一種藍寶石晶片清洗工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種藍寶石晶片清洗工藝，用于對藍寶石晶片在鍍膜、絲印前進行清洗，本發(fā)明在超聲波清洗機中對藍寶石晶片進行清洗，包括如下步驟：第一步、去油污；第二步、噴淋；第三步、去臟污；第四步、噴淋；第五步、除殘留；第六步、噴淋；第七步、超聲波清洗；第八步、慢拉脫水；第九步、烘干，烘干后進行去靜電處理。本發(fā)明減少強酸性、強腐蝕性洗劑的使用，通過分開多次清洗，保證了藍寶石晶片表面的清洗效果，將對設備和操作人員的危害大大降低。
【專利說明】一種藍寶石晶片清洗工藝

【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于藍寶石加工【技術領域】，具體涉及一種藍寶石晶片的清洗工藝。

【背景技術】
[0002]現(xiàn)有藍寶石晶片在進行鍍膜、絲印加工前，為了保證鍍膜、絲印的質量，需要將晶片表面進行清洗，將拋光加工過程中產(chǎn)生的臟污雜質除去。
[0003]現(xiàn)有的藍寶石晶片的清洗技術，通常采用無機酸腐蝕、強氧化、絡合、氧化還原、有機溶劑的清洗方法來去除研磨、拋光帶來的臟污雜質，但仍有50%以上的因清洗導致絲印、鍍膜產(chǎn)生的廢品是由于藍寶石清洗轉運過程中表面污染引起的。同時采用上述清洗工藝對設備的要求較高，要求耐強酸強堿，因使用到的都是強酸、強堿和具體刺激性氣味的化學品，對的員工操作和廢液處理帶來了極大的安全隱患和環(huán)境影響，同時也導致清洗的成本較聞。


【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明解決的技術問題是:提供了一種清洗徹底、安全環(huán)保的藍寶石晶片清洗工藝，用以解決現(xiàn)有采用無機酸腐蝕、強氧化、絡合、氧化還原、有機溶劑的藍寶石晶片清洗方法存在的清洗不徹底、易腐蝕設備并且對操作人員及環(huán)境的危害大的缺陷。
[0005]本發(fā)明采用如下技術方案實現(xiàn):一種藍寶石晶片清洗工藝，在超聲波清洗機中對藍寶石晶片進行清洗，包括如下步驟:
[0006]第一步、去油污，用加熱至80±5°C的氫氧化鈉溶液進行超聲波清洗；
[0007]第二步、噴淋，用常溫去離子水進行噴淋；
[0008]第三步、去臟污，用加熱至80±5°C的水基環(huán)保清洗劑進行超聲波清洗；
[0009]第四步、噴淋，用常溫去離子水進行噴淋；
[0010]第五步、除殘留，用加熱至65±5°C、質量分數(shù)為5-10%的水基環(huán)保清洗劑進行超聲波清洗；
[0011]第六步、噴淋，用65±5°C的去尚子水噴淋；
[0012]第七步、超聲波清洗，用65±5°C的去離子水進行超聲波清洗；
[0013]第八步、慢拉脫水，用75±5°C的去離子水對藍寶石晶片進行浸泡加熱，然后從去離子水中拉出進行脫水；
[0014]第九步、烘干，使用溫度在110±10°C、塵埃粒子含量達到ClasslOOO無塵室標準的空氣對晶片表面進行烘干。
[0015]進一步的，完成第九步后，通過離子風機對烘干后的藍寶石晶片表面進行去靜電處理，要求藍寶石晶片表面靜電在36V以下。
[0016]進一步的，在所有的清洗步驟中，所述藍寶石晶片進行頻率20次/min的拋動。
[0017]進一步的，所述第一步去油污清洗中，先進行粗洗去油污，后進行精洗去油污；其中粗洗去油污采用質量分數(shù)為5-10%、溫度在80±5°C的氫氧化鈉溶液，精洗去油污采用質量分數(shù)為2-5%、溫度在80±5°C的氫氧化鈉溶液。
[0018]進一步的，所述第一步去油污清洗中設定超聲波頻率為28KHZ，粗洗去油污和精洗去油污分別清洗180秒。
[0019]進一步的，所述第三步去臟污清洗中，先進行粗洗去臟污，后進行精洗去臟污；其中粗洗去臟污采用質量分數(shù)為5-10%、溫度在80±5°C的水基環(huán)保清洗劑溶液，精洗去臟污采用質量分數(shù)為2-5%、溫度在80±5°C的水基環(huán)保清洗劑溶液。
