本發(fā)明實(shí)施例涉及“高分辨率”電阻抗成像的設(shè)備和方法。

發(fā)明背景

電阻抗乳腺X線攝影(EIM)或者電阻抗成像(EII)，也稱作電阻抗X線斷層攝影(EIT)、電阻抗掃描器(EIS)以及施加電位斷層攝影(APT)，是特定用于醫(yī)療應(yīng)用的成像技術(shù)。

該技術(shù)對諸如人體的物體內(nèi)部的電阻抗的空間分布進(jìn)行成像。該技術(shù)作為醫(yī)療診斷工具是有吸引力的，因?yàn)樗欠莿?chuàng)傷性的，并且不利用如同在X射線斷層攝影中的電離輻射，也不利用如同在磁共振成像(MRI)中的強(qiáng)烈且高度均勻的磁場的生成。

通常，均勻分布的電極的二維(2D)或三維(3D)陣列附接于將要成像的物體的所關(guān)注的區(qū)域的周圍。要么輸入電壓被施加在多對“輸入”電極兩端而在“輸出”電極處測量輸出的電流，要么在多對“輸入”電極之間施加輸入電流而在“輸出”電極之間或在多對輸出電極之間測量輸出電壓。例如，當(dāng)在一對“輸入”電極之間施加非常小的交流電流時(shí)，測量到所有其他對“輸出”電極之間的電位差。然后，在不同的一對的“輸入”電極之間施加電流，并測量到所有其他對的“輸出”電極之間的電位差。使用適當(dāng)?shù)膱D像重構(gòu)技術(shù)構(gòu)建圖像。

在電阻抗圖像中顯示的空間變化可能是在健康和不健康的組織之間的阻抗的變化、不同組織和器官之間的阻抗的變化或者由于例如肌肉排列造成的各向異性效應(yīng)的表觀阻抗的變化造成的。

與癌癥相關(guān)的組織和細(xì)胞的改變引起電阻抗的顯著的局部變化，并且可以被成像。WO 00/12005公開了電阻抗成像設(shè)備的示例，其可用于檢測乳腺癌或其他癌。

概述

根據(jù)發(fā)明的各種實(shí)施例而不必是全部的實(shí)施例，提供了在所附的權(quán)利要求中定義的方法、設(shè)備和計(jì)算機(jī)程序。

這些實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了與傳統(tǒng)電阻抗成像相比“更高”分辨率的圖像。

簡要描述

為了更好地理解對于理解簡要描述有用的各種示例，現(xiàn)在將僅以舉例的方式參照附圖，其中：

圖1示出適于執(zhí)行電阻抗成像的設(shè)備的示例；

圖2A和圖2B示出收發(fā)器電路的示例；

圖3示出了方法；

圖4A和圖4B示出被網(wǎng)格化以形成電極框架的不同的單位單元(unit cell)；

圖5A和圖5B示出可使用所限定的位置偏移量重新定位的電極框架；

圖6示出了方法的示例；

圖7A或圖7B示出的示例中，輸入信號是在該對采樣點(diǎn)之間施加的電流；

圖7C示出的示例中，測量了相鄰的采樣點(diǎn)對之間的電壓差；

圖8示出電極框架可如何被(重新)定位而不需要(重新)定位電極陣列的示例；

圖9至圖12示出電極框架可如何通過(重新)定位電極陣列來(重新)定位的示例；

圖13和圖14示出基于“正方形電極”的框架的不同示例；

圖15、圖17A和圖17B示出怎樣通過(重新)定位“三角形電極陣列”可以(重新)定位電極框架的另一個(gè)示例；

圖16A示出控制電路的示例；以及

圖16B示出計(jì)算機(jī)程序的發(fā)送機(jī)構(gòu)。

詳細(xì)描述

在下面的描述中，將參考電極12、包括多個(gè)電極的電極陣列10、電極框架30、采樣點(diǎn)22的陣列20、以及采樣點(diǎn)22的子集。在初始階段闡明這些術(shù)語之間的相似性和不同是有益的。

