毛發(fā)去除和再生抑制裝置制造方法
【專利摘要】一種毛發(fā)去除和再生抑制裝置（10），該裝置包括：控制回路（70）；毛發(fā)去除和抑制頭（20）；擴展器組件（23），其偶聯(lián)到所述毛發(fā)去除和抑制頭（20）上，并遠離頭（20）的壁朝向端部延伸，擴展器組件在其端部處從所述毛發(fā)去除和抑制頭（20）壁中去除的開口（17）；輻照元件（40），其固定到頭（20）上并響應于所述控制回路（70）；反射器（90），其設置在頭（20）上，在輻照元件（40）和頭（20）之間；以及切割元件（110），其固定到頭（20）上，并布置成當開口（17）與具有從皮膚向外延伸的毛發(fā)（150）的皮膚部分（140）并置時便切割毛發(fā)，其中，反射器（90）布置成基本上反射朝向開口（17）輸出的電磁輻射。可供選擇的是，輻照元件（40）在第一和第二位置之間規(guī)則地平移，以加熱和切割毛發(fā)而不損害皮膚。
【專利說明】毛發(fā)去除和再生抑制裝置
[0001]相關申請的交互參照
[0002]本申請要求對以下兩專利申請的優(yōu)先權(quán)益:2011年6月22日提交的美國臨時專利申請S/N61/499，714，其題為“修改的家庭用的去毛發(fā)裝置”;以及2011年6月22日提交的美國臨時專利申請S/N61/499，713，其題為“毛發(fā)處理和去毛發(fā)裝置”，本文以參見方式引入各專利的全部內(nèi)容。
【技術(shù)領域】
[0003]本發(fā)明總的涉及毛發(fā)去除和再生抑制的領域，其使用加熱元件，并可供選擇地附加提供輻射元件來提高光熱分解作用。
【背景技術(shù)】
[0004]從身體上去除不希望的毛發(fā)可用機械手段來實現(xiàn)，例如，剃毛器、鑷子或石蠟，所有這些方法用起來不舒服，刺激皮膚和/或損傷皮膚。另一種去除毛發(fā)的形式是將毛發(fā)生長加熱到足以切斷毛發(fā)的溫度，然而，去除毛發(fā)的裝置涉及到熱量問題，過度的熱量會有損傷皮膚的危險。2004年11月30日發(fā)表的授予Shalev等人的美國專利6，825，445致力于一種電剃毛器，其包括發(fā)熱器和一個或多個加熱到足以切斷毛發(fā)的溫度的加熱元件，發(fā)熱器布置成防止在足夠長時間將熱量連續(xù)地施加到單一區(qū)域上而致使皮膚損傷，本文以參見方式引入該專利的全部內(nèi)容。
[0005]2007年I月30 日發(fā)表的授予Shalev等人的美國專利7，170，034致力于一種電剃毛器，其包括加熱到足以切斷毛發(fā)的溫度的加熱元件，加熱元件的加熱是脈沖的，以防止在足夠長時間將熱量連續(xù)地施加到單一區(qū)域上而致使皮膚損傷，本文以參見方式引入該專利的全部內(nèi)容。
[0006]2007年4月10日發(fā)表的授予Shalev等人的美國專利7，202，446致力于一種電剃毛器，其包括加熱到能夠切斷毛發(fā)的溫度的細長元件和其上安裝有細長元件的振動結(jié)構(gòu)，該振動結(jié)構(gòu)布置成防止皮膚受損傷，本文以參見方式引入該專利的全部內(nèi)容。
[0007]2009年8月20日出版的授予Shalev等人的美國專利申請公開S/N2009/0205208致力于一種毛發(fā)切除器，其包括探測器、毛發(fā)切割去除和抑制頭和控制器，該探測器適于探測布置成切割毛發(fā)的剃毛器加熱絲的運動，毛發(fā)切割去除和抑制頭具有適于加熱從皮膚生長出的毛發(fā)和切割毛發(fā)的加熱絲，控制器布置成:響應于探測到運動或沒有探測到運動，在毛發(fā)切割位置和縮回位置之間移動該毛發(fā)切割去除和抑制頭。
[0008]已經(jīng)知道，加熱毛發(fā)小囊會影響毛發(fā)生長率。經(jīng)驗表明，反復使用基于熱量的毛發(fā)去除裝置，諸如由紐約州Orangeburg市Radiancy公司出品的一些certain no! no丨方'產(chǎn)品，會顯著地降低毛發(fā)生長率。盡管毛發(fā)生長率通過上述產(chǎn)品得以降低，但毛發(fā)生長率的降低只是副產(chǎn)物，因此不是最佳的。
[0009]在2001年出版的“外科和醫(yī)學中的激光”雜志中，由G.B.Altshuler等人所著的文章描述了選擇性光熱分解理論和選擇性光熱分解的拓展性理論。根據(jù)選擇性光熱分解理論，用合適波長和脈沖時間的電磁輻射(EMR)來輻照皮膚，導致目標結(jié)構(gòu)永久性熱損傷，而留出周圍組織完好無損。當施加到毛發(fā)小囊上時，所施加的EMR的脈沖寬度比毛發(fā)小囊的熱松弛時間短得多，因此，導致毛發(fā)小囊內(nèi)產(chǎn)生的熱量不流出，直到毛發(fā)小囊變得完全損壞為止，同時使周圍表皮的損傷減到最小。
[0010]選擇性光熱分解的拓展性理論表明，應選擇EMR波長，使著色區(qū)域的吸收系數(shù)和目標周圍組織的吸收系數(shù)之間的反差最大。此外，應限制EMR功率，防止著色區(qū)域內(nèi)的吸收損失，同時確保有顏色區(qū)域的溫度足以達到高于目標損傷溫度。最后，脈沖寬度應小于或等于熱損傷時間(TDT)，這里，TDT被定義為目標不可逆的損壞而保護周圍組織無損所需要的時間。應指出的是，TDT可顯著地大于全部目標的TRT。
[0011]有可能希望使選擇性光熱分解理論的某些方面適合改進毛發(fā)切割和剃毛裝置的結(jié)果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]因此，本發(fā)明的主要目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的至少某些缺點。在某些實施例中，這是通過提供一體化的裝置來達到，該裝置包括剃毛器，剃毛器使用切割元件和輻照元件，該輻照元件布置成輻照皮膚部分，近紅外輻射提供到毛發(fā)小囊或靠近小囊的內(nèi)皮膚層，而沒有因過度熱量而損傷外皮膚層。在一個實施例中，切割元件是加熱元件，而在另一實施例中，切割元件和輻照元件被提供為一體的元件。
[0013]在一個獨立的實施例中，能夠使用毛發(fā)去除和再生抑制裝置，該裝置包括:控制回路；至少一個固定到外殼上的去除和抑制頭；至少一個擴展器組件，其偶聯(lián)到至少一個去除和抑制頭上，并遠離至少一個去除和抑制頭的壁延伸，該至少一個擴展器組件在其端部處限定從至少一個去除和抑制頭壁中去除的開口 ；至少一個輻照元件，其固定到至少一個去除和抑制頭上并響應于控制回路；至少一個反射器，其固定到至少一個去除和抑制頭，該至少一個輻照元件設置在至少一個反射器和開口之間；以及至少一個切割元件，其固定到至少一個去除和抑制頭，并布置成當開口與具有從皮膚向外延伸的毛發(fā)的皮膚部分并置時便切割毛發(fā)，其中，至少一個反射器布置成基本上朝向開口反射從至少一個輻照元件輸出的電磁輻射。
[0014]在一個實施例中，毛發(fā)去除和再生抑制裝置還包括與控制回路連通的運動傳感器，其中，控制回路布置成:響應于由運動傳感器探測到的相對運動，控制至少一個輻照元件的輸出。在另一實施例中，毛發(fā)去除和再生抑制裝置還包括與控制回路連通的運動傳感器，其中，控制回路布置成:響應于由運動傳感器探測到的比第一預定值大的相對運動速率，使至少一個輻照元件工作，而響應于由運動傳感器探測到的比第二預定值小的相對運動速率，使至少一個輻照元件不工作。
[0015]在一個實施例中，毛發(fā)去除和再生抑制裝置還包括與控制回路連通的運動傳感器，其中，控制回路布置成:響應于由運動傳感器探測到的相對運動，控制由至少一個輻照元件輸出的輻照量。在另一實施例中，毛發(fā)去除和再生抑制裝置還包括運動傳感器，其中，至少一個切割元件包括絲和帶之一種，其中，控制回路布置成:響應于由運動傳感器探測到的比第三預定值大的相對運動速率，便提供功率將至少一個切割元件加熱到足以切割毛發(fā)的溫度，而響應于由運動傳感器探測到的比第四預定值小的相對運動速率，便停止對至少一個切割元件提供功率。在另一實施例中，足以切割毛發(fā)的溫度是400° -1900°C。
[0016]在一個實施例中，外殼顯現(xiàn)有排熱口，允許熱量從福照兀件輸出到外殼周圍的環(huán)境空氣中。在另一實施例中，至少一個輻照元件是細長矩形的立方形。
[0017]在一個實施例中，至少一個輻照元件是細長的圓柱形。在另一實施例中，至少一個切割元件是刀片和加熱元件之一種。
[0018]在一個實施例中，至少一個反射器布置成:大量反射在1000納米處接收到的輻射的至少98%。在另一實施例中，至少一個輻照元件布置成輸出電磁能，在500-5000納米之間的光譜內(nèi)顯現(xiàn)為其能量的至少95%。在另一實施例中，至少一個輻照元件布置成輸出電磁能，在500-1000納米之間的光譜內(nèi)顯現(xiàn)為小于其能量的10%。
[0019]在一個實施例中，至少一個輻照元件布置成輸出功率在0.5-20瓦之間的電磁能。在另一實施例中，至少一個輻照元件布置成輸出功率在1-10瓦之間的電磁能。
[0020]在一個實施例中，控制回路布置成提供功率來加熱至少一個輻照元件，其中，由至少一個輻照元件輸出的輻射響應于至少一個輻照元件的加熱。在另一實施例中，根據(jù)權(quán)利要求I所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置還包括至少一個固定到外殼上的平移機構(gòu)，其中，至少一個去除和抑制頭的開口布置成與皮膚表面并置，其中，至少一個平移結(jié)構(gòu)布置成在第一位置和第二位置之間平移以下中的至少一個:至少一個去除和抑制頭和至少一個切割元件，該第一位置比第二位置更靠近皮膚表面；其中，控制回路布置成控制至少一個平移機構(gòu)，以在第一和第二位置之間有規(guī)則地平移至少一個切割元件。
[0021]在另一實施例中，至少一個平移機構(gòu)還布置成在第三位置和第四位置之間平移至少一個輻照元件，該第三位置比第四位置更靠近皮膚表面；其中，控制回路布置成控制至少一個平移機構(gòu)，以在第三和第四位置之間有規(guī)則地平移至少一個輻照元件。在還有另一實施例中。控制回路還布置成提供功率到至少一個輻照元件，以將該至少一個輻照元件加熱到一溫度，使得至少一個輻照元件輸出輻射，將輻照元件定期地放置在第三位置中持續(xù)一定的時間，這樣，多次平移到第三位置輻照與開口并置的皮膚部分。
[0022]在另一實施例中，控制回路還布置成提供功率到至少一個切割元件，以將該至少一個切割元件加熱到一溫度，將至少一個切割元件定期地放置在第一位置中持續(xù)一定的時間，這樣，多次平移到第一位置切割通過開口突出出來的毛發(fā)。在還有另一實施例中，至少一個切割元件是細長矩形的立方形。
[0023]在還有另一實施例中，毛發(fā)去除和再生抑制裝置還包括與控制回路連通的運動傳感器，其中，控制回路布置成:響應于由運動傳感器探測到的相對運動，控制至少一個切割元件規(guī)則平移的速率。在另一實施例中，毛發(fā)去除和再生抑制裝置還包括與控制回路連通的運動傳感器，其中，控制回路布置成:響應于由運動傳感器探測到的比第一預定值大的相對運動速率，便能使至少一個切割元件有規(guī)則地平移，而響應于由運動傳感器探測到的比第二預定值小的相對運動速率，便停止至少一個切割元件的規(guī)則平移。
[0024]在另一實施例中，毛發(fā)去除和再生抑制裝置還包括與控制回路連通的運動傳感器，其中，控制回路布置成:響應于由運動傳感器探測到的相對運動，控制至少一個切割元件的工作循環(huán)。在另一實施例中，控制回路還布置成提供功率到至少一個切割元件，以將該至少一個切割元件加熱到一溫度，其中，由至少一個切割元件輸出的溫度是400° -1900°C。在還有另一實施例中，由至少一個切割元件輸出的溫度是1000° -1900°C。[0025]在另一實施例中，第一位置中的至少一個切割元件和與至少一個擴展器組件的開口并置的皮膚表面之間的距離小于3_。在還有另一實施例中，第一位置中的至少一個切割元件和與至少一個擴展器組件的開口并置的皮膚表面之間的距離在0.1-1mm之間。
[0026]在另一實施例中，第一位置中的至少一個切割元件接觸與至少一個擴展器組件的開口并置的皮膚表面。在另一實施例中，處于第一位置中的至少一個切割元件的工作循環(huán)大于50%。
[0027]在另一實施例中，處于第一位置中的至少一個切割元件的工作循環(huán)約為60%。在還有另一實施例中，相對于開口，第一位置和第二位置之間的距離是2和20mm之間。
