專利名稱：單株多圈大立菊的培植方法
技術領域：
本發明涉及一種菊花的培植方法，特別是一種單株多圈大立菊的培植方法。
背景技術：
現有單株多圈大立菊的培植方法,是將一個菊花品種嫁接到青蒿或黃蒿或 白蒿上，而菊花是一種落葉宿根草本植物，有明顯的一年一次的休眠期，也就 是說， 一株菊花最長的生長期一般只有一年，其樹形較小，所以，現有的大立 菊上所能嫁接的菊花數量有限。 發明內容本發明的目的是為了解決現有單株多圈大立菊的培植方法中存在的花朵 數量少的問題，而提供一種可以跨年度生長、無需嫁接的大立菊培植方法。本發明的目的是這樣實現的 一種單株多圈大立菊的培植方法，其特征在于A、 在第一年的8月選用火舞或粉牡丹或飛雪迎春為母株，直接用母株頂部 的嫩枝扦插到泥土上培育為植株；B、 經半個月的培育，植株長出根后直接將其定植于盆內中央且確保直立， 離中心約10cm處用瓦片圍成一圈，圏內填上泥土，圈外至盆邊預留空位，然后 根據不同的生長季節和植株長勢，分期逐步往外擴穴培土，每次向外擴寬約6公分；C、 在第一年的8月底開始，每晚九點到第二天凌晨三點在距植株頂部約1 米處用白熾燈進行燈光照射，照射標準為100瓦/5平方米，持續到第二年4月中旬；D、 大約在第二年的9月下旬，當菊枝掛滿花蕾時，清疏花蕾，促進保留花 蕾的營養供應，使花朵達到最大，且大小均勻一致；E、 將各花蕾扎制成型。所述單株多圏大立菊的培植方法，其特征在于所述泥土由70%—一90%的塘 泥和10%—一30%的煤渣組成。所述單株多圈大立菊的培植方法，其特征在于所述泥土由80%的塘泥和20% 的煤渣組成。所述單株多圈大立菊的培植方法，其特征在于在第一年的8月底開始，每 七天施一次肥。所述單株多圈大立菊的培植方法，其特征在于所述扎制方法如下在上述 嫩技扦插到盆內泥土前，先制作一個下固定架，該下固定架由若干個相互固定 的同心的鋼圈構成，將該下固定架置于所述盆內，使所述嫩枝經下固定架中央 的通孔伸出；扎制時先將所述下固定架與盆固定，然后在所述盆內的泥土中固 定三個竹樁，在竹樁上固定一個上固定架，該上固定架由一個直徑為5—6厘米 的鐵圈和若干鐵條構成，其中各鐵條成輻射狀均勻分布在鐵圈外且鐵條的內端 與所述鐵圏焊接在一起；準備與整株大立菊上總花朵相同的小竹，將小竹下端 穿過下固定架中鋼圏之間的間隙插入盆內泥土、使各小竹均勾分布，選擇位于 中央的3—6朵花朵作為第一圏，將該3—6朵花朵的枝莖分別夾在對應的3—6 根小竹上端的開口處，在第一圈小竹的外圍用第一鐵絲圏定位，該第一鐵絲圈 與上固定架固定；選擇比第n團多6朵的花朵數量和小竹數量作為第(n+l)圏， 將第(n+l)圈的花朵枝莖分別夾在對應的小竹上端開口處，在第(n+l)圏小 竹外圍用第(n+l)鐵絲圏定位，該第(n+l)鐵絲圈與上固定架固定，其中ii 為大于或等于l的自然整數。所述單株多圈大立菊的培植方法，其特征在于所述第(n+l)圏的半徑比第 n圈的半徑約5-6公分。所述單株多圈大立菊的培植方法，其特征在于所述相鄰的鋼圈的半徑相差2公分。由于釆用了本發明所述的技術方案，大立菊的生長期可以超過一年，樹形 足夠大，可以在母株上長出較多的花朵，按這種方法栽培出來的大立菊可以集 幾千朵花于一體。