電極20是物理的、導(dǎo)電的電極，用于提供電信號和/或接收電信號。電極陣列10是電極12在空間上的物理排列。該排列最常見地固定成使得電極12具有相對于彼此固定的空間關(guān)系。

采樣點(diǎn)22是對應(yīng)于電極12并且可用于提供電信號和/或接收電信號的點(diǎn)。采樣點(diǎn)22的陣列20限定對該時(shí)間點(diǎn)處的采樣可用的采樣點(diǎn)22。采樣點(diǎn)的陣列由電極框架30在空間中的位置來確定。

電極框架30限定采樣點(diǎn)22在空間中的相對排列。可將電極框架30固定成使得采樣點(diǎn)22具有相對于彼此固定的空間關(guān)系。然而，可以將電極框架30重新定位。

采樣點(diǎn)22的子集代表采樣點(diǎn)22的陣列20的一些而非全部。采樣點(diǎn)的不同的子集通常用于不同的時(shí)間片段，以覆蓋整個(gè)采樣點(diǎn)的陣列。

在可方便地被稱作“虛擬重新定位實(shí)施例”的第一實(shí)施例中，電極框架30是電極陣列10的子集。可通過選擇電極陣列10中的電極12的子集來限定電極框架30。可通過選擇電極陣列10中的電極12的不同的子集來改變電極框架30的位置。

相反，在可方便地被稱作“物理重新定位實(shí)施例”的第二實(shí)施例中，電極框架30與電極陣列10相同。在電極陣列10中的電極12和電極框架30中的采樣點(diǎn)22之間有一對一的對應(yīng)。通過電極陣列10(電極框架30)的不同的物理位置限定采樣點(diǎn)22的不同的陣列20，而電極陣列10的位置的物理變化改變了電極框架30的位置，并且因此改變了采樣點(diǎn)22的陣列。

在本發(fā)明的第一和第二實(shí)施例中，通過使用由在第一位置的電極框架30限定的采樣點(diǎn)22的陣列20來實(shí)現(xiàn)電阻抗成像，其中，電極框架30限定采樣點(diǎn)22的相對位移；以及通過使用由在不同的第二位置的相同的電極框架30限定的采樣點(diǎn)22的不同的陣列20來實(shí)現(xiàn)電阻抗成像。

需要理解的是，在第一實(shí)施例中，通過改變在電極框架30中使用的電極12實(shí)現(xiàn)采樣點(diǎn)22的陣列20的變化，而在第二實(shí)施例中，通過改變電極框架30(電極陣列10)的物理位置實(shí)現(xiàn)采樣點(diǎn)22的陣列20的變化。

圖1示出適于執(zhí)行電阻抗成像的設(shè)備2的示例。

設(shè)備2包括電極陣列10，電極陣列10包括多個(gè)電極12。電極12通常由基體14支撐。電極12可以相對于基體14的表面凹進(jìn)。電極12用于向受驗(yàn)者的主體4提供電信號，并響應(yīng)的電信號來接收。

在一些示例中，諸如鹽溶液的導(dǎo)電流體和/或支架具有與材料匹配的微弱的導(dǎo)電性，可用于在電極12和主體4之間調(diào)控。支架可用于支撐主體并避免移動(dòng)人工產(chǎn)物。

在這個(gè)示例中，電極陣列10是平面陣列，并且電極12位于單個(gè)平坦平面內(nèi)。

切換電路3用于控制在多個(gè)電極12之中用于向主體4提供在收發(fā)器5產(chǎn)生的輸入信號的電極12，并且切換電路3用于控制在多個(gè)電極12之中用于從主體4向收發(fā)器電路5提供作為答復(fù)的電信號的電極12。

