，以絕對(duì)終止殘余顯影液對(duì)基板上干膜的進(jìn)一步侵蝕；清洗后的水洗及烘干的目的在于去除基板上的反應(yīng)殘液，并防止基板上水滴的流動(dòng)形成水跡而影響下一步電鑄或蝕刻工藝。在所述的清洗步驟中使用的是硫酸鎂溶液。所述硫酸鎂溶液的濃度為0.5 5g/L。優(yōu)選的，所述硫酸鎂溶液的濃度為I 3g/L。優(yōu)選的，所述硫酸鎂溶液的濃度為2g/L。一種印制線(xiàn)路板模板的生產(chǎn)方法，工序包括:貼干膜；曝光；顯影；電鑄或蝕刻，其中所述顯影工序具體包括顯影步驟、暖水洗步驟、水洗步驟和烘干步驟；所述顯影工序中采用的顯影液為K2CO3溶液、Na2CO3溶液或其它堿性溶液，其特征在于，在所述水洗步驟和所述烘干步驟之間還包括清洗步驟以及清洗后的水洗步驟。在所述的清洗步驟中使用的是硫酸鎂溶液。所述硫酸鎂溶液的濃度為0.5 5g/L。優(yōu)選的，所述硫酸鎂溶液的濃度為I 3g/L。優(yōu)選的，所述硫酸鎂溶液的濃度為2g/L。本發(fā)明中的顯影方法，將硫酸鎂溶液清洗設(shè)置在水洗后面，對(duì)水洗后的板進(jìn)行再次處理，使得殘余的堿性顯影液與MgSO4反應(yīng)，防止水洗后殘余的顯影液繼續(xù)與干膜底部反應(yīng)從而造成過(guò)顯影。如果顯影工序后進(jìn)行電鑄工序，可以降低在電鑄過(guò)程中因過(guò)顯影引起的滲鍍，提高電鑄SMT掩膜板的開(kāi)口品質(zhì)和產(chǎn)品良率；如果顯影工序后進(jìn)行蝕刻工序，可以使得產(chǎn)品的開(kāi)口尺寸更為精準(zhǔn)且開(kāi)口壁更為光滑，以利于印刷錫膏時(shí)錫珠的脫落。


下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。圖1所示為現(xiàn)有的SMT掩膜版的顯影方法流程圖。圖2所示為本發(fā)明的SMT掩膜版的顯影方法流程圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1
以下實(shí)施例是針對(duì)SMT掩膜版在電鑄工序前的顯影環(huán)節(jié)做具體說(shuō)明。根據(jù)圖2所示，電鑄SMT掩膜版采用水平式顯影機(jī)進(jìn)行顯影；電鑄基板在水平線(xiàn)上傳遞，依次進(jìn)行:顯影步驟、暖水洗步驟、水洗步驟、硫酸鎂溶液清洗步驟、水洗步驟和烘干步驟；顯影步驟中的顯影液為K2CO3溶液、Na2CO3溶液或其它堿性溶液，優(yōu)選0.8g/L的K2CO3溶液。溶液反應(yīng)原理為:Mg2++C032_— MgCO3 Mg2++20r — Mg (OH) 2
即通過(guò)MgSO4溶液水洗除去干膜底部的堿性溶液。硫酸鎂溶液的濃度為0.5g/L。顯影后的首次暖水洗及水洗是為了初步將顯影后基板上的殘膜及絕大部分顯影液去除；清洗是為了進(jìn)一步去除殘余的顯影液，以絕對(duì)終止殘余顯影液對(duì)基板上干膜的進(jìn)一步侵蝕；清洗后的水洗及烘干的目的在于去除基板上的反應(yīng)殘液，并防止基板上水滴的流動(dòng)形成水跡而影響下一步電鑄或蝕刻工藝。實(shí)施例2
電鑄SMT掩膜版采用水平式顯影機(jī)進(jìn)行顯影；電鑄基板在水平線(xiàn)上傳遞，依次進(jìn)行:顯影步驟、暖水洗步驟、水洗步驟、硫酸鎂溶液清洗步驟、水洗步驟和烘干步驟；顯影步驟中的顯影液為K2CO3溶液、Na2CO3溶液或其它堿性溶液，優(yōu)選0.8g/L的K2CO3溶液；硫酸鎂溶液的濃度為lg/L。實(shí)施例3
電鑄SMT掩膜版采用水平式顯影機(jī)進(jìn)行顯影；電鑄基板在水平線(xiàn)上傳遞，依次進(jìn)行:顯影步驟、暖水洗步驟、水洗步驟、硫酸鎂溶液清洗步驟、水洗步驟和烘干步驟；顯影步驟中的顯影液為K2CO3溶液、Na2CO3溶液或其它堿性溶液，優(yōu)選0.8g/L的K2CO3溶液；硫酸鎂溶液的濃度為2g/L。實(shí)施例4
