專利名稱：涂有呈網狀或島狀的低結晶羥磷灰石的植入體以及其涂覆方法
技術領域：
本發明涉及用具有生物可吸收性的低結晶羥磷灰石涂覆廣泛用作移植材料的鈦植入體表面的方法，以及利用所述方法涂覆的植入體。
背景技術：
近年來，羥磷灰石已經廣泛用作能夠代替例如骨骼或牙齒等硬組織的人造生物材料。羥磷灰石是一種在化學上和晶體學上與構成人 體骨骼和牙齒的礦物組分相同的材料。當移植到人體中時，羥磷灰石呈現出與周圍細胞的高度生物相容性，并且在接合區處迅速與骨骼直接形成化學鍵。由鈣離子、磷酸根離子和羥基離子構成的純羥磷灰石晶體是一種化學計量晶體，具有桿狀結構，并且具有高結晶度。另一方面，從骨骼或鈣化軟骨分離的生物晶體是具有低結晶度的非化學計量的羥磷灰石[參見埃利奧特J.c. (Elliott J.C.)，憐灰石和其它正憐酸韓的結構和化學性質(Structure and Chemistry of the Apatitesand Other Calcium Orthophosphates),無機化學研究第 18 期(Studies in InorganicChemistry 18),阿姆斯特丹(Amsterdam):愛思唯爾出版社(Elsevier),第 111-190 頁(1994)]。鈦因物理性質類似于人類骨骼以及具有優良的機械強度而廣泛用作植入材料。此夕卜，鈦還因為在體內不會引起任何發炎性反應或其它免疫反應而廣泛用作生物金屬。為了使應用于工業中的鈦具有生物活性，鈦將經歷多種表面改性，例如噴砂、酸蝕刻等(參見多篇專利文獻，包含韓國專利申請案第98-23075號)。然而，與例如羥磷灰石等陶瓷材料相比較，鈦不利地呈現弱生物相容性，并且當其在人體內長期駐留時會經歷金屬離子的溶解，最終導致在體內形成無機物質。出于這些原因，近來已經開發出通過用羥磷灰石薄膜涂覆鈦來獲得具有優良機械強度和生物相容性的適用于代替生物硬組織的生物材料的多種方法。涂覆陶瓷從而賦予鈦表面生物活性的常規代表性方法可包含等離子體噴霧法、濺鍍法、離子植入法、離子束沉積法及類似方法。為了形成羥磷灰石的結晶學性質類似于生物晶體的結晶膜，已經采取了使用磷酸鈣溶液或模擬體液的各種方法。上述方法中最常用的等離子體噴霧法具有幾個缺點，例如因瞬時暴露于10，OOO0C或更高的高溫而導致涂層不均勻，以及難以獲得厚度小于約10微米的涂層。此外，這種方法還具有生物反應性極低的問題，因為涂覆在鈦表面上的羥磷灰石會因結晶度極高而在體內發生分解或難以被破骨細胞去除。另外，已知這種方法也涉及同時形成具有不同相的磷酸鈣或氫氧化鈣作為副產物[參見H.-G.帕夫(H.-G. Pfaff)等人，“生物陶瓷”中HA 涂層的性質(Properties of HA-Coatings in' Bioceramics')，第 6卷.，P.都徹尼(P. Ducheyne)和D.克里斯安森(D. Christiansen)編輯,第419-424頁,布特沃斯_海尼曼有限公司(Butterworth-Heinemann Ltd.) (1993)]。一般說來,人體骨骼會經歷稱為骨重建(Bone Remodeling)的一系列過程，在這些過程中，老骨骼從骨架去除，并添加新骨骼。高結晶度羥磷灰石涂膜不參與骨骼的重建過程。因此，羥磷灰石仍作為涂膜長期保留在人體內。甚至在產生功能性骨骼后，這種涂膜仍存在并分解成具有不同相的副產物，致使涂膜從表面剝離，最終導致植入體的分離。為此，需要開發低結晶羥磷灰石，其能夠通過在體內被破骨細胞吸收來參與骨骼的重建過程，由此來克服具有高結晶度的常規羥磷灰石涂層的問題。此外，濺鍍法或粒子植入法除需要高價設備來達到這一目的外，還具有各種問題，例如形狀復雜、在不規則部件上形成的涂層均勻性較差，以及植入體在人體中會因剝離現象而分離。另一方面，存在一種使用磷酸鈣溶液或模擬體液的方法，這是一種濕式涂覆方法。各種類型磷酸鈣的制備或涂覆都是從磷酸鈣離子溶液為原料。這些磷酸鈣化合物可通過在多種條件下將鈣離子和磷酸根離子混合于水溶液中來制備。就這一點來說，已知化合物的類型和形式主要受離子濃度、Ca/P比率和pH條件影響[參見津下彩子(Ayako Oyane)，