切換電路3可以由控制電路7控制。另外，控制電路7也可控制收發(fā)器電路5。

收發(fā)器電路5向處理電路9提供了從電極12接收的信號，在處理電路9中處理電信號以產(chǎn)生電阻抗圖像。

如在圖2A和圖2B中所示，收發(fā)器電路5和切換電路3通常協(xié)同工作，以將輸入電信號提供給一對電極12，并從多個(gè)電極12接收作為答復(fù)的電信號。所提供的電信號可以是交流信號，并且所提供的電信號的頻率可由控制電路7控制。例如，頻率可以在100Hz到10MHz之間變化。輸入電信號通常包括多個(gè)不同的頻率，并且至少一些頻率高于1MHz。已使用從100Hz到高于1MHz(優(yōu)選為達(dá)到10MHz)的頻率，其頻率帶寬超出1MHz。

可以將組織或細(xì)胞群的總阻抗模型化為平行的細(xì)胞內(nèi)的阻抗和平行的細(xì)胞外阻抗。可以將細(xì)胞內(nèi)的阻抗模型化為電容Ci和電阻Ri的串聯(lián)。可以將細(xì)胞外的阻抗模型化為電阻Rx。在較低頻率處，總阻抗受Rx支配，在較高頻率處，總阻抗受Ri//Rx支配。頻率響應(yīng)對于Ci、Ri以及Rx的變化敏感，并且可用于識(shí)別不正常組織的存在。

在圖2A的示例中，收發(fā)器電路5提供電流形式的電信號，并從電極接收所檢測的電壓形式的電信號。在圖2B的示例中，收發(fā)器電路提供當(dāng)作電壓的輸入電信號，并且從相同或不同的電極接收電流形式的電信號。

圖3示出可以由設(shè)備2執(zhí)行的方法100。

方法100是電阻抗成像法的方法。在塊102，方法100放置電極框架30。電極框架30限定采樣點(diǎn)22的固定的相對位移。放置電極框架限定采樣點(diǎn)22的陣列20。例如，如果將電極框架30放置在第一位置，則電極框架30限定采樣點(diǎn)22的第一陣列。

然后，由電極框架30的位置所限定的采樣點(diǎn)22的陣列用于電阻抗測量。

然后，該方法返回到塊102，在塊102中，將電極框架30的位置改到新的第二位置。電極框架30的新的第二位置限定采樣點(diǎn)22的新的第二陣列20，采樣點(diǎn)22的新的第二陣列20用于電阻抗測量。然后，該方法又進(jìn)行到塊104，在塊104中，由電極框架的新位置所限定的采樣點(diǎn)22的不同的陣列用于電阻抗測量。使用由相同電極框架30的不同位置所限定的采樣點(diǎn)22的多個(gè)不同的陣列20，該方法可重復(fù)很多次以產(chǎn)生不同組的電阻抗測量數(shù)據(jù)。

在塊106，針對在采樣點(diǎn)22的不同陣列20之中每一個(gè)的電阻抗測量數(shù)據(jù)用于產(chǎn)生電阻抗圖像。應(yīng)理解的是，用于產(chǎn)生這個(gè)圖像的采樣點(diǎn)22的數(shù)量和密度大于在只使用采樣點(diǎn)22的單一陣列20的時(shí)候要使用的采樣點(diǎn)22的數(shù)量和密度。因此，所產(chǎn)生的電阻抗圖像具有較高的分辨率。

因此，應(yīng)理解的是，可以使用電極框架30的重新定位來限定采樣點(diǎn)22的不同陣列20，以產(chǎn)生高分辨率的電阻抗圖像。

電極框架30可由電極12的網(wǎng)格化單位單元200限定。圖4A和圖4B示出電極12的可能的單位單元200的不同示例。

每個(gè)單位單元200由第一基本向量a201和第二基本向量b202限定。單位單元200的電極12的四個(gè)位置被在由第一基本向量201和第二基本向量202限定的坐標(biāo)空間中的(0，0)、(1，0)、(0，1)、(1，1)限定。