圖1是本發明所述單株多圏大立菊的培植方法中扎制時使用的上固定架 的立體圖。圖2是本發明所述單株多圈大立菊的培植方法中扎制時使用的下固定架 的立體圖。
具體實施例方式下面以一個大立菊的培植過程為實施例作進一步的說明，其步驟如下 先制作一個如圖l所示形狀的下固定架，該下固定架由若干個同心的鋼圏 IO和徑向幅射的六根鋼枝構成，相鄰的鋼圈半徑相差約2公分，其中各鋼圏IO焊接在六根徑向幅射的鋼枝上。A、 用80%的塘泥和20%的煤渣混合而成泥土，在第一年的8月選用火舞或 粉牡丹或飛雪迎春為母株，直接用母株頂部的嫩枝扦插到泥土上培育為植株；B、 經半個月的培育，植株長出根后直接將其定植于盆內中央且確保直立， 離中心約lOcm處用瓦片圍成一圏，圏內填上泥土(80%的塘泥和20%的煤渣混合 泥土)，圈外至盆邊預留空位，然后根據不同的生長季節和植株長勢，分期逐步 往外擴穴培土，每次向外擴寬約6公分；將圖l所示的下固定架置于盆內，并 使植株經下固定架中央的通孔10伸出；往外擴穴培土時，可以將下固定架向上 抬起一定距離；C、 在8月底開始，每晚九點到第二天凌晨三點在距植株頂部約l米處用白 熾燈進行燈光照射，照射標準為100瓦/5平方米，持續到第二年4月中旬；而 且每七天施一次肥料；前中期用0.2%的復合肥加少量的花生餅一起施用，后期 用葉面寶或磷酸二氫鉀進行葉面施肥幾次；D、 大約在第二年的9月下旬，當菊枝掛滿花蕾時，清疏花蕾，促進保留花 蕾的營養供應，使花朵達到最大，且大小均勻一致；E、 將各花蕾扎制成型。 扎制方法如下扎制時先將所述下固定架與盆固定，然后在所述盆內的泥土中固定三個竹 樁，在竹樁上固定一個圖2所示的上固定架，該上固定架由一個直徑為5—6厘 米的鐵圈2(圖2中位于最內的一個)和六條向外伸的弧形鐵條構成，其中六條 弧形的鐵條內端與鐵圈2焊接在一起；準備與整株大立菊上總花朵相同的小竹， 將小竹下端穿過圖1的下固定架中鋼圈之間的間隙插入盆內泥土、使各小竹均 勾分布，選擇位于中央的6朵花朵作為第一圈，將該6朵花朵的枝莖分別夾在 對應的6根小竹上端的開口處，在第一圈小竹的外圍用第一鐵絲圏定位，該第 一鐵絲圈與上固定架的鐵條固定；以此類推，選擇比第n圈多6朵的花朵數量 和小竹數量作為第(n+l)圏，將第(n+l)圈的花朵枝莖分別夾在對應的小竹 上端開口處，在第(n+l)圈小竹外圍用第(n+l)鐵絲圏定位，該第(n+l)鐵 絲圈與上固定架固定，其中n為l到46的自然數，各圈之間間隔為5-6公分。 各鐵絲圈的作用是將各圏的花朵定型，以使整盆大立菊形態美觀，也可以用繩 索代替鐵絲。因為小竹下端插入下固定架相鄰的鋼圈間隙中，所以各小竹易于 定位。
權利要求