[0028]在另一實施例中，相對于開口，處理位置和冷卻位置之間的距離是5mm。在另一實施例中，規(guī)則平移到第一位置的頻率是2和2000Hz之間。在還有另一實施例中，規(guī)則平移到第一位置的頻率是約5Hz。
[0029]在另一實施例中，將至少一個輻照元件和至少一個切割元件設置為至少一個一體的輻照和切割元件。在還有另一實施例中，至少一個一體的輻照和切割元件包括多個一體的輻照和切割元件，其中，至少一個反射器包括多個反射器，每個一體的輻照和切割元件設置這些反射器的具體一個和開口之間，其中，至少一個平移機構(gòu)包括多個平移機構(gòu)，每個平移機構(gòu)布置成在第一位置和第二位置之間平移這些一體的輻照和切割元件的具體一個。
[0030]在還有另一實施例中，至少一個去除和抑制頭包括多個去除和抑制頭，其中，至少一個擴展器組件包括多個擴展器組件，每個組件偶聯(lián)到這些去除和抑制頭的具體一個上，其中，每個一體的輻照和切割元件固定到這些去除和抑制頭的具體一個上，其中，每個反射器固定到去除和抑制頭的具體一個上。
[0031]在另一獨立實施例中，提供一種毛發(fā)去除和再生抑制的方法，該方法包括:用電磁輻射輻照皮膚表面的一部分；提供反射器，其布置成基本上朝向皮膚表面的那部分反射電磁輻射；以及同時地切割從皮膚表面的部分突出出來的毛發(fā)，由此在皮膚表面部分上提供毛發(fā)的去除和長時間的毛發(fā)生長縮減，其中，輻射包括:用電磁輻射直接輻照皮膚表面的部分；以及用電磁輻射輻照所提供的反射器，以朝向皮膚表面的部分反射。
[0032]在一個實施例中，該方法還包括:提供去除和抑制頭；以及探測該去除和抑制頭的相對運動，其中，輻照是響應于探測到的相對運動。在另一實施例中，該方法還包括:提供去除和抑制頭以及探測所提供的去除和抑制頭的相對運動速率，其中，輻照皮膚表面的部分是響應于探測到的大于第一預定值的相對運動速率而開始，且響應于探測到的小于第二預定值的相對運動速率而停止。
[0033]在一個實施例中，該方法還包括:提供去除和抑制頭；以及探測所提供的去除和抑制頭的相對運動速率，其中，輻照皮膚表面的部分的輻射量是響應于所探測到的相對運動速率。在另一實施例中，該方法還包括:提供去除和抑制頭；以及探測所提供的去除和抑制頭的相對運動速率，其中，切割毛發(fā)包括對毛發(fā)提供熱量，使其溫度足以切割毛發(fā)，其中，提供熱量是響應于所探測到的大于第三預定值的相對運動速率而開始，并響應于所探測到的小于第四預定值的相對運動速率而停止。在另一實施例中，足以切割毛發(fā)的溫度是400-1900。。。
[0034]在一個實施例中，該方法還包括從皮膚表面部分排除熱量。在另一實施例中，電磁輻射在500和5000納米之間的波長光譜內(nèi)顯現(xiàn)出其能量的至少95%。[0035]在一個實施例中，電磁輻射在500和1000納米之間的波長光譜內(nèi)顯現(xiàn)出小于其能量的10%。在另一實施例中，該方法還包括加熱輻射元件，其中，輻射是響應于該加熱。
[0036]在另一實施例中，該方法還包括:在相對于皮膚表面的部分的第一位置和相對于皮膚表面的部分的第二位置之間，規(guī)則地平移輻射元件，其中，皮膚表面的部分和處于第一位置的輻射元件之間的距離，小于皮膚表面的部分和處于第二位置的輻射元件之間的距離。在另一實施例中，切割包括對皮膚表面的部分提供熱量，其中，所提供的熱量使所達到的溫度足以切割從皮膚表面的部分突出出來的毛發(fā)。
[0037]在還有另一實施例中，該方法還包括:提供去除和抑制頭；以及探測所提供的去除和抑制頭的相對運動速率，其中，輻照元件的規(guī)則平移的速率是響應于所探測到的相對運動。在還有另一實施例中，該方法還包括:提供去除和抑制頭；以及探測所提供的去除和抑制頭的相對運動速率，其中，輻射元件的規(guī)則平移是響應于所探測到的大于第一預定值的相對運動速率而開始，并響應于所探測到的小于第二預定值的相對運動速率而停止。
[0038]在還有另一實施例中，該方法還包括:提供去除和抑制頭；以及探測所提供的去除和抑制頭的相對運動速率，其中，輻射元件平移到第一位置中而顯示工作循環(huán)，該工作循環(huán)是響應于探測到的相對運動速率。在還有另一實施例中，輻射元件平移到第一位置中加熱而顯示工作循環(huán)，該工作循環(huán)大于50%。
[0039]在還有另一實施例中，工作循環(huán)約為60%。在還有另一實施例中，規(guī)則平移到第一位置中的頻率是在2-2000HZ之間。在還有另一實施例中，規(guī)則平移到第一位置中的頻率約是 5Hz。
[0040]從以下的附圖和描述中，將會明白到其他附加的特征和優(yōu)點。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0041]為了更好地理解本發(fā)明和顯示如何可實施本發(fā)明，現(xiàn)將參照附圖，附圖純粹是借助于實例，在附圖中，相同的附圖標記通篇表示對應的元件或部分。
[0042]現(xiàn)詳細參照附圖，應該強調(diào)的是，所示的特點僅是舉例而已，目的只是在于說明性地討論本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并在提供被認為是最有用的且容易理解本發(fā)明原理的描述和本發(fā)明概念方面的過程中，呈現(xiàn)出這些特點。在這一點上，并不企圖超過基本理解本發(fā)明所必需的詳細程度來顯示本發(fā)明結(jié)構(gòu)的細節(jié)，結(jié)合附圖所作的描述，使本【技術(shù)領域】內(nèi)技術(shù)人員明白如何可在實踐中實施本發(fā)明的幾種形式。在附圖中:
[0043]圖1A-1G示出根據(jù)某些實施例的毛發(fā)去除和再生長抑制裝置各種部件的多個視圖，該裝置包括輻射元件和切割元件；
[0044]圖2A示出圖1A-1G的毛發(fā)去除和再生長抑制裝置的高位側(cè)視剖視圖，該裝置還包括根據(jù)某些實施例的規(guī)則平移機構(gòu)；
[0045]圖2B示出圖表，顯示圖2A的毛發(fā)去除和再生長抑制裝置對表皮和毛發(fā)小囊溫度的作用；
[0046]圖3A-3D示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置的各種高位側(cè)視剖視圖，該裝置包括根據(jù)某些實施例的平移反射器；
[0047]圖4A-4B示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置的各種高位側(cè)視剖視圖，該裝置具有根據(jù)某些實施例的固定反射器；[0048]圖5A-5B示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置的各種高位側(cè)視剖視圖，該裝置包括根據(jù)某些實施例的輻射元件和切割元件，還包括用于各個元件的分開的平移機構(gòu)；
[0049]圖6示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置的高位側(cè)視剖視圖，該裝置包括根據(jù)某些實施例的固定輻射元件、切割元件和平移機構(gòu)，該平移機構(gòu)布置成使切割元件平移在第一與第二位置之間；
[0050]圖7A-7B示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置的各種高位側(cè)視剖視圖，該裝置包括多個輻射和切割元件以及多個平移機構(gòu)；
[0051]圖8A示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置的高位側(cè)視剖視圖，該裝置包括多個輻射和切割元件、多個平移機構(gòu)和排熱口 ；
[0052]圖SB示出一圖表，該圖表描述圖8A的毛發(fā)去除和再生長抑制裝置的運行；
[0053]圖9示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置的高位側(cè)視剖視圖，該裝置包括多個輻射和切割元件、多個平移機構(gòu)以及單個的去除和抑制頭；
[0054]圖10示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置運行的第一方法的高位流程圖，該裝置包括根據(jù)某些實施例的輻射元件、反射器以及切割元件；
[0055]圖11示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置運行的第二方法的高位流程圖，該方法包括圖10的某些階段；
[0056]圖12示出毛發(fā)去除和再生長抑制方法的高位流程圖，根據(jù)某些實施例，該方法包括輻照一部分的皮膚表面和切割從皮膚表面突出出來的毛發(fā)；
[0057]圖13示出毛發(fā)去除和再生長抑制方法的高位流程圖，根據(jù)某些實施例，該方法包括規(guī)則地加熱和冷卻一部分皮膚表面。
【具體實施方式】
[0058]在詳細解釋本發(fā)明至少一個實施例之前，應該理解到，本發(fā)明不局限于其應用于以下描述中所闡述或附圖中所圖示的部件的構(gòu)造和布置細節(jié)。本發(fā)明適用于其他實施例，或以各種方式實踐或?qū)嵤＿€有，應該理解到，文中所用的詞匯和術(shù)語只是為了描述而已，不應認為是限制的。
[0059]圖1A-1G示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置10的各種部件的多個視圖。具體來說，圖1A-1C各示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置10的去除和抑制頭20的立體圖；圖1D-1F各示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置10的高位側(cè)視剖視圖；以及圖1G示出根據(jù)某些實施例的輻射元件40和反射器90的立體圖。圖1D還示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置10的某些電氣部件的高位示意圖。圖1A-1G將一起進行描述。毛發(fā)去除和再生長抑制裝置10包括:夕卜殼15，其呈現(xiàn)有開口 17 ;用戶輸入裝置18 ;用戶報警裝置19 ;呈現(xiàn)有壁22的去除和抑制頭20 ;擴展器組件23，其由一對臂25組成，擴展器組件23呈現(xiàn)有第一端27、第二端29和縱向端28 ；電源30 ;輻照元件40 對第一連接器50 ;驅(qū)動器60 ;控制回路70 ;運動傳感器80 ；反射器90 對第二連接器100 ;切割元件110 ;以及驅(qū)動器120。
[0060]在一非限制性實施例中，用戶輸入裝置18包括推鈕/觸摸屏和開關之一種。在一非限制性實施例中，用戶報警裝置19包括LED、聲音報警和屏幕顯示器之一種。在一個實施例中，擴展器組件23顯現(xiàn)出低的熱導率。在一個實施例中，擴展器組件23由陶瓷材料組成。在一個實施例中，擴展器組件23的縱向端28包括多個齒，由此提供最小的表面面積。在一個實施例中，擴展器組件23的內(nèi)面24由反射材料組成，反射材料布置成基本上反射顯現(xiàn)波長為500-5000nm的EMR。在一個實施例中，每個面24由氧化鋁構(gòu)成，在另一個實施例中，氧化鋁的純度在90-99.5%之間。在一個實施例中，每個面24的反射率在IOOOnm時至少為98%。在一個實施例中，每個面24的反射表面基本上是光滑的。在一個實施例中，電源30布置成通過電源線連接到電力線上。在一個實施例中，電源30是可充電電源。
[0061]在一個實施例中，輻照元件40包括線纜。在另一個實施例中，輻照元件40包括帶子。在一個實施例中，輻照元件40包括鎳鉻合金。在另一實施例中，輻照元件40包括鎳鉻耐熱合金。在另一實施例中，輻照元件40包括二硅化鑰合金。在另一實施例中，輻照元件40包括鐵素體鐵-鉻-鋁合金。在一個實施例中，輻照元件40布置成輸出EMR，EMR在500-5000nm的光譜內(nèi)顯現(xiàn)其能量的約95%，在一具體實施例中，EMR在500_1000nm的光譜內(nèi)顯現(xiàn)小于其能量的10%。在一個實施例中，在波長IOOOnm附近，輸出的EMR顯現(xiàn)其能量的約95%。在一個實施例中，輻照元件40布置成:響應于流過其中的合適電流而加熱到400°C -1900°C的溫度。在一個具體實施例中，輻照元件布置成加熱到1000°C -1900°C的溫度。在另一個實施例中，輻照元件40布置成:響應于流過其中的合適電流而加熱到約1900°C的溫度。在另一實施例中，輻照元件40布置成加熱到大于1900°C的溫度。在一個實施例中，輻照元件40是細長的方形立方體形。在另一實施例中，輻照元件40是細長的矩形立方體形。在一個實施例中，輻照元件40的長度是其寬度的1-100倍。在一個具體的實施例中，輻照元件40的長度是其寬度的5倍。在另一實施例中，輻照元件40的長度是其寬度的100倍以上。在另一實施例中，如圖1D所示，輻照元件40是圓柱形。