單位單元200的網(wǎng)格化產(chǎn)生電極框架30。由網(wǎng)格化單位單元200限定的電極12的位置之中的每個(gè)電極12的位置均限定采樣點(diǎn)22的陣列20中的采樣點(diǎn)22。

在圖4A的示例中，第一基本向量201與第二基本向量202正交，且單位單元200是矩形的或正方形的。在圖4B的示例中，第一基本向量201與第二基本向量202不平行，且單位單元200是平行四邊形的。在一些示例中，而不必在全部示例中，第一基本向量201和第二基本向量202之間的角度θ可以是60°。

在一些示例中，而不必在全部示例中，第一基本向量201的大小和第二基本向量202的大小可以相同，例如，使得圖4A中的單位單元200是正方形的而圖4B中的單位單元是菱形的。

圖5A和圖5B示出可使用所限定的位置偏移量32重新定位的電極框架30。

在這個(gè)示例中，偏移量是相對于第一基本向量201和第二基本向量202限定的線性平移。然而，在其他示例中，偏移量可以是單位單元200的旋轉(zhuǎn)。

在圖5A中示出電極框架30的示例。在這個(gè)示例中，電極框架30包括四個(gè)正方形的單位單元200和九個(gè)電極12。在其他示例中，電極框架30可以包括其他數(shù)量的單位單元和電極，以及其他形狀的單位單元200，諸如在圖4A中示出的矩形或在圖4B中示出的平行四邊形。

圖5B示出了可用于重新定位電極框架30的偏移量32的示例。在這個(gè)示例中，把單位單元的第一基本向量201劃分為N＝2的子部分，并把單位單元200的第二基本向量202劃分為N＝2的子部分。因此，針對電極框架30限定四個(gè)不同的偏移量是可能的。例如，相對于第一基本向量201和第二基本向量202，這些偏移量可以被限定為(0，0)、(1/2，0)、(0，1/2)和(1/2，1/2)。

因此，通過由第一基本向量201的分量和第二基本向量202的分量限定的線性平移可以限定不同的偏移量。

可以理解的是，沿著每個(gè)基本向量將單位單元200細(xì)分為N個(gè)，產(chǎn)生了N²個(gè)不同的偏移量。每個(gè)不同的偏移量在用于偏移電極框架30時(shí)，限定采樣點(diǎn)22的新的不同的陣列20。

在圖5B的示例中，第一基本向量201和第二基本向量202二者的子部分等于(N)，然而，更一般地，電極框架30的不同的偏移量可由線性平移限定；

n.a/N+m.b/M，其中n＝0,1...N-1，并且m＝0,1...M-1。

圖6示出圖3中的塊104的示例。這個(gè)圖示出了怎樣使用由電極框架30的特定位置限定的采樣點(diǎn)22的陣列20。

對于電極框架30的每個(gè)位置(即對于采樣點(diǎn)22的每個(gè)不同的陣列20)，可以執(zhí)行下列方法。

在塊110，將電輸入信號提供給采樣點(diǎn)22的陣列20的一對采樣點(diǎn)22,例如，如在圖7A和圖7B中所示。在這些示例中，輸入信號是在該對采樣點(diǎn)22之間施加的電流。

接下來在塊112，有對來自采樣點(diǎn)22的陣列20的其他采樣點(diǎn)22的子集的電輸出信號的接收，如在例如圖7C中所示。在圖7C的示例中，測量了采樣點(diǎn)22的相鄰的對之間的電壓差。

然后，塊110和塊112重復(fù)改變采樣點(diǎn)22的輸入對以及采樣點(diǎn)22的子集。

圖8示出電極框架30可如何被定位而不需要定位電極陣列10的示例。在這個(gè)示例中，電極框架30是電極陣列10的子集。通過改變電極陣列10中的電極12的子集來改變電極框架30的位置。在這個(gè)示例中，在每個(gè)可能的采樣點(diǎn)22有電極12。