[0020]進一步的，所述第三步去臟污清洗以及第五步中除殘留清洗中均設定超聲波頻率為40KHZ，粗洗去臟污、精洗去臟污和除殘留分別清洗180秒。
[0021 ] 進一步的,所述第七步中的超聲波清洗包括在三個單獨的清洗槽中分三次清洗，每一次均在40KHZ的超聲波環(huán)境下清洗180秒。
[0022]進一步的，所有涉及去離子水的清洗步驟中，均采用超純水電阻率> 15ΜΩ ^cm的去離子水，并且循環(huán)過濾使用，循環(huán)進水量為3-5L/min。
[0023]進一步的，所有步驟均在千級無塵室的標準下進行。
[0024]本發(fā)明減少強酸性、強腐蝕性洗劑的使用，通過分開多次清洗，實現(xiàn)了藍寶石晶片的有效清洗，將對設備和操作人員的危害降低至最小，解決了現(xiàn)有技術中藍寶石晶片難以清洗、清洗成本高、不環(huán)保、對員工操作存在安全隱患的問題，具有廣泛的市場經(jīng)濟價值。
[0025]以下結合【具體實施方式】對本發(fā)明做進一步說明。

【具體實施方式】
[0026]實施例
[0027]本實施例中清洗的晶片為Φ50.8mm*0.3mm藍寶石晶片，采用的去離子水電阻為18ΜΩ.cm，循環(huán)進水量:3-5L/min，超聲波電流控制在:2.5±0.5A ;清洗車間按照要求達到千級無塵室標準，按以下具體工藝步驟進行清洗:
[0028]I)粗洗去油污:采用質量比為10%的氫氧化鈉溶液加熱至80°C，將藍寶石晶片按照20次/min的拋動頻率浸入，并在28KHZ的超聲波環(huán)境下清洗180秒。
[0029]2)精洗去油污:另一個清洗槽采用質量比為5%的氫氧化鈉溶液加熱至80°C，將藍寶石晶片按照20次/min的拋動頻率浸入，在28KHZ的超聲波環(huán)境下清洗180秒。
[0030]3)噴淋:使用常溫去離子水對去油污后的藍寶石晶片進行噴淋，噴淋180秒。
[0031]4)粗洗去臟污:采用質量比為10%的水基環(huán)保清洗劑(采購于廣東山之風環(huán)保科技有限公司的win-152B型光學玻璃清洗劑)加熱至80°C，將藍寶石晶片按照20次/min的拋動頻率浸入，在40KHZ的超聲波環(huán)境下清洗180秒。
[0032]5)精洗去臟污:另一個清洗槽采用質量比為5%的同公司采購的win_152B型水基環(huán)保清洗劑加熱至80°C，將藍寶石晶片按照20次/min的拋動頻率浸入，在40KHZ的超聲波環(huán)境下清洗180秒。
[0033]6)噴淋:使用常溫去離子水對去臟污后的藍寶石晶片進行噴淋，噴淋180秒。
[0034]7)除殘留:采用質量比為10%的win-62水基環(huán)保清洗劑加熱至65°C，將藍寶石晶片按照20次/min的拋動頻率浸入，在40KHZ的超聲波環(huán)境下清洗180秒。
[0035]8)噴淋:使用65°C的去離子水對除殘留后的藍寶石晶片清洗噴淋，噴淋180秒。
[0036]9)超聲波清洗:將藍寶石晶片按照20次/min的拋動頻率浸入65°C的去離子水中，在40KHZ的超聲波環(huán)境下清洗180秒。
[0037]10)超聲波清洗:將藍寶石晶片按照20次/min的拋動頻率浸入另一個盛有65°C的去離子水清洗槽中，在40KHZ的超聲波環(huán)境下第二次清洗180秒。
[0038]11)超聲波清洗:將藍寶石晶片按照20次/min的拋動頻率浸入第三個盛有65°C的去離子水清洗槽中，在40KHZ的超聲波環(huán)境下第三次清洗180秒。
[0039]12)慢拉脫水:將上述三步清洗后的藍寶石晶片進入75°C的去離子水中，通過去離子水導熱，然后在6± IHz的超聲波環(huán)境下將藍寶石晶片緩慢拉出，從去離子水中拉出的藍寶石晶片在余熱的狀態(tài)下將表面的殘余水滴蒸發(fā)，實現(xiàn)藍寶石晶片表面初步脫水。
[0040]13)烘干:將初步脫水后的藍寶石晶片使用110°C的空氣進行烘干，空氣需經(jīng)過高效過濾凈化、除油、除水，塵埃粒子含量達到ClasslOOO無塵室標準。
[0041]14)去靜電:通過離子風機對藍寶石晶片表面除靜電。