[0062]在一個實施例中，第一連接器對50的第一連接器和第二連接器對100的第一連接器由單一一體的連接器組成，而第一連接器對50的第二連接器和第二連接器對100的第二連接器由單一一體的連接器組成。
[0063]在一個實施例中，將驅(qū)動器60和驅(qū)動器120設置為單個驅(qū)動器。在一個實施例中，驅(qū)動器60是電流驅(qū)動器，而在另一實施例中，驅(qū)動器60是電壓驅(qū)動器。在一個實施例中，驅(qū)動器120是電流驅(qū)動器，而在另一實施例中，驅(qū)動器120是電壓驅(qū)動器。在一個實施例中，運動傳感器80包括多種標準運動傳感器中的任何一種，包括但不限于:光學傳感器、磁傳感器、機械傳感器，以及超聲傳感器。在一個具體的實施例中，運動傳感器80包括滾子，滾子布置成與皮膚表面相接觸。控制回路70布置成:計算外殼15沿著皮膚表面140響應于運動傳感器80的相對運動速率。在一個實施例中，如圖1D所示，反射器90是細長的凹入形。在另一個實施例中，如圖1E所示，反射器90是細長V形。在另一個實施例中，反射器90是細長敞開梯形。在另一個實施例中，反射器90是細長拋物線形。
[0064]在一個實施例中，反射器90由反射材料構(gòu)成，反射材料布置成基本上反射呈現(xiàn)500-5000nm波長的EMR。在一個實施例中，反射器90由氧化鋁構(gòu)成，在另一個實施例中，氧化鋁的純度在90-99.5%之間。在一個實施例中，反射器90的反射率在IOOOnm時至少為98%ο在一個實施例中，反射器90的反射表面基本上是光滑的。在一個實施例中，反射器90的熱導率約為35W/mK°，因此提供優(yōu)良的傳熱特性。
[0065]在一個實施例中，切割元件110包括細長形的絲。在另一個實施例中，切割元件110包括帶子。在另一個實施例中，切割元件110包括鎳鉻合金。在一個實施例中，切割元件110包括鎳鉻耐熱合金。在另一實施例中，輻照元件40包括二硅化鑰合金。在另一實施例中，輻照元件40包括鐵素體鐵-鉻-鋁合金。在一個實施例中，切割元件110布置成:響應于流過其中的合適電流而加熱到400°C -1900°C的溫度。在一個具體實施例中，切割元件110布置成:響應于流過其中的合適電流而加熱到1000°C -1900°C的溫度。可供選擇的是，提供熱傳感器(未示出)與切割元件110連通，將熱傳感器的輸出反饋到控制回路70。在如此的實施例中，控制回路70布置成:保持對切割元件110溫度的監(jiān)督控制并防止切割元件110溫度超過預定的最大值，可供選擇的是，還確保在運行過程中切割元件110的溫度不下落到低于預定最小值。
[0066]擴展器組件23從去除和抑制頭20的壁22上的特定部位向外朝向縱向端28延伸，并布置成與皮膚表面的一部分相遇。在一個實施例中，擴展器組件23由一對平行臂25組成，平行臂25彼此移位，使內(nèi)表面24彼此面對。平行臂25形成縱向端28之間的開口 26。在一個實施例中(未示出)，擴展器組件23包括封閉物的相對壁，該封閉物從去除和抑制頭20的前壁22向外朝向縱向端28延伸。
[0067]第一連接器50中的一個連接器從去除和抑制頭20的前壁22向外延伸，面向第一端27處的平行臂25之間的開口。第一連接器50中的另一個連接器從去除和抑制頭20的前壁22向外延伸，面向第二端29處的平行臂25之間的開口。第二連接器100中的一個連接器從去除和抑制頭20的前壁22向外延伸，面向第一端27處的平行臂25之間的開口。第二連接器100中的另一個連接器從去除和抑制頭20向外延伸，面向第二端29處的平行臂25之間的開口。
[0068]輻照元件40的每一端連接到具體的第一連接器50。在一個實施例中，其中，輻照元件40是細長的矩形立方體形，輻照元件40面向去除和抑制頭20的壁22的邊緣以及平行于其的邊緣，比平行于所述平行臂25的邊緣狹窄。在另一實施例(未示出)中，其中，輻照元件40是細長的矩形立方體形，輻照元件40面向去除和抑制頭20的壁22的邊緣以及平行于其的邊緣，比平行于所述平行臂25的邊緣寬。在一個實施例中，輻照元件40和開口26之間的距離在0.l-80mm之間。在一個實施例中，反射器90設置在去除和抑制頭20上，介于平行臂25之間并相對于壁22固定。在一個實施例中，反射器90的壁延伸通過輻照元件40朝向開口 26。在一個實施例中，提供多個反射器90并設置在平行臂25的面24上。
[0069]切割元件110的每端連接到具體的第二連接器100。在一個實施例中，切割元件110位于輻照元件40和開口 26之間。在一個實施例中，切割元件110沿著去除和抑制頭20的壁22的方向從開口 26位移不到5mm,在一個具體實施例中，位移小于3mm。在一非限制性實施例中，輻照元件40和切割元件110在垂直于開口 26的平面內(nèi)彼此平行。
[0070]在一個實施例中，電源30、驅(qū)動器60、控制回路70以及驅(qū)動器120位于外殼15內(nèi)。去除和抑制頭20位于由開口 17形成的外殼15的腔穴16內(nèi)，使去除和抑制頭20的開口26面向外殼15的開口 17。控制回路70的第一輸入連接到運動傳感器80的輸出，而控制回路70的第二輸入連接到電源30的輸出。驅(qū)動器60的電源輸入連接到電源30的相應輸出，驅(qū)動器60的控制輸入連接到控制回路70的相應輸出。驅(qū)動器60的輸出連接到輻照元件40。在一個實施例中，驅(qū)動器60通過成對的第一連接器50連接到輻照元件40。驅(qū)動器120 (未示出)的電源輸入連接到電源30的相應的輸出，而驅(qū)動器120的控制輸入連接到控制回路70的相應的輸出。驅(qū)動器120的輸出連接到切割元件110。在一個實施例中，驅(qū)動器120通過成對的第二連接器100連接到切割元件110。用戶輸入裝置18的輸出連接到控制回路70的第三輸入，用戶報警裝置19的輸入連接到控制回路70相應的輸出。
[0071]在一個實施例中，去除和抑制頭20是這樣連接到外殼15的，用戶可從外殼15中拆下去除和抑制頭20，并用不同的去除和抑制頭20來更換。
[0072]在運行中，外殼15的一部分開口 17與皮膚表面140的部分130并置，在一個實施例中，用戶可抓住該外殼15。響應于用戶在用戶輸入裝置18處的輸入，控制回路70控制驅(qū)動器60以驅(qū)動電流通過輻照元件40，由此輻照元件40開始產(chǎn)生電磁輻射(EMR)，由于對其加熱的緣故，輻射是沿多個方向的。在一個實施例中，一部分熱量和EMR沿開口 26的方向輻射，大部分熱量和EMR沿反射器90的方向輻射。EMR沿開口 26的大致方向從反射器90反射出。因此，從輻照元件40輻射出的大部分EMR通過開口 26到達皮膚表面140的部分130，并輻照毛發(fā)小囊和/或皮膚表面140的部分130下方的內(nèi)皮膚層。穿透皮膚表面140的EMR最好是這樣的波長，其布置成被毛發(fā)小囊和/或直接在其周圍的物質(zhì)所吸收，由此，加熱毛發(fā)小囊，同時由表皮得到最小的吸收。在一個實施例中，EMR按照以上提及的有選擇的光熱分解拓展理論布置，以便充分地加熱毛發(fā)小囊而造成毛發(fā)損壞，同時，限制對表皮的加熱而不造成表皮的損傷。在一個實施例中，輻照元件40和反射器90布置成:使由輻照元件40輸出的EMR折射，而沿著平行于輻照元件40的直線聚焦在皮膚表面140下方0.5-10mm的深度處。在一個實施例中，輻照元件40和反射器90布置成:使EMR沿著大致垂直于皮膚表面140部分130的直線聚焦，從而最大程度地穿透皮膚和減小EMR離開皮膚表面140的反射。
[0073]在一個實施例中，驅(qū)動器60布置成驅(qū)動輻照元件40輸出功率在0.5-20W之間的EMR，在一個具體的實施例中，功率為1-10W之間。在一個實施例中，驅(qū)動器60布置成驅(qū)動輻照元件40以輸出通量在l-10J/cm2之間的EMR，其在開口 26處測得，在一個具體的實施例中，該通量約為3J/cm2。
[0074]有利的是，如上所述，小于EMR能量的10%是在500_1000nm的光譜內(nèi)。因此，要限制表皮的加熱，因為表皮內(nèi)的黑色素主要是由小于IOOOnm的波長加熱的。此外，EMR能量的非常小部分是在紫外(UV)光譜內(nèi)。因此，最小傷害的UV輻射到達皮膚，不需要UV過濾器。此外，波長大于IOOOnm的福射，即，紅外(IR)福射,不易從皮膚散射和反射。此外，與波長小于IOOOnm的輻射相比，IR輻射更好地在皮膚內(nèi)層被吸收，諸如是在真皮內(nèi)，那里，有毛發(fā)小囊分布。
[0075]沿反射器90方向從輻照元件40輻射的熱代表著輻照元件40輸出的大部分熱量，該熱量被吸收，由此，在一個實施例中，通過對流而被傳導和/或傳送通過反射器90。沿擴展器組件23的第一端27和第二端29方向從輻照元件40輻射的熱在開口之間退出。因此，輻照元件40輻射的熱量僅有一小部分到達皮膚表面140的部分130。尤其是，在輻照元件40是矩形長方體形的實施例中，輻照元件40輸出的大部分熱量到達反射器90，僅有小部分達到開口 26。由于僅有小部分輸出的熱量到達皮膚表面140的部分130，所以，皮膚任何的溫升都受到限制。在一個實施例中，正如下面將要參照圖8A和9描述的，設置一個或多個排熱口，它們布置成從皮膚表面140排熱。
[0076]為了執(zhí)行剃毛或其它的毛發(fā)切割，使用者沿著皮膚表面140移動去除和抑制頭
20。在一個實施例中，響應于運動傳感器80的輸出，該輸出表不外殼15相對于皮膚表面140作相對運動，運動速率大于第一預定最小值，控制回路70布置成:控制驅(qū)動器120以驅(qū)動電流通過切割元件110,由此,切割元件110產(chǎn)生熱量。在一個實施例中,還提供一個機械定位機構(gòu)(未示出)，用來將切割元件Iio移動到鄰近皮膚表面140的位置，可供選擇地，移動到離皮膚表面140小于3mm的距離處。在一個實施例中，僅在電流被驅(qū)動通過切割元件110時，控制回路70才驅(qū)動電流通過輻照元件40。在另一個實施例中，不管運動傳感器80的輸出，電流被驅(qū)動通過輻照元件40。在還有另一個實施例中，響應于運動傳感器80檢測到的超過第一限值的相對運動速率，驅(qū)動電流通過輻照元件40，并響應于運動傳感器80檢測到的超過第二限值的相對運動速率，驅(qū)動電流通過切割元件110，所述第二限值大于第一限值。從皮膚表面140的部分130中突出出來的毛發(fā)150接觸到切割元件110，毛發(fā)被加熱的切割元件110切割下來，諸如通過燒毛過程進行切割。有利的是，切割元件110直徑足夠小，使得由此輸出的熱量在到達皮膚表面140的部分130之前基本上已經(jīng)耗散掉。此外，切割元件110的小直徑是有利的，可對切割元件110提供低的熱質(zhì)量，因此，在相對運動速率下落到低于預定的運行限值且切割元件110斷電時，防止皮膚表面140不希望的燒灼。在一個實施例中，切割元件110直徑在10-300 μ η之間。
[0077]在一個實施例中，如果運動傳感器80探測到外殼15相對運動速率低于預定限值，那么，控制回路70布置成控制驅(qū)動器120停止電流流過切割元件110。可供選擇地，同樣，驅(qū)動器60停止電流通過輻照元件40。在一個優(yōu)選實施例中，如下面參照圖2Α-2Β將要描述的，去除和抑制頭20平移離開皮膚。在另一個實施例中，切割元件110平移離開皮膚，而不平移去除和抑制頭20。在一個實施例中，用戶報警裝置19輸出應該增加外殼15相對運動速率的指示。替代地，如上所述，對驅(qū)動器60和驅(qū)動器120中的每一個提供不同的限值。因此，小于上述第二限值的相對運動速率，導致停止電流流向切割元件110，使切割元件110的運動可供選擇地移離皮膚表面140，而小于上述第一限值的相對運動速率，導致停止電流流向輻照元件40，使輻照元件的運動可供選擇地移離皮膚表面140。替代地，通過輻照元件40的電流是探測到的相對運動速率的函數(shù)，輻照元件40響應于探測到的相對運動速率值提供輸出輻照的范圍。在一個實施例中，控制電流通過輻照元件40和切割元件110的每一個，這樣，當與開口 26并置時，皮膚表面140的部分130的溫度是40° -46°C。