通過網(wǎng)格化單位單元200結(jié)合網(wǎng)格化單位單元的位置的所有可能的偏移量值來限定在電極陣列10中的電極12的位置。

網(wǎng)格化單位單元200限定電極框架30，并且可能的偏移量值中的每一個(gè)可能的偏移量值均限定電極框架30的位置。改變偏移量來改變在電極12中哪一個(gè)被使用，并且因此改變電極框架30的位置。因此，應(yīng)理解的是，在電極陣列10中的電極12和采樣點(diǎn)的陣列20中的采樣點(diǎn)22之間沒有一對一的映射。電極陣列10是以不同的方式進(jìn)行子采樣的，以產(chǎn)生采樣點(diǎn)22的不同陣列20。

這個(gè)圖包括識(shí)別電極陣列10中的電極12，并使用單獨(dú)的指示來識(shí)別第一電極框架30(第一偏移量)、第二不同的電極框架30(第二偏移量)、第三不同的電極框架30(第三偏移量)以及第四不同的電極框架30(第四偏移量)的圖例。

雖然在圖7A、圖7B、圖7C和圖8中所示的電極框架包括全部的矩形或正方形的單位單元，但是其他形狀也是可能的，諸如，例如如在圖4B或圖15A中所示的平行四邊形。

圖9至圖12示出怎樣通過重新定位電極陣列10可以重新定位包括矩形的或正方形的單位單元的電極框架30的示例。在這個(gè)示例中，在電極陣列10的電極12和采樣點(diǎn)22的陣列20的采樣點(diǎn)22之間有一對一的映射。

通過電極陣列10的電極12來限定電極框架30。電極框架30的定位和重新定位包括物理定位和重新定位電極陣列10。

在這個(gè)示例中，單位單元200的網(wǎng)格化既限定了電極框架30，又限定了電極陣列10。單位單元的偏移量代表在電極陣列10和電極框架30的物理變化。

圖1中的控制電路7可以用于例如使用電機(jī)或一組數(shù)字的或模擬的步進(jìn)電機(jī)來控制電極陣列10的移動(dòng)。這可以準(zhǔn)確至微米。

圖9示出由電極12限定的電極框架30的示例。電極框架30限定采樣點(diǎn)22的陣列20，其中，每個(gè)采樣點(diǎn)對應(yīng)于電極12。

圖10A示出使用四個(gè)不同的偏移量32以產(chǎn)生采樣點(diǎn)22的四個(gè)不同的陣列20。圖10B示出結(jié)合的采樣點(diǎn)22的所有四個(gè)陣列20。

因此，應(yīng)理解的是，在任何時(shí)間點(diǎn)，將使用圖9中所示的采樣點(diǎn)22的陣列20。在不同的時(shí)間，將使用對應(yīng)于由不同的偏移量32所限定的電極框架30的不同位置的采樣點(diǎn)22的不同陣列20，并且因此，隨著時(shí)間變化，在圖10B中所示的采樣點(diǎn)22將會(huì)在阻抗成像方法中使用。

可以理解的是，圖10B中的采樣點(diǎn)22的數(shù)量和密度比在圖9A中的采樣點(diǎn)22的數(shù)量和密度大四倍。結(jié)果，使用圖10B中的采樣點(diǎn)22產(chǎn)生的阻抗圖像將具有比使用圖9中的采樣點(diǎn)22產(chǎn)生的阻抗圖像更高的分辨率。

應(yīng)當(dāng)理解的是，圖10A中實(shí)施的不同的偏移量32的順序使得電極框架30的位置上的每個(gè)改變僅涉及單位單元200的第一基本向量201或第二基本向量202在方向上的改變。電極陣列10按照有序的序列移動(dòng)以實(shí)現(xiàn)每個(gè)偏移量32。在這個(gè)示例中，第一基本向量201與第二基本向量202正交。

