專利名稱：一種清洗晶圓表面殘留物的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造清洗工藝，特別涉及一種晶圓表面清洗方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件制造清洗工藝中，通常采用EKC溶劑清洗晶圓表面殘留的有 機(jī)物(Polymer),從而起到清潔和去除缺陷的作用。現(xiàn)有的清洗方法是將晶圓垂 直放置在盛有EKC溶劑的清洗槽中，通過溶解擴(kuò)散或電排斥，去除晶圓表面的 殘留物。但是，當(dāng)晶圓邊緣表面存在缺陷，如離焦(defocus)、圖形剝落(pattern peeling)時(shí)，可能把邊緣缺陷帶到整片晶圓，形成更多的殘留及短路等缺陷， 使產(chǎn)品良率受到很大影響。圖1是采用現(xiàn)有的晶圓清洗方法產(chǎn)生的缺陷示意圖， 圖中深色的陰影帶即顯示了邊緣缺陷帶到整片晶圓的情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種清洗晶圓表面殘留物的方法，通過該方法能有 效避免邊緣缺陷帶到整片晶圓，降低缺陷大量產(chǎn)生的可能，從而提高產(chǎn)品良率。
為了達(dá)到上述的目的，本發(fā)明提供一種清洗晶圓表面殘留物的方法，其包 括如下步驟(l)將晶圓水平放置于清洗槽中；(2)向晶圓表面噴灑溶劑，同時(shí) 旋轉(zhuǎn)晶圓。
在上述的清洗晶圓表面殘留物的方法中，所述方法在步驟(2)之后還包括向 晶圓表面噴灑蒸餾水，同時(shí)旋轉(zhuǎn)晶圓的步驟。
在上述的清洗晶圓表面殘留物的方法中，所述的清洗槽是微影設(shè)備的顯影槽。
在上述的清洗晶圓表面殘留物的方法中，所迷的溶劑是TMA (四曱基銨)。 在上述的清洗晶圓表面殘留物的方法中，步驟(2)通過旋轉(zhuǎn)晶圓產(chǎn)生離心 力，將晶圓表面溶解的殘留物甩出。 本發(fā)明的清洗晶圓表面殘留物的方法，通過將晶圓水平放置在清洗槽中， 利用旋轉(zhuǎn)離心力將晶圓表面溶解的殘留物甩出，從而有效防止了邊緣缺陷擴(kuò)散
到整片晶圓，提高了產(chǎn)品的良率。此外，通過采用TMA溶劑取代原有的EKC溶 劑，還能減小溶劑對晶圓表面材質(zhì)的影響。


通過以下對本發(fā)明一實(shí)施例結(jié)合其附圖的描述，可以進(jìn)一步理解其發(fā)明的 目的、具體結(jié)構(gòu)特征和優(yōu)點(diǎn)。其中，附圖為
圖1是采用現(xiàn)有的晶圓清洗方法產(chǎn)生的缺陷示意圖2是采用本發(fā)明的晶圓清洗方法在不同的清洗時(shí)間下得到的缺陷掃描圖。
具體實(shí)施例方式
以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明的清洗晶圓表面殘留物的方法作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
本發(fā)明的清洗晶圓表面殘留物的方法首先將晶圓水平放置于清洗槽中，接 著通過設(shè)置在機(jī)臺(tái)上的噴嘴向晶圓表面噴灑溶劑，同時(shí)旋轉(zhuǎn)晶圓，以將晶圓表 面溶解的殘留物甩出。當(dāng)殘留物溶解之后再向晶圓表面噴灑蒸餾水，同時(shí)旋轉(zhuǎn) 晶圓，以清除晶圓表面的溶劑殘留。于本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，采用微影設(shè)備 的顯影槽作為晶圓的清洗槽，并采用TMA(四甲基銨)溶劑作為清洗殘留物的溶 劑。
當(dāng)晶圓水平放置于顯影槽后，可通過噴頭向晶圓表面噴灑TMA溶劑。隨著 晶圓的旋轉(zhuǎn)，溶劑逐漸往晶圓邊緣擴(kuò)散，晶圓表面的殘留物被TMA溶劑溶解后 在離心力的作用下被甩出晶圓，從而晶圓邊緣的缺陷不會(huì)影響到晶圓的中央。 此外，由實(shí)驗(yàn)表明，TMA溶劑對晶圓表面材質(zhì)鈦(Ti)的影響小于EKC溶劑，故采 用TMA溶劑清洗晶圓還能減'J、溶劑對晶圓表面的損害。
本發(fā)明的方法對晶圓清洗時(shí)間沒有特殊的限定，可以按照工藝要求或晶圓 表面殘留物的情況設(shè)定合理的清洗時(shí)間，以節(jié)約工藝成本。圖2是采用本發(fā)明 的晶圓清洗方法在不同的清洗時(shí)間(45s， 60s, 75s, 90s )下得到的缺陷掃描 圖，從圖中可以看出，采用本發(fā)明的方法清洗的晶圓，其表面沒有明顯的缺陷
痕跡，不會(huì)產(chǎn)生如圖1所示的缺陷帶，因此，采用該方法清洗的晶圓的良率可
保持在80%左右，比現(xiàn)有方法所獲得的良率提高近30%。
權(quán)利要求
1. 一種清洗晶圓表面殘留物的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟(1)將晶圓水平放置于清洗槽中；(2)向晶圓表面噴灑溶劑，同時(shí)旋轉(zhuǎn)晶圓。
2、 如權(quán)利要求1所述的清洗晶圓表面殘留物的方法，其特征在于所述方 法在步驟(2)之后還包括向晶圓表面噴灑蒸餾水，同時(shí)旋轉(zhuǎn)晶圓的步驟。
3、 如權(quán)利要求]所述的清洗晶圓表面殘留物的方法，其特征在于所述的 清洗槽是微影設(shè)備的顯影槽。
4、 如權(quán)利要求1所述的清洗晶圓表面殘留物的方法，其特征在于所述的 溶劑是TMA(四曱基銨)。
5、 如權(quán)利要求1所述的清洗晶圓表面殘留物的方法，其特征在于步驟(2) 通過旋轉(zhuǎn)晶圓產(chǎn)生離心力，將晶圓表面溶解的殘留物甩出。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種清洗晶圓表面殘留物的方法。現(xiàn)有的清洗方法容易把晶圓邊緣的缺陷帶到整片晶圓，形成更多的殘留及短路等缺陷。本發(fā)明的清洗晶圓表面殘留物的方法包括如下步驟(1)將晶圓水平放置于清洗槽中；(2)向晶圓表面噴灑溶劑，同時(shí)旋轉(zhuǎn)晶圓。采用本發(fā)明的方法將晶圓水平放置在清洗槽中，利用旋轉(zhuǎn)離心力將晶圓表面溶解的殘留物甩出，可有效防止邊緣缺陷擴(kuò)散到整片晶圓，提高了產(chǎn)品良率。此外，通過采用TMA溶劑取代原有的EKC溶劑，還能減小溶劑對晶圓表面材質(zhì)的影響。
文檔編號(hào)B08B3/08GK101204704SQ200610147630
公開日2008年6月25日 申請日期2006年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月20日
發(fā)明者方向平, 鵬 李, 李碧峰, 邵紅光 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司