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一種甘草種植方法與流程

文檔序號:11866659閱讀:260來源:國知局

本發明屬于苗木種植技術領域,具體地,一種甘草種植方法。



背景技術:

甘草,(學名:Glycyrrhiza uralensis Fisch)別名:國老、甜草、烏拉爾甘草、甜根子。豆科、甘草屬多年生草本,根與根狀莖粗壯,是一種補益中草藥。對人體很好的一種藥,藥用部位是根及根莖,藥材性狀根呈圓柱形,長25-100cm,直徑0.6-3.5cm。外皮松緊不一,表面紅棕色或灰棕色。根莖呈圓柱形,表面有芽痕,斷面中部有髓。氣微,味甜而特殊。功能主治清熱解毒、祛痰止咳、脘腹等。喜陰暗潮濕,日照長氣溫低的干燥氣候。甘草多生長在干旱、半干旱的荒漠草原、沙漠邊緣和黃土丘陵地帶。根和根狀莖供藥用。

甘草為常用大宗藥材,藥食兼用品種,年需要量約6萬t左右,位列諸藥前列。近年來,家種甘草的生產和銷售量趨增,市場較野生品暢銷。甘草國之藥老,有“十方九草”之美譽,被大量用于臨床配方,同時,甘草提取物被廣泛地工業、化工等領域,并有大量的出口。甘草數量巨大,行情人為性不強,隨著家種品的市場占有量增加,關注力明顯在增加。

家種甘草9月上旬開始采挖,并延續11月底。野生品一般在春秋兩季采挖,以秋冬季為主。有性繁殖的甘草一般生長3-4年后采收,育苗移栽一般生長2-3年后采收。采挖以秋季為好。甘草喜光照充足,雨量較少,夏季酷熱,冬季嚴寒,晝夜溫差大的生態條件,具有喜光、耐旱、耐熱、耐鹽堿和耐寒的特性。甘草的生產一般不受自然災害的影響。

野生甘草數量受資源量的嚴重減少和生產能力、勞動成本等諸多因素的影響,產量明顯下降,市場份額趨降。而近年以甘肅產區為主的家種甘草,在一定程度上彌補了野生資源的不足,由于家種生產存在不穩定性,也使得甘草的行情較以前變化更加頻繁,變化的幅度會增大。甘草大批量經營的難度較大,甘草品種巨大,規格雜亂,野生品生產彈性大,分布廣泛,且每年國外都有一定數量的進口。

目前甘草人工種植分布于我國西北、華北、和東北地區,其具有干旱、少雨、 光照強,晝夜溫差大,冬季寒冷、夏季炎熱等獨特的地理環境氣候條件。隨著我國甘草需求量不斷增長,通過人工采挖野生資源的方式難以滿足社會需求發展,也造成對野生資源的破壞。目前種植甘草采用傳統的人工種植或人工移栽,機械育苗,需三年采收,畝產在900-950kg。此種植方法勞動強度大,生長周期長,毛草比例大,成品率底,根頸不長,側根側頸多,根頸直徑均勻度差,效益低。

申請號為201010114751.8的中國專利公開了“甘草種植方法”,包括整地、施肥、覆膜、播種,其特征在于 :所述整地包括深松、碎土和成壟,所述播種采用膜下精量點播技術。上述甘草種植方法存在育苗、移栽和生長周期長、產品質量差的問題。



技術實現要素:

針對現有技術中的缺陷,本發明的目的是提供一種甘草種植方法,以克服育苗、移栽和生長周期長、產品質量差的問題。

根據本發明提供的一種甘草種植方法,包括:

步驟(1)整地;

步驟(2)施肥;

步驟(3)覆膜;

步驟(4)播種,

所述步驟(1)整地包括深松、碎土和成壟環節,在進行整地時,深松土壤,深松溝寬,溝上自然起壟;

所述步驟(2)施肥時,進行壟上機械集中施肥;

所述步驟(4)播種采用膜下精量點播技術,進行膜下精量點播時,采用一壟多行點播技術,播種深度3.0cm以下,種穴輕微覆土2.0cm以下,在播種前,甘草種子經稀鹽酸攪拌浸泡,經稀鹽酸攪拌浸泡,

在甘草莖部長至4-6cm時,掐去甘草頂端幼芽,破壞其頂端生長點,可使甘草縱向長勢停止。

優選地,所述(1)整地包括深松、碎土和成壟環節,在進行整地時,深松土壤0.5-2.5m,深松溝寬20-60cm,溝上自然起壟。

優選地,所述(2)施肥時,進行壟上機械集中施肥,施肥深度10-16cm。

優選地,所述(4)播種采用膜下精量點播技術,進行膜下精量點播時,采用一壟雙行點播或一壟四行點播技術,播種深度1.6-1.9cm,種穴輕微覆土1.4-1.8cm。

優選地,在播種前,甘草種子經稀鹽酸攪拌浸泡,經稀鹽酸攪拌浸泡 18-25min,浸泡溫度為20-30℃。

優選地,所述步驟(2)所施用肥料為液態有機肥。

優選地,在甘草莖部長至4-6cm時,掐去甘草頂端幼芽后,在頂端進行表面消毒。

優選地,所述表面消毒步驟包括,(1)用消毒液將甘草頂端表面擦拭干凈;(2)用蒸餾水清洗。

優選地,所述消毒液為酒精。

與現有技術相比,本發明具有如下的有益效果:

(1)本發明提供的一種甘草種植方法可有效改善甘草根部深層土壤結構,減少了甘草根頸生長阻力,控制了側根側頸水平發展空間,創造出良好的甘草根頸獨立生長的條件。在這種土壤環境條件下生長出的甘草獨頸無杈,毛草量少,從而提高了甘草產量和品質,縮短了生長周期并降低了了生產成本;

(2)本發明提供的種植方法在甘草莖部長至4-6cm時,掐去甘草頂端幼芽,破壞其頂端生長點,可使甘草縱向長勢停止,長度保持不變,后期生長產生的營養成分聚集在原有植株內,從而生成藥用價值極高的甘草。

具體實施方式

下面結合具體實施例,進一步闡述本發明。應理解,這些實施例僅用于說明本發明而不用于限制本發明的范圍。

本發明提供的一種甘草種植方法,包括:

步驟(1)整地;

步驟(2)施肥;

步驟(3)覆膜;

步驟(4)播種,

所述步驟(1)整地包括深松、碎土和成壟環節,在進行整地時,深松土壤,深松溝寬,溝上自然起壟;

所述步驟(2)施肥時,進行壟上機械集中施肥;

所述步驟(4)播種采用膜下精量點播技術,進行膜下精量點播時,采用一壟多行點播技術,播種深度3.0cm以下,種穴輕微覆土2.0cm以下,在播種前,甘草種子經稀鹽酸攪拌浸泡,經稀鹽酸攪拌浸泡,

在甘草莖部長至4-6cm時,掐去甘草頂端幼芽,破壞其頂端生長點,可使甘草縱向長勢停止。

所述(1)整地包括深松、碎土和成壟環節,在進行整地時,深松土壤0.5-2.5m,深松溝寬20-60cm,溝上自然起壟。

所述(2)施肥時,進行壟上機械集中施肥,施肥深度10-16cm。

所述(4)播種采用膜下精量點播技術,進行膜下精量點播時,采用一壟雙行點播或一壟四行點播技術,播種深度1.6-1.9cm,種穴輕微覆土1.4-1.8cm。

在播種前,甘草種子經稀鹽酸攪拌浸泡,經稀鹽酸攪拌浸泡 18-25min,浸泡溫度為20-30℃。

所述步驟(2)所施用肥料為液態有機肥。

在甘草莖部長至4-6cm時,掐去甘草頂端幼芽后,在頂端進行表面消毒。

所述表面消毒步驟包括,(1)用消毒液將甘草頂端表面擦拭干凈;(2)用蒸餾水清洗。

所述消毒液為酒精。

與現有技術相比,本發明具有如下的有益效果:

(3)本發明提供的一種甘草種植方法可有效改善甘草根部深層土壤結構,減少了甘草根頸生長阻力,控制了側根側頸水平發展空間,創造出良好的甘草根頸獨立生長的條件。在這種土壤環境條件下生長出的甘草獨頸無杈,毛草量少,從而提高了甘草產量和品質,縮短了生長周期并降低了了生產成本;

(4)本發明提供的種植方法在甘草莖部長至4-6cm時,掐去甘草頂端幼芽,破壞其頂端生長點,可使甘草縱向長勢停止,長度保持不變,后期生長產生的營養成分聚集在原有植株內,從而生成藥用價值極高的甘草。

實施例1

本實施例提供的一種甘草種植方法,包括:

步驟(1)整地;

步驟(2)施肥;

步驟(3)覆膜;

步驟(4)播種,

所述步驟(1)整地包括深松、碎土和成壟環節,在進行整地時,深松土壤,深松溝寬,溝上自然起壟;

所述步驟(2)施肥時,進行壟上機械集中施肥;

在甘草莖部長至6cm時,掐去甘草頂端幼芽,破壞其頂端生長點,可使甘草縱向長勢停止。

所述(1)整地包括深松、碎土和成壟環節,在進行整地時,深松土壤0.5m,深松溝寬60cm,溝上自然起壟。

所述(2)施肥時,進行壟上機械集中施肥,施肥深度10cm。

所述(4)播種采用膜下精量點播技術,進行膜下精量點播時,采用一壟雙行點播或一壟四行點播技術,播種深度1.9cm,種穴輕微覆土1.4cm。

在播種前,甘草種子經稀鹽酸攪拌浸泡,經稀鹽酸攪拌浸泡 25min,浸泡溫度為20℃。

所述步驟(2)所施用肥料為液態有機肥。

在甘草莖部長至6cm時,掐去甘草頂端幼芽后,在頂端進行表面消毒。

所述表面消毒步驟包括,(1)用消毒液將甘草頂端表面擦拭干凈;(2)用蒸餾水清洗。

所述消毒液為酒精。

實施例2

本實施例提供的一種甘草種植方法,包括:

步驟(1)整地;

步驟(2)施肥;

步驟(3)覆膜;

步驟(4)播種,

所述步驟(1)整地包括深松、碎土和成壟環節,在進行整地時,深松土壤,深松溝寬,溝上自然起壟;

所述步驟(2)施肥時,進行壟上機械集中施肥;

在甘草莖部長至4cm時,掐去甘草頂端幼芽,破壞其頂端生長點,可使甘草縱向長勢停止。

所述(1)整地包括深松、碎土和成壟環節,在進行整地時,深松土壤2.5m,深松溝寬20cm,溝上自然起壟。

所述(2)施肥時,進行壟上機械集中施肥,施肥深度16cm。

所述(4)播種采用膜下精量點播技術,進行膜下精量點播時,采用一壟雙行點播或一壟四行點播技術,播種深度1.6cm,種穴輕微覆土1.8cm。

在播種前,甘草種子經稀鹽酸攪拌浸泡,經稀鹽酸攪拌浸泡 18min,浸泡溫度為30℃。

所述步驟(2)所施用肥料為液態有機肥。

在甘草莖部長至4cm時,掐去甘草頂端幼芽后,在頂端進行表面消毒。

所述表面消毒步驟包括,(1)用消毒液將甘草頂端表面擦拭干凈;(2)用蒸餾水清洗。

所述消毒液為酒精。

實施例3

本實施例提供的一種甘草種植方法,包括:

步驟(1)整地;

步驟(2)施肥;

步驟(3)覆膜;

步驟(4)播種,

所述步驟(1)整地包括深松、碎土和成壟環節,在進行整地時,深松土壤,深松溝寬,溝上自然起壟;

所述步驟(2)施肥時,進行壟上機械集中施肥;

在甘草莖部長至5cm時,掐去甘草頂端幼芽,破壞其頂端生長點,可使甘草縱向長勢停止。

所述(1)整地包括深松、碎土和成壟環節,在進行整地時,深松土壤1.5m,深松溝寬40cm,溝上自然起壟。

所述(2)施肥時,進行壟上機械集中施肥,施肥深度14cm。

所述(4)播種采用膜下精量點播技術,進行膜下精量點播時,采用一壟雙行點播或一壟四行點播技術,播種深度1.7cm,種穴輕微覆土1.6cm。

在播種前,甘草種子經稀鹽酸攪拌浸泡,經稀鹽酸攪拌浸泡 19min,浸泡溫度為25℃。

所述步驟(2)所施用肥料為液態有機肥。

在甘草莖部長至5cm時,掐去甘草頂端幼芽后,在頂端進行表面消毒。

所述表面消毒步驟包括,(1)用消毒液將甘草頂端表面擦拭干凈;(2)用蒸餾水清洗。

所述消毒液為酒精。

實施例4

本實施例提供的一種甘草種植方法,包括:

步驟(1)整地;

步驟(2)施肥;

步驟(3)覆膜;

步驟(4)播種,

所述步驟(1)整地包括深松、碎土和成壟環節,在進行整地時,深松土壤,深松溝寬,溝上自然起壟;

所述步驟(2)施肥時,進行壟上機械集中施肥;

在甘草莖部長至5cm時,掐去甘草頂端幼芽,破壞其頂端生長點,可使甘草縱向長勢停止。

所述(1)整地包括深松、碎土和成壟環節,在進行整地時,深松土壤2.0m,深松溝寬50cm,溝上自然起壟。

所述(2)施肥時,進行壟上機械集中施肥,施肥深度13cm。

所述(4)播種采用膜下精量點播技術,進行膜下精量點播時,采用一壟雙行點播或一壟四行點播技術,播種深度1.8cm,種穴輕微覆土1.6cm。

在播種前,甘草種子經稀鹽酸攪拌浸泡,經稀鹽酸攪拌浸泡 22min,浸泡溫度為23℃。

所述步驟(2)所施用肥料為液態有機肥。

在甘草莖部長至6cm時,掐去甘草頂端幼芽后,在頂端進行表面消毒。

所述表面消毒步驟包括,(1)用消毒液將甘草頂端表面擦拭干凈;(2)用蒸餾水清洗。

所述消毒液為酒精。

以上對本發明的具體實施例進行了描述。需要理解的是,本發明并不局限于上述特定實施方式,本領域技術人員可以在權利要求的范圍內做出各種變形或修改,這并不影響本發明的實質內容。

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