專利名稱：一種由二氧化鈦和三氧化二釤組成的微波陶瓷電容的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種電容，尤其是無鉛電容。
背景技術：
目前用于生產高壓陶瓷電容器的瓷料中含有大量的鉛(往往是鈦酸鉛方式加入)，這樣化學鉛元素具有的鉛毒在生產、使用以及報廢過程中都會對人體和環境造成一定的危害。
同時一般配方的無鉛陶瓷電容耐壓值不夠高。

發明內容
本發明的任務是提供一種耐高壓的無鉛陶瓷電容。
為實現上述目的，采用的技術方案是一種無鉛電容，其特征是由25％的碳酸鋇、32％的三氧化二釤、35％的二氧化鈦和8％的三氧化二鐿組成。將上述材料混合后加入聚乙烯醇壓制成型，然后在1340攝氏度左右燒結得到的耐高壓的無鉛陶瓷電容材料。
采用本配方燒結的電容溫度系數為1QJ-80，其耐壓值提高到25KV/mm，介電常數ε≈80，在1KHz-100KHz的交流工作電流中，介質損耗接近0.001。
具體實施例方式
實際制作中，將碳酸鍶碳酸鋇、三氧化二釤、二氧化鈦和三氧化二鐿按照上述配比，經過球磨混合，進行干燥，然后加入8％的聚乙烯醇進行噴霧造粒，就可以得到本配方的無鉛電容材料。
權利要求
1.一種無鉛電容，其特征是由25％的碳酸鋇、32％的三氧化二釤、35％的二氧化鈦和8％的三氧化二鐿組成。
2.如權利要求1所述，其特征在于將碳酸鍶碳酸鋇、三氧化二釤、二氧化鈦和三氧化二鐿按照上述配比，經過球磨混合，進行干燥，然后加入8％的聚乙烯醇進行噴霧造粒，就可以得到本配方的無鉛電容材料。
全文摘要
本發明提供一種無鉛電容，由25％的碳酸鋇、32％的三氧化二釤、35％的二氧化鈦和8％的三氧化二鐿組成。將上述材料混合后加入聚乙烯醇壓制成型，然后在1340攝氏度左右燒結得到的耐高壓的無鉛陶瓷電容材料，采用本配方燒結的電容溫度系數為1QJ－80，其耐壓值提高到25KV/mm，介電常數ε≈80，在1KHz－100KHz的交流工作電流中，介質損耗接近0.001。
文檔編號C04B35/01GK101083169SQ200710069758
公開日2007年12月5日 申請日期2007年7月3日 優先權日2007年7月3日
發明者周翔, 顏歡 申請人:周翔