小昭和夫(Kazuo Onuma),矢島正雄(Tadashi Kokubo)和伊藤敦南(Atsuo Ito)物理化學雜志 B(J. Phys. Chem. B) 1999，103，8230-8235，埃利奧特 J. C. (Elliott J. C.)，磷灰石和其它正憐酸的結構和化學性質(Structure and Chemistry of the Apatites and OtherCalcium Orthophosphates),無機化學石開究(Studies in Inorganic Chemistry)第 18 期，阿姆斯特丹(Amsterdam):愛思唯爾出版社(Elsevier),第111-190頁(1994)]。上文例示的涂覆方法涉及復雜的步驟或需要長的涂覆時間。一般說來，磷酸鈣的過飽和溶液會因自發沉淀而很難保持恒定的濃度[參見H.B.文(H.B.Wen)等人，生物醫學材料研究雜志(J. Biomed. Mater. Res.) 41，227-236 (1998)]。此外，在保持約37°C的限制性條件下進行的方法會視表面條件而耗費較長時間，約一個月或更長時間。為了解決這些問題，已經開發出通過降低工藝溫度并應用磷酸根離子緩沖系統抑制磷酸鈣晶體在過飽和溶液中沉淀，由此用磷酸鈣涂覆植入體的方法。然而，這些方法還需要使用酸來制造鈣離子溶液和磷酸根離子溶液，并且需要通過在低溫下與堿溶液混合來調整PH值(氫離子濃度)以抑制磷酸鈣沉淀。此外，這些方法也不能克服復雜且較長的工藝時間的缺陷(金允曼(Kim Hyun-Man)等人的韓國專利申請案第1999-38528號和金希永(Kim Se-Won)等人的韓國專利申請案第2000-51923號，二者都受讓于奧斯泰克有限公司(Oscotec Inc.))，因為其需要例如純化(通過多孔過濾或離心)來去除在混合鈣離子溶液與磷酸根離子溶液之初所產生的非晶形磷酸鈣。根據溫度和pH值，使用濕法得到的磷酸鈣化合物具有不同的平衡相。具體說來，在40°C或更低溫度下，磷酸鈣在pH 7或更高pH值下具有平衡相非晶形(Ca3(PO4) *nH20 ；n = 3 到 4. 5)或非化學計量的輕磷灰石(Ca1Q_x(HPO4)x(PO4)6_x nH20 ;x = 0 到 I,n = 0到2);在pH 6到pH 7下具有平衡相憐酸八I丐(octacalcium phosphate, OCP ；Ca8H2 (PO4) 3 5H20);且在pH 6或更低pH值下具有平衡相磷酸二鈣(dicalciumphosphate, DCP ；CaHPO4)、二水合憐酸二隹丐(dicalcium phosphate dihydrous, DCPD ；CaHPO4 * *2H20)等。根據常規濕法得到的磷酸鈣涂層是基于磷酸鈣溶解度的改變，利用了磷酸鈣溶解度隨反應溫度增加而降低的事實。因此，初始工藝應在2°C到5°C的較低溫度下進行，并且很難在不升高溫度的情況下獲得磷酸鈣涂膜和磷酸鈣膠體溶液。此外，在通過升高反應溫度獲得磷酸鈣膠體溶液和涂膜的過程期間，溶液的PH值一般停留在6. 0到6. 5的范圍內。雖然尚未完全了解根據常規濕法得到的磷酸鈣涂膜的精確平衡相，但根據溫度與磷酸鈣溶液PH值之間的相關性，其似乎為OCP。如上文所論述，常規濕法利用了磷酸鈣溶解度對溫度改變反應而出現的差異，并且具有需要控制溫度和/或PH值、升高反應溫度以及形成磷酸鈣涂膜的復雜程序的限制。因此，本發明設想解決常規濕法所呈現的程序復雜性的問題。因而，本發明提供一種羥磷灰石涂覆方法，這種方法借助相對簡單的低成本工藝，甚至無需控制溫度和PH值或溫度升高工藝，就能夠得到優良的生產力。