電鑄SMT掩膜版采用水平式顯影機(jī)進(jìn)行顯影；電鑄基板在水平線(xiàn)上傳遞，依次進(jìn)行:顯影步驟、暖水洗步驟、水洗步驟、硫酸鎂溶液清洗步驟、水洗步驟和烘干步驟；顯影步驟中的顯影液為K2CO3溶液、Na2CO3溶液或其它堿性溶液，優(yōu)選0.8g/L的K2CO3溶液；硫酸鎂溶液的濃度為3g/L。實(shí)施例5
電鑄SMT掩膜版采用水平式顯影機(jī)進(jìn)行顯影；電鑄基板在水平線(xiàn)上傳遞，依次進(jìn)行:顯影步驟、暖水洗步驟、水洗步驟、硫酸鎂溶液清洗步驟、水洗步驟和烘干步驟；顯影步驟中的顯影液為K2CO3溶液、Na2CO3溶液或其它堿性溶液，優(yōu)選0.8g/L的K2CO3溶液；硫酸鎂溶液的濃度為5g/L。以上實(shí)施例目的在于說(shuō)明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，所有在不違背本發(fā)明精神原則的條件下做出的簡(jiǎn)單變換均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種SMT掩膜版的顯影方法，依次包括:顯影步驟、暖水洗步驟、水洗步驟和烘干步驟，所述顯影步驟中的顯影液為K2CO3溶液、Na2CO3溶液或其它堿性溶液，其特征在于，在所述水洗步驟和所述烘干步驟之間還包括清洗步驟以及清洗后的水洗步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯影方法，其特征在于，所述清洗步驟中使用的是硫酸鎂溶液。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯影方法，其特征在于，所述硫酸鎂溶液的濃度為0.5 5g/L0
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯影方法，其特征在于，所述硫酸鎂溶液的濃度為I 3g/L。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯影方法，其特征在于，所述硫酸鎂溶液的濃度為2g/L。
6.一種印制線(xiàn)路板模板的生產(chǎn)方法，工序包括:貼干膜；曝光；顯影；電鑄或蝕刻，其中所述顯影工序具體包括顯影步驟、暖水洗步驟、水洗步驟和烘干步驟；所述顯影工序中采用的顯影液為K2CO3溶液、Na2CO3溶液或其它堿性溶液，其特征在于，在所述水洗步驟和所述烘干步驟之間還包括清洗步驟以及清洗后的水洗步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述清洗步驟中使用的是硫酸鎂溶液。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述硫酸鎂溶液的濃度為0.5 5g/L0
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述硫酸鎂溶液的濃度為I 3g/L。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述硫酸鎂溶液的濃度為2g/L。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種SMT掩膜版及其顯影方法、印刷電路板模板及其生產(chǎn)方法，其中的顯影方法依次包括顯影、暖水洗、水洗、硫酸鎂溶液清洗、水洗和烘干，顯影步驟中的顯影液為K2CO3溶液、Na2CO3溶液或其它堿性溶液，硫酸鎂溶液的濃度為0.5～5g/L，優(yōu)選1～3g/L，最好是2g/L。本發(fā)明能從根本上杜絕過(guò)顯影的問(wèn)題，能提高產(chǎn)品良率，能提高開(kāi)口尺寸的精準(zhǔn)性，同時(shí)還能夠使開(kāi)口光滑。
文檔編號(hào)H05K3/26GK103209545SQ20121006500
公開(kāi)日2013年7月17日 申請(qǐng)日期2012年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月13日
發(fā)明者魏志凌, 高小平, 樊春雷, 劉學(xué)明 申請(qǐng)人:昆山允升吉光電科技有限公司