專利名稱：一種超聲波灸電路結構的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種的用于穴位醫治、理療、康復和保健的超聲波裝置電路結構。
技術背景
現有的超聲波理療、康復和保健的超聲波裝置幾乎均為醫院內的固定設備，或者是比較笨重、配置復雜的組合設備，不僅使用、維護困難，而且需要專業人員操作。然而，這類設備或器械以其廣泛適用功能，如低功率的機械波、安全無副作用的超聲波頻率等，非常適用于包括保健需求的各種人群，以致提出家庭、隨身、隨時、隨地應用的需求。這就產生了廣泛需求與專用設備的矛盾。解決這個矛盾的方法就是研發一種便攜式、易操作、適用于各種人群的廣泛適用型醫治、理療、康復和保健的超聲波裝置。超聲波灸是該類裝置中具有取代其它灸類作用的器械，它以深入、間歇、集中的超聲波穴位刺激來產生生理醫療作用，而其電路結構又是產生超聲波能量的核心。發明內容
為解決廣泛需求與專用設備的矛盾本發明提供一種超聲波灸電路結構。超聲波灸電路主要由模式控制操作電路、頻率控制操作電路、功率控制操作電路、主電路和電源開關操作電路構成。主電路通過脈沖控制信號接線端和公共接地端與模式控制操作電路連接， 通過低頻率控制信號接線端、中頻率控制信號接線端、高頻率控制信號接線端和公共接地端與頻率控制操作電路連接，通過斬波控制信號接線端和公共接地端與功率控制操作電路連接；電源開關操作電路通過工作電源正極接線端和公共接地端連接到各個電路。
本發明解決其技術問題所采用的技術方案是
超聲波灸電源電路主要由主電路和電源開關操作電路、模式控制操作電路、頻率控制操作電路、功率控制操作電路構成。主電路通過脈沖控制信號接線端和公共接地端與模式控制操作電路連接，通過低頻率控制信號接線端、中頻率控制信號接線端、高頻率控制信號接線端、匹配電感低頻率接線端、匹配電感中頻率接線端、匹配電感高頻率接線端和公共接地端與頻率控制操作電路連接，通過斬波控制信號接線端和公共接地端與功率控制操作電路連接；電源開關操作電路通過工作電源正極接線端和公共接地端連接到主電路、模式控制操作電路、頻率控制操作電路和功率控制操作電路。電源開關操作電路、模式控制操作電路和功率控制操作電路分別通過電源開關接點、模式控制開關接點和功率控制開關接點與電源開關按鍵、模式控制功能操作按鍵和功率控制功能操作按鍵構成操作連接；頻率控制操作電路通過低頻率控制開關聯動接點、中頻率控制開關聯動接點和高頻率控制開關聯動接點分別與低頻控制功能操作滑壓鍵、中頻控制功能操作滑壓鍵和高頻控制功能操作滑壓鍵構成操作連接。
主電路主要由模式、功率控制操作執行單元、超聲波信號產生單元、功率放大和匹配換能執行單元構成。其中模式、功率控制操作執行單元由P溝道增強型斬波開關MOSFET 器件的及其驅動電路構成分擋級占空比調節結構；超聲波信號產生單元由受控選頻RC相移網路及其放大電路構成正弦波信號源結構；功率放大和匹配換能執行單元由NPN型前置功放三極管、NPN型為上臂推挽三極管、PNP型下臂推挽三極管、諧振電感、換能器-振子等效阻抗及其外圍器件構成OTL輸出匹配結構。
本發明的有益效果是電路是一種高性價比的超聲波驅動電源電路，其OTL輸出匹配結構使得能效大大提高，可有力驅動便攜式、易操作、適用于各種人群的廣泛適用型醫治、理療、康復和保健的超聲波裝置。便于組裝、調整與試驗；機體及電路結構簡單，易于批量生產；系統的純硬件構成使得維護、維修簡便易行。


下面結合附圖和實施例對本發明進一步說明。
圖1是本發明實施例-超聲波灸的結構外觀正面示意圖。
圖2是超聲波灸的振子裝配口結構視圖。
圖3是超聲波灸的電路結構框圖。
圖4是超聲波灸的模式控制操作電路結構圖。
圖5是超聲波灸的頻率控制操作電路結構圖。
圖6是超聲波灸的功率控制操作電路結構圖。
圖7是超聲波灸的主電路結構圖。
圖8是超聲波灸的電源開關操作電路結構圖。
在圖1 8中1.灸端-振子結構，2.機殼操作面板結構，3.模式控制功能操作按鍵，4.功率控制功能操作按鍵，5.電源開關按鍵，6.電源指示燈，7.功率擋級指示燈，8.頻率擋級指示燈，9.模式擋級指示燈。
在圖2、3、5中2. 1.安裝內螺紋，2. 2.內摩觸接點，3. 3.外摩觸接點，2. 4.低頻控制功能操作滑壓鍵，2. 5.中頻控制功能操作滑壓鍵，2. 6.高頻控制功能操作滑壓鍵。
在圖3 8中=Mtff為模式控制操作電路，Fop為頻率控制操作電路，Pop為功率控制操作電路，Etff為電源開關操作電路，Hffi為主電路；E為工作電源正極接線端，Km為模式控制開關接點，M為脈沖控制信號接線端，Kfi為低頻率控制開關聯動接點一，Kf2為中頻率控制開關聯動接點一，Kf3為高頻率控制開關聯動接點一，Kli為低頻率控制開關聯動接點二，Kl2為中頻率控制開關聯動接點二，Kl3為高頻率控制開關聯動接點二，F1為低頻率控制信號接線端，F2為中頻率控制信號接線端，F3為高頻率控制信號接線端，Fli為匹配電感低頻率接線端，Fl2為匹配電感中頻率接線端，Fl3為匹配電感高頻率接線端，Kp為功率控制開關接點，P 為斬波控制信號接線端，K為電源開關接點。
