技術(shù)編號：41774964
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及碳化硅晶體生長領(lǐng)域，尤其涉及一種高效率碳化硅單晶生長裝置。背景技術(shù)、碳化硅是典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，是繼硅、砷化鎵之后的第三代半導(dǎo)體材料。與硅、砷化鎵相比，碳化硅材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等優(yōu)異性能，在高溫、高頻、高功率及抗輻射器件方面擁有應(yīng)用前景。、目前，制備碳化硅單晶體的常用方法是物理氣相傳輸法（pvt）。即將碳化硅粉料放在密閉的石墨坩堝底部，而在坩堝頂部中心放置碳化硅籽晶。例如，公開號為cnu的一種用于生長大尺寸碳化硅單晶的坩堝其既是如...
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