技術編號：41738154
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本公開涉及具有改進的主體結構以提高魯棒性的mosfet晶體管以及相關的制造工藝。背景技術、眾所周知，存在被設計為承受特別高的電壓的mosfet晶體管；在使用中，這些mosfet晶體管可能會發現自己在擊穿條件下短期操作。例如，當mosfet晶體管具有電感型負載時，該mosfet晶體管可能不得不承受高于擊穿電壓的漏源電壓，在這種情況下，mosfet晶體管中存在的漏源二極管被高反向電流流過。由于這種反向電流，由mosfet晶體管的主體區、源極區以及漏極區形成的寄生雙極晶體管可以被導通，在這種情況下，...
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