[0042]清洗后對藍寶石晶片進行檢驗:在檢驗燈光照度為800?1200Lux ;檢驗距離為:產(chǎn)品距眼睛30cm，產(chǎn)品距光源40cm ;檢驗時間為:15s ;檢驗角度為:眼睛視線與玻璃表面垂直，上下左右旋轉30-75°。在檢驗背景為黑色背景的情況下，要求檢驗晶片表面無顆粒，臟污，水滴角測試在18-22°之間，可以滿足藍寶石晶片絲印、鍍膜工藝要求。
[0043]采用上述清洗工藝清洗后的藍寶石晶片均能達到上述檢驗方法要求的標準。
【權利要求】
1.一種藍寶石晶片清洗工藝，在超聲波清洗機中對藍寶石晶片進行清洗，其特征是包括如下步驟: 第一步、去油污，用加熱至80±5°c的氫氧化鈉溶液進行超聲波清洗； 第二步、噴淋，用常溫去離子水進行噴淋； 第三步、去臟污，用加熱至80±5°C的水基環(huán)保清洗劑進行超聲波清洗； 第四步、噴淋，用常溫去離子水進行噴淋； 第五步、除殘留，用加熱至65±5°C、質量分數(shù)為5-10%的水基環(huán)保清洗劑進行超聲波清洗； 第六步、噴淋，用65±5°C的去尚子水噴淋； 第七步、超聲波清洗，用65±5°C的去離子水進行超聲波清洗； 第八步、慢拉脫水，用75±5°C的去離子水對藍寶石晶片進行浸泡加熱，然后從去離子水中拉出進行脫水； 第九步、烘干，使用溫度在110±10°C、塵埃粒子含量達到Class 1000無塵室標準的空氣對晶片表面進行烘干。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種藍寶石晶片清洗工藝，其特征是:完成第九步后，通過離子風機對烘干后的藍寶石晶片表面進行去靜電處理，要求藍寶石晶片表面靜電在36V以下。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的一種藍寶石晶片清洗工藝，其特征是:在所有的清洗步驟中，所述藍寶石晶片進行頻率20次/min的拋動。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的一種藍寶石晶片清洗工藝，其特征是:所述第一步去油污清洗中，先進行粗洗去油污，后進行精洗去油污；其中粗洗去油污采用質量分數(shù)為5-10%、溫度在80±5°C的氫氧化鈉溶液，精洗去油污采用質量分數(shù)為2-5%、溫度在80 ±5 °C的氫氧化鈉溶液。
5.根據(jù)權利要求4所述的一種藍寶石晶片清洗工藝，其特征是:所述第一步去油污清洗中設定超聲波頻率為28KHZ，粗洗去油污和精洗去油污分別清洗180秒。
6.根據(jù)權利要求1或2所述的一種藍寶石晶片清洗工藝，其特征是:所述第三步去臟污清洗中，先進行粗洗去臟污，后進行精洗去臟污；其中粗洗去臟污采用質量分數(shù)為5-10%、溫度在80±5°C的堿性水基環(huán)保清洗劑溶液，精洗去臟污采用質量分數(shù)為2-5%、溫度在80 ± 5 °C的堿性水基環(huán)保清洗劑溶液。
7.根據(jù)權利要求6所述的一種藍寶石晶片清洗工藝，其特征是:所述第三步去臟污清洗以及第五步中除殘留清洗中均設定超聲波頻率為40KHZ，粗洗去臟污、精洗去臟污和除殘留分別清洗180秒。
8.根據(jù)權利要求1或2所述的一種藍寶石晶片清洗工藝，其特征是:所述第七步中的超聲波清洗包括在三個單獨的清洗槽中分三次清洗，每一次均在40KHZ的超聲波環(huán)境下清洗180秒。
9.根據(jù)權利要求1或2所述的一種藍寶石晶片清洗工藝，其特征是:所有涉及去離子水的清洗步驟中，均采用超純水電阻率> 15ΜΩ.CM的去離子水，并且循環(huán)過濾使用，循環(huán)進水量為3-5L/min。
10.根據(jù)權利要求1或2所述的一種藍寶石晶片清洗工藝，其特征是:所有步驟均在千級無塵室的標準下進行。
【文檔編號】B08B3/02GK104259132SQ201410366227
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2014年7月29日 優(yōu)先權日:2014年7月29日
【發(fā)明者】周群飛, 饒橋兵, 湯功如 申請人:藍思科技股份有限公司