在圖4中Adm為第一與門上拉電阻，Rdmi為短脈沖指示LED限流電阻，Rdm2為中脈沖指示LED限流電阻，Rdm3為長脈沖指示LED限流電阻，Dmi為短脈沖指示LED器件，Dm2為中脈沖指示LED器件，Dm3為長脈沖指示LED器件，DMa為模式操作與門第一二極管，Dsib為模式操作與門第二二極管，U1為第一四D觸發器芯片，&為模式操作恢復電阻，Cm為模式操作恢復電容，I為短脈沖延時電阻，Re為中脈沖延時電阻，Rm3為長脈沖延時電阻，Rmc為脈沖間歇延時電阻，Cmi為脈沖延時電容，U2為脈沖發生555定時器芯片，Cm2為模式控制濾波電容， Rsc為脈沖控制信號負載電阻。
在圖5中RDF1為低頻率指示LED限流電阻，Rdf2為中頻率指示LED限流電阻，Rdf3為高頻率沖指示LED限流電阻，Dfi為低頻率指示LED器件，Df2為中頻率指示LED器件，Df3 為高頻率指示LED器件。
在圖6中Rdp為第三與門上拉電阻，Rdpi為弱功率指示LED限流電阻，Rdp2為中功率指示LED限流電阻，Rdp3為強功率沖指示LED限流電阻，Dpi為弱功率指示LED器件，Dp2為中功率指示LED器件，Dp3為強功率指示LED器件，Dpa為功率操作與門第一二極管，Dpb為功率操作與門第二二極管，U4為第三四D觸發器芯片，&為功率操作恢復電阻，Cp為功率操作恢復電容，Rpi為低占空比延時電阻，Rp2為中占空比延時電阻，Rp3為高占空比延時電阻，Rpc 為間歇占空延時電阻，Cpi為占空比控制延時電容，U5為占空比產生555定時器芯片，Cp2為功率控制濾波電容，Rpl為斬波控制信號負載電阻。
在圖7中=Rstlb為斬波驅動三極管基極偏流電阻，Dm為與門脈沖控制二極管，Dp為與門斬波控制二極管，Rsg為斬波開關MOSFET器件柵極偏流電阻，Rs0c為斬波驅動集電極負載電阻，Tso為斬波驅動三極管，GIse為斬波開關MOSFET器件，Dse為穩壓續流二極管，Lse為平波電感，Cse為平波電容；C0s為振蕩反饋電容，R0sl為低頻率振蕩反饋電阻，R0s2為中低頻率振蕩反饋電阻，R0s3為高頻率振蕩反饋電阻，Rsdi為低頻率振蕩反饋分壓電阻，Rsd2為中低頻率振蕩反饋分壓電阻，I SD3為高頻率振蕩反饋分壓電阻，I^b為振蕩放大三極管基極偏流電阻，Rsic為振蕩放大三極管集電極負載電阻，Tsi為振蕩放大三極管，Rse為射隨器射極電阻， Ts2為射隨器三極管，I S2為射隨器集電極負載電阻，I ffib為射隨器基極偏流電阻；C。為振蕩信號耦合電容，Rof為功率反饋電阻，Rob為功率反饋分壓電阻，R01為自舉分壓電阻，R02為自舉電阻，Dsi為第一交躍二極管，Dsi為第二交躍二極管，為前置功放三極管，I^e為前置功放射極電阻，Ttjl為上臂推挽三極管，T。2為下臂推挽三極管，C。為自舉電容，V。為功率輸出接線端；Z為振子等效阻抗，為電感獨立接線端，L0為諧振電感。
在圖8中Aei為電源指示LED限流電阻，Vd為電源指示燈LED器件，Re2為電容限流電阻，Ce為記憶電容，Rb為偏流電阻，A為電源開關MOSFET器件，Rc為分壓電阻，T為開關晶體管，Rg為柵極分壓電阻，Bat為電池，Soc為充電插口。
具體實施方式
在圖1所示的本發明實施例-超聲波灸的結構外觀正面示意圖中灸端-振子結構1裝配在機殼操作面板結構2的左端。在機殼操作面板結構2的正面，從左至右依次裝配薄膜型模式控制功能操作按鍵3、薄膜型功率控制功能操作按鍵4和電源開關按鍵5。在機殼操作面板結構2正面右端的電源開關按鍵5上部，配有電源指示燈6 ；在機殼操作面板結構2正面中右端的功率控制功能操作按鍵4上部，配有功率擋級指示燈7 ；在機殼操作面板結構2正面中左端的模式控制功能操作按鍵3上部，配有模式擋級指示燈9 ；在機殼操作面板結構2正面的功率控制功能操作按鍵4及其功率擋級指示燈7和模式控制功能操作按鍵3及其模式擋級指示燈9之間，配有頻率控制功能標示及其頻率擋級指示燈8。
在圖1所示的超聲波灸結構外觀正面示意圖和圖2所示的超聲波灸振子裝配口結構視圖中在機殼操作面板結構2的左端面，開有扁圓柱盒形內凹式振子裝配口。裝配口的圓柱側壁制有安裝內螺紋2. 1，安裝內螺紋2. 1為表面經止退防滑處理的標準結構。裝配口的底面由內向外劃分為中心、內環、次內環、中環、次外環和外環。裝配口的底面中心裝嵌有內摩觸接點2. 2，裝配口的底面次內環裝嵌有外摩觸接點3. 3 ；內摩觸接點2. 2和外摩觸接點3. 3均為經表面耐摩處理的磷銅材料制成的球冠環形彈性電接觸體，接觸面向前。在裝配口的底面外環，僅靠安裝內螺紋2. 1，安裝有低頻控制功能操作滑壓鍵2. 4;在裝配口的底面次外環，安裝有中頻控制功能操作滑壓鍵2. 5 ；在裝配口的底面中環，安裝有高頻控制功能操作滑壓鍵2. 6 ；低頻控制功能操作滑壓鍵2. 4、中頻控制功能操作滑壓鍵2. 5和高頻控制功能操作滑壓鍵2. 6均為微型微動滑觸開關回彈滑壓鍵。
