本發明涉及一種項鏈，特別涉及一種體溫發電項鏈。
背景技術：
體溫發電是利用身體表面與外界環境的溫度差異來發電，這種方法是通過半導體，利用溫差來獲取電能。溫差發電的基本原理是“澤貝克”效應，即兩種不同的金屬連接起來構成一個閉合回路時，如果兩個連接點的溫度不一樣，就能產生微小的電壓。現有的項鏈雖然有的具有照明功能，但是需要額外的電力來源。注意到項鏈一般佩戴在人體頸部，而人體頸部血管豐富，夜晚或冬季，頸部皮膚與外界環境溫差明顯。
技術實現要素：
本發明目的在于提供一種體溫發電項鏈，人體在佩戴的過程中能夠進行發電，并利用所發電量進行照明，簡單實用，有效地利用和節約資源。
本發明解決上述技術問題的技術方案如下：一種體溫發電項鏈，包括頸環、鏈體,其中，所述頸環內設有體溫發電組件，所述體溫發電組件包括頸環外側的低導熱環殼體，頸環內側設有高導熱環殼體；所述低導熱環殼體與高導熱環殼體之間至少設有一組p型半導體、n型半導體，進一步每組p型半導體、n型半導體連接后串聯在一起；所述鏈體下方設有吊墜，進一步吊墜內設有照明燈；所述照明燈與體溫發電組件通過鏈體內的電線接通。
進一步，所述p型半導體中摻有受主雜質。p型半導體，又稱為空穴型半導體。在純凈的硅晶體中摻入三價元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成p型半導體。p型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故p型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子(空穴)的濃度就越高，導電性能就越強。
進一步，所述n型半導體中摻有施主雜質。n型半導體又稱為電子型半導體，參與導電的主要是帶負電的電子，這些電子來自半導體中的施主。凡摻有施主雜質或施主數量多于受主的半導體都是n型半導體。例如，含有適量五價元素砷、磷、銻等的鍺或硅等半導體。
進一步，所述每組p型半導體、n型半導體沿頸環進行環狀布設。
進一步，所述鏈體內設有線型led燈。
本發明的有益效果是：體溫發電項鏈頸環內設有體溫發電組件，體溫發電組件包括頸環外側的低導熱環殼體，頸環內側設有高導熱環殼體，低導熱環殼體與高導熱環殼體之間至少設有一組p型半導體、n型半導體，進一步每組p型半導體、n型半導體連接后串聯在一起，鏈體下方設有吊墜，進一步吊墜內設有照明燈，照明燈與體溫發電組件通過鏈體內的電線接通。本發明能夠利用人體體溫發電，同時所發電量供照明裝置進行照明，簡單實用，能夠有效地利用和節約資源。
附圖說明
圖1為體溫發電項鏈結構示意圖。
具體實施方式
為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本發明。但是本發明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類似改進，因此本發明不受下面公開的具體實施例的限制。
除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬于本發明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本發明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施方式的目的，不是旨在于限制本發明。
如圖1所示，一種體溫發電項鏈，包括頸環1、鏈體2,頸環1內設有體溫發電組件，體溫發電組件包括頸環1外側的低導熱環殼體4，頸環1內側設有的高導熱環殼體5。低導熱環殼體4與高導熱環殼體5之間至少設有一組p型半導體、n型半導體，進一步每組p型半導體、n型半導體連接后串聯在一起。鏈體2下方設有吊墜3，進一步吊墜3內設有照明燈6，照明燈6與體溫發電組件通過鏈體2內的電線接通。
p型半導體中摻有受主雜質。p型半導體，又稱為空穴型半導體。在純凈的硅晶體中摻入三價元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成p型半導體。p型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故p型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子(空穴)的濃度就越高，導電性能就越強。
n型半導體中摻有施主雜質。n型半導體又稱為電子型半導體，參與導電的主要是帶負電的電子，這些電子來自半導體中的施主。凡摻有施主雜質或施主數量多于受主的半導體都是n型半導體。例如，含有適量五價元素砷、磷、銻等的鍺或硅等半導體。
每組p型半導體、n型半導體沿頸環進行環狀布設。鏈體內設有線型led燈。項鏈佩戴過程中，低導熱環殼體4與外界環境接觸，高導熱環殼體5與人體頸部皮膚接觸，低導熱環殼體4與高導熱環殼體5之間形成溫度差，p型半導體和n型半導體在熱端連接，則在冷端可得到一個電壓，將很多個這樣的pn連結串聯起來就可得到足夠的電壓，供照明燈6照明使用。
以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的范圍。
以上所述實施例僅表達了本發明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對發明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發明的保護范圍。因此，本發明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。