發明內容
技術問題本發明的主要目的是克服上文所述的問題。本發 明已經發現一種涂有低結晶羥磷灰石的植入體，其可以長時間使用，而不會從新的骨骼分離，以致植入體可在體內被破骨細胞吸收，由此參與骨骼重建過程。因此，本發明克服了具有高結晶度的常規羥磷灰石涂層的缺陷。此外，與常規濕法相比較，根據本發明的低結晶羥磷灰石涂覆方法相對簡單。這種涂覆方法還因不需要嚴格控制例如溫度和/或PH值等反應條件以及升高反應溫度即賦予優良的生物活性而具有經濟效益。技術解決方案本發明提供一種用于涂覆植入體的方法，其中所述方法包含I)預處理鈦或鈦合金植入體的表面，2)將磷酸根離子溶液和鈣離子溶液各自添加到經過預處理的鈦或鈦合金植入體中，以及3)將鈦或鈦合金植入體浸入并儲存于磷酸鈣溶液中，保持I小時或更長時間，其中由此得到的低結晶羥磷灰石薄膜呈網狀或島狀形態，并且具有生物吸收性。有利作用根據本發明的植入體涂覆方法的益處在于通過植入體可在體內被破骨細胞吸收，由此參與骨骼重建過程來長時間使用，同時不會從新的骨骼分離。此外，根據本發明的植入體涂覆方法能夠通過賦予鈦植入體表面生物活性，使植入體骨骼組織與牙齒組織之間形成較強的界面結合，并促進骨傳導性或骨生成，來增加植入體的成功率。而且，由于形成涂層的低結晶羥磷灰石具有生物可吸收性，致使由表面涂層剝離引起的植入體分離得以避免。根據本發明的植入體涂覆方法能夠通過極為簡單的低成本工藝以及必要時控制涂層的厚度和形態(例如薄涂層、厚涂層以及鈦和涂層的共暴露表面)來制造優良的牙科用植入體。因此，根據所需用途，本發明可適用于多種生物材料領域，例如整形外科領域以及牙科領域。


從下文結合附圖闡述的具體實施方式
，將更清楚地了解本發明的目的、特征和其它益處。
圖I是未涂覆的鈦植入體表面的掃描電子顯微照片(scanning electronmicrograph)。圖2是說明鈦植入體表面上呈網狀形態的低結晶羥磷灰石厚涂層的掃描電子顯微照片。圖3是說明鈦植入體表面上呈網狀和島狀形態的低結晶羥磷灰石薄涂層的掃描電子顯微照片。圖4是說明鈦植入體表面上呈島狀形態的低結晶羥磷灰石涂層的掃描電子顯微照片。圖5是說明鈦植入體表面上呈網狀和島狀形態的低結晶羥磷灰石薄涂膜的透射電子顯微照片。圖6是比較在存在與不存在預處理情況下低結晶羥磷灰石的可涂覆性的掃描電子顯微照片。圖7是本發明的示意性工藝流程圖。圖8是通過高分辨率透射電子顯微鏡術(high-resolution transmissionelectron microscopy)觀察的西格瑪阿爾德里奇公司(Sigma Aldrich)的輕磷灰石與本發明的低結晶羥磷灰石涂覆表面之間晶格結構的比較照片。圖9顯示可從圖6的晶格結構比較照片獲得的從中心到個別原子的距離以及個別原子間角度的測量結果。圖10顯示在高分辨率透射電子顯微鏡下通過元素分析儀(elemental analyzer)測量涂覆在鈦植入體上的低結晶羥磷灰石得到的結果。圖11是比較14天中在RBM處理的鈦基質與涂有低結晶羥磷灰石的植入體基質之間間充質干細胞分化成成骨細胞的程度的圖。圖12是分別比較14天和28天中在RBM處理的鈦基質與涂有低結晶羥磷灰石的植入體基質之間間充質干細胞的鈣化程度的圖。圖13是說明移植低結晶羥磷灰石后2周和6周涂膜的生物可吸收性的掃描電子顯微照片。