[0078]在另一實施例中，如果運動傳感器80沒探測到外殼15的運動，或相對運動低于預定的安全閾值，則控制回路70控制驅(qū)動器60、120中的一個或兩個，以中斷電流流過輻照元件40和切割兀件110中的相應一個。在一個優(yōu)選實施例中，如下面參照圖2A-2B將要描述的，去除和抑制頭20平移離開皮膚。在另一個實施例中，切割元件110平移離開皮膚，而不平移去除和抑制頭20。較佳地，如果在某一預定時間段內(nèi)沒有探測到相對運動，則控制回路70布置成控制驅(qū)動器60，以中斷電流流過輻照元件40，并控制驅(qū)動器120以中斷電流流過切割元件110。在一個實施例中，用戶報警裝置19輸出應該增加外殼15相對運動速率的指
/Jn ο
[0079]在一個實施例中，控制回路70布置成控制驅(qū)動器60以脈沖地驅(qū)動電流通過輻照元件40。在實施例中，其中，控制回路70布置成:響應于來自運動傳感器探測得到的輸入，計算外殼15在皮膚表面140上相對運動的速率，可供選擇地，驅(qū)動器60的工作循環(huán)是探測到的相對運動速率的函數(shù)。當外殼15的相對運動速率增加時，驅(qū)動器60的工作循環(huán)增加，而當外殼15的相對運動速率減小時，驅(qū)動器60的工作循環(huán)減小。在一個實施例中，調(diào)整驅(qū)動器60的工作循環(huán)，這樣，當與開口 26并置時，皮膚表面140的部分130的溫度是40° -46°C。在一個實施例中，調(diào)整驅(qū)動器60的工作循環(huán)以提供脈沖，其長度是
[0080]T=X/V 公式 I
[0081]其中，X是平行臂25的縱向端28之間的間距，其定義開口 26，而V是探測到的外殼15的相對運動速率。
[0082]在一個實施例中，控制回路70布置成控制驅(qū)動器120以脈沖地驅(qū)動電流通過切割元件110。在實施例中，其中，控制回路70布置成:響應于運動傳感器80的探測，計算外殼15在皮膚表面140上相對運動的速率，可供選擇地，驅(qū)動器110的工作循環(huán)是探測到的相對運動速率的函數(shù)。當外殼15的相對運動速率增加時，驅(qū)動器110的工作循環(huán)增加，而當外殼15的相對運動速率減小時，驅(qū)動器110的工作循環(huán)減小。
[0083]以上在切割元件110是加熱元件的實施例中進行了描述，然而，這絕不意味著限制。在另一個實施例中，切割元件Iio提供為刀片，在去除和抑制頭20相對于毛發(fā)運動過程中，刀片布置成切割與其接觸的毛發(fā)。
[0084]圖2A示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置300的高位側(cè)視剖視圖，而圖2B示出圖表，顯示毛發(fā)去除和再生長抑制裝置300在表皮和毛發(fā)小囊上運行的結(jié)果，其中，X軸代表時間，而y軸代表溫度，兩軸的單位為任意單位，兩圖一起進行描述。毛發(fā)去除和再生長抑制裝置300在所有方面類似于圖1A-1E毛發(fā)去除和再生長抑制裝置10，但毛發(fā)去除和再生長抑制裝置300還包括平移機構(gòu)330。在一個實施例中，未提供反射器90。在一個實施例(未示出)中，未提供運動傳感器80。為簡化起見，用戶輸入裝置18、用戶報警裝置19、電源30、輻照元件40、驅(qū)動器60、控制回路70和驅(qū)動器120未予示出。在一非限制性實施例中，平移機構(gòu)330包括:凸輪350，其顯示縮短的半徑部分360和伸長的半徑部分370 ;多個彈簧380 ;以及多個彈簧連接器390。在一個實施例(未示出)中，凸輪350包括多個機械零件，允許調(diào)整縮短的半徑部分360和伸長的半徑部分370。在另一個實施例(未示出)中，平移機構(gòu)330包括機械搖架。在另一個實施例(未示出)中，平移機構(gòu)330包括擺動杠桿，其布置成作交替的直線運動。
[0085]每個彈簧380通過相應的彈簧連接器390，其一端連接到去除和抑制頭20，第二端連接到外殼15。去除和抑制頭20的壁21，與去除和抑制頭20的壁22相對，并遠離外殼15的開口 17位移，這樣的壁21布置成與凸輪350接觸。凸輪350通過電動機(未示出)轉(zhuǎn)動，電動機與控制回路70和電源30連通。
[0086]在運行中，外殼15的開口 17的一部分與皮膚表面140的部分130并置，在一個實施例中，由使用者抓住外殼15。首先，響應于使用者在用戶輸入裝置18處的輸入，凸輪350的伸長半徑部分370與去除和抑制頭20相接觸，由此，去除和抑制頭20相對于外殼15的開口 17平移到處理位置，處理位置在這里也被稱作第一位置。在一個實施例中，在處理位置中，切割元件110和開口 17之間的距離h (t)小于3mm，在一個具體的實施例中，該距離為0.1-1mm之間。在另一個實施例中，在處理位置中，切割元件110與外殼15的開口 17齊平。控制回路70控制驅(qū)動器60和120，以驅(qū)動電流分別通過輻照元件40 (未示出)和切割元件110。如上所述,從輻照元件40輸出熱量和EMR，使大部分輻射到達皮膚表面140的部分130并加熱其中的毛發(fā)小囊。熱量從切割元件110輸出，如上所述，切割元件110布置成切割與其接觸的任何毛發(fā)部分。此外，控制回路70布置成控制凸輪350而開始轉(zhuǎn)動。圖2B的曲線400代表皮膚表面140的部分130表皮的溫度，而圖2B的曲線410代表位于皮膚表面140的部分130表皮下面的毛發(fā)小囊溫度。如曲線400和410所示，毛發(fā)小囊的溫度上升得快于表皮的溫度上升，因此，通過隨時間提升溫度可影響毛發(fā)小囊，而表皮表面所經(jīng)歷的溫度上升很低。
[0087]在時間Tl，當凸輪350轉(zhuǎn)動而使伸長的半徑部分370不再與去除和抑制頭20相接觸時，彈簧380致使去除和抑制頭20朝向凸輪350前進，具體地朝向凸輪350的縮短的半徑部分360。去除和抑制頭20因此從處理位置平移到冷卻位置，冷卻位置也被稱作第二位置，由此增大距離Mt)。在一個實施例中，去除和抑制頭20的處理和冷卻位置之間的距離是在2-20mm之間，在一具體的實施例中該距離是5mm。在一個實施例中，盡管去除和抑制頭20處于冷卻位置中，但控制回路70布置成控制電流驅(qū)動器120，以停止電流流過切割元件110，由此，允許切割元件110冷卻。在一個實施例中，控制回路70布置成控制電流驅(qū)動器60，以停止電流流過輻照元件40，由此，允許輻照元件40冷卻。如曲線400和410所示，表皮溫度下降顯著大于毛發(fā)小囊的溫度下降，因為表皮的熱松弛時間顯著低于毛發(fā)小囊的熱松弛時間。
[0088]在時間T2，凸輪350完成一周轉(zhuǎn)動而使伸長的半徑部分370又與去除和抑制頭20相接觸，去除和抑制頭20朝向外殼15的開口 17前進。去除和抑制頭20因此平移到處理位置，如上所述，由此，提升皮膚表面140的部分130的毛發(fā)小囊和表皮的溫度。在流過切割元件110的電流被停止而同時處于冷卻位置的實施例中，控制回路70布置成控制電流驅(qū)動器120，以在時間T2處，恢復電流流過切割元件110。在流過輻照元件40的電流被停止而同時處于冷卻位置的實施例中，控制回路70布置成控制電流驅(qū)動器60，以在時間T2處，恢復電流流過輻照元件40。在時間T3處，當凸輪350的伸長半徑部分370不再接觸去除和抑制頭20時，去除和抑制頭20又平移到冷卻位置。如曲線400和410所示，毛發(fā)小囊在時間T3的溫度顯著高于時間Tl的溫度，然而，表皮在時間T3的溫度不顯著高于時間Tl的溫度。在時間T4處，凸輪350完成第二周的轉(zhuǎn)動，伸長半徑部分370又接觸去除和抑制頭20，去除和抑制頭20又如上關于時間T2所述平移到處理位置。在時間T5處，伸長半徑部分370不再接觸去除和抑制頭20，去除和抑制頭20又平移到冷卻位置，由此，重復如上關于時間T3所述的過程。
[0089]有利的是，毛發(fā)小囊加熱到高的足以損壞的溫度，由此降低毛發(fā)的生長，同時表皮外部的總體溫升不顯著，因此不造成表皮任何損傷。此外，通過切割元件110的重復加熱作用，與切割元件Iio接觸的毛發(fā)150端部被進一步切割。
[0090]在一個實施例中，去除和抑制頭20每次后續(xù)定期平移入處理位置內(nèi)之間的時間是0.5-500ms之間，在一個具體的實施例中，該定期時間是約200ms。具體來說，在一個實施例中，凸輪350的轉(zhuǎn)動頻率在2-2000HZ之間，在一個具體的實施例中，該頻率約為5Hz。在一個實施例中，去除和抑制頭20的處理位置的工作循環(huán)大于50%，即，去除和抑制頭20保持在處理位置中的時間量大于去除和抑制頭20保持在冷卻位置中的時間量。具體來說，凸輪350的伸長半徑部分370的周長大于縮短的半徑部分360的周長。在一個實施例中，去除和抑制頭20的處理位置的工作循環(huán)約為60%。在一個優(yōu)選的實施例中，去除和抑制頭20的處理位置的工作循環(huán)和凸輪350的轉(zhuǎn)動頻率布置成:皮膚表面140的部分130不因過度熱量而損傷。
[0091]在一個非限制性的實施例中，以上的操作是響應于運動傳感器80的輸出，該輸出表示去除和抑制頭20處于運動中，尤其是，相對于皮膚表面140的相對運動，該相對運動速率大于預定最小值。如果運動傳感器80探測到外殼15的相對運動速率低于預定限值，則控制回路70控制驅(qū)動器60和120，分別停止電流流過輻照元件40和切割元件110。在一個實施例中，控制回路70還布置成:在凸輪的轉(zhuǎn)動使縮短的半徑部分360開始與去除和抑制頭20接觸，因此確保去除和抑制頭20處于冷卻位置之時，停止凸輪350轉(zhuǎn)動。較佳地，僅當運動傳感器80探測到外殼15的相對運動速率低于預定限值(即，安全閾值)以求更長的預定時間周期時，才停止凸輪350的轉(zhuǎn)動和電流流過輻照元件40和切割元件110的流動。在一個具體的實施例中，該預定的限值剛好在零之上，因此，僅在沒有探測到相對運動時才發(fā)生關閉。
[0092]在一個非限制性的實施例中，處理工作循環(huán)是所探測到的外殼15相對運動速率的函數(shù)。因此，僅在去除和抑制頭20處于處理位置的一部分時間內(nèi)，對輻照元件40通電以提供輻射。這里的處理工作循環(huán)應被理解為意指對輻照元件40供電以提供輻射時的去除和抑制頭20總循環(huán)時間的百分比值。當外殼15的相對運動速率增大時，處理工作循環(huán)增力口，而當外殼15的相對運動速率減小時，處理工作循環(huán)減小。
[0093]在一個實施例中，調(diào)整去除和抑制頭20的工作循環(huán)，以在凸輪350的各個循環(huán)過程中，去除和抑制頭20處于處理位置中的時間量是:
[0094]T=Y/V 公式 2
[0095]其中，Y是去除和抑制頭20的開口 26的寬度，而V是探測到的外殼15的相對運動速率。具體來說，在一個具體的實施例中，為了調(diào)整去除和抑制頭20的工作循環(huán)，在縮短的半徑部分360與去除和抑制頭20接觸的時間過程中，以及在伸長的半徑部分370與去除和抑制頭20接觸的時間過程中，單獨地調(diào)整凸輪350的轉(zhuǎn)速。
[0096]圖3A示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置500的高位側(cè)視剖視圖，該裝置包括處于冷卻位置中的去除和抑制頭20 ;圖3B示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置500的高位側(cè)視剖視圖，該裝置包括處于處理位置中的去除和抑制頭20;圖3C示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置500的高位側(cè)視剖視圖，該裝置包括處于冷卻位置中的去除和抑制頭20，并還示出擴展器組件23的縱向端28的齒；圖3D示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置500的高位側(cè)視剖視圖，該裝置包括處于處理位置中的去除和抑制頭20，并還示出擴展器組件23的縱向端28的齒。毛發(fā)去除和再生長抑制裝置500在所有方面類似于圖2A的毛發(fā)去除和再生長抑制裝置300，但添加滾子510附連到外殼15上，并在外殼15的開口 17與皮膚表面140并置時，滾子布置成與皮膚表面140相接觸。為簡化起見，平移機構(gòu)330的細節(jié)未予示出。如以上參照圖2A-2B所述，去除和抑制頭20規(guī)則地在處理位置(如圖3A和3C所示)和冷卻位置(如圖3B和3D所示)之間平移。毛發(fā)去除和再生長抑制裝置500的操作在所有方面類似于圖3A的毛發(fā)去除和再生長抑制裝置300。有利的是，滾子510和擴展器組件23縱向端28的齒允許橫貫皮膚表面140較為光滑地運動。此外，擴展器組件23的齒提供擴展器組件23與皮膚表面140減小的表面面積的接觸，由此，較少的熱量從擴展器組件23傳遞到皮膚表面140。在圖3A-3D的實施例中，輻照元件40的平移關聯(lián)到切割元件110的平移，然而，這并絕不意味著加以限制。可提供用于各個輻照元件40和切割元件110的獨立的平移機構(gòu)，而不會超出本發(fā)明的范圍。