在圖3所示的超聲波灸電路結構框圖中超聲波灸電源電路主要由主電路Hos和電源開關操作電路Ε.模式控制操作電路Μ.頻率控制操作電路F.功率控制操作電路構成。主電路Hos通過脈沖控制信號接線端M和公共接地端與模式控制操作電路Mtff連接，通過低頻率控制信號接線端F1、中頻率控制信號接線端F2、高頻率控制信號接線端F3、匹配電感低頻率接線端Fu，匹配電感中頻率接線端&和匹配電感高頻率接線端Fc3和公共接地端與頻率控制操作電路Ftff連接，通過斬波控制信號接線端P和公共接地端與功率控制操作電路Pw連接；電源開關操作電路Ew通過工作電源正極接線端E和公共接地端連接到主電路 Hos、模式控制操作電路Μ.頻率控制操作電路Ftff和功率控制操作電路P『電源開關操作電路Etff、模式控制操作電路Mw和功率控制操作電路Ptff分別通過電源開關接點K、模式控制開關接點Km和功率控制開關接點Kp與電源開關按鍵5、模式控制功能操作按鍵3和功率控制功能操作按鍵4構成操作連接；頻率控制操作電路Ftff通過低頻率控制開關聯動接點(即低頻率控制開關聯動接點一 Kfi與低頻率控制開關聯動接點二 Ku)、中頻率控制開關聯動接點(即中頻率控制開關聯動接點一 Kf2與中頻率控制開關聯動接點二 KJ和高頻率控制開關聯動接點(即高頻率控制開關聯動接點一 Kf3與高頻率控制開關聯動接點二 Ku)，分別與低頻控制功能操作滑壓鍵2. 4、中頻控制功能操作滑壓鍵2. 5和高頻控制功能操作滑壓鍵 2. 6構成操作連接。
在圖4所示的超聲波灸模式控制操作電路結構圖中
模式控制操作電路主要由CMOS型第一四D觸發器芯片R、CM0S型脈沖發生555定時器芯片U2及其外圍器件構成。
第一觸發上拉電阻Rdm的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與第一四D觸發器芯片U1的4腳連接；短脈沖指示LED限流電阻Rdmi的一端與短脈沖指示LED器件Dmi 的陽極端連接，短脈沖指示LED限流電阻Rdmi的另一端連接到工作電源正極接線端E ；中脈沖指示LED限流電阻Rdm2的一端與中脈沖指示LED器件Dm2的陽極端連接，中脈沖指示LED 限流電阻Rdm2的另一端連接到工作電源正極接線端E ；長脈沖指示LED限流電阻Rdm3的一端與長脈沖指示LED器件Dm3的陽極端連接，長脈沖指示LED限流電阻Rdm3的另一端連接到工作電源正極接線端E。短脈沖指示LED器件Dmi的陰極端連接到第一四D觸發器芯片U1的 2腳，中脈沖指示LED器件Dm2的陰極端連接到第一四D觸發器芯片U1的6腳，長短脈沖指示LED器件Dm3的陰極端連接到第一四D觸發器芯片仏的11腳。模式操作與門第一二極管 DMa的陽極和模式操作與門第二二極管Dstb的陽極均與第一四D觸發器芯片U1的4腳連接， 模式操作與門第一二極管DMa的陰極和模式操作與門第二二極管Dstb的陰極分別與第一四D 觸發器芯片U1的2腳和6腳連接。第一四D觸發器芯片U1的3腳與5腳連接，第一四D觸發器芯片U1的7腳與12腳連接，第一四D觸發器芯片U1的8腳接地，第一四D觸發器芯片 U1的3腳、7腳和10腳分別連接到短脈沖延時電阻的一端、中脈延時電阻^2的一端和長脈沖延時電阻Rm3的一端，第一四D觸發器芯片仏的16腳連接到工作電源正極接線端E，第一四D觸發器芯片仏的其余腳懸空。模式操作恢復電阻&的一端接地，模式操作恢復電阻 的另一端與模式操作恢復電容Cm的負極端連接，模式操作恢復電阻 與模式操作恢復電容Cm的連接點連接到第一四D觸發器芯片U1的9腳；模式操作恢復電容Cm的正極端連接到工作電源正極接線端E ；模式控制開關Km的兩端跨接在模式操作恢復電容Cm的正、負極之間。短脈沖延時電阻的另一端、中脈延時電阻^2的另一端和長脈沖延時電阻Rm3的另一端均與脈沖間歇延時電阻Rk的一端連接，該連接點連接到脈沖發生555定時器芯片U2 的7腳。脈沖間歇延時電阻Rsc的另一端與脈沖延時電容Cmi的正極端連接，該連接點連接到脈沖發生555定時器芯片U2的2腳；脈沖延時電容Cmi的負極端接地。脈沖發生555定時器芯片U2的2腳與6腳連接，脈沖發生555定時器芯片U2的1腳接地，脈沖發生555定時器芯片U2的5腳通過模式控制濾波電容Cm2接地，脈沖發生555定時器芯片U2的4腳、8 腳均連接到工作電源正極接線端E，脈沖發生555定時器芯片U2的3腳通過脈沖控制信號負載電阻Rtt連接到工作電源正極接線端E，脈沖發生555定時器芯片U2的3腳連接到脈沖控制信號接線端M。
在圖5所示的超聲波灸頻率控制操作電路結構圖中
低頻率指示LED限流電阻Rdfi的一端與低頻率指示LED器件Dfi的陽極端連接，低頻率指示LED限流電阻Rdfi的另一端連接到工作電源正極接線端E ；中頻率指示LED限流電阻Rdf2的一端與中頻率指示LED器件Df2的陽極端連接，中頻率指示LED限流電阻Rdf2的另一端連接到工作電源正極接線端E ；高頻率沖指示LED限流電阻Rdf3的一端與高頻率指示LED器件Df3的陽極端連接，高頻率沖指示LED限流電阻Rdf3的另一端連接到工作電源正極接線端E。低頻率指示LED器件Dfi的陰極、中頻率指示LED器件Df2的陰極和高頻率指示LED器件Df3的陰極分別連接到低頻率控制信號接線端F1、中頻率控制信號接線端F2和高頻率控制信號接線端F3 ；在低頻率控制信號接線端F1、中頻率控制信號接線端F2和高頻率控制信號接線端F3與公共接地端之間，分別跨接低頻率控制開關接點Kfi、中頻率控制開關接點Kf2和高頻率控制開關接點KF3。在匹配電感低頻率接線端Fu、匹配電感中頻率接線端R2和匹配電感高頻率接線端Fu與公共接地端之間，分別跨接低頻率控制開關聯動接點二 Ku、中頻率控制開關聯動接點二 I^2和高頻率控制開關聯動接點二 Κω。