具體實施例方式本發明涉及在機械性質優良的適用于植入體的鈦表面上涂覆具有優良骨骼生長和骨傳導性的羥磷灰石的植入體和方法。為此，本發明提供在15°C到30°C室溫下，在低濃度磷酸鈣水溶液中誘導鈦植入體表面上網狀或島狀低結晶羥磷灰石生長的技術。根據本發明的涂覆方法也適用于使用鈦合金而非純鈦作為原料的植入體，或使用鈦作為原料隨后借助多種方法進行表面處理的植入體。雖然工藝時間可能與本發明實施例略有不同，但根據表面處理的類型，用羥磷灰石涂覆植入體表面技術所屬領域的技術人員也可容易地控制反應時間。具體說來，本發明的植入體涂覆方法包含預處理鈦或鈦合金植入體的表面，將磷酸根離子溶液和鈣離子溶液各自添加到經過預處理的鈦或鈦合金植入體中，以及
將鈦或鈦合金植入體浸入并儲存于磷酸鈣溶液中，保持I小時或更長時間。預處理步驟可以通過此項技術中多種常用方法進行，例如可再吸收性噴砂介質(Resorbable Blasting Media,RBM)方法,其中使用可再吸收性噴砂介質進行表面處理；大顆粒噴砂加酸蝕(Sand-blasted Large grit, and Acid etched, SLA)表面處理法，其中在進行鋁噴砂后進行酸蝕刻；在300°C或更高溫度下進行熱處理；陽極處理；以及在酸或堿處理后進行表面熱處理。當使用借助上述任何方法處理表面的鈦或鈦合金材料時，可以省略預處理步驟。此外，預處理步驟優選包含在蒸餾水、鈣離子溶液、磷酸根離子溶液或磷酸鈣溶液中對鈦或鈦合金植入體進行超聲波處理，保持I分鐘或更長時間。超聲波處理也可以在進行了上述RBM、SLA或熱處理等之后進行。在預處理步驟中，對于由上述鈦或鈦合金作為原料構成的植入體，可任選使用硝酸溶液去除植入體表面上殘留的任何烴。硝酸溶液的濃度以體積比計優選為4%到60%。根據表面的親水性和形態，可以省略硝酸清潔過程。在用硝酸清潔后，可以用蒸餾水洗滌表
面，以便去除表面上殘留的硝酸。對于未經歷硝酸清潔過程的表面，也可以省略蒸餾水洗滌。本說明書中提出的低濃度(約1.0毫摩爾/升到約10毫摩爾/升)鈣離子溶液可通過將硝酸鈣(例如Ca (NO3) 2或Ca (NO3) 2 **4H20等)或氯化鈣(例如CaCl2或CaCl2 **2H20等)溶解于蒸餾水中的簡單方法來制備。本申請案的低濃度(約I. 0毫摩爾/升到約10毫摩爾/升)磷酸根離子溶液可以通過將磷酸銨(例如(NH4)2HPO4等)或磷酸鈉(例如Na2HPO4 或 Na2HPO4 2H20 或 Na2HPO4 7H20 等)或磷酸鉀(例如 K2HPO4 或 K2HPO4 3H20等)溶解于蒸餾水中的簡單方法來制備。將磷酸根離子溶液和鈣離子溶液分別添加到植入體基質中。或者，在將其施用于植入體基質之前，混合這兩種溶液以制備磷酸鈣溶液，隨后將磷酸鈣溶液施用于植入體基質。優選將兩種溶液各自添加到植入體基質。磷酸鈣溶液的濃度在I. 0毫摩爾/升到10毫摩爾/升的范圍內。此外，雖然植入體在低濃度磷酸鈣溶液中的浸入時間為I小時或更長，但可以根據預定的表面狀態和形態以及涂層厚度改變浸入時間。另外，浸入溫度在約10°C到約35°C且優選在15°C到約30°C的范圍內。浸入溫度可保持恒定或升高。根據預定用途和目的，本領域技術人員可容易地選擇浸入時間和浸入溫度。將所制備的低濃度鈣離子溶液和磷酸根離子溶液分別添加到鈦植入體中，隨后浸泡I小時或更長時間，并取出鈦植入體,用蒸餾水短時間洗滌，由此可以在鈦或鈦合金植入體表面上涂覆呈網狀或島狀形態的低結晶羥磷灰石。根據本發明的涂覆方法的優勢在于，不需要控制磷酸鈣溶液的pH值。不需要攪拌混合磷酸根離子溶液與鈣離子溶液。本發明中提出的涂覆低結晶羥磷灰石的方法是基于充分利用以下現象磷酸鈣溶液的溶解度在室溫下降低，并且鈣離子與磷酸根離子溶液混合的化學機制將引起磷酸根離子溶液中磷酸氫根(HPO42-)解離常數的改變，并因此會在鈦植入體浸入磷酸鈣溶液中期間連續產生非晶形或結晶磷酸鈣。以下是磷酸根離子溶液的反應方案。 Na2H (PO4) 2 — 2Na.+H (PO4) 2
