技術編號：41763846
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及光電探測器，特別涉及一種背入射雪崩光電探測器及其制作方法。背景技術、隨著對探測器傳輸速率的要求越來越高，傳統正入射探測器無法在保證入射光耦合效率的情況下進一步縮小臺面尺寸，且隨著吸收區厚度減小，器件的響應度進一步降低。、采用背入射方案的雪崩光電二極管(avalanche?photo?diode，apd)一般在背面蒸鍍一層減反膜或者通過背面襯底刻蝕出聚光微透鏡來增強對入射光的吸收。但是隨著信息技術發展，對速率要求越來越高，這兩種技術方案均無法滿足高響應度高速率的要求。技術實現思路、...
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該類技術注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。