在圖6所示的超聲波灸功率控制操作電路結構圖中
功率控制操作電路主要由CMOS型第三四D觸發器芯片U4、CM0S型占空比產生555 定時器芯片U5及其外圍器件構成。
第三觸發上拉電阻Rdp的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與第三四D觸發器芯片U4的4腳連接；弱功率指示LED限流電阻Rdpi的一端與弱功率指示LED器件Dpi 的陽極端連接，弱功率指示LED限流電阻Rdpi的另一端連接到工作電源正極接線端E ；中功率指示LED限流電阻Rdp2的一端與中功率指示LED器件Dp2的陽極端連接，中功率指示LED 限流電阻Rdp2的另一端連接到工作電源正極接線端E ；強功率沖指示LED限流電阻Rdp3的一端與強功率指示LED器件Dp3的陽極端連接，強功率沖指示LED限流電阻Rdp3的另一端連接到工作電源正極接線端E。弱功率指示LED器件Dpi的陰極、中功率指示LED器件Dp2的陰極和強功率指示LED器件Dp3的陰極分別連接到第三四D觸發器芯片U4的2腳、6腳和11 腳。功率操作與門第一二極管D15a的陽極和功率操作與門第二二極管Dpb的陽極均與第三四 D觸發器芯片U4的4腳連接，功率操作與門第一二極管Dpa的陰極和功率操作與門第二二極管Dpb的陰極分別與第三四D觸發器芯片U4的2腳和6腳連接。第三四D觸發器芯片U4的 3腳與5腳連接，第三四D觸發器芯片U4的7腳與12腳連接，第三四D觸發器芯片U4的8 腳接地，第三四D觸發器芯片U4的3腳、7腳和10腳分別連接到低占空比延時電阻Rpi的一端、中占空比延時電阻Rp2的一端和高占空比延時電阻I P3的一端，第三四D觸發器芯片U4的 16腳連接到工作電源正極接線端E，第三四D觸發器芯片U4的其余腳懸空。功率操作恢復電阻&的一端接地，功率操作恢復電阻&的另一端與功率操作恢復電容Cp的負極端連接， 功率操作恢復電阻&與功率操作恢復電容Cp的連接點連接到第三四D觸發器芯片U4的9 腳；功率操作恢復電容Cp的正極端連接到工作電源正極接線端E ；功率控制開關Kp的兩端跨接在功率操作恢復電容Cp的正、負極之間。低占比空延時電阻Rpi的另一端、中占空比延時電阻Rp2的另一端和高占空比延時電阻I P3的另一端均與間歇占空延時電阻Rrc的一端連接，該連接點連接到占空比產生555定時器芯片U5的7腳。間歇占空延時電阻Rre的另一端與占空比控制延時電容Cpi的一端連接，該連接點連接到占空比產生555定時器芯片U5的2 腳；占空比控制延時電容Cpi的另一端接地。占空比產生555定時器芯片U5的2腳與6腳連接，占空比產生555定時器芯片U5的1腳接地，占空比產生555定時器芯片U5的5腳通過功率控制濾波電容Cp2接地，占空比產生555定時器芯片U5的4腳、8腳均連接到工作電源正極接線端E，占空比產生555定時器芯片U5的3腳通過斬波控制信號負載電阻R11連接到工作電源正極接線端E，占空比產生555定時器芯片U5的3腳連接到斬波控制信號接線端P。
在圖7所示的超聲波灸的主電路結構圖中
主電路主要包括模式、功率控制操作執行單元、超聲波信號產生單元、功率放大和匹配換能執行單元。其中模式、功率控制操作執行單元由P溝道增強型斬波開關MOSFET器件Qse的及其驅動電路構成；超聲波信號產生單元由受控選頻RC相移網路及其放大電路構成；功率放大和匹配換能執行單元由NPN型前置功放三極管TS3、NPN型為上臂推挽三極管 UNP型下臂推挽三極管T。2、諧振電感L。、換能器-振子等效阻抗Z及其外圍器件構成。
在模式、功率控制操作執行單元中斬波驅動三極管基極偏流電阻I^stlb的一端連接到工作電源正極接線端Ε，另一端與斬波驅動三極管Tstl的基極連接；與門脈沖控制二極管Dm的陽極和與門斬波控制二極管Dp的陽極均與斬波驅動三極管Tstl的基極連接；與門脈沖控制二極管Dm的陰極和與門斬波控制二極管Dp的陰極分別連接到脈沖控制信號接線端 M和斬波控制信號接線端P ；斬波驅動三極管Tstl的發射極接地，斬波驅動三極管Tstl的集電極與斬波驅動集電極負載電阻1^。的一端連接。斬波驅動集電極負載電阻1^。的另一端與斬波開關MOSFET器件的柵極連接；斬波開關MOSFET器件Qse的源極連接到工作電源正極接線端E，斬波開關MOSFET器件柵極偏流電阻I Sg跨接在斬波開關MOSFET器件Qse的源極和柵極之間，斬波開關MOSFET器件的漏極與穩壓續流二極管Dse的陰極連接；穩壓續流二極管Dse的陽極接地；平波電感Lse的一端與斬波開關MOSFET器件Qse的漏極連接，平波電感Lse的另一端與平波電容Cse的正極連接；平波電容Cse的負極接地。