[0097]圖4A示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置600的高位側(cè)視剖視圖，該裝置包括處于冷卻位置中的去除和抑制頭20 ;圖4B示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置600的高位側(cè)視剖視圖，該裝置包括處于處理位置中的去除和抑制頭20。毛發(fā)去除和再生長抑制裝置600在所有方面類似于圖3A-3D的毛發(fā)去除和再生長抑制裝置500，例外之處在于，反射器90設置在外殼15上，不是設置在去除和抑制頭20上。具體來說，反射器90設置在外殼15面向開口17的壁610上。在一個非限制性的實施例中，反射器90分為兩個，讓平移機構(gòu)330定位在該兩個半部之間。如上所述，去除和抑制頭20規(guī)則地平移在處理位置(如圖4A所示)和冷卻位置(如圖4B所示)之間平移。不管去除和抑制頭20的位置如何，反射器90總相對于外殼15保持在固定位置中。
[0098]圖5A示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置700的高位側(cè)視剖視圖，該裝置包括處于冷卻位置中的去除和抑制頭20 ;圖5B示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置700的高位側(cè)視剖視圖，該裝置包括處于處理位置中的去除和抑制頭20。毛發(fā)去除和再生長抑制裝置700在所有方面類似于圖3A-3B的毛發(fā)去除和再生長抑制裝置500，例外之處在于，對各個輻照元件40和切割元件110提供分開的平移機構(gòu)330。毛發(fā)去除和再生長抑制裝置700的操作在所有方面類似于毛發(fā)去除和再生長抑制裝置500的操作，例外之處在于，切割元件110獨立于去除和抑制頭20的平移而平移。在一個實施例中，當去除和抑制頭20處于處理位置中時，切割元件110進一步朝向皮膚表面140的部分130平移，以使切割元件110和皮膚表面140之間的距離小于輻照元件40和皮膚表面140之間的距離。在一個實施例中，不管去除和抑制頭20的位置如何，切割元件110總保持在離皮膚表面140的部分130小于3mm的距離處。如果運動傳感器80探測到外殼15的相對運動小于預定值，則控制回路70布置成控制相應的平移機構(gòu)330，以使切割元件110遠離皮膚表面140平移到如上所述的冷卻位置。
[0099]圖6示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置800的高位側(cè)視剖視圖，該裝置包括處于處理位置中的去除和抑制頭20。毛發(fā)去除和再生長抑制裝置800在所有方面類似于圖4A-4B的毛發(fā)去除和再生長抑制裝置600，例外之處在于，輻照元件40相對于外殼15的壁810固定。如上所述，去除和抑制頭20規(guī)則地平移在處理位置和冷卻位置之間。不管去除和抑制頭20的位置如何,福照兀件40和反射器90相對于外殼15保持固定。在一個實施例中，不管去除和抑制頭20的位置如何，控制回路70布置成控制驅(qū)動器60以保持電流流過輻照元件40，由此，皮膚表面140的部分130恒定地得到輻照。
[0100]圖7A-7B示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置900的高位側(cè)視剖視圖，附圖一起進行描述。毛發(fā)去除和再生長抑制裝置900在所有方面類似于圖3A-3B的毛發(fā)去除和再生長抑制裝置500，例外之處在于，提供一對去除和抑制頭20 ;用輻照和切割元件910代替輻照元件40和切割元件110。對每個去除和抑制頭20提供平移機構(gòu)330，在一個實施例中，其如上關于圖2A所述布置。在一個實施例(未示出)中，對每個輻照和切割元件910提供驅(qū)動器60，并布置成驅(qū)動電流通過其中。在另一個實施例中，僅提供單個驅(qū)動器60并布置成驅(qū)動電流通過每個輻照和切割元件910。在一個實施例中，如圖7A所示，每個反射器90是細長的凹入形。在另一個實施例中，如圖7B所示，反射器90是梯形的細長開口。在一個具體的實施例中，該梯形開口形狀是具有寬底開口的等腰梯形。
[0101]在一個實施例中，輻照和切割元件910包括鎳鉻合金。在另一個實施例中，輻照和切割元件910包括鎳鉻耐熱合金。在另一實施例中，輻照和切割元件910包括二硅化鑰合金。在另一實施例中，輻照和切割元件910包括鐵素體鐵-鉻-鋁合金。在一個實施例中，輻照和切割元件910布置成輸出EMR，EMR在500_5000nm的光譜內(nèi)顯現(xiàn)其能量的約95%，在一具體實施例中，EMR在500-1000nm的光譜內(nèi)顯現(xiàn)小于其能量的10%。在一個實施例中，在波長IOOOnm附近，輸出的EMR顯現(xiàn)其能量的約95%。在一個實施例中，輻照和切割元件910布置成:響應于流過其中的合適電流而加熱到400°C -1900°C的溫度。在一個特殊的實施例中，輻照和切割元件910布置成加熱到1000°C -1900°C的溫度。在另一個實施例中，輻照和切割元件910布置成:響應于流過其中的合適電流而加熱到約1900°C的溫度。在另一實施例中，輻照和切割元件910布置成加熱到大于1900°C的溫度。
[0102]在一個實施例中，輻照和切割元件910是細長的矩形立方體形。在一實施例中，如圖7A所示，輻照和切割元件910面向去除和抑制頭20的壁22的邊緣，以及平行于其的邊緣，比平行于平行臂25的邊緣寬，如以上參照圖1A-1C所描述。在另一個實施例中，如圖7B所示，輻照和切割元件910面向去除和抑制頭20的壁22的邊緣，以及平行于其的邊緣，比平行于平行臂25的邊緣窄。在一個實施例中，輻照和切割元件910的長度是其寬度的1-100倍。在一個特殊的實施例中，輻照和切割元件910的長度是其寬度的5倍。在另一個實施例中，輻照和切割元件910的長度是其寬度的100倍以上。在另一個實施例中，輻照和切割元件910是圓柱形。在另一個實施例中，輻照和切割元件910是細長的正方形立方形。
[0103]在運行中，如上所述，每個去除和抑制頭20規(guī)則地平移在處理位置和冷卻位置之間。在處理位置中，驅(qū)動器60布置成驅(qū)動電流通過輻照和切割元件910，由此，如以上對于輻照元件40和切割元件110所描述的，輻照皮膚表面140的部分130以及切割從其中突出出來的毛發(fā)。在一個實施例中，在冷卻位置中，驅(qū)動器60布置成停止電流通過輻照和切割元件910。在一個實施例中，去除和抑制頭20交替地平移到處理位置，每一個去除和抑制頭20僅當另一去除和抑制頭20處于冷卻位置時才平移到處理位置。在另一個實施例中，兩個去除和抑制頭20的處理時間，即，各個去除和抑制頭20處于處理位置中的時間段，至少部分地重迭。在一個實施例中，兩個去除和抑制頭20的工作循環(huán)(S卩，各個去除和抑制頭20的時間百分比是在處理位置中)是相等的。在一個實施例中，各個去除和抑制頭20的工作循環(huán)約為60%。在另一個實施例中，各個去除和抑制頭20的工作循環(huán)小于50%。在一個實施例中，如以上關于圖2A-2B的毛發(fā)去除和再生抑制裝置300所描述的，響應于探測到的外殼15相對運動的速率，控制各個去除和抑制頭20的工作循環(huán)。在一個實施例中，各個輻照和切割元件910的驅(qū)動脈沖時間TK是:
[0104]TK=XK/V 公式 2
[0105]其中，XK是各個輻照和切割元件910的寬度，而V是探測到的外殼15的相對運動速率。在一個實施例中，各個輻照和切割元件910的尺寸和去除和抑制頭20的位置布置成:在去除和抑制頭20的兩個開口 26之間存在間隙。有利的是，在間隙與皮膚表面140的部分130并置過程中，即，在部分130不暴露于任一輻照和切割元件910的時間過程中，皮膚表面140的部分130冷卻。以上已經(jīng)在提供兩個去除和抑制頭20的實施例中進行了描述，然而，這絕不意味著限制，可提供任何數(shù)量的去除和抑制頭20，而不超越本發(fā)明范圍。
[0106]圖8A示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置1000的高位側(cè)視剖視圖，圖8B示出描述毛發(fā)去除和再生長抑制裝置1000運行的圖表，其中，X軸代表任意單位的時間，而y軸代表任意單位的皮膚面積，兩圖一起進行描述。毛發(fā)去除和再生長抑制裝置1000在所有方面類似于圖7A-7B的毛發(fā)去除和再生長抑制裝置900，例外之處在于:提供四個去除和抑制頭20 ；提供排熱口 1010，其包括風扇1020 ;以及提供多個彈簧1030。排熱口 1010從外殼15的腔16延伸到外殼15外部的環(huán)境空氣。風扇1020位于排熱口 1010內(nèi)。各個彈簧1030的第一端連接到外殼15，各個彈簧1030的第二端連接到特定的去除和抑制頭20。毛發(fā)去除和再生長抑制裝置1000的操作在所有方面類似于圖7A-7B的毛發(fā)去除和再生長抑制裝置900的操作。有利的是，排熱口 1010布置成從皮膚表面140排走熱量。在一個實施例中，風扇1020布置成連續(xù)運行，以輔助排熱。在一個實施例中，如圖8B中圖表所示，去除和抑制頭20這樣布置和運行:由兩個去除和抑制頭20輻照皮膚表面140的各部分130。
[0107]曲線1040示出第一去除和抑制頭20輻照的皮膚表面140的面積，其中，虛線表示第一去除和抑制頭20未通電，而實線表示第一去除和抑制頭20已通電。曲線1050示出第二去除和抑制頭20輻照的皮膚表面140的面積，其中，虛線表示第一去除和抑制頭20未通電，而實線表示第一去除和抑制頭20已通電。曲線1060示出第三去除和抑制頭20輻照的皮膚表面140的面積，其中，虛線表示第一去除和抑制頭20未通電，而實線表示第一去除和抑制頭20已通電。曲線1070示出第四去除和抑制頭20輻照的皮膚表面140的面積，其中，虛線表示第一去除和抑制頭20未通電，而實線表示第一去除和抑制頭20已通電。
[0108]在時間TO處，第一和第三去除和抑制頭20平移到處理位置，如上所述，皮膚表面140的部分130用X4表示，該部分由第一去除和抑制頭20的輻照和切割元件910進行輻照，直到時間Tl。在Tl至T2的時間過程中，由第三去除和抑制頭20的輻照和切割元件910所輻照的皮膚表面140的部分未在圖8B中示出。皮膚表面140的面積X1-X3未受輻照，因此，允許其冷卻。在時間Tl處，第一和第三去除和抑制頭20平移到冷卻位置，面積X4開始冷卻。在時間T2處，第二和第四去除和抑制頭20平移到處理位置，如上所述，皮膚表面140的部分130用X3表示，該部分由第二去除和抑制頭20的輻照和切割元件910進行輻照，直到時間T3。在T2至T3的時間過程中，由第四去除和抑制頭20的輻照和切割元件910所輻照的皮膚表面140的部分未在圖8B中示出。面積X1、X2和X4未受輻照，因此，允許其冷卻。在時間T3處，第二和第四去除和抑制頭20平移到冷卻位置，面積X3開始冷卻。
[0109]在時間T4處，第一和第三去除和抑制頭20平移到處理位置。皮膚表面140的部分130用X6表示，該部分由第一去除和抑制頭20的輻照和切割元件910進行輻照，皮膚表面140的部分130用X2表示，該部分由第三去除和抑制頭20的輻照和切割元件910進行輻照，直到時間T5。在時間T5處，第一和第三去除和抑制頭20平移到冷卻位置，面積X2和X6開始冷卻。在時間T6處，第二和第四去除和抑制頭20平移到處理位置。皮膚表面140的部分130用X5表示，該部分由第二去除和抑制頭20的輻照和切割元件910進行輻照，皮膚表面140的部分130用Xl表示，該部分由第四去除和抑制頭20的輻照和切割元件910進行輻照，直到時間T7。在時間T7處，第二和第四去除和抑制頭20平移到冷卻位置，面積Xl和X5開始冷卻。
