技術編號：41754387
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明屬于納米加工領域，涉及制備工藝對p型場效應晶體管領域。背景技術、技術背景、為了實現二維(d)材料的實際應用，必須開發各種器件和集成電路的先進加工和制造策略。納米制造工藝，包括納米圖案化，在連接d材料的微觀結構和集成電子和光電子芯片方面發揮著關鍵作用，這必然需要廣泛的研究探索。器件加工的傳統制造工藝主要包括光刻(如uv光刻、ebl)和刻蝕(如等離子體刻蝕、反應離子刻蝕)等。然而，由于d材料高度敏感的表面和界面特性，dp型或n型半導體的固有電性能在器件加工過程中容易改變。-例...
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