在超聲波信號產生單元中三只振蕩反饋電容Cfe —一串聯構成振蕩信號反饋鏈， 其一端與振蕩放大三極管Tsi的集電極連接，另一端與射隨器三極管Ts2的基極連接；振蕩信號反饋鏈的中段振蕩反饋電容Cfe的兩端，分別連接兩組低頻率振蕩反饋電阻Rfcl的一端、中低頻率振蕩反饋電阻Rfe2的一端和高頻率振蕩反饋電阻Rfc3的一端；兩組低頻率振蕩反饋電阻Rfel的另一端均連接到低頻率控制信號接線端F1,兩組中低頻率振蕩反饋電阻Rfe2 的另一端均連接到中頻率控制信號接線端F2，兩組高頻率振蕩反饋電阻R0s3的另一端均連接到高頻率控制信號接線端F3 ；低頻率振蕩反饋分壓電阻Rsdi的一端、中頻率振蕩反饋分壓電阻I SD2的一端、高頻率振蕩反饋分壓電阻Rsd3的一端分別連接到低頻率控制信號接線端 F1、中頻率控制信號接線端F2和高頻率控制信號接線端F3,低頻率振蕩反饋分壓電阻Rsdi的一端、中頻率振蕩反饋分壓電阻I SD2的一端和高頻率振蕩反饋分壓電阻I SD3的一端均接地。 振蕩放大三極管基極偏流電阻I^b的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與振蕩放大三極管Tsi的基極連接；振蕩放大三極管集電極負載電阻I S1。的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與振蕩放大三極管Tsi的集電極連接；射隨器集電極負載電阻I ffi。的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與射隨器三極管的集電極連接；射隨器射極電阻 Rse的一端與射隨器三極管Ts2的發射極連接，另一端接地；射隨器基極偏流電阻的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與射隨器三極管的基極連接。
在功率放大和匹配換能執行單元中振蕩信號耦合電容C。的一端與射隨器三極管 Ts2的發射極連接，另一端與前置功放三極管Ts3的基極連接；功率反饋電阻R。f的一端與前置功放三極管的基極連接，另一端連接到功率輸出接線端V。；功率反饋分壓電阻R。b的一端與前置功放三極管Ts3的基極連接，另一端接地；。自舉分壓電阻Rtjl的一端連接到平波電容Cse的正極，另一端與自舉電阻R。2的一端連接；自舉分壓電阻Rtjl與自舉電阻R。2的連接點與自舉電容C。的一端連接，自舉電容C。的另一端連接到功率輸出接線端V。。第一交躍二極管Dsi與第二交躍二極管Dsi正向串聯，該串聯支路的陽極與上臂推挽三極管Ttjl的基極連接，陰極與下臂推挽三極管T。2的基極及前置功放三極管Ts3的集電極同時連接；前置功放三極管的發射極與前置功放射極電阻的一端連接，前置功放射極電阻I^e的另一端接地。上臂推挽三極管Ttjl的集電極連接到平波電容Cse的正極，其基極與自舉電阻 R02的另一端連接，其發射極與下臂推挽三極管Τ。2的發射極連接；上臂推挽三極管Ttjl發射極與下臂推挽三極管Τ。2發射極的連接點連接到功率輸出接線端V。；下臂推挽三極管Τ。2的集電極接地。灸端-振子結構1以其振子等效阻抗Z跨接在振子功率輸出接線端V。和諧振電感L。的電感獨立接線端νΛ之間。諧振電感L。的非獨立接線端按低頻率匹配電感量，中頻率匹配電感量和高頻率匹配電感量引出接線抽頭，分別作為匹配電感低頻率接線端Fu， 匹配電感中頻率接線端R2和匹配電感高頻率接線端Fu。
在圖8所示的超聲波灸電源開關操作電路結構中
電源開關操作電路主要由P溝道增強型電源開關MOSFET器件QK、電源開關K、電池Bat及其外圍器件構成。
電源指示LED限流電阻Rfi的一端與電源指示燈LED器件Vd的陽極連接，電源指示LED限流電阻1^的另一端連接到工作電源正極接線端E，電源指示燈LED器件Vd的陰極接地。電容限流電阻Re2的一端與記憶電容Ce的正極端連接，電容限流電阻Re2的另一端連接到工作電源正極接線端E，記憶電容Ce的負極端接地。偏流電阻Rb的一端連接到工作電源正極接線端E，偏流電阻Rb的另一端與開關晶體管T的基極連接；開關晶體管T的發射極接地，開關晶體管T的集電極與分壓電阻R。的一端連接。分壓電阻R。的另一端與電源開關 MOSFET器件％的柵極及柵極分壓電阻&的一端同時連接，柵極分壓電阻&的另一端與電源開關MOSFET器件％的源極連接；電源開關MOSFET器件％的漏極連接到工作電源正極接線端Ε。電池Bat的正極端同時連接到電源開關MOSFET器件％的源極及充電插口 S。。的正極端；電池Bat的負極端和充電插口 S。。的負極端均接地。在電容限流電阻Re2與記憶電容 Ce的連接點與電源開關MOSFET器件A的柵極之間，跨接一電源開關K。
權利要求