在圖10A的示例中，單位單元200的每個(gè)基本向量被劃分為兩個(gè)。這產(chǎn)生采樣點(diǎn)22的四個(gè)不同的偏移量以及四個(gè)不同的陣列20。

在圖11的示例中，每個(gè)基本向量被分為三個(gè)，并且這產(chǎn)生九個(gè)不同的偏移量，并因此產(chǎn)生采樣點(diǎn)22的九個(gè)不同的陣列20。

在圖12的示例中，每個(gè)基本向量被分為四個(gè)，導(dǎo)致采樣點(diǎn)22的十六個(gè)不同的偏移量值以及十六個(gè)不同的陣列20。

然而，應(yīng)理解的是，單位單元200的每個(gè)基本向量可被分為N個(gè)(N-1個(gè)插值)。這產(chǎn)生采樣點(diǎn)22的N²個(gè)不同的偏移量以及N²個(gè)不同的陣列20。

應(yīng)理解的是，采樣點(diǎn)22的不同陣列中的每一個(gè)均用于獲得輸出電信號，例如如同在之前關(guān)于圖6所描述的。

圖9示出用于限定采樣點(diǎn)22的陣列20的電極框架30的一個(gè)示例。然而，使用不同的電極框架30是可能的。圖13和圖14示出不同的電極框架30。

圖15、圖17A和圖17B示出怎樣通過重新定位電極陣列10可以重新定位包括平行四邊形的或菱形的單位單元的電極框架30的示例。在這個(gè)示例中，在電極陣列10的電極12和采樣點(diǎn)22的陣列20的采樣點(diǎn)22之間有一對一的映射。

通過電極陣列10的電極12來限定電極框架30。電極框架30的定位和重新定位包括物理定位和重新定位電極陣列10。

在這個(gè)示例中，單位單元200的網(wǎng)格化既限定了電極框架30，又限定了電極陣列10。單位單元的偏移量代表在電極陣列10和電極框架30的物理變化。

圖1中的控制電路7可以用于例如使用電機(jī)或一組數(shù)字的或模擬的步進(jìn)電機(jī)來控制電極陣列10的移動(dòng)。這可以準(zhǔn)確至微米。

圖17A示出由電極12限定的電極框架30的示例。電極框架30限定采樣點(diǎn)22的陣列20，其中，每個(gè)采樣點(diǎn)對應(yīng)于電極12。

圖15示出使用四個(gè)不同的偏移量32以產(chǎn)生采樣點(diǎn)22的四個(gè)不同的陣列20。圖17B示出結(jié)合的采樣點(diǎn)22的所有四個(gè)陣列20。

因此，應(yīng)理解的是，在任何時(shí)間點(diǎn)，將會(huì)使用圖17A中所示的采樣點(diǎn)22的陣列20。在不同的時(shí)間，將使用對應(yīng)于由不同的偏移量32所限定的電極框架30的不同位置的采樣點(diǎn)22的不同陣列20，并且因此，隨著時(shí)間變化，在圖17B中所示的采樣點(diǎn)22將會(huì)在阻抗成像方法中使用。

可以理解的是，圖17B中的采樣點(diǎn)22的數(shù)量和密度比在圖17A中的采樣點(diǎn)22的數(shù)量和密度大四倍。結(jié)果，使用圖17B中的采樣點(diǎn)22產(chǎn)生的阻抗圖像將具有比使用圖9中的采樣點(diǎn)22產(chǎn)生的阻抗圖像更高的分辨率。

應(yīng)當(dāng)理解的是，圖15中實(shí)施的不同的偏移量32的順序使得電極框架30的位置上的每個(gè)改變僅涉及單位單元200的第一基本向量201或第二基本向量202在方向上的改變。電極陣列10按照有序的序列移動(dòng)以實(shí)現(xiàn)每個(gè)偏移量32。在這個(gè)示例中，第一基本向量201與第二基本向量202不正交。在這個(gè)示例中，第一基本向量201與第二基本向量202之間的角度是60°。

