專利名稱：：半導體工業用清洗劑的制作方法
技術領域：
：本發明涉及一種清洗劑，具體地說，涉及一種水基型的半導體工業用清洗劑。
背景技術：
：清洗技術對半導體工業是極端重要的，可以說，如果沒有有效的清洗技術，便沒有今日的半導體產業。當今半導體工業已經有了舉世屬目的發展，然而半導體工業的清洗技術仍然沿用40余年的傳統清洗技術。傳統清洗技術主要使用酸、堿、雙氧水、甲苯、三氯乙烯、氟里昂等化學試劑，不僅成本較高，而且有毒、有腐蝕性、危害操作人員的安全與健康、污染環境。特別是氟里昂等ODS物質嚴重破壞地球高空的臭氧層，危及人類生態環境，是國際上限期禁止生產和使用的物質。多年來，國內外一些科學家就致力于研究一種無毒無腐蝕性的清洗工藝，均未取得突破性進展。根據清洗的要求，市場上出現了一些清洗劑，但是其在耐高壓、高絕緣性、不燃燒、無腐蝕性及環保等方面具有不足之處，且大多數為消耗臭氧層物質(ODS)類產品，隨著國家對環保要求的提高正面臨淘汰的局面。
發明內容本發明的主要目的在于克服現有產品存在的上述缺點，提供一種半導體行業的水溶性清洗劑，其可用于半導體行業清洗工藝中，能有效對半導體工藝中的材料和器件，薄膜工藝中的玻璃和金屬的表面進行清洗，消除靜電，腐蝕性小，而且便于廢棄清洗劑的處理排放，不破壞臭氧層，符合環境保護的要求，配方設計合理，制備工藝簡單，成本較低。本發明的半導體工業用清洗劑，按照重量百分比包括如下組份:主劑0.21表面活性劑515抗靜電劑38增效劑35有機溶劑38去離子水余量，其中，所說的主劑為醋酸鈉化合物、可溶性氟化物中的一種或多種；所說的表面活性劑為醇醚、酚醚表面活性劑中的一種或多種；所說的抗靜電劑為烷基芐基二甲基氯化銨；所說的增效劑為胺皂、酰胺中的一種或多種；所說的有機溶劑為醇類。優選地，本發明的半導體工業用清洗劑，按照重量百分比包括如下組份主劑0.51表面活性劑1015抗靜電劑35增效劑45有機溶劑58去離子水佘量，其中，醋酸鈉化合物是乙二胺四醋酸鈉，可溶性氟化物是氟化鈉；醇醚為脂肪醇聚氧乙烯醚，酚醚為垸基酚聚氧乙烯醚；所說的抗靜電劑為十八烷基芐基二甲基氯化銨；胺皂為油酸三乙醇胺皂，酰胺為N，N-二(2-羥乙基)十二烷基酰胺，醇類為聚乙二醇-400。更優選地，本發明的半導體工業用清洗劑，按照重量百分比包括如下組份:乙二胺四醋酸鈉氟化鈉脂肪醇聚氧乙烯醚烷基酚聚氧乙烯醚十八垸基芐基二甲基氯化銨油酸三乙醇胺皂N，N-二(2-羥乙基)十二烷基酰胺聚乙二醇-400去離子水0.50.555332576'效去除半導體工藝中的材料和器件，薄膜工藝中的玻本發明的工作原理為清洗劑可以完全溶解于水，在超聲作用下能夠有離和金屬的表面上沾污的有機物、灰塵等，有效消除靜電，然后通過噴淋和烘干使器件表面潔凈，達到無有機物和灰塵粘附的效果。本發明的具有如下技術效果(1)清洗劑中合理配置溶劑和表面活性劑的用量，能夠很好地降低清洗劑的表面張力，同時具有水溶性好、滲透力強等優點；(2)清洗劑中選用的化學試劑，不污染環境，不易燃燒，屬于非破壞臭氧層物質，清洗后的廢液便于處理排放，能夠滿足環保三廢排放要求；(3)制備工藝簡單，操作方便，使用安全可靠。具體實施例方式本發明的實施例所使用的原料及設備，均為市售產品。實施例l本實施例中，半導體工業用清洗劑各組分的重量百分比如下組分重量百分比％乙二胺四醋酸鈉0.5氟化鈉0.5脂肪醇聚氧乙烯醚5垸基酚聚氧乙烯醚5十八烷基芐基二甲基氯化銨3油酸三乙醇胺皂3N,N-二(2-羥乙基)十二垸基酰胺2聚乙二醇-4005去離子水76制備方法按照上述比例準備各組分，在室溫下將上述組分依次溶于去離子水中，攪拌混合均勻，即成為本發明之清洗劑成品。