1. 一種超聲波灸電路結構，其特征是超聲波灸電源電路主要由主電路和電源開關操作電路、模式控制操作電路、頻率控制操作電路、功率控制操作電路構成；主電路通過脈沖控制信號接線端和公共接地端與模式控制操作電路連接，通過低頻率控制信號接線端、中頻率控制信號接線端、高頻率控制信號接線端、匹配電感低頻率接線端、匹配電感中頻率接線端、匹配電感高頻率接線端和公共接地端與頻率控制操作電路連接，通過斬波控制信號接線端和公共接地端與功率控制操作電路連接；電源開關操作電路通過工作電源正極接線端和公共接地端連接到主電路、模式控制操作電路、頻率控制操作電路和功率控制操作電路；電源開關操作電路、模式控制操作電路和功率控制操作電路分別通過電源開關接點、模式控制開關接點和功率控制開關接點與電源開關按鍵、模式控制功能操作按鍵和功率控制功能操作按鍵構成操作連接；頻率控制操作電路通過低頻率控制開關聯動接點、中頻率控制開關聯動接點和高頻率控制開關聯動接點分別與低頻控制功能操作滑壓鍵、中頻控制功能操作滑壓鍵和高頻控制功能操作滑壓鍵構成操作連接；主電路主要由模式、功率控制操作執行單元、超聲波信號產生單元、功率放大和匹配換能執行單元構成。其中模式、功率控制操作執行單元由P溝道增強型斬波開關MOSFET器件的及其驅動電路構成分擋級占空比調節結構；超聲波信號產生單元由受控選頻RC相移網路及其放大電路構成正弦波信號源結構；功率放大和匹配換能執行單元由NPN型前置功放三極管、NPN型為上臂推挽三極管、PNP型下臂推挽三極管、諧振電感、換能器-振子等效阻抗及其外圍器件構成OTL輸出匹配結構；模式、功率控制操作執行單元中的斬波驅動三極管基極偏流電阻I^sob的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與斬波驅動三極管Tstl的基極連接；與門脈沖控制二極管Dm的陽極和與門斬波控制二極管Dp的陽極均與斬波驅動三極管Tstl的基極連接；與門脈沖控制二極管Dm的陰極和與門斬波控制二極管Dp的陰極分別連接到脈沖控制信號接線端M和斬波控制信號接線端P ；斬波驅動三極管Tstl的發射極接地，斬波驅動三極管Tstl的集電極與斬波驅動集電極負載電阻I S(I。的一端連接；斬波驅動集電極負載電阻I S(I。的另一端與斬波開關MOSFET器件的柵極連接；斬波開關MOSFET器件Qse的源極連接到工作電源正極接線端E，斬波開關MOSFET器件柵極偏流電阻I Sg跨接在斬波開關MOSFET器件Qse的源極和柵極之間，斬波開關MOSFET器件(iSE的漏極與穩壓續流二極管Dse的陰極連接；穩壓續流二極管Dse的陽極接地；平波電感Lse的一端與斬波開關MOSFET器件Qse的漏極連接，平波電感 Lse的另一端與平波電容Cse的正極連接；平波電容Cse的負極接地；超聲波信號產生單元中的三只振蕩反饋電容Cfc—一串聯構成振蕩信號反饋鏈，其一端與振蕩放大三極管Tsi的集電極連接，另一端與射隨器三極管的基極連接；振蕩信號反饋鏈的中段振蕩反饋電容Cfc的兩端，分別連接兩組低頻率振蕩反饋電阻Rfel的一端、中低頻率振蕩反饋電阻Rfc2的一端和高頻率振蕩反饋電阻Rfc3的一端；兩組低頻率振蕩反饋電阻Rfcl的另一端均連接到低頻率控制信號接線端F1,兩組中低頻率振蕩反饋電阻Rfe2的另一端均連接到中頻率控制信號接線端F2，兩組高頻率振蕩反饋電阻Rfc3的另一端均連接到高頻率控制信號接線端F3 ；低頻率振蕩反饋分壓電阻Rsdi的一端、中頻率振蕩反饋分壓電阻Rsd2的一端、高頻率振蕩反饋分壓電阻Rsd3的一端分別連接到低頻率控制信號接線端F” 中頻率控制信號接線端F2和高頻率控制信號接線端F3，低頻率振蕩反饋分壓電阻I SD1的一端、中頻率振蕩反饋分壓電阻Rsd2的一端和高頻率振蕩反饋分壓電阻I^sd3的一端均接地；振蕩放大三極管基極偏流電阻I^b的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與振蕩放大三極管Tsi的基極連接；振蕩放大三極管集電極負載電阻I S1。的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與振蕩放大三極管Tsi的集電極連接；射隨器集電極負載電阻I ffi。的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與射隨器三極管Ts2的集電極連接；射隨器射極電阻Rse 的一端與射隨器三極管Ts2的發射極連接，另一端接地；射隨器基極偏流電阻的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與射隨器三極管的基極連接；功率放大和匹配換能執行單元中的振蕩信號耦合電容C。的一端與射隨器三極管的發射極連接，另一端與前置功放三極管的基極連接；功率反饋電阻R。f的一端與前置功放三極管Ts3的基極連接，另一端連接到功率輸出接線端V。；功率反饋分壓電阻R。b的一端與前置功放三極管I3的基極連接，另一端接地；；自舉分壓電阻Rtjl的一端連接到平波電容Cse的正極，另一端與自舉電阻R。2的一端連接；自舉分壓電阻Rtjl與自舉電阻R。2的連接點與自舉電容C。的一端連接，自舉電容C。的另一端連接到功率輸出接線端V。；第一交躍二極管Dsi與第二交躍二極管Dsi正向串聯，該串聯支路的陽極與上臂推挽三極管Ttjl的基極連接，陰極與下臂推挽三極管T。2的基極及前置功放三極管Ts3的集電極同時連接；前置功放三極管的發射極與前置功放射極電阻I^e的一端連接，前置功放射極電阻I^e的另一端接地；上臂推挽三極管Ttjl的集電極連接到平波電容Cse的正極，其基極與自舉電阻R。2的另一端連接，其發射極與下臂推挽三極管T。2的發射極連接；上臂推挽三極管Ttjl發射極與下臂推挽三極管Τ。2發射極的連接點連接到功率輸出接線端V。；下臂推挽三極管Τ。2的集電極接地；灸端-振子結構1以其振子等效阻抗Z跨接在振子功率輸出接線端V。和諧振電感L。 的電感獨立接線端νΛ之間；諧振電感L。的非獨立接線端按低頻率匹配電感量，中頻率匹配電感量和高頻率匹配電感量引出接線抽頭，分別作為匹配電感低頻率接線端Fu，匹配電感中頻率接線端R2和匹配電感高頻率接線端Fu。