[0110]在時間T8處，第一和第三去除和抑制頭20平移到處理位置。皮膚表面140的部分130用X8表示，該部分由第一去除和抑制頭20的輻照和切割元件910進行輻照，皮膚表面140的部分X4由第三去除和抑制頭20的輻照和切割元件910進行輻照，直到時間T9。如上所述，在TO和Tl之間的時間間隔期間，部分X4被輻照。因此，又提供處理到部分X4。在時間T9處，第一和第三去除和抑制頭20平移到冷卻位置，面積X4和X8開始冷卻。在時間TlO處，第二和第四去除和抑制頭20平移到處理位置。皮膚表面140的部分130用X7表示，該部分由第二去除和抑制頭20的輻照和切割元件910進行輻照，皮膚表面140的部分130用X3表示，該部分由第四去除和抑制頭20的輻照和切割元件910進行輻照，直到時間T11。如上所述，在T2和T3之間的時間間隔期間，部分X3被輻照。因此，又提供處理到部分X3。在時間Tll處，第二和第四去除和抑制頭20平移到冷卻位置，面積X3和X7開始冷卻。
[0111]在時間T12處，第一和第三去除和抑制頭20平移到處理位置。皮膚表面140的部分X6由第三去除和抑制頭20的輻照和切割元件910進行輻照，直到時間T13。如上所述，在T4和T5之間的時間間隔期間，部分X6被輻照。因此，又提供處理到部分X6。在T12和T13之間的時間間隔期間，由第一去除和抑制頭20的輻照和切割元件910所輻照的皮膚表面140的部分130未予示出。時間T13處，第一和第三去除和抑制頭20平移到冷卻位置，面積X6開始冷卻。在時間T14處，第二和第四去除和抑制頭20平移到處理位置。皮膚表面140的部分X5由第四去除和抑制頭20的輻照和切割元件910進行輻照，直到時間T15。如上所述，在T6和T7之間的時間間隔期間，部分X5被輻照。因此，又提供處理到部分X5。在T14和T15之間的時間間隔期間，由第二去除和抑制頭20的輻照和切割元件910所輻照的皮膚表面140的部分130未予示出。在時間T15處，第二和第四去除和抑制頭20平移到冷卻位置，面積X5開始冷卻。
[0112]有利的是，毛發(fā)去除和再生抑制裝置1000的布置和操作對皮膚表面140提供了多種處理，使每個去除和抑制頭20顯現(xiàn)的工作循環(huán)率小于50%。在一個實施例中，在相應平移機構(gòu)330發(fā)生故障時，各個彈簧1030布置成將去除和抑制頭20從處理位置平移到冷卻位置。
[0113]圖9示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置1100的高位側(cè)視剖視圖。毛發(fā)去除和再生長抑制裝置1100在所有方面類似于圖8A的毛發(fā)去除和再生長抑制裝置1000，例外之處在于:僅提供單個去除和抑制頭20。與去除和抑制頭20相關聯(lián)的各輻照和切割元件910和反射器90連接到相應的平移機構(gòu)330。各個彈簧1030的第一端連接到相應的反射器90，各個彈簧1030的第二端連接到去除和抑制頭20。提供多個排熱口 1010，每個排熱口與相應的輻照和切割元件910相關聯(lián)。
[0114]圖10示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置的第一運行方法的高位流程圖，該毛發(fā)去除和再生長抑制裝置包括根據(jù)某些實施例的輻照元件、反射器和切割元件。在階段2000，提供輻照元件。在一個實施例中，輻照元件包括金屬絲。在另一實施例中，輻照元件包括帶子。在一個實施例中，輻照元件包括鎳鉻合金。在另一實施例中，輻照元件包括鎳鉻耐熱合金。在另一實施例中，輻照元件包括二硅化鑰合金。在另一實施例中，輻照元件包括鐵素體鐵-鉻-鋁合金。在一個實施例中，輻照元件布置成輸出EMR，EMR在500-5000nm的光譜內(nèi)顯現(xiàn)其能量的約95%，在一特殊實施例中，EMR在500-1000nm的光譜內(nèi)顯現(xiàn)小于其能量的10%。在一個實施例中，在波長IOOOnm附近，輸出的EMR顯現(xiàn)其能量的約95%。在一個實施例中，輻照元件布置成:響應于流過其中的合適電流而加熱到400°C-190(TC的溫度，響應于對輻照元件的加熱輸出EMR。在一個特殊的實施例中，輻照元件布置成加熱到1000°C -1900°C的溫度，在另一個實施例中，響應于流過其中的合適電流，加熱到約1900°C的溫度。在另一個實施例中，輻照元件布置成加熱到大于1900°C的溫度。
[0115]在一個實施例中，輻照元件是細長的正方形立方體形。在另一實施例中，輻照元件是細長的矩形立方體形。在另一個實施例中，輻照元件是圓柱形。在一個實施例中，輻照元件的長度是其寬度的1-100倍。在一個特殊的實施例中，輻照元件的長度是其寬度的5倍。在另一實施例中，輻照元件的長度是其寬度的100倍以上。
[0116]在階段2010，提供切割元件。在一個實施例中，切割元件包括以下之一:細長形絲、帶子、刀片和加熱元件。在一個實施例中，切割元件包括鎳鉻合金。在另一實施例中，切割元件包括鎳鉻耐熱合金。在另一實施例中，切割元件包括二硅化鑰合金。在另一實施例中，切割元件包括鐵素體鐵-鉻-鋁合金。
[0117]在階段2020，提供去除和抑制頭，每個提供的階段2000和2010的輻照元件和切割元件固定到頭上，使反射器設置在所提供的去除和抑制頭上。術(shù)語“固定”不局限于固定的連接，在一個實施例中，所提供的輻照元件和提供的切割元件中的至少一個，相對于所提供的以上參照圖5A、5B和9所述的去除和抑制頭平移。在一個實施例中，反射器由反射材料組成，其布置成基本上反射顯現(xiàn)波長在500-5000nm之間的EMR。在一個實施例中，反射器由氧化鋁構(gòu)成，在另一個實施例中，氧化鋁的純度在90-99.5%之間。在一個實施例中，反射器的反射率在IOOOnm時至少為98%。在一個實施例中，反射器的熱導率約為35W/mK°。在階段2030，階段2000的輻照元件定位在階段2020反射器的前面，以使輻照元件定位在反射器和皮膚表面之間，這將在下文中進一步描述。
[0118]在階段2040，所提供的階段2020的去除和抑制頭與皮膚表面的一部分并置。在階段2050，輻照元件響應于致使其加熱而流過其中的電流輸出EMR。在一個實施例中，如上所述，輸出的EMR在500-5000nm的光譜內(nèi)顯現(xiàn)其能量的約95%，在一特殊實施例中，EMR在500-1000nm的光譜內(nèi)顯現(xiàn)小于其能量的10%。在一個實施例中，在波長IOOOnm附近，輸出的EMR顯現(xiàn)其能量的約95%。在一個實施例中，輻照元件布置成輸出顯現(xiàn)功率為0.5-20W之間的EMR，在一個特殊的實施例中，功率在1-10W之間。在一個實施例中，輸出的EMR顯現(xiàn)通量在1-lOJ/cm2之間，其在與階段2020的去除和抑制頭并置的皮膚表面部分處測得，在一個特殊的實施例中，該通量約為3J/cm2。由輻照元件輸出的EMR朝向與頭的凹入并置的皮膚表面部分從反射器反射出。有利地是，由輻照元件輸出的熱量基本上不朝向皮膚表面從反射器反射出。
[0119]在階段2060，將階段2010的切割元件加熱到足以切割毛發(fā)的溫度。在一個實施例中，將切割元件加熱到溫度400° -1900°C，在一個特殊的實施例中，加熱到溫度1000。-1900。。。
[0120]在可選階段2070，提供運動傳感器。在一個實施例中，該運動傳感器布置成:響應于階段2020的外殼相對于并置的皮膚表面的相對運動，輸出信號。在一個實施例中，如果由運動傳感器探測到的相對運動比第一預定值大，則使階段2000的所提供的輻照元件進行輻照，而如果由運動傳感器探測到的相對運動比第二預定值小，則中斷輻照。在一個實施例中，第一預定值和第二預定值相同。如果由運動傳感器探測到的相對運動大于第三預定值，則將階段2010的切割元件加熱到足以切割毛發(fā)的溫度，并可供選擇地進一步移至毛發(fā)切割位置。如果由運動傳感器探測到的相對運動小于第四預定值，則中斷對切割元件的供電，并可供選擇地進一步移至毛發(fā)非切割位置。在一個實施例中，第三預定值和第四預定值相同。在一個實施例中，第一預定值小于第三預定值。
[0121]在可選階段2080，響應于運動傳感器，控制通過階段2000的輻照元件和階段2010的切割元件的功率。在一個實施例中，隨著階段2020的去除和抑制頭相對運動速率增加，增大工作循環(huán)，并隨著去除和抑制頭相對運動速率減小，減小工作循環(huán)。在一個實施例中，隨著去除和抑制頭相對運動速率增大，流過輻照元件和切割元件的電流也增加，并隨著去除和抑制頭相對運動速率減小，流過輻照元件和切割元件的電流也減小。
[0122]以上已經(jīng)在切割元件是細長加熱元件的實施例中進行了描述，然而，這絕不意味著限制。在另一個實施例中，切割元件是刀片。
[0123]圖11示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置的第二運行方法的高位流程圖，該毛發(fā)去除和再生長抑制裝置是根據(jù)某些實施例的圖10的階段2000-2030之后的裝置。在階段3000，如圖10的階段2040中所述，階段2020的去除和抑制頭與皮膚表面一部分并置。在階段3010，階段2000的輻照元件平移到處理位置。如上所述，輻照元件響應于流過其中而致使其加熱的電流，輸出EMR。在一個實施例中，輸出的EMR在500-5000nm的光譜內(nèi)顯現(xiàn)其能量的約95%，在一特殊實施例中，EMR在500-1000nm的光譜內(nèi)顯現(xiàn)小于其能量的10%。在一個實施例中，在波長IOOOnm附近，輸出的EMR顯現(xiàn)其能量的約95%。在一個實施例中，輻照元件輸出功率為0.5-20W的EMR，在一個特殊的實施例中，功率在1-10W之間。在一個實施例中，輸出的EMR顯現(xiàn)通量在1-lOJ/cm2之間，其在與階段2020的去除和抑制頭并置的皮膚表面部分處測得，在一個特殊的實施例中，該通量約為3J/cm2。由輻照元件輸出的EMR朝向與去除和抑制頭的凹入并置的皮膚表面部分從階段2020的反射器反射出。有利地是，熱量基本上不朝向皮膚表面從反射器反射出。
[0124]在階段3020，將階段2010的切割元件加熱到足以切割毛發(fā)的溫度。在一個實施例中，將切割元件加熱到溫度400° -1900°C，在一個特殊的實施例中，切割元件被加熱到溫度1000° -1900°C。在一個實施例中，處于處理位置的切割元件和皮膚表面之間的距離小于3_，在一個特殊的實施例中，該距離為0.1-1mm0在另一個實施例中，切割元件與皮膚接觸。
[0125]在階段3030，輻照元件從階段3010的處理位置平移到冷卻位置。在一個實施例中，處理位置和冷卻位置之間的距離是2-20mm，而在一個特殊的實施例中，距離約為5mm。在一個實施例中，輻照元件布置成停止主動發(fā)熱，因此，當平移到冷卻位置中時，停止主動地產(chǎn)生EMR。在階段3040，輻照元件規(guī)則地平移在階段3010的處理位置和階段3030的冷卻位置。在一個實施例中，輻照元件在其后平移到處理位置之間的循環(huán)是2-2000HZ，較佳地約5Hz。在一個實施例中，輻照元件的工作循環(huán)，即，輻照元件在處理位置中的時間百分比約為60%。在可選階段3050，階段2010的切割元件與階段2000的輻照元件一起平移在處理位置和冷卻位置之間。在一個實施例中，在冷卻位置中，切割元件停止主動地發(fā)熱。
[0126]在可選階段3060，提供運動傳感器。在一個實施例中，該運動傳感器布置成:響應于階段2020的去除和抑制頭的相對運動,輸出信號。在一個實施例中，如果由運動傳感器探測到的相對運動速率比第一預定值大，則輻照元件規(guī)則地平移在階段3010的處理位置和階段3030的冷卻位置之間，而如果由運動傳感器探測到的相對運動速率比第二預定值小，則中斷規(guī)則的平移。在一個實施例中，中斷由階段2000的輻照元件的發(fā)熱和由此的電磁波發(fā)生。在一個實施例中，輻照元件平移到冷卻位置。在另一個實施例中，階段2010的切割元件也平移到冷卻位置，并停止主動發(fā)熱。在一個實施例中，第一預定值和第二預定值相同。[0127]在可選階段3070，響應于階段3060所提供的運動傳感器，控制階段3040的輻照元件的工作循環(huán)。在一個實施例中，隨著階段2020的去除和抑制頭相對運動速率增加，增大工作循環(huán)，并隨著去除和抑制頭相對運動速率減小，減小工作循環(huán)。此外可供選擇地是，響應于所提供的運動傳感器，控制輻照元件的輸出。在一個實施例中，隨著去除和抑制頭相對運動速率增大，流過輻照元件的電流也增加，并隨著去除和抑制頭相對運動速率減小，流過輻照元件的電流也減小。可供選擇地是，隨著去除和抑制頭相對運動速率增大，流過階段2010的切割元件的電流也增加，并隨著去除和抑制頭相對運動速率減小，流過階段2010的切割元件的電流也減小。