1、一種單株多圈大立菊的培植方法，其特征在于A、在第一年的8月選用火舞或粉牡丹或飛雪迎春為母株，直接用母株頂部的嫩枝扦插到泥土上培育為植株；B、經半個月的培育，植株長出根后直接將其定植于盆內中央，離中心約10cm處用瓦片圍成一圈，圈內填上泥土，圈外至盆邊預留空位，然后根據不同的生長季節和植株長勢，分期逐步往外擴穴培土，每次向外擴寬約6公分；C、在第一年的8月底開始，每晚九點到第二天凌晨三點在距植株頂部約1米處用白熾燈進行燈光照射，照射標準為100瓦/5平方米，持續到第二年4月中旬；D、大約在第二年的9月下旬，當菊枝掛滿花蕾時，清疏花蕾，促進保留花蕾的營養供應，使花朵達到最大，且大小均勻一致；E、將各花蕾扎制成型。
2、 根據權利要求l所述單株多圈大立菊的培植方法，其特征在于所述泥土 由70%—一90%的塘泥和10%—一30%的煤渣組成。
3、 根據權利要求2所述單株多圈大立菊的培植方法，其特征在于所述泥土 由80%的塘泥和20%的煤渣組成。
4、 根據權利要求l所述單株多圈大立菊的培植方法，其特征在于在第一年 的8月底開始，每七天施一次肥。
5、 根據權利要求l所述單株多圈大立菊的培植方法，其特征在于所述扎制 方法如下在上述嫩技扦插到盆內泥土前，先制作一個下固定架，該下固定架 由若干個相互固定的同心的鋼圈構成，將該下固定架置于所述盆內，使所述嫩 枝經下固定架中央的通孔伸出；扎制時先將所述下固定架與盆固定，然后在所 述盆內的泥土中固定三個竹樁，在竹樁上固定一個上固定架，該上固定架由一 個直徑為5—6厘米的鐵圈和若干鐵條構成，其中各鐵條成輻射狀均句分布在鐵圈外且鐵條的內端與所述鐵圏焊接在一起；準備與整株大立菊上總花朵相同的 小竹，將小竹下端穿過下固定架中鋼圏之間的間隙插入盆內泥土、使各小竹均勻分布，選擇位于中央的3—6朵花朵作為第一圈，將該3—6朵花朵的技莖分 別夾在對應的3—6根小竹上端的開口處，在第一圈小竹的外圍用第一鐵絲圈定 位，該第一鐵絲圈與上固定架固定；選擇比第n圈多6朵的花朵數量和小竹數 量作為第(n+l)圏，將第(n+l)圈的花朵枝莖分別夾在對應的小竹上端開口 處，在第(n+l)圏小竹外圍用第(n+l)鐵絲圈定位，該第(n+l)鐵絲圈與上 固定架固定，其中n為大于或等于l的自然整數。
6、 根據權利要求5所述單株多圏大立菊的培植方法，其特征在于所述第 (n+l)圏的半徑比第n圃的半徑約5-6公分。
7、 根據權利要求5所述單株多圏大立菊的培植方法，其特征在于所述相鄰 的鋼圈的半徑相差2公分。
全文摘要
本發明涉及一種可以跨年度生長、無需嫁接的大立菊培植方法，直接選用火舞或粉牡丹或飛雪迎春為母株，直接用母株頂部的嫩枝扦插到泥土上培育為植株；經半個月的培育后直接將其定植于盆內中央，離中心約10cm處用瓦片圍成一圈，圈內填上泥土，圈外至盆邊預留空位，然后根據不同的生長季節和植株長勢，分期逐步往外擴穴培土；在第一年的8月底開始，每晚九點到第二天凌晨三點在距植株頂部約1米處用白熾燈進行燈光照射，照射標準為100瓦/5平方米，持續到第二年4月中旬；大約在第二年的9月下旬，當菊枝掛滿花蕾時，清疏花蕾；最后將各花蕾扎制成型。
文檔編號A01G1/00GK101331831SQ20071002900
公開日2008年12月31日 申請日期2007年6月29日 優先權日2007年6月29日
發明者左容昌, 張偉釗, 麥標池, 麥池英 申請人:中山市小欖鎮人民政府