技術編號：41729624
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及基于雙層膠的微納器件制備方法。屬于微納器件制備。背景技術、氫化硅氧烷(hsq)是一種常用于電子束光刻的負性抗蝕劑，具有高刻蝕選擇比和高分辨率，常被選作電子束光刻膠。經過電子束曝光后，hsq會轉變為氧化硅。芯片制造的核心工藝流程包括曝光、刻蝕和去膠等關鍵步驟。在刻蝕完成后，殘留的電子束光刻膠可能會對芯片的性能和可靠性產生不利影響。因此，去膠工序的主要目的是徹底清除刻蝕后殘留在芯片表面的電子束光刻膠，以確保芯片的功能完整性和性能優化。這一步驟對于提高芯片良品率和保證其長期穩定性至關重要。...
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