[0128]圖12示出毛發(fā)去除和再生長抑制裝置的方法的高位流程圖，該毛發(fā)去除和再生長抑制裝置包括:根據(jù)某些實施例，輻照皮膚表面的一部分，以及切割從其中突出出來的毛發(fā)。在階段4000，用EMR輻照皮膚表面的一部分。在一個實施例中，EMR在500-5000nm的光譜內(nèi)顯現(xiàn)其能量的約95%，在一特殊實施例中，EMR在500-1000nm的光譜內(nèi)顯現(xiàn)小于其能量的10%。在一個實施例中，在波長IOOOnm附近，EMR顯現(xiàn)其能量的約95%。在一個實施例中，EMR的通量在Ι-lOJ/cm2之間，其在皮膚表面的所述部分處測得，在另一個實施例中，該通量約為3J/cm2。有利地是，提供長期的毛發(fā)生長減少。在一個實施例中，如上對于輻照元件40所描述的，通過加熱元件來輸出EMR。在階段4010，從皮膚表面的部分突出出來的毛發(fā)被切割，由此，形成毛發(fā)的去除。在一個實施例中，通過提供加熱的元件來切割毛發(fā)。在一個實施例中，所提供的加熱的元件溫度是400-1900°C。
[0129]在可選階段4020，提供反射器，其布置成基本上朝向皮膚表面的部分反射輻射。在一個實施例中，階段4000的輻照包括:直接輻照皮膚表面的部分，以及用EMR輻照所提供的反射器，該EMR朝向皮膚表面的部分反射。
[0130]在操作階段4030，提供去除和抑制頭，如以上關于去除和抑制頭20所描述的，從所提供的去除和抑制頭的開口中，提供階段4000的輻照和階段4010的切割。在可選階段4040，探測階段4030所提供的去除和抑制頭相對于與其并置的皮膚表面的相對運動，或相對運動不存在。在一個實施例中，階段4000的輻照是響應于所探測的相對運動。在一個實施例中，當探測到去除和抑制頭的相對運動時便開始階段4000的輻照，而當未探測到相對運動時便停止輻照。在可選階段4050，探測可供選擇的階段4030所提供的去除和抑制頭的相對運動速率。在一個實施例中，階段4000的輻照是響應于所探測到的相對運動。在一個實施例中，響應于探測到的大于第一預定值的相對運動速率便開始輻照，而響應于探測到的小于第二預定值的相對運動速率便停止輻照。在一個實施例中，第一預定值和第二預定值相同。在一個實施例中，EMR量是響應于探測到的相對運動速率，響應于增加的探測到的相對運動速率，便增加EMR量，響應于減小的探測到的相對運動速率，便減小EMR量。
[0131]在可選階段4060，探測可供選擇的階段4030所提供的去除和抑制頭的相對運動速率。在一個實施例中，階段4010的切割包括:對足以切割毛發(fā)的加熱元件提供電能，響應于探測到的大于第三預定值的相對運動速率，開始加熱，而響應于探測到的小于第四預定值的相對運動速率，停止加熱。在一個實施例中，第三預定值和第四預定值相同。在操作階段4070，從皮膚表面的所述部分排走熱量。在一個實施例中，通過提供通過可選階段4030所提供的去除和抑制頭的至少一個排熱口，排走熱量。
[0132]圖13示出毛發(fā)去除和再生長抑制的方法的高位流程圖，該方法包括:根據(jù)某些實施例，規(guī)則地處理和冷卻皮膚表面的一部分。在階段5000，皮膚表面的一部分規(guī)則地被處理和冷卻。在一個實施例中，該處理包括提供熱量到皮膚表面的該部分。在一個實施例中，該提供的熱量是足以切割毛發(fā)的溫度。在一個實施例中，提供的溫度在400° - 1900°C之間，在一特殊實施例中，提供的溫度在1000° - 1900°C，以及在另一個實施例中，提供的溫度約為1900°C。在一個實施例中，加熱工作循環(huán)，即，規(guī)則加熱和冷卻的正在加熱的時間的百分t匕，大于50%，在另一個實施例中，加熱工作循環(huán)約為60%。在一個實施例中，規(guī)則加熱的頻率在2-2000HZ之間，在另一個實施例中，該頻率約為5Hz。
[0133]在階段5010，用EMR輻照皮膚表面的一部分。在可選階段5020，提供去除和抑制頭，從所提供的去除和抑制頭的開口，提供階段5000的處理和冷卻以及可供選擇的階段5010的可供選擇的輻照。在可選階段5030，探測可供選擇的階段5020所提供的去除和抑制頭相對于與其并置的皮膚表面的相對運動速率。在一個實施例中，階段5000的規(guī)則處理和冷卻是響應于所探測到的相對運動的速率。在一個實施例中，響應于大于第一預定值的相對運動的速率，開始規(guī)則的處理和冷卻，而響應于小于第二預定值的相對運動的速率，停止該規(guī)則處理和冷卻。在一個實施例中，第一預定值和第二預定值相同。在一個實施例中，階段5010中提供的EMR量是響應于探測到的相對運動的速率。在一個實施例中，EMR量響應于所探測到的相對運動速率的增加而增加，且響應于所探測到的相對運動速率的減小而減小。在可選階段5040，探測可供選擇的階段5020所提供的去除和抑制頭的相對運動速率。在一個實施例中，階段5000的規(guī)則處理和冷卻速率是響應于所探測到的相對運動速率。在可供選擇的階段5050，探測可供選擇的階段5020所提供的去除和抑制頭的相對運動速率。在一個實施例中，處理工作循環(huán)是響應于所探測到的相對運動速率。在一個實施例中，處理工作循環(huán)響應于探測到的相對運動速率的增加而增加，并響應于探測到的相對運動速率的減小而減小。
[0134]應該認識到，本發(fā)明的某些特征為了清晰起見在各個實施例的情景中進行描述，這些特征也可在單一實施例中組合地提供。相反，本發(fā)明的各種特征為了簡明扼要起見在單一實施例的情景中進行描述，這些特征也可分別地或合適的子組合地提供。在本申請的權(quán)利要求書和本發(fā)明的描述中，除了由于表達語言或必要的暗示而需要另外形式的情景之夕卜，詞語“包括”或各種變體可以任何包含的含義使用，即，規(guī)定所陳述特征的存在，但在本發(fā)明的各種實施例中，不排除其它特征的存在或添加。
[0135]除了另有定義，否則，本文所用的所有科技術(shù)語具有與本發(fā)明所屬【技術(shù)領域】內(nèi)的技術(shù)人員普遍理解的相同的含義。盡管類似于或等價于文中所述方法的各種方法，可在本發(fā)明的實踐或試驗中使用，但文中也描述了其它合適的方法。
[0136]本文以參見方式引入了所有出版物、專利申請、專利和其它提及的參考資料的全部內(nèi)容。在有沖突的情形中，本專利說明書包括定義將是主宰的。此外，材料、方法和實例僅是說明性的，無意加以限制。并不認同任何的參考資料構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)。參考資料的討論陳述其作者的斷言， 申請人:保留對所引用文獻正確性和相關性挑戰(zhàn)的權(quán)利。將會清楚地理解到，盡管文中參考了許多現(xiàn)有技術(shù)的復雜性，但該參考不構(gòu)成以下的承諾:任何這些文獻形成任何國家內(nèi)該行業(yè)內(nèi)共同普通的認識。
[0137]本【技術(shù)領域】內(nèi)技術(shù)人員將會認識到，本發(fā)明不局限于以上具體示出和描述的內(nèi)容。相反，本發(fā)明的范圍由附后的權(quán)利要求書予以定義，本發(fā)明的范圍包括以上描述的各種特征組合和子組合，以及這些特征的變化和修改，它們都是本【技術(shù)領域】內(nèi)技術(shù)人員在閱讀以上描述之后將會想到的特征變化和修改。
【權(quán)利要求】
1.一種毛發(fā)去除和再生抑制裝置，該裝置包括: 控制回路； 至少一個固定到外殼上的去除和抑制頭； 至少一個擴展器組件，其偶聯(lián)到所述至少一個去除和抑制頭上，并遠離所述至少一個去除和抑制頭的壁延伸，所述至少一個擴展器組件在其端部處限定從所述至少一個去除和抑制頭的壁去除的開口； 至少一個輻照元件，其固定到所述至少一個去除和抑制頭上并響應于所述控制回路； 至少一個反射器，其固定到所述至少一個去除和抑制頭，所述至少一個輻照元件設置在所述至少一個反射器和所述開口之間；以及 至少一個切割元件，其固定到所述至少一個去除和抑制頭，并布置成當所述開口與具有從皮膚向外延伸的毛發(fā)的皮膚部分并置時便切割毛發(fā)， 其中，所述至少一個反射器布置成基本上將從所述至少一個輻照元件輸出的電磁輻射朝向所述開口反射。
2.如權(quán)利要求1所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，還包括與所述控制回路連通的運動傳感器，其中，所述控制回路布置成:響應于由所述運動傳感器探測到的相對運動，控制所述至少一個輻照元件的輸出。
3.如權(quán)利要求1所述的毛 發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，還包括與所述控制回路連通的運動傳感器，其中，所述控制回路布置成:響應于由所述運動傳感器探測到的比第一預定值大的相對運動速率，使所述至少一個輻照元件工作，而響應于由所述運動傳感器探測到的比第二預定值小的相對運動速率，使所述至少一個輻照元件不工作。
4.如權(quán)利要求1所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，還包括與所述控制回路連通的運動傳感器，其中，所述控制回路布置成:響應于由所述運動傳感器探測到的相對運動，控制由所述至少一個輻照元件輸出的輻照量。
5.如權(quán)利要求1所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，還包括運動傳感器，其中，所述至少一個切割元件包括絲和帶之一種，其中，所述控制回路布置成:響應于由所述運動傳感器探測到的比第三預定值大的相對運動速率，提供功率以將所述至少一個切割元件加熱到足以切割毛發(fā)的溫度，而響應于由所述運動傳感器探測到的比第四預定值小的相對運動速率，便停止對所述至少一個切割元件提供功率。
6.如權(quán)利要求5所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，足以切割毛發(fā)的溫度是 400。-1900°C。
7.如權(quán)利要求1所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，所述外殼顯現(xiàn)有排熱口，允許熱量從所述輻照元件輸出到所述外殼周圍的環(huán)境空氣中。
8.如權(quán)利要求1所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，所述至少一個輻照元件是細長矩形的立方形。
9.如權(quán)利要求1所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，所述至少一個輻照元件是細長的圓柱形。
10.如權(quán)利要求1所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，所述至少一個切割元件是刀片和加熱元件之一種。
11.如權(quán)利要求1所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，所述至少一個反射器布置成:基本上反射在1000納米接收到的輻射的至少98%。
12.如權(quán)利要求1所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，所述至少一個輻照元件布置成輸出電磁能，在500-5000納米之間的光譜內(nèi)顯現(xiàn)為其能量的至少95%。
13.如權(quán)利要求12所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，所述至少一個輻照元件布置成輸出電磁能，在500-1000納米之間的光譜內(nèi)顯現(xiàn)為小于其能量的10%。
14.如權(quán)利要求1所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，所述至少一個輻照元件布置成輸出功率在0.5-20瓦之間的電磁能。
15.如權(quán)利要求1所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，所述至少一個輻照元件布置成輸出功率在1-10瓦之間的電磁能。