2.根據權利要求1所述的超聲波灸電路結構，其特征是模式控制操作電路主要由CMOS型第一四D觸發器芯片U” CMOS型脈沖發生555定時器芯片U2及其外圍器件構成；第一觸發上拉電阻Rdm的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與第一四D觸發器芯片U1的4腳連接；短脈沖指示LED限流電阻Rdmi的一端與短脈沖指示LED器件Dmi的陽極端連接，短脈沖指示LED限流電阻Rdmi的另一端連接到工作電源正極接線端E ；中脈沖指示LED限流電阻Rdm2的一端與中脈沖指示LED器件Dm2的陽極端連接，中脈沖指示LED限流電阻Rdm2的另一端連接到工作電源正極接線端E ；長脈沖指示LED限流電阻Rdm3的一端與長脈沖指示LED器件Dm3的陽極端連接，長脈沖指示LED限流電阻Rdm3的另一端連接到工作電源正極接線端E ；短脈沖指示LED器件Dmi的陰極端連接到第一四D觸發器芯片U1的2腳， 中脈沖指示LED器件Dm2的陰極端連接到第一四D觸發器芯片U1的6腳，長短脈沖指示LED 器件Dm3的陰極端連接到第一四D觸發器芯片仏的11腳；模式操作與門第一二極管DMa的陽極和模式操作與門第二二極管Dstb的陽極均與第一四D觸發器芯片仏的4腳連接，模式操作與門第一二極管DMa的陰極和模式操作與門第二二極管Dstb的陰極分別與第一四D觸發器芯片U1的2腳和6腳連接；第一四D觸發器芯片U1的3腳與5腳連接，第一四D觸發器芯片U1的7腳與12腳連接，第一四D觸發器芯片U1的8腳接地，第一四D觸發器芯片U1的3腳、7腳和10腳分別連接到短脈沖延時電阻的一端、中脈延時電阻Rm2的一端和長脈沖延時電阻Rm3的一端，第一四D觸發器芯片U1的16腳連接到工作電源正極接線端E，第一四 D觸發器芯片U1的其余腳懸空；模式操作恢復電阻&的一端接地，模式操作恢復電阻&的另一端與模式操作恢復電容Cm的負極端連接，模式操作恢復電阻 與模式操作恢復電容Cm 的連接點連接到第一四D觸發器芯片U1的9腳；模式操作恢復電容Cm的正極端連接到工作電源正極接線端E ；模式控制開關Km的兩端跨接在模式操作恢復電容Cm的正、負極之間；短脈沖延時電阻的另一端、中脈延時電阻1^的另一端和長脈沖延時電阻Rm3的另一端均與脈沖間歇延時電阻Rk的一端連接，該連接點連接到脈沖發生555定時器芯片U2的7腳；脈沖間歇延時電阻Rsc的另一端與脈沖延時電容Cmi的正極端連接，該連接點連接到脈沖發生 555定時器芯片U2的2腳；脈沖延時電容Cmi的負極端接地；脈沖發生555定時器芯片U2的 2腳與6腳連接，脈沖發生555定時器芯片U2的1腳接地，脈沖發生555定時器芯片U2的5 腳通過模式控制濾波電容Cm2接地，脈沖發生555定時器芯片U2的4腳、8腳均連接到工作電源正極接線端E，脈沖發生555定時器芯片U2的3腳通過脈沖控制信號負載電阻Rsc連接到工作電源正極接線端E，脈沖發生555定時器芯片U2的3腳連接到脈沖控制信號接線端 M0
3.根據權利要求1所述的超聲波灸電路結構，其特征是頻率控制操作電路中的低頻率指示LED限流電阻Rdfi的一端與低頻率指示LED器件Dfi 的陽極端連接，低頻率指示LED限流電阻Rdfi的另一端連接到工作電源正極接線端E ；中頻率指示LED限流電阻Rdf2的一端與中頻率指示LED器件Df2的陽極端連接，中頻率指示LED 限流電阻Rdf2的另一端連接到工作電源正極接線端E ；高頻率沖指示LED限流電阻Rdf3的一端與高頻率指示LED器件Df3的陽極端連接，高頻率沖指示LED限流電阻Rdf3的另一端連接到工作電源正極接線端E ；低頻率指示LED器件Dfi的陰極、中頻率指示LED器件Df2的陰極和高頻率指示LED器件Df3的陰極分別連接到低頻率控制信號接線端F1、中頻率控制信號接線端F2和高頻率控制信號接線端F3 ；在低頻率控制信號接線端Fp中頻率控制信號接線端 F2和高頻率控制信號接線端F3與公共接地端之間，分別跨接低頻率控制開關接點Kfi、中頻率控制開關接點Kf2和高頻率控制開關接點Kf3 ；在低頻率控制信號接線端F1、中頻率控制信號接線端F2和高頻率控制信號接線端F3與公共接地端之間，分別跨接低頻率控制開關接點 Kfi、中頻率控制開關接點Kf2和高頻率控制開關接點Kf3。在匹配電感低頻率接線端Fu、匹配電感中頻率接線端&和匹配電感高頻率接線端Fu與公共接地端之間，分別跨接低頻率控制開關聯動接點二 Ku、中頻率控制開關聯動接點二 I^2和高頻率控制開關聯動接點二 Ku。
