一種ito的清洗工藝的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及一種ITO的清洗工藝，其特征在于，蒸鍍電極前，增加刻蝕液清洗工藝，所述清洗工藝步驟如下：首先將待清洗的芯片放入芯片花籃中；將花籃放入盛放緩沖刻蝕液的槽中浸泡15秒；取出花籃，將其放入盛放有純水的槽中浸泡15分鐘；浸泡完成后，取出花籃，將其放入甩干機(jī)中甩干。本發(fā)明通過(guò)在蒸鍍電極前增加刻蝕液清洗工藝，能夠?qū)⒋饪痰男酒系奈廴疚锴逑吹簦瑥亩ＷC了芯片表面的清潔度，增加了電極的牢固性，減少掉電極的現(xiàn)象，提高了芯片的良率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】 一種ITO的清洗工藝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種ITO的清洗工藝，屬于LED生產(chǎn)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]LED為當(dāng)今照明領(lǐng)域中最為節(jié)能環(huán)保的照明工具之一，但是由于在國(guó)內(nèi)LED行業(yè)剛剛興起，技術(shù)不是很成熟，尤其是掉電極現(xiàn)象更為嚴(yán)重，成為限制LED良率提高的瓶頸之一，掉電極現(xiàn)象出現(xiàn)的主要原因是ITO表面清潔度不高，怎么提高ITO表面的清潔度，是目前行業(yè)的生產(chǎn)中面臨的主要難題之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種ITO的清洗工藝。
[0004]本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案如下:一種ITO的清洗工藝，其特征在于，蒸鍍電極前，增加刻蝕液清洗工藝，所述清洗工藝步驟如下:首先將待清洗的芯片放入芯片花籃中；將花籃放入盛放緩沖刻蝕液的槽中浸泡15秒；取出花籃，將其放入盛放有純水的槽中浸泡15分鐘；浸泡完成后，取出花籃，將其放入甩干機(jī)中甩干。
[0005]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明通過(guò)在蒸鍍電極前增加刻蝕液清洗工藝，能夠?qū)⒋饪痰男酒系奈廴疚锴逑吹簦瑥亩ＷC了芯片表面的清潔度，增加了電極的牢固性，減少掉電極的現(xiàn)象，提聞了芯片的良率。
【具體實(shí)施方式】
[0006]以下對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0007]一種ITO的清洗工藝，其特征在于，蒸鍍電極前，增加刻蝕液清洗工藝，所述清洗工藝步驟如下:首先將待清洗的芯片放入芯片花籃中；將花籃放入盛放緩沖刻蝕液的槽中浸泡15秒；取出花籃，將其放入盛放有純水的槽中浸泡15分鐘；浸泡完成后，取出花籃，將其放入甩干機(jī)中甩干。
[0008]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種ITO的清洗工藝，其特征在于，蒸鍍電極前，增加刻蝕液清洗工藝，所述清洗工藝步驟如下:首先將待清洗的芯片放入芯片花籃中；將花籃放入盛放緩沖刻蝕液的槽中浸泡15秒；取出花籃，將其放入盛放有純水的槽中浸泡15分鐘；浸泡完成后，取出花籃，將其放入甩干機(jī)中甩干。
【文檔編號(hào)】B08B3/08GK103801531SQ201210456780
【公開(kāi)日】2014年5月21日 申請(qǐng)日期:2012年11月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月15日
【發(fā)明者】毛華軍 申請(qǐng)人:毛華軍