在圖17A的示例中，單位單元200的每個(gè)基本向量被劃分為兩個(gè)。這產(chǎn)生采樣點(diǎn)22的四個(gè)不同的偏移量以及四個(gè)不同的陣列20。

然而，應(yīng)理解的是，單位單元200的每個(gè)基本向量可被分為N個(gè)(N-1個(gè)插值)。這產(chǎn)生采樣點(diǎn)22的N2個(gè)不同的偏移量以及N2個(gè)不同的陣列20。

應(yīng)理解的是，采樣點(diǎn)22的不同陣列中的每一個(gè)均用于獲得輸出電信號，例如如同在之前關(guān)于圖6所描述的。

圖17A示出用于限定采樣點(diǎn)22的陣列20的電極框架30的一個(gè)示例。然而，使用不同的電極框架30是可能的。

參考圖16A，控制電路7(圖1)的實(shí)施可以是控制器。控制器7可以在單獨(dú)的硬件中實(shí)施，在一些方面有包括單獨(dú)的固件的軟件，或者可以是硬件與軟件(包括固件)的結(jié)合。

如在圖16A中所述，例如，通過使用通用處理器或?qū)Ｓ锰幚砥?00中的、可以儲(chǔ)存在將要由這樣的處理器200執(zhí)行的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)(磁盤、存儲(chǔ)器等)的可執(zhí)行計(jì)算機(jī)程序指令204，控制器7可以使用使能硬件的功能性的指令來實(shí)施。

處理器200被配置為從存儲(chǔ)器202讀取并向存儲(chǔ)器202寫入。處理器200也可以包括輸出接口和輸入接口，數(shù)據(jù)和/或命令由處理器200經(jīng)由輸出接口輸出，數(shù)據(jù)和/或指令由處理器200經(jīng)由輸入接口輸入。

存儲(chǔ)器202儲(chǔ)存計(jì)算機(jī)程序204，計(jì)算機(jī)程序204包括當(dāng)裝載在處理器200中時(shí)控制設(shè)備2的運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序指令(計(jì)算機(jī)程序代碼)。計(jì)算機(jī)程序204的計(jì)算機(jī)程序指令提供使設(shè)備能夠執(zhí)行在圖3和圖6中示出的方法的邏輯和例程。通過讀取存儲(chǔ)器202，處理器200能夠裝載和執(zhí)行計(jì)算機(jī)程序204。

因此，設(shè)備2包括：

至少一個(gè)處理器200；以及

至少一個(gè)存儲(chǔ)器204，其包括計(jì)算機(jī)程序代碼204，

至少一個(gè)存儲(chǔ)器202以及計(jì)算機(jī)程序代碼204被配置成采用至少一個(gè)處理器200使得設(shè)備2至少執(zhí)行：

使用由在第一位置的電極框架限定的采樣點(diǎn)的陣列，其中，電極框架限定采樣點(diǎn)的相對位移；以及

使用由在不同的第二位置的相同電極框架限定的采樣點(diǎn)的不同的陣列。

如圖16B中所示，計(jì)算機(jī)程序204可經(jīng)由任何合適的發(fā)送機(jī)構(gòu)210到達(dá)設(shè)備2。發(fā)送機(jī)構(gòu)210可以例如是非暫時(shí)性的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)、計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品、存儲(chǔ)設(shè)備、諸如光盤只讀存儲(chǔ)器(CD-ROM)或數(shù)字通用盤(DVD)的記錄介質(zhì)、可觸摸地體現(xiàn)計(jì)算機(jī)程序204的制品。發(fā)送機(jī)構(gòu)可以是被配置成可靠地傳輸計(jì)算機(jī)程序204的信號。設(shè)備2可以將計(jì)算機(jī)程序204作為計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)信號傳播或傳輸。