H(PO4)2" ^H' + (PO4)3- (Ka = IO-1166)磷酸根離子溶液中磷酸氫根離子的解離常數極低。因此，溶液中磷酸氫根離子解離形式的存在量極少。與利用磷酸鈣的緩沖液或溫度依賴性溶解度的常規方法不同，本發明利用了在鈣離子溶液與磷酸根離子溶液的混合過程期間發生的磷酸氫根離子解離常數的改變。鈣離子溶液添加到磷酸根離子溶液中會加速磷酸氫根離子的解離。雖然磷酸氫根離子的解離是連續發生的，并且在某種程度上可能視離子溶液的濃度或反應溫度而變化，但磷酸氫根離子在進行反應后約I小時迅速發生解離，接著隨時間推移，磷酸氫根離子的解離持續而緩慢地發生。因此，有可能在磷酸氫根離子迅速解離的位置獲得呈網狀形態的涂膜。當使所述工藝進行較長時間段(3小時或更長時間)時，有可能因磷酸氫根離子持續解離而獲得低結晶羥磷灰石厚涂膜。低結晶羥磷灰石薄膜的厚度為約10納米或更小。當增加浸入時間時，可以獲得較厚的膜。
本發明中的預處理是賦予植入體表面活性，從而保證在磷酸鈣溶液中使鈦植入體表面獲得均勻且高度粘附的磷酸鈣晶體涂層的工藝。一般說來，室溫下，磷酸鈣晶體在磷酸鈣溶液中的生產率極高。因此，如果未賦予鈦植入體表面足夠的活性，就不能在植入體上形成涂層和/或使植入體涂層的粘附強度大為降低。總的說來，需要對鈦植入體表面進行預處理，以增加植入體表面上結晶磷酸鈣的產生和生長。此外，預處理還使植入體表面上低結晶羥磷灰石的涂覆均勻性得到改進，并且明顯改進可重復性和可再現性。本申請案中的預處理方法是如前文所述，優選通過在蒸餾水、鈣離子溶液、磷酸根離子溶液或磷酸鈣溶液中對鈦或鈦合金植入體進行超聲波處理，保持I分鐘或更長時間來進行。由根據本發明的涂覆方法制備的低結晶羥磷灰石具有特征性非化學計量，而且能夠被生物吸收。此外，本發明涂有低結晶羥磷灰石的植入體具有共暴露網狀或島狀涂層和植入體鈦表面的雙表面，由此骨生成能力因鈦與細胞的粘附作用與羥磷灰石的骨傳導作用之間的協同作用而得到改進。如本文所述，在磷酸鈣溶液中呈網狀或島狀形態的低結晶羥磷灰石涂層可根據羥磷灰石的濃度、溫度和工藝時間而確定所需的厚度。涂層狀態可以在掃描電子顯微鏡下確定。由于工藝簡單，故可以對應于各種植入體領域以及牙齒中所需的應用，適當地控制低結晶羥磷灰石的涂覆程度。現將參考以下實例較為詳細地描述本發明。提供的這些實例只用于說明本發明，而不應解釋為限制本發明的范圍和精神。實例I鈦植入體的預處理將SLA(包括鋁噴砂隨后酸蝕刻的表面處理方法)處理過的植入體浸入12%硝酸(HNO3)溶液中，保持5分鐘，隨后進行超聲波處理，并使用蒸餾水(H2O)去除植入體表面上殘留的酸。12%硝酸溶液是通過將60%硝酸溶液與蒸餾水(H2O)按I : 4比率混合而制成。將通過在硝酸溶液中洗滌去除了表面雜質的植入體浸入蒸餾水中，隨后超聲波處理15分鐘。實例2