4.根據權利要求1所述的超聲波灸電路結構，其特征是功率控制操作電路主要由CMOS型第三四D觸發器芯片U4、CMOS型占空比產生555定時器芯片U5及其外圍器件構成；第三觸發上拉電阻Rdp的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與第三四D觸發器芯片U4的4腳連接；弱功率指示LED限流電阻Rdpi的一端與弱功率指示LED器件Dpi的陽極端連接，弱功率指示LED限流電阻Rdpi的另一端連接到工作電源正極接線端E ；中功率指示LED限流電阻Rdp2的一端與中功率指示LED器件Dp2的陽極端連接，中功率指示LED限流電阻Rdp2的另一端連接到工作電源正極接線端E ；強功率沖指示LED限流電阻Rdp3的一端與強功率指示LED器件Dp3的陽極端連接，強功率沖指示LED限流電阻Rdp3的另一端連接到工作電源正極接線端E ；弱功率指示LED器件Dpi的陰極、中功率指示LED器件Dp2的陰極和強功率指示LED器件Dp3的陰極分別連接到第三四D觸發器芯片U4的2腳、6腳和11腳；功率操作與門第一二極管Dh的陽極和功率操作與門第二二極管Dpb的陽極均與第三四D觸發器芯片U4的4腳連接，功率操作與門第一二極管Dpa的陰極和功率操作與門第二二極管Dpb的陰極分別與第三四D觸發器芯片U4的2腳和6腳連接；第三四D觸發器芯片U4的3腳與5 腳連接，第三四D觸發器芯片U4的7腳與12腳連接，第三四D觸發器芯片U4的8腳接地， 第三四D觸發器芯片U4的3腳、7腳和10腳分別連接到低占空比延時電阻Rpi的一端、中占空比延時電阻Rp2的一端和高占空比延時電阻Rp3的一端，第三四D觸發器芯片U4的16腳連接到工作電源正極接線端E，第三四D觸發器芯片U4的其余腳懸空；功率操作恢復電阻& 的一端接地，功率操作恢復電阻&的另一端與功率操作恢復電容Cp的負極端連接，功率操作恢復電阻&與功率操作恢復電容Cp的連接點連接到第三四D觸發器芯片U4的9腳；功率操作恢復電容Cp的正極端連接到工作電源正極接線端E ；功率控制開關Kp的兩端跨接在功率操作恢復電容Cp的正、負極之間；低占比空延時電阻Rpi的另一端、中占空比延時電阻 Rp2的另一端和高占空比延時電阻Rp3的另一端均與間歇占空延時電阻Rrc的一端連接，該連接點連接到占空比產生555定時器芯片U5的7腳；間歇占空延時電阻Rrc的另一端與占空比控制延時電容Cpi的一端連接，該連接點連接到占空比產生555定時器芯片U5的2腳；占空比控制延時電容Cpi的另一端接地；占空比產生555定時器芯片U5的2腳與6腳連接，占空比產生555定時器芯片U5的1腳接地，占空比產生555定時器芯片U5的5腳通過功率控制濾波電容Cp2接地，占空比產生555定時器芯片U5的4腳、8腳均連接到工作電源正極接線端E，占空比產生555定時器芯片U5的3腳通過斬波控制信號負載電阻R11連接到工作電源正極接線端E，占空比產生555定時器芯片U5的3腳連接到斬波控制信號接線端P。
5.根據權利要求1所述的超聲波灸電路結構，其特征是電源開關操作電路主要由P溝道增強型電源開關MOSFET器件QK、電源開關K、電池Bat 及其外圍器件構成；電源指示LED限流電阻的一端與電源指示燈LED器件Vd的陽極連接，電源指示LED 限流電阻的另一端連接到工作電源正極接線端E，電源指示燈LED器件Vd的陰極接地； 電容限流電阻Re2的一端與記憶電容Ce的正極端連接，電容限流電阻Re2的另一端連接到工作電源正極接線端E，記憶電容Ce的負極端接地；偏流電阻Rb的一端連接到工作電源正極接線端E，偏流電阻Rb的另一端與開關晶體管T的基極連接；開關晶體管T的發射極接地， 開關晶體管T的集電極與分壓電阻R。的一端連接；分壓電阻R。的另一端與電源開關MOSFET 器件A的柵極及柵極分壓電阻艮的一端同時連接，柵極分壓電阻民的另一端與電源開關 MOSFET器件％的源極連接；電源開關MOSFET器件％的漏極連接到工作電源正極接線端E ； 電池Bat的正極端同時連接到電源開關MOSFET器件％的源極及充電插口 S。。的正極端；電池Bat的負極端和充電插口 S。。的負極端均接地；在電容限流電阻Re2與記憶電容Ce的連接點與電源開關MOSFET器件％的柵極之間，跨接一電源開關K。
全文摘要
一種超聲波灸電路結構。電路主要由模式控制操作電路、頻率控制操作電路、功率控制操作電路、主電路和電源開關操作電路構成。主電路通過脈沖控制信號接線端和公共接地端與模式控制操作電路連接，通過低頻率控制信號接線端、中頻率控制信號接線端、高頻率控制信號接線端、匹配電感低頻率接線端、匹配電感中頻率接線端、匹配電感高頻率接線端和公共接地端與頻率控制操作電路連接，通過斬波控制信號接線端和公共接地端與功率控制操作電路連接；電源開關操作電路通過工作電源正極接線端和公共接地端連接到各個電路。
文檔編號A61N7/02GK102488982SQ20111036384
公開日2012年6月13日 申請日期2011年11月17日 優先權日2011年11月17日
發明者屈百達 申請人:江南大學