16.如權(quán)利要求1所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，所述控制回路布置成提供功率來加熱所述至少一個輻照元件，其中，由所述至少一個輻照元件輸出的輻射響應于所述至少一個輻照元件的加熱。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，還包括至少一個固定到所述外殼上的平移機構(gòu)， 其中，所述至少一個去除和抑制頭的所述開口布置成與皮膚表面并置， 其中，所述至少一個平移機構(gòu)布置成在第一位置和第二位置之間平移所述至少一個去除和抑制頭和所述至少一個切割元件中的至少一個，所述第一位置比所述第二位置更靠近皮膚表面； 其中，所述控制回路布置成控制所述至少一個平移機構(gòu)，以在所述第一和第二位置之間有規(guī)則地平移所述至少一個切割元件。
18.如權(quán)利要求17所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，所述至少一個平移機構(gòu)還布置成在第三位置和第四位置之間平移所述至少一個輻照元件，所述第三位置比所述第四位置更靠近皮膚表面； 其中，所述控制回路布置成控制所述至少一個平移機構(gòu)，以在所述第三和第四位置之間有規(guī)則地平移所述至少一個輻照元件。
19.如權(quán)利要求18所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，所述控制回路還布置成提供功率到所述至少一個輻照元件，以將所述至少一個輻照元件加熱到一溫度，使得所述至少一個輻照元件輸出輻射，將所述輻照元件定期地放置在所述第三位置中持續(xù)一定的時間，這樣，多次平移到所述第三位置，輻照與所述開口并置的皮膚部分。
20.如權(quán)利要求17或18所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，所述控制回路還布置成提供功率到所述至少一個切割元件，以將所述至少一個切割元件加熱到一溫度，將所述至少一個切割元件規(guī)則地放置在所述第一位置中持續(xù)一定的時間，這樣，多次平移到所述第一位置，切割通過開口突出出來的毛發(fā)。
21.如權(quán)利要求17-18中任一項所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，所述至少一個切割元件是細長矩形的立方形。
22.如權(quán)利要求17-18中任一項所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，還包括與所述控制回路連通的運動傳感器，其中，所述控制回路布置成:響應于由所述運動傳感器探測到的相對運動，控制所述至少一個切割元件的所述規(guī)則平移的速率。
23.如權(quán)利要求17-18中任一項所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，還包括與所述控制回路連通的運動傳感器，其中，所述控制回路布置成:響應于由所述運動傳感器探測到的比第一預定值大的相對運動速率，能使所述至少一個切割元件有規(guī)則地平移，而響應于由所述運動傳感器探測到的比第二預定值小的相對運動速率，便停止所述至少一個切割元件的所述規(guī)則平移。
24.如權(quán)利要求17-18中任一項所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，還包括與所述控制回路連通的運動傳感器，其中，所述控制回路布置成:響應于由所述運動傳感器探測到的相對運動，控制所述至少一個切割元件的工作循環(huán)。
25.如權(quán)利要求17-18中任一項所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，所述控制回路還布置成提供功率到所述至少一個切割元件，以將所述至少一個切割元件加熱到一溫度，其中，由所述至少一個切割元件輸出的溫度是400° -1900°C。
26.如權(quán)利要求25所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，由所述至少一個切割元件輸出的溫度是1000° -1900°C。
27.如權(quán)利要求17-18中任一項所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，第一位置中的所述至少一個切割元件和與所述至少一個擴展器組件的所述開口并置的皮膚表面之間的距離小于3mm。
28.如權(quán)利要求17-18中任一項所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，第一位置中的所述至少一個切割元件和與所述至少一個擴展器組件的所述開口并置的皮膚表面之間的距離在0.1-1mm之間。
29.如權(quán)利要求17-18中任一項所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，第一位置中的所述至少一個切割元件接觸與所述至少一個擴展器組件的所述開口并置的皮膚表面。
30.如權(quán)利要求17-18中 任一項所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，處于所述第一位置中的所述至少一個切割元件的工作循環(huán)大于50%。
31.如權(quán)利要求17-18中任一項所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，處于所述第一位置中的所述至少一個切割元件的工作循環(huán)約為60%。
32.如權(quán)利要求17-18中任一項所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，相對于所述開口，第一位置和第二位置之間的距離是2和20mm之間。
33.如權(quán)利要求17-18中任一項所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，相對于所述開口，處理位置和冷卻位置之間的距離約是5mm。
34.如權(quán)利要求17-18中任一項所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，所述定期平移到第一位置的頻率是2和2000Hz之間。
35.如權(quán)利要求34所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，所述定期平移到第一位置的頻率是約5Hz。
36.如權(quán)利要求17-18中任一項所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，將所述至少一個輻照元件和所述至少一個切割元件設置為至少一個一體的輻照和切割元件。
37.如權(quán)利要求36所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于，所述至少一個一體的輻照和切割元件包括多個一體的輻照和切割元件， 其中，所述至少一個反射器包括多個反射器，每個所述一體的輻照和切割元件設置在所述多個反射器的具體的一個和所述開口之間，其中，所述至少一個平移機構(gòu)包括多個平移機構(gòu)，每個所述平移機構(gòu)布置成在所述第一位置和所述第二位置之間平移所述多個一體的輻照和切割元件的具體的一個。
38.如權(quán)利要求37所述的毛發(fā)去除和再生抑制裝置，其特征在于， 所述至少一個去除和抑制頭包括多個去除和抑制頭， 其中，所述至少一個擴展器組件包括多個擴展器組件，每個組件偶聯(lián)到所述多個去除和抑制頭的具體的一個上， 其中，每個所述一體的輻照和切割元件固定到所述多個去除和抑制頭的具體的一個上，以及 其中，每個所述反射器固定到所述多個去除和抑制頭的具體的一個上。
39.一種毛發(fā)去除和再生抑制的方法，該方法包括: 用電磁福射福照皮膚表面的一部分； 提供反射器，其布置成基本上朝向皮膚表面的所述部分反射電磁輻射；以及 同時地切割從皮膚表面的所述部分突出出來的毛發(fā)， 由此在皮膚表面的所述部分上提供毛發(fā)的去除和長時間的毛發(fā)生長減少， 其中，所述輻射包括: 用電磁輻射直接輻照皮膚表面的所述部分；以及 用電磁輻射輻照所述提供的反射器，以朝向皮膚表面的所述部分反射。
40.如權(quán)利要求39所述的方法，還包括: 提供去除和抑制頭；以及 探測所述去除和抑制頭的相對運動， 其中，所述輻照是響應于所述探測到的相對運動。
41.如權(quán)利要求39所述的方法，還包括: 提供去除和抑制頭；以及 探測所述提供的去除和抑制頭的相對運動速率， 其中，所述輻照皮膚表面的所述部分是響應于探測到的大于第一預定值的相對運動速率而開始，且響應于探測到的小于第二預定值的相對運動速率而停止。
42.如權(quán)利要求39所述的方法，還包括: 提供去除和抑制頭；以及 探測所述提供的去除和抑制頭的相對運動速率， 其中，輻照皮膚表面的所述部分的輻射量是響應于所述探測到的相對運動速率。
43.如權(quán)利要求39所述的方法，還包括: 提供去除和抑制頭；以及 探測所述提供的去除和抑制頭的相對運動速率， 其中，所述切割毛發(fā)包括對毛發(fā)提供熱量，使其溫度足以切割毛發(fā)，以及其中，所述提供熱量是響應于所探測到的大于第三預定值的相對運動速率而開始，并響應于所探測到的小于第四預定值的運動速率而停止。
44.如權(quán)利要求43所述的方法，足以切割毛發(fā)的溫度是400-1900°C。
45.如權(quán)利要求39所述的方法，還包括:從皮膚表面的所述部分排除熱量。
46.如權(quán)利要求39所述的方法，電磁輻射在500和5000納米之間的波長光譜內(nèi)顯現(xiàn)出其能量的至少95%。
47.如權(quán)利要求39所述的方法，電磁輻射在500和1000納米之間的波長光譜內(nèi)顯現(xiàn)出小于其能量的10%。
48.如權(quán)利要求39所述的方法，還包括加熱輻射元件， 其中，所述輻射是響應于所述加熱。
49.如權(quán)利要求48所述的方法，還包括: 在相對于皮膚表面的所述部分的第一位置和相對于皮膚表面的所述部分的第二位置之間，規(guī)則地平移輻照元件， 其中，皮膚表面的所述部分和處于所述第一位置的輻照元件之間的距離，小于皮膚表面的所述部分和處于所述第二位置的輻照元件之間的距離。
50.如權(quán)利要求48所述的方法，所述切割包括對皮膚表面的所述部分提供熱量， 其中，所述提供的熱量使所達到的溫度足以切割從皮膚表面的所述部分突出出來的毛發(fā)。
51.如權(quán)利要求49-50中任一項所述的方法,還包括: 提供去除和抑制頭；以及 探測所述提供的去除和抑制頭的相對運動速率， 其中，輻照元件的所述規(guī)則平移速率是響應于所述探測到的相對運動。
52.如權(quán)利要求49-50中任一項所述的方法,還包括: 提供去除和抑制頭；以及 探測所述提供的去除和抑制頭的相對運動速率， 其中，輻射元件的所述規(guī)則平移是響應于所探測到的大于第一預定值的相對運動速率而開始，并響應于所探測到的小于第二預定值的相對運動速率而停止。
53.如權(quán)利要求49-50中任一項所述的方法,還包括: 提供去除和抑制頭；以及 探測所述提供的去除和抑制頭的相對運動速率， 其中，輻射元件平移到所述第一位置中顯示工作循環(huán)，該工作循環(huán)是響應于所述探測到的相對運動速率。
54.如權(quán)利要求49-50中任一項所述的方法，其特征在于，輻射元件平移到所述第一位置中加熱顯示工作循環(huán)，該工作循環(huán)大于50%。
55.如權(quán)利要求49-50中任一項所述的方法，工作循環(huán)約為60%。
56.如權(quán)利要求49-50中任一項所述的方法，所述規(guī)則平移到所述第一位置中的頻率是在2-2000Hz之間。
57.如權(quán)利要求49-50中任一項所述的方法，所述規(guī)則平移到所述第一位置的頻率約是 5Hz。
【文檔編號】A45D26/00GK103619209SQ201280030900
【公開日】2014年3月5日 申請日期:2012年6月21日 優(yōu)先權(quán)日:2011年6月22日
【發(fā)明者】P·所羅門, D·拉法埃利, I·組達 申請人:萊蒂恩思公司