制備低濃度鈣離子溶液和磷酸根離子溶液磷酸鈣溶液的制備是由制備高濃度200毫摩爾/升鈣(Ca)離子溶液和磷酸根(PO4)離子溶液的步驟開始。通過將氯化鈣(CaCl2)溶解于蒸餾水(H2O)中來制備高濃度鈣離子溶液，且通過將磷酸氫鈉(Na2HPO4)溶解于蒸餾水(H2O)中來制備高濃度磷酸根離子溶液。通過添加蒸餾水將高濃度200毫摩爾/升鈣離子溶液和磷酸根離子溶液分別稀釋到5毫摩爾/升。在與進行涂覆工藝相同的溫度下儲存5毫摩爾/升鈣離子溶液和5毫摩爾/升磷酸根離子溶液。優選在進行涂覆工藝的恒溫箱中儲存鈣離子溶液和磷酸根離子溶液。實例3低結晶羥磷灰石涂層按以下方式制備低結晶羥磷灰石涂層將在蒸餾水中經過最終預處理的植入體放
入反應容器中，向其中分別依序添加等體積的5毫摩爾/升低濃度磷酸根離子溶液和5毫摩爾/升鈣離子溶液，并混合，由此制備出2. 5毫摩爾/升的磷酸鈣溶液。在20°C恒溫箱中，儲存含有鈦植入體和2. 5毫摩爾/升磷酸I丐溶液的反應容器60分鐘。之后,從反應容器中取出鈦植入體，用蒸餾水短時間洗滌，并干燥，由此形成網狀涂層表面。圖3的掃描電子顯微照片顯示了網狀涂層表面以及低結晶羥磷灰石和鈦的雙表面。由圖5的透射電子顯微照片可以確定，呈網狀形態的低結晶羥磷灰石涂層的厚度為10納米或更低。為調整涂層厚度，可以在恒溫箱中儲存植入體180分鐘或更長時間，以形成低結晶羥磷灰石厚涂層。當首先制備磷酸鈣溶液，并在I到3分鐘后，將經過預處理的植入體在反應容器中放置并儲存60分鐘時，也可以獲得在外部同時存在鈦和低結晶羥磷灰石的島狀涂層表面。表I
權利要求
1.ー種利用低結晶羥磷灰石涂覆鈦或鈦合金植入體的方法，其包括 預處理鈦或鈦合金植入體的表面， 將磷酸根離子溶液及鈣離子溶液各自添加到所述經過預處理的鈦或鈦合金植入體中，以及 將所述鈦或鈦合金植入體浸入以及儲存于所述磷酸鈣溶液中，保持I小時或更長時間。
2.根據權利要求I所述的方法，其特征在于，所述預處理步驟包含在蒸餾水、鈣離子溶液、磷酸根離子溶液或磷酸鈣溶液中對所述鈦或鈦合金植入體進行超聲波處理，保持I分鐘或更長時間。
3.根據權利要求I或2所述的方法，其特征在于，所述磷酸根離子溶液是通過將磷酸銨、磷酸鈉或磷酸鉀溶解于蒸餾水中來制備。
4.根據權利要求I或2所述的方法，其特征在于，所述鈣離子溶液是通過將硝酸鈣或氯化鈣溶解于蒸餾水中來制備。
5.根據權利要求I或2所述的方法，其特征在于，所述將所述鈦或鈦合金植入體浸入以及儲存于所述磷酸鈣溶液中的步驟中的反應溫度在15°C到30°C的范圍內。
6.根據權利要求I所述的方法，其特征在干，所述預處理步驟選自由可再吸收性噴砂介質(RBM)處理、大顆粒噴砂加酸蝕(SLA)處理、在300°C或更高溫度下熱處理、陽極處理以及在酸或堿處理后進行熱處理組成的群組。
7.根據權利要求I或2所述的方法，其特征在于，所述磷酸鈣溶液的濃度為I.O毫摩爾/升到10暈摩爾/升。
8.ー種鈦或鈦合金植入體，其涂有呈網狀或島狀形態的低結晶羥磷灰石。
9.根據權利要求8所述的植入體，其特征在于，所述低結晶羥磷灰石具有生物可吸收性。
10.根據權利要求8或9所述的植入體，其特征在于，低結晶羥磷灰石薄膜的厚度為10納米或更低。
11.ー種鈦或鈦合金植入體，其涂有呈薄膜形式的低結晶羥磷灰石。
全文摘要
本發明涉及用低結晶羥磷灰石涂覆廣泛用作移植材料的鈦植入體表面的方法，以及利用所述方法涂覆呈網狀或島狀形態的低結晶羥磷灰石的植入體。根據本發明的涂覆方法包含下列步驟1)預處理鈦或鈦合金植入體的表面；2)將磷酸根離子溶液和鈣離子溶液混合以制備磷酸鈣離子溶液；以及3)將所述鈦或鈦合金植入體浸入并儲存于所述磷酸鈣離子溶液中。
文檔編號A61C8/00GK102802557SQ201080026540
公開日2012年11月28日 申請日期2010年5月18日 優先權日2009年6月18日
發明者河景元, 崔圭鈺 申請人:奧齒泰種植體股份有限公司