1.一種能抑制寄生電容的方向性深部腦電極，其特征在于：所述電極（1）的遠端的外表面設置有MEMS膜層；所述MEMS膜層可由一層或多層金屬物，一層或多層硅系阻隔物，和一層或多層聚合物形成；所述MEMS膜層形成多個電極觸點（2），所述電極觸點（2）設置為全向電極或定向電極，所述全向電極圍繞所述電極（1）的大約整個圓周；所述定向電極圍繞所述電極（1）的一部分圓周，所述定向電極可電連接成所述全向電極；任意相鄰所述電極觸點（2）之間存在能夠抑制寄生電容的間隔（3）。
2.根據權利要求1所述的方向性深部腦電極，其特征在于：所述間隔（3）的形狀可設置為具有周期性變化的波形形狀，所述波形的波長約為電極刺激波形波長的整數倍。
3.根據權利要求1或2所述的方向性深部腦電極，其特征在于：所述間隔（3）的形狀設置為鋸齒狀，所述鋸齒狀的波形波長約為電極刺激波形波長的整數倍。
4.根據權利要求1或2所述的方向性深部腦電極，其特征在于：所述間隔（3）的形狀設置為波浪形狀，所述波浪形狀的波長約為電極刺激波形波長的整數倍。
5.根據權利要求1所述的方向性深部腦電極，其特征在于：所述間隔（3）的形狀設置為折線段形狀。
6.根據權利要求1所述的方向性深部腦電極，其特征在于：所述間隔（3）的形狀設置為對稱形狀或者非對稱形狀。
7.根據權利要求1所述的方向性深部腦電極，其特征在于：所述間隔（3）的形狀設置為規則形狀或非規則形狀。
8.根據權利要求1所述的方向性深部腦電極，其特征在于：所述金屬物層沉積在所述硅系阻隔物層的表面上；所述硅系阻隔層沉積到所述聚合物層上。
9.根據權利要求1所述的方向性深部腦電極，其特征在于：所述金屬物可選擇為：金，銀，鈦，鉑或銥，所述硅系阻隔物可選擇為：氮化硅，氧化硅，碳化硅，多晶硅或非晶硅；所述聚合物層可選擇為：聚酰亞胺或硅氧烷前體。