雖然存儲(chǔ)器202以單一元件/電路示出，但是存儲(chǔ)器可以實(shí)施為一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)的元件/電路，所述一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)的元件/電路中的一些或全部可以是集成的/可移除的，和/或所述一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)的元件/電路中的一些或全部可以提供永久/半永久/動(dòng)態(tài)/緩存的存儲(chǔ)。

雖然處理器200以單一元件/電路示出，但是存儲(chǔ)器可以實(shí)施為一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)的元件/電路，所述一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)的元件/電路中的一些或全部可以是集成的/可移除的。處理器200可以是單核處理器或多核處理器。

所指稱的“計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)”、“計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品”、“可觸摸地體現(xiàn)計(jì)算機(jī)程序”等或者“控制器”、“計(jì)算機(jī)”、“處理器”等，應(yīng)理解為不僅包含具有不同架構(gòu)的計(jì)算機(jī)，諸如單處理器架構(gòu)/多處理器架構(gòu)以及時(shí)序(馮諾依曼)架構(gòu)/并行架構(gòu)，而且包含特殊電路，諸如現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)、專用電路(ASIC)、信號處理設(shè)備以及其他處理電路。所指稱的計(jì)算機(jī)程序、指令、代碼等應(yīng)被理解為包含可編程處理器的軟件或固件，諸如，例如，硬件設(shè)備的可編程內(nèi)容，無論是針對處理器的指令、或是針對固定功能的設(shè)備、門陣列或可編程邏輯設(shè)備等的配置設(shè)定。

圖3和圖6中示出的塊可以代表方法中的步驟和/或計(jì)算機(jī)程序204中的代碼的一部分。塊的特定順序的示出不一定意味著塊的必需或優(yōu)選的順序，并且塊的順序和排列可以變化。此外，有可能將一些塊省略。

在此使用的“模塊”指的是將由終端制造商或用戶添加的特定部分/元件排除在外的單元或設(shè)備。設(shè)備2可以是模塊。

在本文檔中使用的術(shù)語“包括”具有開放性而不是封閉性的意思。對X包括Y的任何提及表明X可以僅包括一個(gè)Y，或可以包括多于一個(gè)的Y。如果想要采用封閉性的意思使用“包括”，那么將會(huì)在上下文中清楚地指出“僅包括一個(gè)”或使用“由……構(gòu)成”。

在這個(gè)簡要描述中，已經(jīng)以各種示例作為參考。參考示例對特征或功能的描述表示那些特征或功能存在于該示例中。文中對術(shù)語“示例”或“例如”或“可以”的使用指示：無論是否明確聲明，這樣的特征或功能至少存在于所描述的示例中，并且無論是否描述為示例，它們可以但不必須存在于一些或全部的其他示例中。因此，“示例”或“例如”或“可以”指的是一類示例之中的特定實(shí)例。實(shí)例的性質(zhì)可以僅僅是那個(gè)實(shí)例的性質(zhì)，或者是該類的性質(zhì)，或者是包括該類實(shí)例之中的一些而非全部之中的一類之中的子類的性質(zhì)。

盡管參照各種示例在前述段落中描述了本發(fā)明的實(shí)施例，應(yīng)理解的是，在不偏離所要求的發(fā)明范圍的情況下，可做出對所給出的示例的各種變化。

前述描述中所描述的特征可以以不同于明確地進(jìn)行描述的組合的組合進(jìn)行使用。

雖然已經(jīng)參考一些特征描述了功能，但是無論是否描述，通過其他特征那些功能可以是可執(zhí)行的。

雖然已參考特定實(shí)施例描述了特征，但是無論是否描述，那些特征同樣可以存在在其他實(shí)施例中。

雖然在前面的說明書中努力吸引對被認(rèn)為具有特別重要性的本發(fā)明的那些特征的注意，但是應(yīng)理解的是，申請人要求關(guān)于在上文附圖中被提及和/或示出的任何可取得專利權(quán)的特征或特征的組合的保護(hù)，無論在其中是否提出了特別的強(qiáng)調(diào)。