實施例2本實施例中，半導體工業用清洗劑各組分的重量百分比如下組分重量百分比％乙二胺四醋酸鈉0.2脂肪醇聚氧乙烯醚5十八垸基芐基二甲基氯化銨3N，N-二(2-羥乙基)十二烷基酰胺3聚乙二醇-4003去離子水85.8制備方法按照上述比例準備各組分，在室溫下將上述組分依次溶于去離子水中，攪拌混合均勻，即成為本發明之清洗劑成品。實施例3本實施例中，半導體工業用清洗劑各組分的重量百分比如下:<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>制備方法按照上述比例準備各組分，在室溫下將上述組分依次溶于去離子水中，攪拌混合均勻，即成為本發明之清洗劑成品。實施例4效果分析選用實施例1至3中任意一種配方的半導體工業用清洗劑，與去離子水按1:100稀釋，加入到超聲清洗機(CSChl200型，石家莊恒威電源科技幵發有限公司生產)中，在頻率為40kHz、功率為80%的條件下，對半導體器件(沾有油污和灰塵)超聲清洗3min，然后用去離子水噴淋，烘干。用肉眼觀測，表面無油污和灰塵，無水痕。以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，并非對本發明作任何形式上的限制，凡是依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發明技術方案的范圍內。權利要求1、一種半導體工業用清洗劑，其特征在于，按照重量百分比包括如下組份主劑0.2～1表面活性劑5～15抗靜電劑3～8增效劑3～5有機溶劑3～8去離子水余量，其中，所說的主劑為醋酸鈉化合物、可溶性氟化物中的一種或多種；所說的表面活性劑為醇醚、酚醚表面活性劑中的一種或多種；所說的抗靜電劑為烷基芐基二甲基氯化銨；所說的增效劑為胺皂、酰胺中的一種或多種；所說的有機溶劑為醇類。2、根據權利要求1所述的半導體工業用清洗劑，其特征在于，按照重量百分比包括如下組份主劑0.51表面活性劑1015抗靜電劑35增效劑45有機溶劑58去離子水余量，其中，醋酸鈉化合物是乙二胺四醋酸鈉，可溶性氟化物是氟化鈉；醇醚為脂肪醇聚氧乙烯醚，酚醚為烷基酚聚氧乙烯醚；所說的抗靜電劑為十八烷基芐基二甲基氯化銨；胺皂為油酸三乙醇胺皂，酰胺為N,N-二(2-羥乙基)十二垸基酰胺，醇類為聚乙二醇-400。3、根據權利要求1或2所述的半導體工業用清洗劑，其特征在于，按照重量百分比包括如下組份乙二胺四醋酸鈉0.5氟化鈉0.5脂肪醇聚氧乙烯醚5烷基酚聚氧乙烯醚5十八垸基芐基二甲基氯化銨3油酸三乙醇胺皂3N，N-二(2-羥乙基)十二烷基酰胺2聚乙二醇-4005去離子水76。全文摘要本發明涉及一種半導體工業用清洗劑，按照重量百分比包括如下組份主劑0.2～1；表面活性劑5～15；抗靜電劑3～8；增效劑3～5；有機溶劑3～8；去離子水余量。本發明的具有如下技術效果(1)清洗劑中合理配置溶劑和表面活性劑的用量，能夠很好地降低清洗劑的表面張力，同時具有水溶性好、滲透力強等優點；(2)清洗劑中選用的化學試劑，不污染環境，不易燃燒，屬于非破壞臭氧層物質，清洗后的廢液便于處理排放，能夠滿足環保三廢排放要求；(3)制備工藝簡單，操作方便，使用安全可靠。文檔編號C11D1/66GK101463295SQ20081023554公開日2009年6月24日申請日期2008年11月28日優先權日2008年11月28日發明者仲躋和申請人:江蘇海迅實業集團股份有限公司